專利名稱：：壓力傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種壓力傳感器。
背景技術(shù)：
：壓力傳感器用于檢測壓力并且例如應(yīng)用于工業(yè)測量技術(shù)中使用的壓力測量儀表中。在壓力測量技術(shù)中，通常用作壓力傳感器的是所謂的半導(dǎo)體傳感器，例如摻雜了壓阻電阻元件的硅芯片。這種類型的半導(dǎo)體傳感器包括布置在托架上的測量膜，在測量操作中它的一側(cè)暴露于待測壓力。通常，壓力傳感器芯片非常敏感并且因而不直接暴露于壓力待記錄的介質(zhì)。作為代替，插入由液體填充的壓力傳遞器件。作用于測量膜的壓力使得測量膜產(chǎn)生依賴于壓力的偏轉(zhuǎn)，這由摻雜的電阻元件檢測并轉(zhuǎn)換為電子信號，然后該電子信號可用于進一步的處理和/或分析。今天通常例如通過使用硅絕緣體(SOI)技術(shù)而在硅襯底上制造半導(dǎo)體傳感器。這里，優(yōu)選地BESOI(Bondedandetchbacksilicononinsulator:硅片鍵合及反面蝕刻)晶片用作起始材料。BESOI晶片是利用"硅直接鍵合"而生產(chǎn)的。為此，兩個氧化硅晶片放在一起并且在壓力和高溫下鍵合。以這種方式，獲得一個三層晶片，其中，一個氧化層位于兩個硅層之間。內(nèi)埋的氧化層被稱為BOX,其厚度為幾nm直至幾Hm。這個復(fù)合物從一側(cè)被打薄并拋光。這個打薄且拋光的面成為有源層。有源層可以為幾厚并且例如被稱為器件晶片或表層硅(SOL)。利用如今的制造處理，可以非常精確、均勻且具有高可復(fù)制性地生產(chǎn)有源層的厚度。將BESOI晶片用于制造壓力傳感器的一個主要優(yōu)點是，內(nèi)埋的氧化層(BOX)形成可靠的蝕刻止擋。這用于制造電容式壓力傳感器的可移動電極。然而，還已知一些方法將BESOI晶片應(yīng)用于制造壓阻式壓力傳感器°在2000年出版的JournalofMechanicalEngineering第10巻第204-208行中由A.Merlos、J,Santander、M.D.Alvares和F.Campabadal撰寫的文章"Optimizedtechnologyforthefabricationofpiezoresistivepressuresensors"中描述了一種這樣的方法。其中顯示，可以利用BESOI晶片生產(chǎn)在膜的整個區(qū)域上具有恒定的精確限定的膜厚度的傳感器芯片。特別地，可以利用非常薄的膜生產(chǎn)壓阻式傳感器，膜的最小厚度容差小于lpm。為此，在與有源層相對的硅層中蝕刻一個凹座，膜通過該凹座而暴露。這里，內(nèi)埋的氧化層用作蝕刻止擋。在蝕刻步驟之后剩余的硅層外邊緣在外部毗連凹座并且形成用于通過凹座而暴露的膜的托架。在這個蝕刻步驟之后，通過附加的蝕刻步驟除去氧化層的用作蝕刻止擋的區(qū)域。壓阻式壓力傳感器的敏感度與膜的厚度成反比。膜越薄，傳感器越敏感。然而，傳感器的非線性度隨著膜變薄而增大。從摻雜的電阻讀出的電子測量信號在理想情況中隨作用于膜的壓力而線性上升。膜越薄，偏離這個期望的線性關(guān)系越明顯。特別是在用于測量較小壓力并因而需要較薄的膜的壓力傳感器的情況中，這導(dǎo)致測量誤差，或者使得為了補償這樣的測量誤差而需要更高的付出。對于這個問題的一個解決方案是為膜裝備剛性的中心。