專利名稱：具有鐵磁元件的線性分段或轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及根據(jù)權(quán)利要求1前序部分的具有鐵磁元件的線性分段(segment)或轉(zhuǎn) 數(shù)(revolution)計數(shù)器，其可以在兩個方向計數(shù)。
背景技術(shù)：
絕對線性分段或轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器在不需要外部電能的情況下獲取其永久存儲的計數(shù) 信息。該計數(shù)器從處于任何條件(即，也是在接近零的速度)下的驅(qū)動器的動能中產(chǎn)生計 數(shù)和存儲所需的電能。這里，被檢測并存儲的轉(zhuǎn)數(shù)在物理學(xué)上講是無限制的。用于檢測平移和/或旋轉(zhuǎn)運動的鐵磁元件稱為脈沖金屬絲運動檢測器(如US 4,364,013 公開的)或韋根(Wiegand)傳感器(如 DE 4 107 847 Cl 或 DE 2 817 169 C2 公開的)，其中鐵磁材料的預(yù)處理金屬絲被傳感器線圈所纏繞。起初在鐵磁材料中方向隨意 的磁區(qū)(稱為磁疇或Weiii區(qū))在外部機械力和/或磁力的影響下將其自身定向在一個單 域。在施加了某個方向和大小的外磁場后，該域“突然翻轉(zhuǎn)(flap over)”，其產(chǎn)生可以作為 輸出信號的電壓脈沖。在鐵磁材料中，具有不同磁化方向的相鄰原子的磁矩的相互作用是非常強的，其 導(dǎo)致磁矩在小的空間區(qū)域?qū)?。上述磁域、鐵磁元件、Wei β區(qū)或區(qū)域被稱為布洛赫壁的過 渡層彼此分開。由于外力的影響，如上所述，有可能實現(xiàn)上述單域、鐵磁元件的自我形成。 如果該域被引入了某大小和方向的外磁場，則起始位置的基礎(chǔ)磁體(最大磁場位置，通常 為金屬絲端點)像多米諾骨牌一樣翻到外磁場的方向，這會導(dǎo)致在鐵磁元件中出現(xiàn)具有有 限速度的翻轉(zhuǎn)事件的波浪，而且該速度比勵磁磁體的速度大，由此可以說是該域的“瞬時翻 轉(zhuǎn)”。最大磁場的位置還可以在線形域的長度的中部。在這種情況中，波從中部走向端部， 這可產(chǎn)生可被采集的雙電壓。根據(jù)DE 102 59 233，可使用作用于鐵磁元件之間的上述布洛赫壁效應(yīng)來估計勵 磁磁體的極性和位置，其在于通過附加傳感器元件，可以確定從兩個前端開始的鐵磁元件 的反磁化部署方向，即鐵磁元件的反磁化方向。在具有勵磁磁體和半轉(zhuǎn)分辨率的特性的一般情況中，轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器系統(tǒng)完全由與在 所有條件下存儲的信息相關(guān)的四個已知勵磁磁體的狀態(tài)來描述，即1.鐵磁元件右側(cè)的北極2.鐵磁元件左側(cè)的北極3.鐵磁元件右側(cè)的南極4.鐵磁元件左側(cè)的南極這四個勵磁狀態(tài)可以在旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)中被完成，以免可能不能清楚確定哪個磁極位于 四個四分之一圓的哪一個。為了這個，需要四個位置相關(guān)的獨立信息的值，其中兩個值還從 線圈SP得出以作為所產(chǎn)生電壓的極性，剩下的兩個分別從作為磁極或磁體的霍爾傳感器 SE被識別或不被識別。從數(shù)學(xué)角度的，理論情況是韋根或脈沖金屬絲通常分別正確地運行，因此當估計兩個方向的計數(shù)器的值時，在這里所示的具有韋根元件和附加傳感器元件的線性分段或轉(zhuǎn) 數(shù)計數(shù)器的情況中不需要回過來參考存儲的信息。在具有兩個脈沖或韋根金屬絲的方案中 隱式假定了這種理論情況，即例如在歐洲專利EP 0 724 712中所述的。不幸的是，物理上 不允許這種理論情況，因為總是存在移動順序，其中各自的韋根或脈沖線由于產(chǎn)生所謂的 “矮化波(runt) ”而會出現(xiàn)故障。在具有韋根元件(例如，霍爾傳感器)的上述方案中，計 數(shù)器必須僅回過來參考存儲的信息。但是，也參考存儲的信息的以上引用的專利所述的具 有韋根或脈沖金屬絲的方案產(chǎn)生錯誤的計數(shù)器結(jié)果，這是因為存儲的信息已經(jīng)用于理想化 計數(shù)器狀態(tài)。