專利名稱：陶瓷被覆金屬材料及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在包含Al系金屬或Mg系金屬或Ti系金屬的金屬基材的表層部形成結(jié)晶質(zhì)的等離子體電解氧化膜的陶瓷被覆金屬材料及其制造方法。

背景技術(shù)：
近年來，作為針對Al部件等基材的表面處理技術(shù)，在基材和陰極之間通以適宜的脈沖模式的電流，使在上述基材和電解液的接觸界面上發(fā)生等離子體放電，將基材的表層部轉(zhuǎn)化處理為等離子體電解氧化膜的等離子體電解氧化法備受關(guān)注。
根據(jù)這樣的等離子體電解氧化法，例如可對于Al部件等基材形成在耐腐蝕性、耐磨耗性等方面優(yōu)異的等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)，但是在以往公知的方法中，需要復(fù)雜的處理裝置及操作，同時，由于電解液的不穩(wěn)定性，因此成膜的等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)也存在欠缺品質(zhì)穩(wěn)定性的傾向，另外也有膜厚不均勻的情況。
再有，現(xiàn)有的方法僅限于Al系金屬，對于Mg系金屬或Ti系金屬的金屬基材，不能形成等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)。
近年來，作為針對Al部件等金屬基材的表面處理技術(shù)，等離子體電解氧化法備受關(guān)注。根據(jù)該等離子體電解氧化法，能夠?qū)⒗鏏l部件等金屬基材的表層部轉(zhuǎn)化為包含Al2O3等的陶瓷，因此，能夠賦予該Al部件等金屬基材耐腐蝕性、耐磨耗性等特性。關(guān)于這樣的對Al部件等金屬基材應(yīng)用等離子體電解氧化，公知的有例如在杜拉鋁(2014合金)的表面形成包含60體積％的剛玉、30體積％的硅酸鋁、8體積％的礬土的厚度65μm的Al2O3系陶瓷膜的方法(參照下述的專利文獻1)。
在該方法中，將含有氫氧化鉀和四硅酸鈉的水溶液制成電解液，同時，將杜拉鋁作為陽極、將不銹鋼作為陰極浸漬，在兩極間施加至少700V的高電壓通以交流電壓。此時，作為半波電流的陽極電流，采用在1個周期的1/4時間內(nèi)將電流從零升到最大值后，將電流值降低到該最大值的40％以下的電流波形。
通過進行這樣的通電，在杜拉鋁的表面產(chǎn)生微弧，在杜拉鋁的表面進行電解氧化，形成Al2O3系陶瓷膜。但是，在這樣的現(xiàn)有方法中，在陶瓷膜成膜時，使用不同的裝置整體進行3次電解氧化處理來完成成膜操作，因此，處理裝置成為復(fù)雜的體系，操作也不可避免地變得煩雜。另外，由于電解液也不穩(wěn)定，故存在成膜的陶瓷膜也缺乏品質(zhì)穩(wěn)定性的難點。
另一方面，還已知有下面這樣的等離子體電解氧化處理方法(參照下面的專利文獻2)。在該方法中，使用含有堿金屬氫氧化物、堿金屬硅酸鹽、堿金屬焦磷酸鹽及過氧化物化合物的電解液，在此將Al合金物品作為陽極配置。而且，在該陽極和陰極之間通以陽極脈沖模式和陰極脈沖模式交替的電流脈沖模式。此時的通電方式如下。
首先，在自通電開始5～90秒的初期階段，以電流密度160～180A/dcm2通電，隨后使電流密度降低到3～30A/dm2。然后，保持該狀態(tài)，在膜厚變成所希望的厚度之前也不施加任何干擾操作，在使用電力的自動減少模式的狀態(tài)下繼續(xù)通電。因此，在該方法的場合，在通電的初期階段，在陽極和陰極之間按照滿足上述高電流密度的方式流過非常大的電流成為特征之一。這是為了提高用于成膜的等離子體電解氧化膜的成膜速度。
但是，在該方法的情況中，在通電的初期階段通以大電流，因此，發(fā)生強力的微小電弧放電，雖說等離子體電解氧化膜的表觀上的成膜速度提高，但是同時微小電弧放電并不是在陽極(Al合金物品)的表面上均勻分布發(fā)生，因此，存在在微小電弧放電集中的表面部位發(fā)生過燒，成膜的等離子體電解氧化膜的膜厚等變得不均勻，表面容易變成凹凸面的問題。