這種剛性的中心例如通過合適地加工硅以提供位于中心的硅基座而在膜的遠離有源層的后側(cè)上制成?；母叨嚷孕∮趪@基座外部的膜托架的高度。以這種方式，保證了基座僅由膜支承，并且特別地保證了基座不靠在支承膜托架的支座上。基座和膜托架通過圍繞基座的圓柱形間隙而彼此分離，膜的外邊緣通過該間隙而暴露。以這種方式，可以獲得較高的敏感度相對于非線性度的比率。然而，剛性的中心意味著膜整體更僵硬并因而不敏感。比率的增加意味著壓力傳感器的敏感度降低，這特別是在測量較小壓力的情況中是缺點。在這種情況中往往必須采取折中。在US-A2005/0274191中公開了一種方法，利用它可以增加壓阻式壓力傳感器的敏感度。為此，有源層緊鄰摻雜的壓阻元件的部分被蝕刻掉，使得該元件被溝槽圍繞。溝槽的深度約等于摻雜的電阻的厚度。溝槽起到應(yīng)力集中器的作用并且因而使得傳感器的敏感度提高，而無需增大膜或者在很大面積上減小膜的厚度。然而，這個方法具有以下缺點在測量操作中暴露于待測壓力的膜的前側(cè)面上會發(fā)生依賴于溫度的應(yīng)力狀態(tài)，這種應(yīng)力狀態(tài)是由于硅和內(nèi)埋的氧化層的不同熱膨脹系數(shù)以及兩個膜側(cè)面的不同幾何形狀而引起的。這些應(yīng)力狀態(tài)依賴于溫度并導(dǎo)致測量誤差。由于這些熱應(yīng)力狀態(tài)緊鄰摻雜的壓阻元件發(fā)生并且這些元件對于應(yīng)力有非常敏感的反應(yīng)，所以這種效果特別強烈。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種BESOI技術(shù)的壓阻式壓力傳感器，其特別適于測量較小的壓力并且具有較小的線性度誤差。為此，本發(fā)明在于一種由BESOI晶片制造的壓力傳感器，該BESOI晶片具有第一和第二硅層以及設(shè)置在其間的氧化層，其中-該壓力傳感器具有由BESOI晶片的第一硅層形成的有源層，在該有源層中摻雜有壓阻元件；并且-該壓力傳感器具有由BESOI晶片的第二硅層形成的膜托架，-該膜托架在外側(cè)圍繞第二硅層中的凹座，通過該凹座暴露有7源層的以及與之連接的氧化層的形成膜的區(qū)域，以及-其中，在氧化層的通過凹座暴露的區(qū)域的外邊緣中提供圍繞該區(qū)域的槽。在一個進一步發(fā)展中，槽是氧化層中的凹座，其截面具有磨圓的幾何形狀。在另一進一步發(fā)展中，摻雜的壓阻元件在膜中布置在膜頂面上的與槽在相對的膜底面上延伸的位置相應(yīng)的位置上。在另一進一步發(fā)展中，由有源層的區(qū)域和氧化層的與其相連的區(qū)域形成的膜具有正方形的基面，并且壓阻元件布置在有源層的這個區(qū)域的拐角中。本發(fā)明還在于一種用于從具有第一和第二硅層以及布置在其間的氧化層的BESOI晶片制造本發(fā)明的壓力傳感器的方法，其中-由第一硅層形成有源層，在該有源層中摻雜壓阻元件；-由第二硅層形成膜托架，-該膜托架在外側(cè)圍繞第二硅層中的凹座，通過該凹座暴露有源層的以及與之連接的氧化層的形成膜的區(qū)域，其中在凹座的區(qū)域中存在的硅被利用蝕刻方法而除去，其中氧化層用作蝕刻止擋；以及-在氧化層的通過凹座暴露的區(qū)域的外邊緣中，利用各向同性的蝕刻方法蝕刻出圍繞該區(qū)域的槽。在方法的進一步發(fā)展中，這樣產(chǎn)生槽-利用光刻法施加光掩膜；-使用化學(xué)活性氣體，特別是使用CF4+02或SF6+02，利用純等離子蝕刻在氧化層中蝕刻出槽；以及-除去光掩膜。