通過測量，可以實現(xiàn)具有可想到的簡單機械結(jié)構(gòu)的位置檢測器，該位置檢測器可 在甚至速度接近零且出現(xiàn)常規(guī)能量供應(yīng)故障的任何情況下，在勵磁磁體的兩個工作方向上 工作，且僅具有一個鐵磁元件。該位置檢測器的最優(yōu)簡單布置使得該位置檢測器還可能從 傳感器線圈的輸出信號同時獲得用于包括計數(shù)器設(shè)備的估計電子設(shè)備的能量。不管基本可能且可想到的該檢測器的簡單機械結(jié)構(gòu)，經(jīng)驗表明，日益增長的應(yīng)用 需要其結(jié)構(gòu)元件小型化，且同時具有抗外部影響的磁性屏蔽，而不能放棄壽命長以及獨立 于外部能量的布置的優(yōu)點。但是，由于將附加傳感器用于多圈，因此同時需要線性化和均勻化磁場。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是進一步有利地發(fā)展作為線性分段或旋轉(zhuǎn)計數(shù)器的這種傳感器。
該目的通過權(quán)利要求1的特征來實現(xiàn)。從屬權(quán)利要求體現(xiàn)本發(fā)明的進一步的特征。由于韋根元件直接位于一個勵磁磁體或兩個勵磁磁體之間的主磁場中的創(chuàng)造性 布置，磁體的磁性背部連接由公共鐵磁背部連接體形成，優(yōu)選地形成為封閉環(huán)，轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器 被提供，其被形成為幾何形狀以及磁特性是對稱的，旋轉(zhuǎn)計數(shù)器達到最小尺寸，因為其顯示 了許多必需的優(yōu)點，因此是劃算的且還允許最高轉(zhuǎn)速檢測。這些優(yōu)點具體為1.韋根元件不受以下各項的影響a)外部磁場；b)外部電場；c)使主磁場變形的外部鐵磁元件的影響；2.在韋根元件周圍，磁場被線性化和均勻化。這里，主磁場連接兩個勵磁磁體的輸出面或?qū)⒁粋€電磁體的輸出面與鐵磁補償體 的輸入面連接，其中豎直方向指向韋根元件的方向。在磁化法線方向上的磁通激勵被稱為 主磁場，其中法線分別與旋轉(zhuǎn)軸或運動軸垂直。在附圖中，磁化法線與鐵磁元件FE的軸一 致。這里封閉環(huán)可以同時被形成為覆蓋轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的頂蓋(cover)。在兩個勵磁磁體 之間的主磁場中布置附加傳感器元件是特別有好處的，使得該附加傳感器元件在每轉(zhuǎn)中至 少一次占據(jù)主磁場中的位置，或在線性分段計數(shù)器的設(shè)置的情況下，在每次跨過一個分段占據(jù)主磁場中的位置一次。勵磁磁體的極性和位置的估計也可以總是得到保證。根據(jù)本發(fā) 明，勵磁磁體包括由塑料聯(lián)結(jié)的硬磁性材料。這里作為基礎(chǔ)材料，鋇鐵(Ba-ferrite)和鈷 /釤(Co/Sm)是有優(yōu)勢的。另外，橡膠材料處于常用的塑料材料之列。在有利的方式中，附 加傳感器元件還可以被布置，由此其在每轉(zhuǎn)或者每次跨過一個分段時至少一次位于兩個勵 磁磁體中的僅一者的勵磁磁場中。附加傳感器元件被有利地形成為霍爾傳感器或場板，但 是它還可以是清楚檢測勵磁磁體各位置的任意類型的傳感器，例如電容性傳感器。對本發(fā)明所有實施方式的線性分段或轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器而言共同的是，用于計數(shù)操作所 需的能量是從驅(qū)動器的動能中產(chǎn)生的，即他們不依賴于外部能量供應(yīng)。在附加傳感器元件的反應(yīng)時間周期大于來自鐵磁元件的電壓脈沖的持續(xù)時間的 情況下，需要能量存儲裝置。這是例如當使用根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的霍爾傳感器時的情況。基于 電容性的附加傳感器元件或場板不需要能量存儲裝置；出于可靠性原因，可以回過來考慮 能量存儲裝置。另外，對本發(fā)明的所有實施方式的轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器而言共同的是中心布置，其中一個 或一些勵磁磁體關(guān)于中心區(qū)域旋轉(zhuǎn)，在該中心區(qū)域設(shè)置有至少韋根元件。當然，還可以實現(xiàn)其他冗余實施方式，其具有兩個韋根元件和兩個霍爾傳感器以 及一對磁體，該對磁體在直徑方向上彼此相對。在這種情況中，出于空間的原因，有利的是 將各自的一個線圈分成兩個半線圈，由此生成關(guān)于轉(zhuǎn)軸交叉布置的線圈。這里，兩個鐵磁元 件還在一個平面中交叉布置。