除了這些問題點以外，作為最近的動向，在內(nèi)燃機的活塞及汽缸套、泵及壓縮機的部件、液壓裝置及空氣壓縮裝置的部件等的材料領(lǐng)域，從節(jié)能的觀點出發(fā)，正在探討利用這些輕量的Al系金屬、Mg系金屬、Ti系金屬等材質(zhì)制作。作為該場合所要求的性能，有即使被放置在高溫腐蝕性氣氛的環(huán)境下也不會損耗，即耐腐蝕性、耐熱性、絕熱性等各項特性良好，及高硬度且表面平滑，和配合材料的摩擦系數(shù)小、滑動性良好。
從這些觀點來看，通過等離子體電解氧化將表層部轉(zhuǎn)化為陶瓷的Al系金屬、Mg系金屬或者Ti系金屬被認為是具有充分的特性的材料，但是，現(xiàn)有的陶瓷被覆金屬材料的制造方法，基材被限定于Al系金屬，對于Mg系金屬及Ti系金屬等其他金屬基材，形成等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)完全沒有考慮。另外，充分的特性、特別是有關(guān)等離子體電解氧化膜的表面的平滑性期望著進一步提高特性。
專利文獻1美國專利第5,616,229號 專利文獻2特表2002-508454號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這些現(xiàn)有的各種情況而研發(fā)的，其目的在于，提供耐腐蝕性、耐熱性、絕熱性等各項特性優(yōu)異，并且高硬度且平滑、摩擦系數(shù)小且滑動性優(yōu)異的陶瓷被覆金屬材料的制造方法。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所涉及的陶瓷被覆金屬材料的制造方法中，在電解槽中貯存有至少將堿金屬氫氧化物和堿金屬硅酸鹽和堿金屬多磷酸鹽攪拌混合而成的中性或弱堿性的電解液，將包含Al系金屬或Mg系金屬或Ti系金屬的金屬基材作為陽極浸漬到該電解液中，同時，將貯存所述電解液的電解槽構(gòu)成為陰極，通過在所述金屬基材和所述陰極之間通以適宜的脈沖模式電流，使在所述金屬基材和所述電解液的接觸界面上發(fā)生等離子體放電，將所述金屬基材的表層部轉(zhuǎn)化處理為等離子體電解氧化膜，其中，作為所述適宜的脈沖模式，僅使用配置有一個正極化的陽極型脈沖模式和一個負極化的陰極型脈沖模式交替呈現(xiàn)的交替脈沖模式的通電方式，設(shè)定所述陽極型脈沖模式的接通時間的總和比所述陰極型脈沖模式的接通時間的總和長，使所述陽極型脈沖模式的電量比所述陰極型脈沖模式的電量大，同時，對于該脈沖模式的電流波形，使用對應(yīng)所述等離子體電解氧化膜的表面粗糙度或者硬度將該電流波形的峰位置從脈沖中心位置在時間軸方向上錯開的時間延遲或者時間提前的變形正弦波形P2或者P1，所述時間延遲方向的變形正弦波形P2在與高硬度相比更需要將所述等離子體電解氧化膜制成表面粗度良好的表面粗糙度的情況下使用，所述時間提前方向的變形正弦波形P1在與表面粗度良好的表面粗糙度相比更需要將所述等離子體電解氧化膜制成高硬度的情況下使用。
根據(jù)具有這樣的構(gòu)成的本發(fā)明的陶瓷被覆金屬材料的制造方法，首先使用中性或弱堿性的電解液，因此，與以往那樣的中性電解液相比，穩(wěn)定性及安全性提高。
另外，本發(fā)明中，利用電解槽構(gòu)成以往浸漬在電解液中的陰極，形成均勻的電場，從而等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)的均勻性及品質(zhì)穩(wěn)定性提高。
再有，本發(fā)明中，作為施加的脈沖模式，采用使陽極型脈沖模式(A模式)和陰極型脈沖模式(C模式)交替呈現(xiàn)的AC模式進行通電，因此，在成膜的等離子體電解氧化膜的表面，所述的A模式和C模式交替持續(xù)發(fā)揮作用，作為其結(jié)果，能可靠、穩(wěn)定地形成致密、均質(zhì)、平滑的等離子體電解氧化膜。
