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壓力傳感器的制造方法

文檔序號(hào):10317239閱讀:397來源:國知局
壓力傳感器的制造方法
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種傳感器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種壓力傳感器。
【【背景技術(shù)】】
[0002]隨著科學(xué)技術(shù)日新月異的飛速發(fā)展,智能化的便攜式電子設(shè)備逐漸流行起來,例如智能手機(jī)、智能手環(huán)、智能手邊、平板電腦等。用戶在不斷追求便攜式電子設(shè)備智能化的同時(shí),更加注重的是需要便攜式電子設(shè)備具有豐富多彩的用戶體驗(yàn)感受。目前越來越多的廠商將壓力傳感器置于便攜式電子設(shè)備中,而通常測(cè)試壓力的傳感器為應(yīng)變傳感器,但是應(yīng)力傳感器的測(cè)量精度低。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中提供的MEMS壓力傳感器以提高測(cè)量精度,一般都包括MEMS壓力傳感器芯片和ASIC芯片。然而,現(xiàn)有的MEMS壓力傳感器的散熱性能不佳,無法實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)內(nèi)外部透氣,影響傳感器的性能。
[0004]因此,有必要提供一種新的壓力傳感器來解決上述問題。
【【實(shí)用新型內(nèi)容】】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種可以提升傳感器性能的壓力傳感器。
[0006]本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:提供一種壓力傳感器,包括具有收容空間的外殼,所述收容空間內(nèi)安裝有壓力傳感器芯片和集成電路芯片,所述外殼上開設(shè)有連通所述收容空間與外部的透氣孔,至少兩個(gè)所述透氣孔之間具有高度差。
[0007]進(jìn)一步地,所述高度差與所述壓力傳感器的高度之比至少為1:4?1:3。
[0008]進(jìn)一步地,所述外殼包括基板以及罩設(shè)在該基板上以圍成所述收容空間的蓋體,所述蓋體包括頂壁和沿所述頂壁彎折延伸形成的側(cè)壁,所述側(cè)壁與所述基板固定連接。
[0009]進(jìn)一步地,所述透氣孔至少包括設(shè)置在頂壁上的第一透氣孔以及開設(shè)在所述側(cè)壁上的第二透氣孔。
[0010]進(jìn)一步地,所述透氣孔至少包括設(shè)置在所述基板上的第三透氣孔,以及開設(shè)在所述頂壁上的第一透氣孔和/或開設(shè)在所述側(cè)壁上的第二透氣孔。
[0011]本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型通過在壓力傳感器的外殼上開設(shè)具有高度差的多個(gè)透氣孔,有效實(shí)現(xiàn)壓力傳感器內(nèi)外部氣流的及時(shí)流通,提升傳感器的性能。
【【附圖說明】】
[0012]圖1為本實(shí)用新型提供的第一種實(shí)施例的壓力傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0013]圖2為本實(shí)用新型提供的第二種實(shí)施例的壓力傳感起的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0014]圖3為本實(shí)用新型提供的第三種實(shí)施例的壓力傳感起的結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0015]下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
[0016]參考圖1,本實(shí)用新型提供的第一種實(shí)施方式的壓力傳感器包括具有收容空間100的外殼10以及容納在收容空間100中的壓力傳感器芯片20和集成電路芯片30。外殼10上開設(shè)有連通外部和收容空間100的透氣孔,包括第一透氣孔110和第二透氣孔130。第一透氣孔110和第二透氣孔130之間具有高度差。尤其,在本實(shí)施例中,外殼10包括基板12以及罩設(shè)在該基板12上以圍成所述收容空間100的蓋體11,蓋體11大致呈矩形盒體狀,所述蓋體11包括頂壁111和沿所述頂壁111彎折延伸形成的側(cè)壁112,所述側(cè)壁112與所述基板12固定連接。第一透氣孔110開設(shè)在頂壁111上,第二透氣孔130開設(shè)在側(cè)壁112上,尤其第一透氣孔110與第二透氣孔130之間具有高度差,且該高度差與圖1所示的壓力傳感器整體的高度之比至少為1:4?1: 3,優(yōu)選為1: 3。采用這種結(jié)構(gòu)能使快速完成內(nèi)外部氣流的實(shí)時(shí)交換,提高壓力傳感器的性能。
