專利名稱：負(fù)電位絡(luò)合離子膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及選擇透過性膜的生產(chǎn)，用于分離工藝的選擇透過性膜的專用制備方法，制備氫分離鈀基合金與孔徑梯度TiMgAlZnGei^e金屬間化合物均質(zhì)支撐體的過濾膜的制備方法。
背景技術(shù)：
負(fù)電位絡(luò)合離子膜是利用多種配方科學(xué)研制而成，其技術(shù)是借助于外界能量或化學(xué)位差的推動(dòng)，對(duì)兩組分或多組分混合的氣體進(jìn)行分離、分級(jí)、提純和富集，過程中大多無相變化，具有高效、節(jié)能、工藝簡(jiǎn)便、投資少、污染小等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于國民經(jīng)濟(jì)各生產(chǎn)、研究部門以及國防建設(shè)領(lǐng)域。在水膜分離領(lǐng)域中，其滲透率就是離子在透過膜時(shí)帶過去的水量。實(shí)用上水滲透率是膜的一個(gè)性能，其值愈大，在電滲析時(shí)水損失愈大，通常疏水性高分子材料膜中水滲透率遠(yuǎn)低于親水性高分子材料膜。目前氫分離所用材料主要有陶瓷體，如氧化鋁和玻璃，以及銅、鎳和不銹鋼等金屬。所采用的制備方法主要有固態(tài)粒子燒結(jié)法制備載體及過渡膜；溶膠一凝膠法制備超濾、微濾膜；分相法制備玻璃膜；采用化學(xué)氣相沉積、無電鍍等制備微孔膜，這些方法工藝復(fù)雜，成本較高，過濾膜孔徑難以控制；存在材料與鈀膜的熱膨脹系數(shù)不匹配，支撐體表面的非均勻活化，金屬的氫脆，陶瓷的脆而不易焊接組件化等缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種制備無裂縫、不脫落、均勻的致密復(fù)合膜的方法，其制備工藝流程簡(jiǎn)便，耗能低，污染少，制備得到的離子膜耐高溫、酸、堿以及有機(jī)溶劑的腐蝕，能廣泛應(yīng)用在水凈化、飲用水、醫(yī)療、科研、化工、飲料、制藥、食品加工等行業(yè)。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下方案
向氫分離用鈀基合金膜支撐體中引入物理性能及力學(xué)性能優(yōu)異的TiMgAlZnGei^e金屬間化合物，以制備氫分離用鈀基合金/孔徑梯度鈦鎂鋁鋅鍺鐵金屬間化合物均質(zhì)支撐體的過濾膜的方法，其具體步驟為 步驟1、混料
以粒徑200 IOum的Ti粉，粒徑200 5um的Mg元素粉，粒徑200 5um的Al元素粉，粒徑200 5um的Si元素粉，粒徑200 5um的Ge元素粉，粒徑200 5um的!^e元素粉，按照 50 60at. % Ti，8 IOat. % Mg，8 IOat. % Al，8 IOat. % Zn，8 IOat. % Ge及8 IOat. % Fe的成分配比進(jìn)行均勻混合得到混合粉末； 步驟2、復(fù)合成形