以下參考在附圖中大致示意性示出的六個實施方式來描述本發(fā)明。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的第一實施方式的示意性布置的俯視圖，其 具有韋根元件、一個霍爾傳感器以及環(huán)形平衡鐵磁背部連接體，所述韋根元件具有鐵磁元 件和與該鐵磁元件軸向關(guān)聯(lián)的感應(yīng)線圈；所述霍爾傳感器位于主磁場中，用作附加傳感器 元件；所述環(huán)形平衡鐵磁背部連接體的內(nèi)側(cè)設(shè)置有均勻厚度的扇形勵磁磁體。圖2示出了根據(jù)圖1的轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的剖視圖。圖3示出了轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的第二實施方式的示意性布置的俯視圖，其具有霍爾傳感 器和封閉環(huán)形鐵磁背部連接體，所述霍爾傳感器位于雜散磁場中，用作附加傳感器元件；所 述封閉環(huán)形鐵磁背部連接體具有位于該環(huán)內(nèi)側(cè)的兩個相同的勵磁磁體。圖4示出了圖3中的轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的剖視圖。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的第三實施方式的示意性布置的俯視圖，其 具有韋根元件、附加傳感器元件、附加傳感器以及環(huán)形背部連接體，所述韋根元件位于兩個 勵磁磁體之間的主磁場中；所述附加傳感器元件位于雜散磁場中；所述附加傳感器位于主 磁場中，且用于多圈框架中一轉(zhuǎn)的細分辨率；所述環(huán)形背部連接體內(nèi)側(cè)布置有兩個相同勵 磁磁體，但是在轉(zhuǎn)軸方向具有不同厚度大小。圖6示出了圖5的轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的剖視圖。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的第四實施方式的示意性布置的俯視圖，其 具有韋根元件和附加傳感器元件，所述韋根元件布置在兩個勵磁磁體之間；所述附加傳感 器元件為位于主磁場中的霍爾傳感器形式；其中鐵磁背部連接體被形成為轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的頂蓋，以及其中兩個相同的勵磁磁體被布置在磁性載體的內(nèi)側(cè)。圖8示出了圖7的轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的剖視圖。圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的第五實施方式的示意性布置的俯視圖，其 具有相對彼此相對且成對放置的四個不同的勵磁磁體，其中韋根元件被布置在主磁場中， 而附加傳感器元件被布置在雜散磁場中。圖10示出了圖9的轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的剖視圖。圖11示出了被布置為線性分段計數(shù)器的本發(fā)明的實施方式的示意性布置的俯視 圖，其具有韋根元件、附加傳感器元件以及封閉的對稱鐵磁背部連接體，所述韋根元件位于 兩個勵磁磁體之間的主磁場中；所述附加傳感器元件可形成為位于主磁場中的霍爾傳感ο圖12示出了圖11的線性分段計數(shù)器的剖視圖。
具體實施例方式在圖1和圖2示出的轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的第一實施方式中，活動體是軸10，其適用于沿箭 頭Rl和R2的方向(即順時針或逆時針方向)旋轉(zhuǎn)。為了能夠?qū)S10的轉(zhuǎn)數(shù)進行計數(shù)，軸 10固定連接到磁體載體12，該磁體載體12與具有圓弧形截面(circular section)的勵磁 磁體EM1相關(guān)聯(lián)，該勵磁磁體EM1包括北極N和南極S。指向韋根元件TO的磁極是任意選 擇的。勵磁磁體被形成為鐵磁背部連接體14的一個環(huán)圍繞并通過鐵磁補償體40平衡。該 環(huán)的半徑對應(yīng)于以圓弧形截面形狀形成的勵磁磁體EM1的半徑。在勵磁磁體EM1的主磁場 中，存在韋根元件WE，其包括被傳感器線圈SP沿軸向圍繞的鐵磁元件FE，以及在勵磁磁體 EM1的主磁場中的霍爾傳感器形式的附加傳感器元件(SE)。