專利名稱：非晶硅材料電阻測量儀配套掩模板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于光伏發(fā)電應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種非晶硅材料電阻測量儀配套掩模板。
背景技術(shù)：
非晶硅薄膜電池的技術(shù)核心之一是CVD法沉積非晶硅薄膜。在對薄膜的測量中， 受光時的電阻率的測量是重要的組成部分。電阻率的測量需要用一定劑量的光照射已知尺寸的非晶硅薄膜，并在兩側(cè)加一偏壓，測量電路中電流，求得電阻值，再根據(jù)材料尺寸計算電阻率。由于非晶硅材料電阻率很大，而偏壓不能加得很高，因此樣品都比較小，而且要求尺寸較準確；同時，測量信號微弱，要求測量環(huán)境要排除干擾，再現(xiàn)性好。而目前尚未發(fā)現(xiàn)非晶硅材料電阻測量儀的專用配套掩模板。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，提供一種結(jié)構(gòu)簡單、使用方便的非晶硅材料電阻測量儀配套掩模板。本實用新型解決其技術(shù)問題是采取以下技術(shù)方案實現(xiàn)的一種非晶硅材料電阻測量儀配套掩模板，掩模板為一塊表面平整的不銹鋼鋼片， 在不銹鋼片上均布間隔制有方形沖壓孔。而且，所述沖壓孔為上、下一排共三個沖壓孔。本實用新型的優(yōu)點和積極效果是本實用新型的掩模板的尺寸與樣品室中彈簧片的尺寸配套，能夠保證制成相同規(guī)格的薄膜樣品，方便測量和計算。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面通過具體實施例對本實用新型作進一步詳述，以下實施例只是描述性的，不是限定性的，不能以此限定本實用新型的保護范圍。一種非晶硅材料電阻測量儀配套掩模板，為一塊表面平整的不銹鋼鋼片1，在不銹鋼片上按照符合測量儀器要求尺寸均布間隔制出一排或幾排方形沖壓孔2，該沖壓孔的大小和相鄰的沖壓孔之間的距離3是給定的，便于測試后的計算。本實施例中，為上下一排三個沖壓孔。本實用新型的使用方法是生產(chǎn)用CVD設(shè)備用于沉積非晶硅薄膜樣品，是同工業(yè)產(chǎn)品同樣規(guī)格的，面積往往在lm2以上。取其中感興趣的若干測試點用掩模板覆蓋并固定好，送入蒸發(fā)或濺射裝置，蒸鍍金屬膜。生長完成后將掩模板覆蓋而生成的柵狀金屬電極部分裁下、修剪使其符合樣品室的尺寸要求即制成樣品，金屬電極的長度為被測薄膜的長度，每兩個金屬電極之間的距離即為被測的薄膜寬度。
權(quán)利要求1.一種非晶硅材料電阻測量儀配套掩模板，其特征在于掩模板為一塊表面平整的不銹鋼鋼片，在不銹鋼片上均布間隔制有方形沖壓孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶硅材料電阻測量儀配套掩模板，其特征在于所述沖壓孔為上、下一排共三個沖壓孔。
專利摘要本實用新型涉及一種非晶硅材料電阻測量儀配套掩模板，掩模板為一塊表面平整的不銹鋼鋼片，在不銹鋼片上均布間隔制有方形沖壓孔；所述沖壓孔為上下一排三個沖壓孔。本實用新型的掩模板的尺寸與樣品室中彈簧片的尺寸配套，能夠保證制成相同規(guī)格的薄膜樣品，方便測量和計算。
文檔編號G01R27/14GK201935959SQ20102065417
公開日2011年8月17日 申請日期2010年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月14日
發(fā)明者張鑫, 曹麗冉, 郭增良 申請人:天津市津能電池科技有限公司