采用模壓成形的方式，將混合粉末直接與Ti箔、Mg箔、Al箔、Si箔、Ge箔或狗箔中的一種置于普通模壓機(jī)的沖頭端部，Ti箔、Mg箔、Al箔、Si箔、Ge箔或狗箔中的一種與混合粉末直接接觸，通過模壓成形制得片狀坯，模壓壓強(qiáng)為50 600Mpa ；或者采用冷等靜壓成形方式，壓強(qiáng)為50 200Mpa，芯桿成一定錐度，錐度為0. 1 2°，將Ti箔、Mg箔、Al箔、Zn箔、Ge箔或狗箔中的一種置于芯桿外側(cè)并與之緊密接觸，同時(shí)Ti箔、Mg箔、Al箔、Zn箔、 Ge箔或!^e箔中的一種與混合粉末直接接觸，通過冷等靜壓成形方式制得管狀坯，Ti箔、Mg 箔、Al箔、Zn箔、Ge箔或!^e箔的厚度為10 50um，脫膜后對(duì)冷等靜壓坯外徑進(jìn)行少量機(jī)加工，制成外徑均勻，內(nèi)徑略成錐度，厚度為1 3mm的管狀成形坯；
或者先將混合粉末模壓成形或冷等靜壓成形為片狀或管狀坯，然后通過Al液表面熔浸的方式制成復(fù)合成形坯，Al液表面熔浸溫度為670 900°C，熔浸時(shí)間為0. 1 IOmin ； 步驟3、反應(yīng)合成獲得孔徑梯度TiMgAlZnGei^e金屬間化合物均質(zhì)支撐體 通過低溫預(yù)反應(yīng)和高溫短時(shí)反應(yīng)兩個(gè)階段真空燒結(jié)合成法，制備TiMgAlZnGei^e金屬間化合物孔徑梯度均質(zhì)過濾膜，采用真空無壓燒結(jié)時(shí)，真空度為IX 10—1 IX 10_3Pa，低溫預(yù)反應(yīng)階段的溫度為500 800°C，時(shí)間為20 60分鐘；高溫短時(shí)反應(yīng)階段的溫度為 1200 1400°C，時(shí)間為 10 30°C / min ；
或者通過低溫預(yù)反應(yīng)和高溫短時(shí)反應(yīng)兩個(gè)階段低壓熱等靜壓合成法，壓強(qiáng)為0.01 5Mpa,低溫預(yù)反應(yīng)階段的溫度為500 800°C，時(shí)間為20 40分鐘；高溫短時(shí)反應(yīng)階段的溫度為1200 1300°C，時(shí)間為10 20分鐘；冷卻階段，控制降溫速度為10 50°C / min ； 步驟4、TiMgAlZnGeFe金屬間化合物均質(zhì)支撐體表面，采用化學(xué)或物理氣相沉積的方法，均勻鍍上一層鈀基合金膜，厚度為5 50um，組合成氫分離用鈀基合金/孔徑梯度 TiMgAlZnGeFe金屬間化合物均質(zhì)支撐體的過濾膜。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)
1、由于TiMgAlZnGei^e金屬間化合物作為輕質(zhì)高溫結(jié)構(gòu)材料，具有優(yōu)良的力學(xué)性能，耐酸堿腐蝕性能和抗氧化性能，其抗氧化極限可達(dá)800 950°C，采用它制備氫分離鈀基合金膜用支撐體，大幅度改善了氫分離膜的抗氧化性能、抗腐蝕性能和力學(xué)性能，提高了氫分離膜的滲透通量，延長(zhǎng)了使用壽命，并降低了生產(chǎn)成本。此外，緣于TiMgAlZnGei^e金屬間化合物的熱膨脹系數(shù)為1. 1 1. 4(10-5/K(0 600°C))，與金屬鈀的熱膨脹系數(shù)1. 176(10-5/ K)匹配，有利于TiMgAlZnGei^e金屬間化合物孔徑梯度均質(zhì)支撐體與鈀基合金膜的復(fù)合。2、本發(fā)明采用TiMgAlZnGei^e金屬間化合物制備孔徑梯度均質(zhì)過濾膜，有利于控制膜的孔徑分布。采用TiMgAlZnGei^e元素粉末制備過濾膜的造孔機(jī)制是MgAlZnGei^e偏擴(kuò)散引起Kirkendall效應(yīng)。