本發(fā)明涉及微系統(tǒng)（mems）及晶圓級封裝領域，具體是一種晶圓級soi硅片陽極鍵合方法。

背景技術：

1、目前在微系統(tǒng)（mems）及晶圓級封裝領域，基于soi硅片的陽極鍵合可應用于與外部環(huán)境隔離的器件中，與bcb鍵合、硅硅鍵合相比，具有成本低、易加工等優(yōu)點，可廣泛應用于壓力傳感器、慣性陀螺、加速度計中。一般陽極鍵合采用單拋硅片或雙拋硅片與玻璃片進行鍵合，在加工過程中需要將硅片和玻璃片加熱到200℃~400℃，再施加500~1000v的直流電壓實現電荷的轉移，進而在鍵合面形成穩(wěn)定的結構層。因此在加工過程中，需要硅片具有一定的導電能力，但由于soi硅片具有中間埋氧層，導致soi硅片不具備良好的導電能力，無法形成足夠的鍵合強度。

2、經過對現有專利檢索，中國專利《一種soi硅片與玻璃的晶圓級鍵合方法》（專利號cn202211341952.0）,采用的是將soi片與玻璃片進行一定的錯位，再將正負電極分別與soi片裸漏出的硅、玻璃片接觸，進而完成電荷轉移，可形成良好的鍵合強度。由于此方法需要將兩個晶圓進行一定的錯位，因此無法精確對準兩個晶圓上的圖形，并且需要鍵合設備具有特殊的電極，無法適配大多數的使用場景。

技術實現思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓級soi硅片陽極鍵合方法，該方法可將soi硅片及玻璃片精確對準，并且具備良好的鍵合強度。

2、本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案：

3、一種晶圓級soi硅片陽極鍵合方法，包括以下步驟：

4、s1、取soi硅片，采用濕法腐蝕或干法刻蝕將soi硅片的頂層硅與襯底硅之間裸漏的埋層氧化層去除干凈，保留中間頂層硅部分；

5、s2、采用濺射或蒸發(fā)工藝，在頂層硅面及裸漏的襯底硅面制作一層金屬；

6、s3、采用光刻與腐蝕或刻蝕工藝，去除頂層硅部分金屬，僅保留頂層硅與襯底硅之間的金屬連接，形成頂層硅與襯底硅的導電通道；

7、s4、將soi硅片與玻璃片對準，進行陽極鍵合。

8、本發(fā)明的有益效果是，在soi硅片的頂層硅與襯底硅之間形成導電通道，再與玻璃片進行精確的對準并鍵合，形成適用絕大多數應用場景的一種晶圓級soi硅片陽極鍵合方法。

技術特征：

1.一種晶圓級soi硅片陽極鍵合方法，其特征在于包括以下步驟：

技術總結
本發(fā)明涉及一種晶圓級SOI硅片陽極鍵合方法，包括以下步驟：S1、取SOI硅片，采用濕法腐蝕或干法刻蝕將SOI硅片的頂層硅與襯底硅之間裸漏的埋層氧化層去除干凈，保留中間頂層硅部分；S2、采用濺射或蒸發(fā)工藝，在頂層硅面及裸漏的襯底硅面制作一層金屬；S3、采用光刻與腐蝕或刻蝕工藝，去除頂層硅部分金屬，僅保留頂層硅與襯底硅之間的金屬連接，形成頂層硅與襯底硅的導電通道；S4、將SOI硅片與玻璃片對準，進行陽極鍵合。本發(fā)明的有益效果是，在SOI硅片的頂層硅與襯底硅之間形成導電通道，再與玻璃片進行精確的對準并鍵合，形成適用絕大多數應用場景的一種晶圓級SOI硅片陽極鍵合方法。

技術研發(fā)人員：趙斌,白建新,王鵬,王永,宋吉遞
受保護的技術使用者：華東光電集成器件研究所
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/10/10