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一種集成化MEMS慣性傳感器的制作方法

文檔序號:39609776發(fā)布日期:2024-10-11 13:18閱讀:62來源:國知局
一種集成化MEMS慣性傳感器的制作方法

本技術(shù)屬于微機(jī)電系統(tǒng),具體涉及一種集成化mems慣性傳感器。


背景技術(shù):

1、mems慣性傳感器分為mems加速度計和mems陀螺儀慣性器件,mems加速度計傳感器用來測量空間加速度的傳感器,即測量物體在空間速度變化的快慢。mems陀螺儀利用角動量守恒定律,通過測量物體在單軸、雙軸或多軸上的旋轉(zhuǎn)速度變化來確定其方向和角度。

2、目前高性能單軸mems慣性器件為減小應(yīng)力的影響,均采用mems表頭與asic電路層疊式封裝,asic電路在工作過程中會自熱,導(dǎo)致封裝腔內(nèi)溫度增加,導(dǎo)致mems慣性器件的性能下降。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的在于提供一種集成化mems慣性傳感器,能夠?qū)sic電路在工作過程中產(chǎn)生的自熱及時導(dǎo)出,降低封裝腔內(nèi)溫度,提高mems慣性器件的性能。

2、為實現(xiàn)上述目的,本實用新型的技術(shù)方案為一種集成化mems慣性傳感器,包括導(dǎo)熱件、多個mems表頭以及多個asic電路,所述導(dǎo)熱件與多個所述mems表頭平鋪布置,多個所述asic電路依次層疊設(shè)置于所述導(dǎo)熱件上,所述多個mems表頭與所述多個asic電路一一對應(yīng),且相對應(yīng)的所述mems表頭與所述asic電路電連接。

3、作為實施方式之一,上下相鄰的所述asic電路之間通過鍵合環(huán)鍵合。

4、作為實施方式之一,各所述asic電路上均設(shè)置有第一導(dǎo)電連接部,各所述mems表頭上均設(shè)置有第二導(dǎo)電連接部,各所述第一導(dǎo)電連接部與對應(yīng)的所述第二導(dǎo)電連接部電連接。

5、作為實施方式之一,上下相鄰的所述asic電路的所述第一導(dǎo)電連接部錯開布置。

6、作為實施方式之一,多個所述mems表頭繞所述導(dǎo)熱件的周向間隔布置。

7、作為實施方式之一,所述第一導(dǎo)電連接部包括第一焊盤,所述第二導(dǎo)電連接部包括第二焊盤,且相對應(yīng)的所述第一焊盤與所述第二焊盤電連接。

8、作為實施方式之一,所述第一焊盤與所述第二焊盤通過金線連接。

9、作為實施方式之一,所述mems表頭為單軸mems表頭、雙軸mems表頭或者三軸mems表頭。

10、作為實施方式之一,所述導(dǎo)熱件為導(dǎo)熱凝膠層、陶瓷導(dǎo)熱基板或者金屬導(dǎo)熱基板。

11、作為實施方式之一,靠近所述導(dǎo)熱件的所述asic電路與所述導(dǎo)熱件貼合。

12、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型具有以下有益效果:

13、本實用新型將多個asic電路層疊封裝于導(dǎo)熱件上,并分別與對應(yīng)的mems表頭連接,asic電路在工作過程中會自熱,疊封的asic電路通過導(dǎo)熱件將自熱熱量導(dǎo)走,減小封裝腔內(nèi)溫度,從而在一個管殼內(nèi)實現(xiàn)多種軸向檢測,減小了多軸檢測的體積,降低了mems慣性傳感器成本。



技術(shù)特征:

1.一種集成化mems慣性傳感器,其特征在于:包括導(dǎo)熱件、多個mems表頭以及多個asic電路,所述導(dǎo)熱件與多個所述mems表頭平鋪布置,多個所述asic電路依次層疊設(shè)置于所述導(dǎo)熱件上,所述多個mems表頭與所述多個asic電路一一對應(yīng),且相對應(yīng)的所述mems表頭與所述asic電路電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的集成化mems慣性傳感器,其特征在于:上下相鄰的所述asic電路之間通過鍵合環(huán)鍵合。

3.如權(quán)利要求1所述的集成化mems慣性傳感器,其特征在于:各所述asic電路上均設(shè)置有第一導(dǎo)電連接部,各所述mems表頭上均設(shè)置有第二導(dǎo)電連接部,所述第一導(dǎo)電連接部與對應(yīng)的所述第二導(dǎo)電連接部電連接。

4.如權(quán)利要求3所述的集成化mems慣性傳感器,其特征在于:上下相鄰的所述asic電路的所述第一導(dǎo)電連接部錯開布置。

5.如權(quán)利要求4所述的集成化mems慣性傳感器,其特征在于:多個所述mems表頭繞所述導(dǎo)熱件的周向間隔布置。

6.如權(quán)利要求3所述的集成化mems慣性傳感器,其特征在于:所述第一導(dǎo)電連接部包括第一焊盤,所述第二導(dǎo)電連接部包括第二焊盤,且相對應(yīng)的所述第一焊盤與所述第二焊盤電連接。

7.如權(quán)利要求6所述的集成化mems慣性傳感器,其特征在于:所述第一焊盤與所述第二焊盤通過金線連接。

8.如權(quán)利要求1所述的集成化mems慣性傳感器,其特征在于:所述mems表頭為單軸mems表頭、雙軸mems表頭或者三軸mems表頭。

9.如權(quán)利要求1所述的集成化mems慣性傳感器,其特征在于:所述導(dǎo)熱件為導(dǎo)熱凝膠層、陶瓷導(dǎo)熱基板或者金屬導(dǎo)熱基板。

10.如權(quán)利要求1所述的集成化mems慣性傳感器,其特征在于:靠近所述導(dǎo)熱件的所述asic電路與所述導(dǎo)熱件貼合。


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)屬于微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種集成化MEMS慣性傳感器,包括導(dǎo)熱件、多個MEMS表頭以及多個ASIC電路,所述導(dǎo)熱件與多個所述MEMS表頭平鋪布置,多個所述ASIC電路依次層疊設(shè)置于所述導(dǎo)熱件上,所述多個MEMS表頭與所述多個ASIC電路一一對應(yīng),且相對應(yīng)的所述MEMS表頭與所述ASIC電路電連接。本技術(shù)將多個ASIC電路層疊封裝于導(dǎo)熱件上,并分別與對應(yīng)的MEMS表頭連接,ASIC電路在工作過程中會自熱,疊封的ASIC電路通過導(dǎo)熱件將自熱熱量導(dǎo)走,減小封裝腔內(nèi)溫度,從而在一個管殼內(nèi)實現(xiàn)多種軸向檢測,減小了多軸檢測的體積,降低了MEMS慣性傳感器成本。

技術(shù)研發(fā)人員:黃晟,蔡光艷,蔡喜元,魏曉莉,賈蔓谷,丁錚
受保護(hù)的技術(shù)使用者:武漢衡慣科技發(fā)展有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240125
技術(shù)公布日:2024/10/10
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