在方法的第一變型中，這樣產(chǎn)生槽--利用光刻法施加光掩膜；-利用各向同性的濕法化學(xué)過程，特別是使用對于硅和氧化硅具有不同蝕刻速率的氫氟酸、硝酸和乙酸構(gòu)成的蝕刻溶液，在氧化層中蝕刻出槽；以及-除去光掩膜。在方法的第二變型中，這樣產(chǎn)生槽-利用光刻法施加光掩膜；-利用各向同性的濕法化學(xué)蝕刻過程與各向同性的干法化學(xué)蝕刻過程的結(jié)合，在氧化層中蝕刻出槽，其中濕法化學(xué)蝕刻過程特別地使用利用氟化銨緩沖的氫氟酸(BHF)，干法化學(xué)蝕刻特別地是深反應(yīng)離子蝕刻(DRIE);以及-除去光掩膜。本發(fā)明的壓力傳感器提供以下優(yōu)點在為了測量較小的壓力(特別是壓力小于100mbar)而需要20pm量級的較小膜厚度的情況下，壓力傳感器由于設(shè)置在膜底面上的氧化層而具有較小的線性度誤差。這里，氧化層以與剛性中心相同的方式影響線性度，而并不由此顯著降低傳感器的敏感度。原因在于以下事實氧化層與膜相比非常薄，并且因而膜的硬度僅不顯著地增加。相反，剛性中心具有在膜上成形的支柱并且支柱的結(jié)構(gòu)高度通常比膜厚度大許多倍，這導(dǎo)致敏感度顯著降低。本發(fā)明的另一優(yōu)點是，通過圍繞氧化層暴露區(qū)域的槽，本發(fā)明的壓力傳感器的敏感度顯著提高，因為由作用的壓力實現(xiàn)的機械應(yīng)力被槽集中在摻雜的壓阻元件的位置處。因此，本發(fā)明使得能夠以較高的測量精度測量小于100mbar的極低壓力。9現(xiàn)在根據(jù)附圖詳細解釋本發(fā)明及其優(yōu)點，附圖中給出了兩個實施例。相同的元件在附圖中具有相同的附圖標(biāo)記。附圖中-圖l是BESOI晶片的剖面；圖2是圖1的BESOI晶片的一個剖面，其中已經(jīng)從第一硅層形成了有源層；圖3是圖1的BESOI晶片的一個剖面，其中已經(jīng)從第二硅層形成了膜托架；圖4是本發(fā)明的壓力傳感器的一個剖面；圖5是在本發(fā)明的壓力傳感器的第一變型中，膜后側(cè)面的視圖；圖6是在本發(fā)明的壓力傳感器的第二變型中，膜后側(cè)面的視和圖7是三個在膜的區(qū)域中具有不同氧化層厚度的壓力傳感器的線性度誤差隨作用于壓力傳感器的壓力的變化。具體實施例方式本發(fā)明的壓力傳感器是一種在硅襯底上的半導(dǎo)體傳感器，其是通過使用硅絕緣體(SOI)技術(shù)而生產(chǎn)的。這里，用作起始材料的是傳統(tǒng)的BESOI(Bondedandetchbacksilicononinsulator:硅片鍵合及反面蝕刻)晶片。BESOI晶片例如是由兩個氧化硅晶片生產(chǎn)的，這兩個氧化硅晶片相對地定向并且在壓力和高溫下鍵合。以這種方式，獲得一個如圖1肌不tfj二伝薛斤，共兵勞果一和鄰一庇伝i、j。氧扎伝>恨于第一和第二硅層l、3之間。這個內(nèi)埋的氧化層5被稱為BOX(Buriedoxidelayer)，其厚度為幾nm直至幾,。這個復(fù)合物從一側(cè)被打薄并拋光。打薄且拋光的面形成有源層7。有源層可以為幾fim厚并且在英語術(shù)語中例如被稱為devicewafer或siliconoverlayer(SOL)。利用如今的制造處理，可以非常精確、均勻且具有高可復(fù)制性地生產(chǎn)有源層的厚度。