專利名稱：十字電流型三軸矢量磁傳感器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及MEMS磁傳感器領域，具體是一種十字電流型三軸矢量磁傳感器。
技術背景
地磁導航技術作為一種無源自主導航方法，具有隱蔽性好、抗干擾能力強、成本低的特點，尤其是基于霍爾效應的磁傳感器的出現(xiàn)，使其得到迅速的發(fā)展，但因磁傳感器的精度低、靈敏度差使得地磁導航技術一直只適用于普通導航系統(tǒng)中，對戰(zhàn)術級、戰(zhàn)略級導航系統(tǒng)的貢獻很小。
傳統(tǒng)的霍爾磁傳感器是以Si材料為霍爾半導體，隨后因GaAs材料的電子遷移率高，基于GaAs材料的霍爾傳感器也相應而生，接著隨著高電子遷移率HEMT器件的出現(xiàn)，使得目前基于高電子遷移率異質結的霍爾磁傳感器成為研究熱點，但其精度、靈敏度仍然無法滿足戰(zhàn)術級、戰(zhàn)略級導航系統(tǒng)的要求。發(fā)明內容
本發(fā)明為了解決現(xiàn)有磁傳感器精度低、靈敏度差的問題，提供了一種十字電流型三軸矢量磁傳感器。
本發(fā)明是采用如下技術方案實現(xiàn)的十字電流型三軸矢量磁傳感器，包括GaAs襯底、兩個基于RTD的豎直型電流霍爾器件以及一個基于HEMT的水平型電流霍爾器件；其是由包括如下步驟的制備方法制得的
(一 )在超真空環(huán)境下，應用分子束外延技術在GaAs襯底上依次生長如下表1所示參數(shù)的HEMT (高電子遷移率三極管)薄膜材料、自停止腐蝕層、以及RTD (共振遂穿二極管)薄膜材料；得到基片；
表 權利要求
1.十字電流型三軸矢量磁傳感器，其特征在于包括GaAs襯底(1)、兩個基于RTD的豎直型電流霍爾器件00)以及一個基于HEMT的水平型電流霍爾器件(19)；其是由包括如下步驟的制備方法制得的(一)在超真空環(huán)境下，應用分子束外延技術在GaAs襯底(1)上依次生長如下表1所示參數(shù)的HEMT薄膜材料、自停止腐蝕層、以及RTD薄膜材料；得到基片； 表全文摘要
本發(fā)明涉及MEMS磁傳感器領域，具體是一種十字電流型三軸矢量磁傳感器。本發(fā)明為了解決現(xiàn)有磁傳感器精度低、靈敏度差的問題。十字電流型三軸矢量磁傳感器，包括GaAs襯底、兩個基于RTD的豎直型電流霍爾器件以及一個基于HEMT的水平型電流霍爾器件；其是由包括如下步驟的制備方法制得的制作基片；形成兩個梯形RTD臺面和HEMT臺面；制備兩個基于RTD的豎直型電流霍爾器件；制備基于HEMT的水平型電流霍爾器件。本發(fā)明所述的磁傳感器精度高、靈敏度好，可廣泛適用于各種導航系統(tǒng)。
文檔編號G01R33/07GK102520376SQ201110434180
公開日2012年6月27日 申請日期2011年12月22日 優(yōu)先權日2011年12月22日
發(fā)明者劉俊, 唐軍, 張曉明, 毛宏慶, 石云波, 郭浩 申請人:中北大學