在該AC模式中，陽極脈沖的接通時間和陰極脈沖的接通時間被適宜地設(shè)定，但是為了可靠地形成等離子體電解氧化膜，理想的是通過設(shè)定陽極脈沖的接通時間的總和比陰極脈沖的接通時間的總和長，使半波波長的積分值即陽極脈沖的電量大于陰極脈沖的電量。
再有，本發(fā)明中，通過在電解槽的底部配置冷卻器，從底部側(cè)進行電解液的冷卻，實現(xiàn)均勻的溫度分布，從而提高等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)的均勻性。
而且，本發(fā)明中，作為施加的脈沖模式的脈沖電流波形，通過使用對應(yīng)等離子體電解氧化膜的表面粗糙度或者硬度在時間軸方向上錯開峰位置的變形正弦波形，在脈沖上升時或者脈沖下降時的特性變強，從而得到強力的等離子體反應(yīng)。
另外，本發(fā)明中，作為金屬基材使用實施了中性脫脂工序及水洗工序的金屬基材，由此，能夠可靠地進行等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)的均勻化。
本發(fā)明通過采用以上的構(gòu)成，能夠得到非常平滑并且高強度的等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)，同時，不限于Al系金屬，對于Mg系金屬或Ti系金屬的基材，也能夠良好地形成等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)。



圖1是表示用于實施本發(fā)明的裝置的一個例子的模式構(gòu)成圖。
圖2是表示在本發(fā)明中使用的電流的陽極脈沖(A模式)的波形的一個例子的曲線圖。
圖3是表示在本發(fā)明中使用的電流的陰極脈沖(C模式)的波形的一個例子的曲線圖。
圖4是表示在本發(fā)明中使用的電流的交替脈沖(AC模式)的波形的一個例子的曲線圖。
圖5是表示在本發(fā)明中對于Al系金屬使用的電流的脈沖模式的波形圖形的一個例子的曲線圖。
圖6是表示在本發(fā)明中對于Mg系金屬或者Ti金屬使用的電流的脈沖模式的波形圖形的一個例子的曲線圖。
圖7是表示在本發(fā)明中使用的脈沖的波形的變形使用例的曲線圖。
符號說明 1電解槽 2電解液 3脈沖發(fā)生裝置 4金屬基材(陽極) 5熱交換器 6冷卻裝置 7過濾裝置 7a，7b循環(huán)用配管 8空氣供給裝置
具體實施例方式 下面，根據(jù)附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式，但在此之前，先對用于實施本發(fā)明的陶瓷被覆金屬材料的制造方法的裝置結(jié)構(gòu)進行說明。
如圖1所示，在形成為浴缸狀的電解槽1的內(nèi)部貯存有至少將堿金屬氫氧化物和堿金屬硅酸鹽和堿金屬多磷酸鹽攪拌混合而成的電解液2。作為該電解液2中使用的堿金屬氫氧化物，除了特別適合使用的KOH之外，還可舉出NaOH等。另外，作為堿金屬硅酸鹽適合使用水玻璃(Na2SiO2)。另一方面，作為堿金屬多磷酸鹽，可使用例如Na4P2O7、Na2PO4、Na6P6O18等中的一種或者兩種。
這樣的電解液2是將上述的成分溶解到蒸餾或者脫離子水中進行制備的。該情況下，通過根據(jù)在金屬基材上形成的等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)的膜厚、硬度等關(guān)系適當(dāng)調(diào)整各成分的濃度。作為堿金屬氫氧化物在使用KOH的情況下，通常其濃度只要設(shè)定在1～3g/L即可。另外，作為堿金屬硅酸鹽在使用水玻璃的情況下，濃度設(shè)定為2～5g/L，作為堿金屬多磷酸鹽在使用Na2P2O7的情況下，濃度設(shè)定為2～6g/L。