除了粉末冶金工藝本身帶來一定量的孔隙外，Kirkendall效應(yīng)可造成MgAlZnGei^合金20 30%的開孔率，通過控制工藝條件例如MgAlZnGei^粉末粒度配比和成分配比，反應(yīng)合成的溫度和保溫時(shí)間等，能夠得到孔徑精確控制的通孔。3、本發(fā)明的TiMgAlZnGei^e元素粉末復(fù)合成形和反應(yīng)合成，制備氫分離用鈀基合金Ti、Mg-Al金屬間化合物孔徑梯度均質(zhì)支撐體，由于MgAlZnGei^e元素偏擴(kuò)散所引起 Kirkendall效應(yīng)，在支撐體中可形成孔徑由非和合端的1 IOum的孔徑梯度，通過控制復(fù)合工藝條件和燒結(jié)工藝條件能夠控制材料的孔徑梯度狀況，因此，MgAlZnGeFe金屬間化合物孔徑梯度均質(zhì)過濾膜，也可以直接用作性能優(yōu)異的微濾膜和納濾膜。4、本發(fā)明的TiMgAlZnGei^e元素粉末復(fù)合成形和反應(yīng)合成，制備氫分離用鈀基合金TiMgAlZnGei^e金屬間化合物孔徑梯度均質(zhì)支撐體過程中，不需要添加造孔劑即可獲得 40 50%的孔隙率，避免了傳統(tǒng)工藝中的脫除造孔劑環(huán)節(jié)，降低了耗能，而且?guī)缀鯚o污染。5、本發(fā)明成分配比的TiMgAlZnGei^金屬間化合物在1300°C以下具有高的顯微組織和晶粒尺寸穩(wěn)定性，保證了 TiMgAlZnGei^e無機(jī)膜的使用穩(wěn)定性，并且有效的防止了鈀膜
4的中毒；此外，TiMgAlZnGeFe金屬間化合物的可焊接性能還可很好地解決陶瓷和玻璃在高溫下難密封的問題。6、通過本發(fā)明提供的方法制備得到的離子膜應(yīng)用在膜分離技術(shù)上后，其節(jié)能效果顯著、設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、且容易控制，可替代鼓式真空過濾、板框壓濾、離子交換、離心分離、溶媒抽提、靜電除塵、袋式過濾、吸附/再生、絮凝/共聚、傾析/沉淀、蒸發(fā)、結(jié)晶等多種傳統(tǒng)的分離與過濾方法。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合實(shí)施例來具體說明本發(fā)明。實(shí)施例1
本發(fā)明提供了一種負(fù)電位絡(luò)合離子膜的制備方法，步驟為 步驟1、混料
以粒徑200 IOOum的Ti粉，粒徑100 5um的Al粉，粒徑100 5um的Mg粉， 粒徑100 5um的Si粉，粒徑100 5um的Ge粉，粒徑100 5um的!^e粉，按照60at. % Ti，8at. % Al，8at. % Mg，8at. % Zn，8at. % Ge，8at. % Fe的成分配比進(jìn)行均勻混合得到混合粉末；
步驟2、復(fù)合成形
采用模壓成形的方式，將混合粉末直接與Ti箔置于普通模壓機(jī)的沖頭端部，Ti箔與混合粉末直接接觸，通過模壓成形制得片狀坯，模壓壓強(qiáng)為50Mpa，Ti箔的厚度為lOum，脫膜后對(duì)冷等靜壓坯外徑進(jìn)行少量機(jī)加工，制成外徑均勻，內(nèi)徑略成錐度，厚度為Imm的管狀成形坯；