[0017]進(jìn)一步地,基板12為PCB電路板,壓力傳感器芯片20和集成電路芯片30并列間隔設(shè)置在基板12上,并通過綁定金線40實(shí)現(xiàn)三者之間的電連接。在其他實(shí)施例中,該壓力傳感器芯片20和集成電路芯片30堆疊設(shè)置在基板12上。在其他的實(shí)施例中,該透氣孔也可以設(shè)置在基板12上,并將壓力傳感器芯片20和集成電路芯片30設(shè)置在蓋體11上?;蛘撸瑝毫鞲衅餍酒图呻娐沸酒粋€(gè)設(shè)置在基板上,另一個(gè)設(shè)置在上蓋上。在本實(shí)施例中,壓力傳感器芯片20可以是MEMS壓力傳感器芯片。
[0018]參考圖2,本實(shí)用新型提供的第二種實(shí)施方式的壓力傳感器中,透氣孔的開設(shè)位置相比第一實(shí)施例具有一定的差別。在本實(shí)施例中,透氣孔包括開設(shè)在頂壁110上的第一透氣孔110、開設(shè)在側(cè)壁112上的第二透氣孔130,以及開設(shè)在基板12上的第三透氣孔120。上述的第一透氣孔110、第二透氣孔130與第三透氣孔120之中,任意兩個(gè)透氣孔之間的高度差與壓力傳感器整體的高度之間的比值均至少為1:4。
[0019]如圖3所示,相比上述第一及第二實(shí)施例,在本實(shí)用新型的第三實(shí)施例中,透氣孔包括開設(shè)在頂壁110的第一透氣孔110和開設(shè)在基板12上的第三透氣孔120,顯然,第一透氣孔110與第三透氣孔120之間的高度差等于壓力傳感器整體的高度。應(yīng)當(dāng)理解,在本發(fā)明的其他實(shí)施例中,透氣孔也可以由開設(shè)在側(cè)壁112上的第二透氣孔130和開設(shè)在基板12上的第三透氣孔120組成,且第二透氣孔130與第三透氣孔120之間的高度差至少為壓力傳感器整體高度的四分之一。
[0020]以上所述的僅是本實(shí)用新型的實(shí)施方式,在此應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下,還可以做出改進(jìn),但這些均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種壓力傳感器,包括具有收容空間的外殼,其特征在于,所述收容空間內(nèi)安裝有壓力傳感器芯片和集成電路芯片,所述外殼上開設(shè)有連通所述收容空間與外部的透氣孔,至少兩個(gè)所述透氣孔之間具有高度差。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器,其特征在于,所述高度差與所述壓力傳感器的高度之比至少為1:4。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的壓力傳感器,其特征在于,所述外殼包括基板以及罩設(shè)在該基板上以圍成所述收容空間的蓋體,所述蓋體包括頂壁和沿所述頂壁彎折延伸形成的側(cè)壁,所述側(cè)壁與所述基板固定連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓力傳感器,其特征在于,所述透氣孔至少包括設(shè)置在頂壁上的第一透氣孔以及開設(shè)在所述側(cè)壁上的第二透氣孔。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓力傳感器,其特征在于,所述透氣孔至少包括設(shè)置在所述基板上的第三透氣孔,以及開設(shè)在所述頂壁上的第一透氣孔和/或開設(shè)在所述側(cè)壁上的第二透氣孔。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種壓力傳感器,包括具有收容空間的外殼,所述收容空間內(nèi)安裝有壓力傳感器芯片和集成電路芯片,所述外殼上開設(shè)有連通所述收容空間與外部的透氣孔,至少兩個(gè)所述透氣孔之間具有高度差。本實(shí)用新型通過在外殼上開孔,平衡內(nèi)外氣壓,提升傳感器的可靠性。
【IPC分類】G01L1/00
【公開號(hào)】CN205228684
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520932026
【發(fā)明人】張睿, 康婷
【申請(qǐng)人】瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請(qǐng)日】2015年11月20日
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