另外，對于本實施方式中的電解液2，以后述的金屬基材為鋁系的場合具有中性的方式進行濃度設(shè)定，以Mg、Ti系的場合具有弱堿性的方式進行濃度設(shè)定，但是該電解液2的pH值以良好地實現(xiàn)后述的等離子體細絲(plasma filament)的產(chǎn)生、和作業(yè)者的安全性兼顧的方式設(shè)定，另外，為了良好地維持最終成膜的等離子體電解氧化膜的耐剝離性盡量排除有機物質(zhì)。
另一方面，貯存該電解液2的電解槽1被制成這樣的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)形成例如由不銹鋼等良導(dǎo)電材料構(gòu)成的陰極，對于作為該陰極形成的電解槽1，電連接能夠供給后述那樣的脈沖模式的電流的脈沖發(fā)生裝置3。
在該電解槽1內(nèi)貯存的電解液2中，作為陽極浸漬包含Al系金屬或Mg金屬或Ti系金屬的金屬基材4。作為包含Al系金屬或Mg金屬或Ti系金屬的金屬基材4，為了使成膜性提高，使用預(yù)先實施了中性脫脂工序及水洗工序的金屬基材，在轉(zhuǎn)化處理后實施干燥工序。對構(gòu)成該陽極的金屬基材4同樣電連接脈沖發(fā)生裝置3，從該脈沖發(fā)生裝置3輸出的脈沖模式電流施加到作為陽極的金屬基材4上。
上述脈沖發(fā)生裝置3的構(gòu)成為，具有在該脈沖發(fā)生裝置3的內(nèi)部作成適當(dāng)?shù)拿}沖模式輸出電流的功能，通過將后述那樣的正極化的陽極型脈沖模式及負極化的陰極型脈沖模式、以及它們交替呈現(xiàn)的交替脈沖模式的任一種，從脈沖發(fā)生裝置3向作為上述陽極的金屬基材4供給，實施等離子體電解氧化。對于從該脈沖發(fā)生裝置3輸出的脈沖模式后面進行敘述。
另一方面，在上述的電解槽1的底面部，將電解液冷卻用的熱交換器5以遍及大致整個面延伸的方式配置。將自冷卻裝置6供給的制冷劑送入該熱交換器5，由此，將上述電解液2的液溫維持在10℃～40℃之間。即，等離子體電解氧化膜開始時，在金屬基材3的表面上產(chǎn)生高溫、高壓的點，因此，電解液2的溫度開始上升，但是該電解液2的液溫高于40℃時，例如水玻璃中的SiO2開始分離，最終都凝固。與此相對，電解液2的液溫低于10℃時，例如在通電過程中生成的各種離子被氧化膜被覆，難于引起等離子體細絲的產(chǎn)生。
另外，上述電解槽1經(jīng)由循環(huán)用配管7a、7b附設(shè)有具備適宜的過濾器的過濾裝置7，將電解槽1內(nèi)的電解液2輸送至過濾裝置7中，持續(xù)維持電解液的潔凈，同時，利用從空氣供給裝置8送到電解槽1的底部側(cè)的空氣，對上述電解槽1的內(nèi)部整體進行大致均勻的鼓泡。
另外，如上所述，脈沖發(fā)生裝置3具有在該脈沖發(fā)生裝置3的內(nèi)部作成適宜的脈沖模式輸出電流的功能，但是在金屬基材4是Al系金屬的場合，對于作為該陽極的金屬基材4，如圖5所示，首先施加正極化的一個以上的陽極型脈沖模式(下面稱為A模式，參照圖2)的電流例如20分鐘，然后，施加該A模式和負極化的陰極型脈沖模式(下面稱為C模式，參照圖3)交替呈現(xiàn)的交替脈沖模式(下面稱為AC模式，參照圖4)的電流例如20至60分鐘。
上述的A模式具備利用該通電一面施加壓縮力，一面使等離子體電解氧化膜成膜，同時，使等離子體電解氧化膜緊密化、使成膜表面平滑化的功能。而且，在該A模式中，例如通過調(diào)整1個陽極脈沖的接通時間(A)，能夠使等離子體電解氧化膜的成膜速度、致密化的程度、表面的平滑度等變化。例如，如果延長A模式的接通時間(A)，則高溫、高壓的點的活性狀態(tài)被較長維持，其結(jié)果是，等離子體電解氧化膜的成膜速度變大、致密化，另外氧化物的變形量也增大，表面的平滑化得以提升。
與此相對，C模式包含多個(圖3中是2個)負極化的陰極脈沖，通過周期性地配置各脈沖而構(gòu)成一種模式。該C模式通電時，等離子體電解氧化膜的成長動作停止，但是，已經(jīng)成膜的等離子體電解氧化膜的表面，例如在電場集中的突起部等引發(fā)產(chǎn)生高溫的陰極放電。因此，在該放電點等離子體電解氧化膜的一部分融解，同時，也復(fù)合施加電壓引起的壓縮作用，呈現(xiàn)出對于等離子體電解氧化膜的表面的平滑化作用。