正如在傳統(tǒng)的壓力傳感器中那樣，壓阻元件9被摻雜在有源層7中。半導(dǎo)體技術(shù)中已知合適的制造方法，因而這里不詳細解釋。圖2顯示了晶片的剖面，該晶片具有摻雜有壓阻元件9的有源層7。壓阻元件9優(yōu)選地是電阻器，其將作用于其上的壓力或者作用于其上的機械應(yīng)力轉(zhuǎn)化為電子信號，該電子信號可以經(jīng)由有源層7中提供的合適的連接線(未顯示)而供應(yīng)給進一步的處理和/或分析。這里，元件9可以作為單獨元件或者組合成橋接電路。膜托架11由第二硅層3形成。這在圖3中示出。膜托架11是與氧化層5的外邊緣固定相連的框架，該框架在外側(cè)包圍第二硅層3中的凹座13。凹座13暴露有源層7以及與其相連的氧化層5的由框架約束的區(qū)域，由此形成膜15。優(yōu)選地，凹座13的內(nèi)側(cè)面17沿朝向氧化層5的方向錐形收縮變細。這種形狀的優(yōu)點是，壓力傳感器的機械穩(wěn)定性提高。作用于膜15的遠離氧化層5的頂面的壓力導(dǎo)致膜15依賴于壓力的撓曲，這被利用有源層7的頂面中摻雜的壓阻元件9而檢測并轉(zhuǎn)化為依賴于壓力的電子信號。通過蝕刻方法產(chǎn)生凹座13，利用該蝕刻方法除去在凹座13的區(qū)域中存在的硅。這里，內(nèi)埋的氧化層5用作蝕刻止擋。硅層3在蝕刻步驟之后剩余的外邊緣在外側(cè)約束凹座13并且形成用于通過凹座13而暴露的膜15的膜托架11。這個步驟的優(yōu)點是，由此制造的膜15具有精確限定的且在膜的整個區(qū)域上恒定的膜厚度。特別地，可以以小于1pm的最小厚度容差制造非常薄的膜15。根據(jù)本發(fā)明，在氧化層5的由凹座13暴露的區(qū)域的外邊緣中提供圍繞該區(qū)域的槽19。圖4顯示了本發(fā)明的具有槽19的壓力傳感器。與膜15的厚度相比，氧化層5的由槽19圍繞的區(qū)域21非常薄并且在其整個面積上具有非常均一的厚度。氧化層5的厚度例如為1~2pm。膜15的厚度例如為20pm。優(yōu)選地，摻雜在膜15中的壓阻元件9布置在膜頂面上，在這些位置，槽19在相對的膜底面上延伸。這導(dǎo)致壓力傳感器更高的敏感度，因為由作用于膜頂面的壓力引起的機械應(yīng)力由于槽19而特別是集中在壓阻元件9所處的位置。槽19在膜底面上的布置的一個主要優(yōu)點是，膜頂面在摻雜的壓阻元件9的周圍均勻。以這種方式，期望的依賴于壓力的機械應(yīng)力在壓阻元件9的區(qū)域中得到放大，而在緊鄰元件9的地方不會發(fā)生與槽19相關(guān)聯(lián)的熱應(yīng)力。原因是槽19位于膜底面上并且因而與位于膜頂面上的壓阻元件9相間隔。這導(dǎo)致與現(xiàn)有技術(shù)相比，依賴于溫度的測量誤差明顯減小，在現(xiàn)有技術(shù)中，應(yīng)力集中器位于緊鄰壓阻元件的膜頂面上。當(dāng)通過有源層7的區(qū)域以及與之相連的氧化層5的區(qū)域形成的膜15具有矩形或正方形基面并且壓阻元件9布置在有源層7的這個區(qū)域的拐角中時，由壓力引起的機械應(yīng)力的集中效果特別大。然而，本發(fā)明自然還可結(jié)合具有其他形狀的基面的膜而使用。一個例子是具有圓形基面的膜。而且在膜基面的其他幾何形狀方面，氧化層也實現(xiàn)了線性度誤差的明顯減小。