具有附加傳感器元件(SE)的 韋根元件WE由勵磁磁體EM1和補償體40之間主磁場中的電路板15支撐，由此韋根元件TO 的鐵磁元件FE面向這些輸出面，從而可以被勵磁磁體的磁場軸向穿過。由此，韋根元件位于勵磁磁體EM1的主磁場中的位置，由此輸出面的法線指向鐵磁 元件FE的方向。作為鐵磁元件FE的磁化反向的結(jié)果而產(chǎn)生的電壓脈沖可以從傳感器線圈 SP的輸出連接點21和22獲得。另外的扇形部件16和17是影響旋轉(zhuǎn)對稱性的磁性載體12的非磁性部分，且它們 支撐環(huán)形背部連接體14。環(huán)形背部連接體14通過補償體14平衡，該補償體是具有更大厚 度的扇形且同時用于均勻化勵磁磁體的磁場。這種轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器包括例如10-15mm的直徑且可以在高達IOOOOOrpm的轉(zhuǎn)速下工作。在圖3和圖4的實施方式中，對應(yīng)的結(jié)構(gòu)元件具有與圖1和圖2中的實施方式中 相同的附圖標記。但是，不同的是，韋根元件WE被布置在兩個勵磁磁體(EM1JM2)之間的主 磁場中。為了確定在經(jīng)過鐵磁元件FE時勵磁磁體的極性，在此提供霍爾傳感器作為附加傳 感器元件SE，在該附加傳感器元件SE的輸出25處，可以依據(jù)勵磁磁體的極性N或S及其位 置獲得負或零信號。在與均勻化主磁場相關(guān)的具有附加傳感器ZS的方案的情況中(該主 磁場激活其長度中間的鐵磁元件)，在環(huán)形背部連接體14的內(nèi)側(cè)沿直徑彼此設(shè)置的兩個相 同的勵磁磁體EM1和EM2,以形成優(yōu)化的方案。另外，圖5和圖6的轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的實施方式包括對應(yīng)于之前所述的圖3和圖4的實施方式的設(shè)備元件；但是提供附加傳感器ZS，該附加傳感器ZS提供一轉(zhuǎn)的細分辨率。由 于該附加傳感器ZS也位于兩個勵磁磁體EM1, EM2之間的主磁場中，其也被電磁屏蔽。為了 這個目的，其“尋求”幾乎均勻的磁場，該均勻磁場可很大程度上減少了電磁造成的干擾。因 此，測量信號允許最高精確度和分辨率。這里韋根元件和附加傳感器面對共同的背部連接 體14 ；以這種方式，韋根元件回過來對附加傳感器的影響明顯被減少。這里附加傳感器元 件SE位于雜散磁場(stray field)中。因為用于韋根元件WE和附加傳感器ZS的磁場強 度的工作值彼此很不相同，環(huán)形背部連接體14中布置的兩個相同的磁體EM1, EM2從優(yōu)化操 作的角度在軸向被偏移。相應(yīng)評論對于圖7和圖8的轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的實施方式而言是真實的。但是用于蓋住 轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器的頂蓋30這里用作磁性背部連接體，且轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器包括韋根元件TO和作為附 加傳感器元件SE的霍爾傳感器，位于兩個相同勵磁磁體之間的主磁場中，其中勵磁磁體被 設(shè)置在磁體載體12的內(nèi)側(cè)。這是考慮總體屏蔽的劃算的方案。圖9和圖10中所示的轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器也包括韋根元件WE和附加傳感器元件SE，所述 韋根元件WE包括鐵磁元件(如果感應(yīng)線圈SP圍繞該鐵磁元件)，所述附加傳感器元件SE 位于雜散磁場中的，其也在圖3和圖4中示出。但是這里由于考慮空心軸布置，該布置必須 被定成相應(yīng)極性相反的EM1和EM2的勵磁磁體對，每個存在使得可以執(zhí)行韋根元件WE的磁 化反向。附加傳感器元件SE被形成為霍爾傳感器。同心形成且通過兩個橫向部件(cross member) 13連接的雙鐵環(huán)用作鐵磁背部連 接體。另外在該實施方式中，對應(yīng)于上述實施方式的結(jié)構(gòu)元件具有相同的參考標記，其 中整個布置被封裝在外殼31中。在圖11和圖12中所示的線性分段計數(shù)器形式的實施方式中，活動體例如被形成 為具有兩個鐵磁背部連接體114 (軟鐵的)的框架，兩個鐵磁背部連接體114被形成為相隔 90度延伸的兩個條，該連接體可以沿著穿過磁體載體112的箭頭Rl和R2移動。