即，該C模式具有可以說除去采用上述的A模式成膜的等離子體電解氧化膜的表面的突起部來促進平滑化的作用。而且，在該C模式中，通過調(diào)整例如1個陰極脈沖的接通時間(C)，能夠調(diào)整等離子體電解氧化膜表面的平滑度。例如若延長接通時間(C)，則能夠較長地維持放電點，因此，能夠使表面的突起部等可靠地融解，從而提高表面的平滑度。
從脈沖發(fā)生裝置3輸出的通電電流的脈沖模式是將上述的A模式和C模式作為基礎(chǔ)，適當(dāng)?shù)亟M合這些模式而使用的脈沖模式，但是在這些組合中，在利用圖4所示的AC模式進行通電的場合，在成膜的等離子體電解氧化膜的表面，前述的A模式和C模式交替持續(xù)發(fā)揮作用，作為其結(jié)果，可靠穩(wěn)定地形成致密、均質(zhì)、平滑的等離子體電解氧化膜。
另外，在該AC模式中，對陽極脈沖的接通時間和陰極脈沖的接通時間進行適宜地設(shè)定，但是為了可靠地形成等離子體電解氧化膜，理想的是通過將陽極脈沖的接通時間的總和設(shè)定為比陰極脈沖的接通時間的總和長，使半波波長的積分值即陽極脈沖的電量大于陰極脈沖的電量。
另外，此時，作為各脈沖模式的電流波形，如圖7所示，使用如P1、P2那樣從脈沖中心位置在時間軸方向上錯開該電流波形的峰位置P的變形正弦波形。其理由是因為，脈沖上升時或者脈沖下降時的特性變強，能夠得到更強力的等離子體反應(yīng)，因此等離子體電解氧化膜可有效地成膜，時間延遲方向的P2在與制成高硬度相比更重視表面粗度良好的表面粗糙度的情況下使用，時間提前方向的P1在與作成表面粗度良好的表面粗糙度相比更重視高硬度的情況下使用。這樣的電流波形的變形是在上述的脈沖發(fā)生裝置3內(nèi)通過適宜的數(shù)字處理而進行的。
另一方面，對于作為上述的陽極的金屬基材4，在使用Mg系金屬或Ti系金屬的情況下，優(yōu)選使用將AC模式(例如5～45秒)和C模式(例如5～30秒)組合而成的通電方式。其理由是因為，對Mg系金屬或Ti系金屬施加A模式輸出之后執(zhí)行AC模式時，成膜的被膜和金屬基材表層的附著性降低，對于Ti系金屬，基材表層部容易發(fā)生變色，因此，施加A模式時，金屬基材的塑性發(fā)生變化。另外，即使僅施加AC模式也可以成膜，但是，通過施加C模式，金屬基材表面的面粗糙度穩(wěn)定。
根據(jù)這樣的本實施方式的陶瓷被覆金屬材料的制造方法，首先使用中性或弱堿性的電解液2，因此，與以往那樣的中性電解液相比，穩(wěn)定性及安全性提高，另外，現(xiàn)在，通過利用電解槽1構(gòu)成在電解液中浸漬的陰極，能夠形成均勻的電場，從而使等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)的均勻性及品質(zhì)穩(wěn)定性提高。
再有，在本實施方式中，作為施加的脈沖模式，采用將陽極型脈沖模式(A模式)或者陰極型脈沖模式(C模式)、和交替脈沖模式(AC模式)組合而成的通電方式，特別是利用將AC模式和C模式組合而成的通電方式，即使對于Mg系金屬及Ti系金屬，也能良好地形成等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)。
再有，在本實施方式中，通過在電解槽1的底部配置冷卻用的熱交換器5，從底部側(cè)進行電解液2的冷卻，實現(xiàn)均勻的溫度分布，等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)的均勻性提高，同時，作為金屬基材4由于使用實施了中性脫脂工序及水洗工序的金屬基材，可靠地實施了等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)的均勻化。
而且，在上述的實施方式中，作為施加的脈沖模式的脈沖電流波形，通過使用錯開峰位置的變形正弦波形，脈沖上升時或者脈沖下降時的特性增強，從而可得到強力的等離子體反應(yīng)。