圖5和6在這方面顯示了兩個實施例。每一視圖都示出了壓力傳感器的遠離有源層7的底面。在圖5中顯示的實施例中，顯示了具有方形基面的膜15a，該方形基面安裝在具有凹座13的方形膜托架11中，而該凹座的橫截面為方形。這樣設(shè)置膜15a，使得其外側(cè)面平行于膜托架11的外側(cè)面延伸。它被在氧化層5中蝕刻的槽19a圍繞，槽19a的基面是圍繞膜15a的方形框架的形狀。以虛線繪出壓阻元件9在相對的膜頂面上的位置。它們在膜頂面上的位置是槽在相對的膜底面上延伸的位置。在圖5中示出的實施例中，槽19a具有四個等同的直的部分，它們共同形成方形框架。四個壓阻元件9位于膜頂面上，在這些位置，是位于相對的膜底面上的槽19a在其下延伸的的部分的中點。在圖6示出的實施例中，膜15b同樣具有方形的基面，其安裝在具有凹座13的方形膜托架11中，該凹座的截面為方形。與圖5所示的實施例不同，膜15b這樣設(shè)置，使得膜15b的方形基面的拐角指向膜托架11的各個外側(cè)面的中點M。兩個實施例中的膜托架11和凹座13相同。在氧化層5中延伸的槽1%在這里具有與膜15b的朝向相匹配的基面。這里在膜頂面上也提供了四個壓阻元件9，并且槽19b也在壓阻元件9之下在相對的底面上延伸。與圖5所示的實施例不同，壓阻元件9在這里布置在膜15b的四個拐角中。這種布置導(dǎo)致在壓阻元件9所處的位置處由壓力引起的機械應(yīng)力特別顯著的集中，并且因而導(dǎo)致壓力傳感器的敏感度大大提高。優(yōu)選地，槽19是在氧化層5中的凹座，其截面具有磨圓的幾何形狀。在圖4所示的實施例中，槽19的截面具有圓弓形形狀。槽19的這個磨圓形狀的優(yōu)點是，由此提高壓力傳感器的耐內(nèi)壓強度。在本發(fā)明的壓力傳感器的制造中，槽19的磨圓形截面形狀優(yōu)選地是通過應(yīng)用各向同性的蝕刻方法生產(chǎn)的。各向同性蝕刻可以利用干法化學(xué)蝕刻方法實現(xiàn)。千法化學(xué)蝕刻處理的一個例子是Bosch方法。然而，由于對于槽19所需的優(yōu)選為1~2pm的較小蝕刻深度，也可以使用復(fù)雜度大大降低并且成本低廉的濕法化學(xué)蝕刻方法。優(yōu)選地，槽19的蝕刻利用純等離子蝕刻進行。這里，在第一處理步驟中，利用光刻法施加光掩膜。然后，使用化學(xué)反應(yīng)氣體，特別是使用CF4+02或SF6+02，利用純等離子蝕刻在氧化層5中蝕刻槽19。這個方法的優(yōu)點是，可以很自由地構(gòu)造槽19的幾何形狀，并且在硅和氧化硅之間的蝕刻選擇度非常大。隨后，除去光掩膜。作為替代，根據(jù)本發(fā)明的另一方法可以產(chǎn)生槽19，其中，在第一處理步驟中，利用光刻法施加光掩膜。然后，利用各向同性的濕法化學(xué)過程，特別是使用對于硅和氧化硅具有不同蝕刻速率的氫氟酸、硝酸和乙酸的蝕刻溶液，在氧化層5中蝕刻出槽19。隨后，除去光掩膜。在另一替代方法中，利用光刻法施加光掩膜；并且利用各向同性的濕法化學(xué)蝕刻過程與各向同性的干法化學(xué)蝕刻過程的結(jié)合，在氧化層5中蝕刻出槽19。其中濕法化學(xué)蝕刻過程可以例如是通過使用利用氟化銨緩沖的氫氟酸(BHF)而進行的。干法化學(xué)蝕刻過程例如使用深反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)。