步驟3、反應(yīng)合成獲得孔徑梯度TiMgAlZnGei^e金屬間化合物均質(zhì)支撐體 通過低溫預(yù)反應(yīng)和高溫短時(shí)反應(yīng)兩個(gè)階段真空燒結(jié)合成法，制備TiMgAlZnGei^e金屬間化合物孔徑梯度均質(zhì)過濾膜，采用真空無壓燒結(jié)時(shí)，真空度為1 X 10 ,低溫預(yù)反應(yīng)階段的溫度為500°C，時(shí)間為60分鐘；高溫短時(shí)反應(yīng)階段的溫度為1200°C，時(shí)間為10°C / min ； 步驟4、TiMgAlZnGeFe金屬間化合物均質(zhì)支撐體表面，采用化學(xué)氣相沉積(CVD) 的方法，均勻鍍上一層鈀基合金膜，厚度為5um，組合成氫分離用鈀基合金/孔徑梯度 TiMgAlZnGeFe金屬間化合物均質(zhì)支撐體的過濾膜。實(shí)施例2
本發(fā)明提供了一種負(fù)電位絡(luò)合離子膜的制備方法，步驟為 步驟1、混料
以粒徑150 IOum的Ti粉，粒徑200 IOOum的Mg粉，粒徑200 IOOum的Mg粉， 粒徑200 IOOum的Si粉，粒徑200 IOOum的Ge粉，粒徑200 IOOum的!^e粉，按照 50at. % Ti, IOat. % Al, IOat. % Mg, IOat. % Zn, IOat. % Ge, IOat. % Fe 的成分配比進(jìn)行均勻混合得到混合粉末； 步驟2、復(fù)合成形
采用模壓成形的方式，將混合粉末直接與Mg箔置于普通模壓機(jī)的沖頭端部，Mg箔與混合粉末直接接觸，通過模壓成形制得片狀坯，模壓壓強(qiáng)為600Mpa，Mg箔的厚度為50um，脫膜后對(duì)冷等靜壓坯外徑進(jìn)行少量機(jī)加工，制成外徑均勻，內(nèi)徑略成錐度，厚度為3mm的管狀成形坯；
步驟3、反應(yīng)合成獲得孔徑梯度TiMgAlZnGei^e金屬間化合物均質(zhì)支撐體 通過低溫預(yù)反應(yīng)和高溫短時(shí)反應(yīng)兩個(gè)階段真空燒結(jié)合成法，制備TiMgAlZnGei^e金屬間化合物孔徑梯度均質(zhì)過濾膜，采用真空無壓燒結(jié)時(shí)，真空度為1 X IO-3Pa,低溫預(yù)反應(yīng)階段的溫度為800°C，時(shí)間為20分鐘；高溫短時(shí)反應(yīng)階段的溫度為1400°C，時(shí)間為30°C / min ； 步驟4、TiMgAlZnGei^e金屬間化合物均質(zhì)支撐體表面，采用物理氣相沉積(PVD)的方法，均勻鍍上一層鈀基合金膜，厚度為50um，組合成氫分離用鈀基合金/孔徑梯度 TiMgAlZnGeFe金屬間化合物均質(zhì)支撐體的過濾膜。實(shí)施例3
本發(fā)明提供了一種負(fù)電位絡(luò)合離子膜的制備方法，步驟為 步驟1、混料
以粒徑200 IOOum的Ti粉，粒徑100 5um的Al粉，粒徑100 5um的Mg粉，粒徑 100 5um的Zn粉，粒徑100 5um的Fe粉，粒徑100 5um的Ge粉，按照60at. % Ti, 8at. % Al，8at. % Mg，8at. % Zn，8at. % Ge，8at. % Fe的成分配比進(jìn)行均勻混合得到混合粉末；
步驟2、復(fù)合成形
采用冷等靜壓成形方式，壓強(qiáng)為50Mpa，芯桿成一定錐度，錐度為0. 1°，將Ti箔置于芯桿外側(cè)并與之緊密接觸，同時(shí)Ti箔與混合粉末直接接觸，通過冷等靜壓成形方式制得管狀還，Ti箔的厚度為10um，脫膜后對(duì)冷等靜壓坯外徑進(jìn)行少量機(jī)加工，制成外徑均勻，內(nèi)徑略成錐度，厚度為3mm的管狀成形坯；