在各表中示出了利用硬度試驗機(Mitsutoyo HM-124)對通過上述那樣的本實施方式成膜的等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)進行試驗的結(jié)果。各表中的“OK”為在稍微能看到標(biāo)記上的十字線的范圍內(nèi)的測定結(jié)果，P1表示表面粗糙度粗糙(把硬度作為目標(biāo))、P2表示表面粗糙度一般(通常模式)、P3表示表面粗糙度光滑(以光滑的感覺為目標(biāo))。
表1 表2 表3 表4 以上，根據(jù)實施方式具體地說明了通過本發(fā)明人實現(xiàn)的發(fā)明，但是，本發(fā)明不限于上述實施方式，不用說在不脫離其要旨的范圍內(nèi)可以有各種各樣的變形。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性 以上所述的本發(fā)明不僅對Al系金屬，對Mg系金屬及Ti金屬也能適用。
權(quán)利要求
1、陶瓷被覆金屬材料的制造方法，其在電解槽中貯存有至少將堿金屬氫氧化物和堿金屬硅酸鹽和堿金屬多磷酸鹽攪拌混合而成的中性或弱堿性的電解液，
將包含Al系金屬或Mg系金屬或Ti系金屬的金屬基材作為陽極浸漬到該電解液中，同時，將貯存所述電解液的電解槽構(gòu)成為陰極，
通過在所述金屬基材和所述陰極之間通以適宜的脈沖模式電流，使在所述金屬基材和所述電解液的接觸界面上發(fā)生等離子體放電，將所述金屬基材的表層部轉(zhuǎn)化處理為等離子體電解氧化膜，其特征在于，
作為所述適宜的脈沖模式，僅使用配置有一個正極化的陽極型脈沖模式和一個負極化的陰極型脈沖模式交替呈現(xiàn)的交替脈沖模式的通電方式，
設(shè)定所述陽極型脈沖模式的接通時間的總和比所述陰極型脈沖模式的接通時間的總和長，使所述陽極型脈沖模式的電量為比所述陰極型脈沖模式的電量大，同時，
對于該脈沖模式的電流波形，使用對應(yīng)所述等離子體電解氧化膜的表面粗糙度或者硬度將該電流波形的峰位置從脈沖中心位置在時間軸方向上錯開的時間延遲或者時間提前的變形正弦波形P2或者P1，
所述時間延遲方向的變形正弦波形P2在與高硬度相比更需要將所述等離子體電解氧化膜制成表面粗度良好的表面粗糙度的情況下使用，所述時間提前方向的變形正弦波形P1在與表面粗度良好的表面粗糙度相比更需要將所述等離子體電解氧化膜制成高硬度的情況下使用。
2、如權(quán)利要求1所述的陶瓷被覆金屬材料的制造方法，其特征在于，在所述電解槽的底部配置有使冷卻介質(zhì)流動的冷卻器。
3、如權(quán)利要求1所述的陶瓷被覆金屬材料的制造方法，其特征在于，使用對所述金屬基材實施了中性脫脂工序及水洗工序而得到的金屬基材，在所述轉(zhuǎn)化處理之后實施干燥工序。
4、陶瓷被覆金屬材料，其特征在于，使用權(quán)利要求項1～4所述的陶瓷被覆金屬材料的制造方法，在包含Al系金屬或Mg系金屬或Ti系金屬的金屬基材的表層部形成等離子體電解氧化膜。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陶瓷被覆金屬材料的制造方法，不僅對Al系金屬，對Mg系金屬及Ti金屬也能夠形成非常平滑并且高強度的等離子體電解氧化膜(陶瓷膜)。作為脈沖模式，使用在正極化的一個以上的陽極型脈沖模式或者負極化的一個以上的陰極型脈沖模式的之前或之后，配置有一個所述陽極型脈沖模式和一個所述陰極型脈沖模式交替呈現(xiàn)的交替脈沖模式的通電方式，使用從脈沖中心位置錯開該脈沖模式的電流波形的峰位置的變形正弦波形。
文檔編號C25D11/06GK101605929SQ200680056319
公開日2009年12月16日 申請日期2006年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月27日
發(fā)明者望月慎介 申請人:Zypro株式會社, 望月慎介