在這種方法中，將較高反應(yīng)活性的氣體(例如，SF6)引入壓力傳感器位于其中的反應(yīng)器。通過產(chǎn)生高能量的高頻等離子并在電場中加速離子，引發(fā)各向同性的化學(xué)及物理蝕刻反應(yīng)。隨后，除去光掩膜。盡管在傳統(tǒng)的壓力傳感器的情況中氧化層5在膜15的區(qū)域中被完全除去，但是在本發(fā)明的壓力傳感器的情況中以及在其制造方法中，氧化層5的由槽19環(huán)繞的區(qū)域21得以保留。這個區(qū)域21實現(xiàn)了壓力傳感器的線性度誤差L的顯著減小。這在下面基于有限元計算而對于三個不同壓力傳感器顯示出來。圖7以百分比(％)顯示了三個壓力傳感器的相對線性度誤差Ll、L2、L3隨作用于其上的壓力p的變化，其中壓力在壓力傳感器的測量范圍上被規(guī)則化在-1~1的范圍中。所有三個壓力傳感器構(gòu)造相同，只是膜15的區(qū)域中的氧化層5的厚度不同，并且三個壓力傳感器都具有20pm的膜厚度。計算基于圖4和6中顯示的結(jié)構(gòu)形式。在膜15的區(qū)域中，第一壓力傳感器沒有氧化層。對于這個壓力傳感器計算的線性度誤差L1的曲線在圖7中以菱形測量點顯示。在第二壓力傳感器的情況中，氧化層5的由槽19環(huán)繞的區(qū)域21得以保留并且厚度為1pm。對于這個壓力傳感器計算的線性度誤差L2的曲線在圖7中以方形測量點顯示。在第三壓力傳感器的情況中，氧化層5的由槽19環(huán)繞的區(qū)域21同樣得以保留并且厚度為2pm。對于這個壓力傳感器計算的線性度誤差L3的曲線在圖7中以三角形測量點顯示。三個壓力傳感器的線性度誤差L的曲線的比較顯示，在氧化層厚度為lpm的情況中已經(jīng)獲得了線性度誤差的明顯減小。氧化層厚度增至2pm引發(fā)進一步的減小。同時，在膜底面上提供的槽19實現(xiàn)了壓力傳感器的敏感度提高，因為槽19在壓阻元件9上產(chǎn)生了依賴于壓力的機械應(yīng)力的集中。于是，根據(jù)本發(fā)明同時獲得了敏感度提高以及線性度誤差減小。<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>權(quán)利要求1.由BESOI晶片制造的壓力傳感器，該BESOI晶片具有第一和第二硅層(1，3)以及設(shè)置在該第一和第二硅層之間的氧化層(5)，-該壓力傳感器具有由BESOI晶片的第一硅層(1)形成的有源層(7)，在該有源層中摻雜有壓阻元件(9)；并且-該壓力傳感器具有由BESOI晶片的第二硅層(3)形成的膜托架(11)，--該膜托架在外側(cè)圍繞第二硅層(3)中的凹座(13)，通過該凹座暴露有源層(7)的以及與該有源層連接的氧化層(5)的形成膜(15)的區(qū)域，-其中，在氧化層(5)的通過凹座(13)暴露的區(qū)域(21)的外邊緣中提供圍繞該區(qū)域(21)的槽(19)。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的壓力傳感器，其中，槽(19)是氧化層(5)中的凹座，該凹座的截面具有磨圓的幾何形狀。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器，其中，摻雜的壓阻元件(9)在膜(15)中布置在膜頂面上的與槽(19)在相對的膜底面上延伸的位置相應(yīng)的位置上。