步驟3、反應(yīng)合成獲得孔徑梯度TiMgAlZnGei^e金屬間化合物均質(zhì)支撐體 通過低溫預(yù)反應(yīng)和高溫短時(shí)反應(yīng)兩個(gè)階段低壓熱等靜壓合成法，壓強(qiáng)為0. OlMpa，低溫預(yù)反應(yīng)階段的溫度為500°C，時(shí)間為40分鐘；高溫短時(shí)反應(yīng)階段的溫度為1200°C，時(shí)間為 20分鐘；冷卻階段，控制降溫速度為IO0C / min ；
步驟4、TiMgAlZnGeFe金屬間化合物均質(zhì)支撐體表面，采用化學(xué)氣相沉積的方法，均勻鍍上一層鈀基合金膜，厚度為5um，組合成氫分離用鈀基合金/孔徑梯度Ti、Mg-Al金屬間化合物均質(zhì)支撐體的過濾膜。實(shí)施例4
本發(fā)明提供了一種負(fù)電位絡(luò)合離子膜的制備方法，步驟為 步驟1、混料
以粒徑200 IOum的Ti粉，粒徑200 5um的Al粉，粒徑200 5um的Mg粉，粒徑 200 5um的Zn粉，粒徑200 5um的Fe粉，粒徑200 5um的Ge粉，按照60at. % Ti, 8at. % Al，8at. % Mg，8at. % Zn，8at. % Ge，8at. % Fe的成分配比進(jìn)行均勻混合得到混合粉末；
步驟2、復(fù)合成形
采用冷等靜壓成形方式，壓強(qiáng)為200Mpa，芯桿成一定錐度，錐度為2°，將狗箔置于芯桿外側(cè)并與之緊密接觸，同時(shí)1 箔與混合粉末直接接觸，通過冷等靜壓成形方式制得管狀坯，狗箔的厚度為50um，脫膜后對(duì)冷等靜壓坯外徑進(jìn)行少量機(jī)加工，制成外徑均勻，內(nèi)徑略成錐度，厚度為Imm的管狀成形坯；步驟3、反應(yīng)合成獲得孔徑梯度TiMgAlZnGei^e金屬間化合物均質(zhì)支撐體 通過低溫預(yù)反應(yīng)和高溫短時(shí)反應(yīng)兩個(gè)階段低壓熱等靜壓合成法，壓強(qiáng)為0. 01 5Mpa， 低溫預(yù)反應(yīng)階段的溫度為800°C，時(shí)間為20分鐘；高溫短時(shí)反應(yīng)階段的溫度為1300°C，時(shí)間為10分鐘；冷卻階段，控制降溫速度為50°C / min ；
步驟4、TiMgAlZnGeFe金屬間化合物均質(zhì)支撐體表面，采用化學(xué)氣相沉積的方法，均勻鍍上一層鈀基合金膜，厚度為50um，組合成氫分離用鈀基合金/孔徑梯度TiMgAlZnGei^e金屬間化合物均質(zhì)支撐體的過濾膜。實(shí)施例5
本發(fā)明提供了一種負(fù)電位絡(luò)合離子膜的制備方法，步驟為 步驟1、混料
以粒徑200 IOum的Ti粉，粒徑200 5um的Al元素粉，粒徑200 5um的Mg元素粉，粒徑200 5um的Si元素粉，粒徑200 5um的!^e元素粉，粒徑200 5um的Ge元素粉，按照 50at. % Ti, IOat. % Al, IOat. % Mg, IOat. % Zn, IOat. % Ge, IOat. % Fe 的成分配比進(jìn)行均勻混合得到混合粉末； 步驟2、復(fù)合成形
先將混合粉末模壓成形或冷等靜壓成形為片狀或管狀坯，然后通過Al液表面熔浸的方式制成復(fù)合成形坯，Al液表面熔浸溫度為670°C，熔浸時(shí)間為IOmin ；