成直線形 成的勵磁磁體EM1和EM2相對地成對位于磁體載體112上，該磁體載體112被形成為U形截 面的框架，在這種布置中，勵磁磁體的輸出面的主磁場均直接在鐵磁元件FE的方向(還與 圖3相比)上。將磁體載體112上的交替極性施加在勵磁磁體EM1, EM2上。另外，在這種情況中，韋根元件WE包括鐵磁元件FE，該鐵磁元件FE上圍繞有感應(yīng) 線圈SP ；作為附加傳感器元件的霍爾傳感器被設(shè)置在雜散磁場中，也如圖3中所示。公共 鐵磁背部連接體包括內(nèi)側(cè)具有矩形條的框架。當然，這里通過場板和/或霍爾傳感器、光學(xué) 或電容性傳感器，段數(shù)的細分辨率也是可能的。之前所述的線性分段計數(shù)器的操作近似對應(yīng)于在此所述的一轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器。由于權(quán)利要求1的概括性定義，其實際上并不必要針對這樣的事實具有一些韋 根元件但只有一個附加傳感器元件的實施方式也是可能的，其中大于一個的韋根元件不是 必須的但出于范圍的原因是可預(yù)見的，且落入受保護權(quán)利的范圍中。鐵磁元件可以具有任意形狀和長度。在軸線方向彎曲一角度的金屬絲也是可預(yù)見 的。附圖標記列表10$由
12，112磁體載體13橫向部件14，114背部連接體15電路板16磁體載體12的部分17磁體載體12的部分21韋根線圈SP的輸出連接點22韋根線圈SP的輸出連接點23作為附加傳感器元件的線圈的輸出連接點24作為附加傳感器元件的線圈的輸出連接點25霍爾傳感器的輸出連接點30 頂蓋31 外殼40鐵磁補償體101 轉(zhuǎn)軸102移動軸WE韋根元件EM1勵磁磁體EM2勵磁磁體FE鐵磁元件HS霍爾傳感器N 北極S 南極Rl 箭頭R2 箭頭SP韋根線圈ZS附加傳感器SE附加傳感器元件(霍爾傳感器，場板)
權(quán)利要求
1.一種絕對線性分段或轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器，包括至少一個活動勵磁磁體(EMl)；韋根元件(WE1),包括鐵磁元件(FE)，該鐵磁元件(FE)被感應(yīng)線圈(SPl)沿軸向環(huán)繞；至少一個附加傳感器元件(SE)；至少一個具有非易失性數(shù)據(jù)存儲器的計數(shù)器單元；用于確定針對計數(shù)器值的完整信息，并用于控制邏輯、所述計數(shù)器單元和所述附加傳 感器元件(SE)的內(nèi)部供應(yīng)；其特征在于，這些設(shè)備元件(EM，SE，TO，12，14)被實施并布置成所述韋根元件(WE)被 定位以使該韋根元件(WE)的線圈(SP)的軸和所述附加傳感器元件(SE)在每次跨過一個 分段或每一轉(zhuǎn)中至少一次處于至少一個勵磁磁體(EM1)的主磁場方向，該至少一個勵磁磁 體(EM1)的磁體背部連接由鐵磁背部連接體(14，114)形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計數(shù)器，其特征在于所述線圈(SP)的長度的中部分別位于所 述主磁場內(nèi)的旋轉(zhuǎn)軸或運動軸中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的計數(shù)器，其特征在于所述韋根元件(WE)位于兩個勵磁 磁體(EM1, EM2)之間的主磁場中，每個勵磁磁體的磁化軸延伸作為穿過所述兩個勵磁磁體 (EM1, EM2)的重心的法線。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于所述布置包括勵磁磁 體(EM1)或勵磁磁體(EMnEM2)、所述背部連接體(14)、磁體載體(12)，以及如果提供有平衡 體(40)，則該平衡體(40)被形成使得該平衡體(40)的重心位于轉(zhuǎn)軸(101)中。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于所述勵磁磁體(EM1, EM2)具有相同的磁性數(shù)據(jù)和幾何測量。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于所述勵磁磁體(EM1, EM2)在軸向具有不同的厚度。