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器，其中，由有源層(7)的區(qū)域和氧化層(5)的與該區(qū)域相連的區(qū)域(21)形成的膜(15)具有正方形的基面，并且壓阻元件(9)布置在有源層(7)的這個區(qū)域的拐角中。5.用于由BESOI晶片制造壓力傳感器的方法，該BESOI晶片具有第一和第二硅層(1，3)以及布置在該第一和第二硅層之間的氧化層(5)，其中-由第一硅層(1)形成有源層(7)，在該有源層中摻雜壓阻元件(9);-由第二硅層(3)形成膜托架(11)，-該膜托架在外側(cè)圍繞第二硅層(3)中的凹座(13)，通過該凹座暴露有源層(7)的以及與該有源層連接的氧化層(5)的形成膜(15)的區(qū)域，其中在凹座(13)的區(qū)域中存在的硅被利用蝕刻方法而除去，其中氧化層(5)用作蝕刻止擋；以及-在氧化層(5)的通過凹座(13)暴露的區(qū)域(21)的外邊緣中，利用各向同性的蝕刻方法蝕刻出圍繞該區(qū)域(21)的槽(19)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于制造壓力傳感器的方法，其中，這樣制造槽(19):-利用光刻法施加光掩膜；-使用化學(xué)活性氣體，特別是使用CF4+02或SF6+02，利用純等離子蝕刻在氧化層(5)中蝕刻出槽(19);以及-除去光掩膜。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于制造壓力傳感器的方法，其中，這樣制造槽(19):-利用光刻法施加光掩膜；-利用各向同性的濕法化學(xué)過程，特別是利用對于硅和氧化硅具有不同蝕刻速率的氫氟酸、硝酸和乙酸構(gòu)成的蝕刻溶液，在氧化層(5)中蝕刻出槽(19);以及-除去光掩膜。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于制造壓力傳感器的方法，其中，這樣制造槽(19):-利用光刻法施加光掩膜；-利用各向同性的濕法化學(xué)蝕刻過程與各向同性的干法化學(xué)蝕刻過程的結(jié)合，在氧化層(5)中蝕刻出槽(19)，其中濕法化學(xué)蝕刻過程特別地使用利用氟化銨緩沖的氫氟酸(BHF)，干法化學(xué)蝕刻特別地是深反應(yīng)離子蝕刻(DRIE);以及-除去光掩膜。全文摘要公開了一種BESOI技術(shù)中的壓阻式壓力傳感器，其特別適于測量較小的壓力并且具有較小的線性誤差。壓力傳感器由具有第一和第二硅層(1，3)以及布置在其間的氧化層(5)的BESOI晶片制成。壓力傳感器具有由BESOI晶片的第一硅層(1)形成的有源層(7)，在該有源層中摻雜壓阻元件(9)；壓力傳感器還具有由BESOI晶片的第二硅層(3)形成的膜托架(11)，其在外部圍繞第二硅層(3)中的凹座(13)，通過該凹座暴露有源層(7)的以及與之連接的氧化層(5)的形成膜(15)的區(qū)域，其中，在氧化層(5)的通過凹座(13)暴露的區(qū)域(21)的外邊緣中提供圍繞該區(qū)域(21)的溝槽(19)。文檔編號G01L9/06GK101627292SQ200880007360公開日2010年1月13日申請日期2008年3月4日優(yōu)先權(quán)日2007年3月5日發(fā)明者伊戈爾·格特曼,英·圖安·塔姆,迪特爾·施托爾塞申請人:恩德萊斯和豪瑟爾兩合公司