步驟3、反應(yīng)合成獲得孔徑梯度TiMgAlZnGei^e金屬間化合物均質(zhì)支撐體 通過低溫預(yù)反應(yīng)和高溫短時(shí)反應(yīng)兩個(gè)階段低壓熱等靜壓合成法，壓強(qiáng)為5Mpa，低溫預(yù)反應(yīng)階段的溫度為800°C，時(shí)間為20分鐘；高溫短時(shí)反應(yīng)階段的溫度為1300°C，時(shí)間為10 分鐘；冷卻階段，控制降溫速度為50°C / min ；
步驟4、TiMgAlZnGeFe金屬間化合物均質(zhì)支撐體表面，采用物理氣相沉積的方法，均勻鍍上一層鈀基合金膜，厚度為50um，組合成氫分離用鈀基合金/孔徑梯度TiMgAlZnGei^e金屬間化合物均質(zhì)支撐體的過濾膜。實(shí)施例6
本發(fā)明提供了一種負(fù)電位絡(luò)合離子膜的制備方法，步驟為 步驟1、混料
以粒徑200 IOum的Ti粉，粒徑200 5um的Al元素粉，粒徑200 5um的Mg元素粉，粒徑200 5um的Si元素粉，粒徑200 5um的!^e元素粉，粒徑200 5um的Ge元素粉，按照 50at. % Ti, IOat. % Al, IOat. % Mg, IOat. % Zn, IOat. % Ge, IOat. % Fe 的成分配比進(jìn)行均勻混合得到混合粉末； 步驟2、復(fù)合成形
先將混合粉末模壓成形或冷等靜壓成形為片狀或管狀坯，然后通過Al液表面熔浸的方式制成復(fù)合成形坯，Al液表面熔浸溫度為900°C，熔浸時(shí)間為0. Imin ；
步驟3、反應(yīng)合成獲得孔徑梯度TiMgAlZnGei^e金屬間化合物均質(zhì)支撐體 通過低溫預(yù)反應(yīng)和高溫短時(shí)反應(yīng)兩個(gè)階段低壓熱等靜壓合成法，壓強(qiáng)為5Mpa，低溫預(yù)反應(yīng)階段的溫度為800°C，時(shí)間為20分鐘；高溫短時(shí)反應(yīng)階段的溫度為1300°C，時(shí)間為10 分鐘；冷卻階段，控制降溫速度為50°C / min ；
步驟4、TiMgAlZnGeFe金屬間化合物均質(zhì)支撐體表面，采用物理氣相沉積的方法，均勻鍍上一層鈀基合金膜，厚度為50um，組合成氫分離用鈀基合金/孔徑梯度TiMgAlZnGei^e金
屬間化合物均質(zhì)支撐體的過濾膜。 制備得到的離子膜與現(xiàn)有膜的性能比對(duì)照表
權(quán)利要求
1. 一種負(fù)電位絡(luò)合離子膜的制備方法，其特征在于步驟為 步驟1、混料以粒徑200 IOum的Ti粉，粒徑200 5um的Mg元素粉，粒徑200 5um的Al元素粉，粒徑200 5um的Si元素粉，粒徑200 5um的Ge元素粉，粒徑200 5um的!^e元素粉，按照 50 60at. % Ti，8 IOat. % Mg，8 IOat. % Al，8 IOat. % Zn，8 IOat. % Ge及8 IOat. % Fe的成分配比進(jìn)行均勻混合得到混合粉末； 步驟2、復(fù)合成形采用模壓成形的方式，將混合粉末直接與，Ti箔、Mg箔、Al箔、Zn箔、Ge箔或狗箔中的一種置于普通模壓機(jī)的沖頭端部，，Ti箔、Mg箔、Al箔、Zn箔、Ge箔或狗箔中的一種與混合粉末直接接觸，通過模壓成形制得片狀坯，模壓壓強(qiáng)為50 600Mpa ；或者采用冷等靜壓成形方式，壓強(qiáng)為50 200Mpa，芯桿成一定錐度，錐度為0. 