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于所述鐵磁背部連接體 (14)包括分別圍繞所述勵磁磁體(EM1)或勵磁磁體(EMjPEM2)的封閉環(huán)，該鐵磁背部連接 體(14)由具有高l·^的軟鐵制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3以及5和6中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于所述鐵磁 背部連接體是由軟鐵制成的具有U形截面的框架(114)。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于在布置為轉(zhuǎn)數(shù)計數(shù)器 的情況下，封閉的鐵磁背部連接體(14)被形成為由軟鐵制成的頂蓋(30)。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于所述勵磁磁體(EM1, EM2)包括由塑料聯(lián)結(jié)的硬磁性材料，優(yōu)選為鋇鐵或鈷/釤。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于所述附加傳感器元 件(SE)在每次跨過一個分段或在每一轉(zhuǎn)中至少一次位于所述兩個勵磁磁體(EM1;EM2)中的 一者的雜散磁場中。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于所述附加傳感器元 件(SE)被形成為霍爾傳感器、場板或電容性傳感器。
13.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于在多圈框架中用作 精細傳感器或精細轉(zhuǎn)角傳感器的附加傳感器(ZS)位于兩個勵磁磁體(EMpEM2)之間的主磁場中，每個勵磁磁體用于線性分段或旋轉(zhuǎn)運動的解析，所述線性分段或旋轉(zhuǎn)運動影響所述 韋根元件。
14.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于用于細分辨率的附 加傳感器(ZS)被形成為場板和/或霍爾傳感器，或基于電容性基板。
15.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于在多圈框架中，附加 傳感器(ZS)用作所述附加傳感器元件(SE)的用途，或所述附加傳感器元件(SE)用作附加 傳感器(ZS)的用途。
16.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于至少一個具有充電 電路的能量存儲裝置與所述計數(shù)器相關(guān)聯(lián)，其中該能量存儲裝置優(yōu)選地包括至少一個電容器。
17.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于所述鐵磁元件(FE) 是脈沖或韋根金屬絲，該金屬絲優(yōu)選地成直線或在軸向輕微彎曲。
18.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于所述非易失性存儲 器是 EEPROM 禾口 / 或 FRAM。
19.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的計數(shù)器，其特征在于用于估計至少一個 勵磁磁體(EM1)的極性和運動方向的完整信息，即用于計數(shù)的完整信息，包括所述非易失 性存儲器中的數(shù)據(jù)、來自所述感應(yīng)線圈(SP)的信號的數(shù)據(jù)以及來自所述附加傳感器元件 (SE)的數(shù)據(jù)。
全文摘要
一種用于線性段數(shù)或轉(zhuǎn)數(shù)的絕對計數(shù)器，具有韋根元件(WE)和附加傳感器元件(SE)，所述韋根元件(WE)位于兩個相對的勵磁磁體(EM1，EM2)之間的主磁場中，這兩個勵磁磁體(EM1，EM2)通過共同的鐵磁軛狀體(14)連接；所述附加傳感器元件(SE)用于確定關(guān)于勵磁磁體的極性和位置的信息，其中來自韋根元件(WE)的輸出信號同時提供電能給多圈中的所需計數(shù)器和存儲器電路以及用于細分辨率的輔助傳感器(ZS)，該輔助傳感器(ZS)也被設(shè)置在勵磁磁體(EM1，EM2)之間的主磁場中。
文檔編號G01P3/481GK101999079SQ200880103159
公開日2011年3月30日 申請日期2008年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月17日
發(fā)明者T·泰爾, W·梅納特 申請人:W·梅納特;T·泰爾