1 2°，將，Ti箔、Mg箔、Al 箔、Si箔、Ge箔或狗箔中的一種置于芯桿外側(cè)并與之緊密接觸，同時(shí)，Ti箔、Mg箔、Al箔、 Si箔、Ge箔或狗箔中的一種與混合粉末直接接觸，通過冷等靜壓成形方式制得管狀坯，，Ti 箔、Mg箔、Al箔、Si箔、Ge箔或狗箔的厚度為10 50um，脫膜后對(duì)冷等靜壓坯外徑進(jìn)行少量機(jī)加工，制成外徑均勻，內(nèi)徑略成錐度，厚度為1 3mm的管狀成形坯；或者先將混合粉末模壓成形或冷等靜壓成形為片狀或管狀坯，然后通過Al液表面熔浸的方式制成復(fù)合成形坯，Al液表面熔浸溫度為670 900°C，熔浸時(shí)間為0. 1 IOmin ； 步驟3、反應(yīng)合成獲得孔徑梯度TiMgAlZnGei^e金屬間化合物均質(zhì)支撐體 通過低溫預(yù)反應(yīng)和高溫短時(shí)反應(yīng)兩個(gè)階段真空燒結(jié)合成法，制備TiMgAlZnGei^e金屬間化合物孔徑梯度均質(zhì)過濾膜，采用真空無壓燒結(jié)時(shí)，真空度為IX 10—1 IX 10_3Pa，低溫預(yù)反應(yīng)階段的溫度為500 800°C，時(shí)間為20 60分鐘；高溫短時(shí)反應(yīng)階段的溫度為 1200 1400°C，時(shí)間為 10 30°C / min ；或者通過低溫預(yù)反應(yīng)和高溫短時(shí)反應(yīng)兩個(gè)階段低壓熱等靜壓合成法，壓強(qiáng)為0.01 5Mpa,低溫預(yù)反應(yīng)階段的溫度為500 800°C，時(shí)間為20 40分鐘；高溫短時(shí)反應(yīng)階段的溫度為1200 1300°C，時(shí)間為10 20分鐘；冷卻階段，控制降溫速度為10 50°C / min ； 步驟4、TiMgAlZnGeFe金屬間化合物均質(zhì)支撐體表面，采用化學(xué)或物理氣相沉積的方法，均勻鍍上一層鈀基合金膜，厚度為5 50um，組合成氫分離用鈀基合金/孔徑梯度 TiMgAlZnGeFe金屬間化合物均質(zhì)支撐體的過濾膜。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種負(fù)電位絡(luò)合離子膜的制備方法，向氫分離用鈀基合金膜支撐體中引入物理性能及力學(xué)性能優(yōu)異的金屬間化合物，以制備氫分離用鈀基合金/孔徑梯度鈦、鋁-鎂金屬間化合物均質(zhì)支撐體的過濾膜，其步驟為首先混料、隨后復(fù)合成形，再反應(yīng)合成，最后獲得負(fù)電位絡(luò)合離子膜。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是能夠制備無裂縫、不脫落、均勻的致密復(fù)合膜，而且其制備工藝流程簡(jiǎn)便，耗能低，污染少。制備得到的離子膜耐高溫、酸、堿以及有機(jī)溶劑的腐蝕，能廣泛應(yīng)用在水凈化、飲用水、醫(yī)療、科研、化工、飲料、制藥、食品加工等行業(yè)，其節(jié)能效果顯著、設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、且容易控制，可替代鼓式真空過濾、離心分離、蒸發(fā)、結(jié)晶等多種傳統(tǒng)的分離與過濾方法。
文檔編號(hào)B01D53/22GK102172479SQ20111006285
公開日2011年9月7日 申請(qǐng)日期2011年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月16日
發(fā)明者易明 申請(qǐng)人:水經(jīng)(上海)生物科技有限公司