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提純氯化氫的方法

文檔序號:5020977閱讀:1231來源:國知局
專利名稱:提純氯化氫的方法
提純氯化氫的方法本發(fā)明涉及一種提純氯化氫的方法。更具體地,本發(fā)明涉及一種 提純含芳族有機(jī)化合物特別是氯化芳族化合物的氯化氫氣體的方法。 本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種提純氯化氫氣體的設(shè)備,和一種使用通過本發(fā) 明提純方法得到的氯化氫進(jìn)行乙烯氧氯化的方法。大量的工業(yè)化學(xué)方法產(chǎn)生作為副產(chǎn)品的氯化氫氣體(HC1)。在最通 常的實踐中,它們包括氯乙烯的生產(chǎn),氯代甲烷和其中所述分子包含 兩個碳原子的氯化溶劑的生產(chǎn),異氰酸酯的合成以及氟代烴的合成。當(dāng)它再用作其他方法的原料時,這種大量生產(chǎn)的HC1產(chǎn)生了它的 提純問題。因此,對于氯乙烯的生產(chǎn),例如通過乙烯的氯化和氧氯化的合成 方法,和如果是可逆的,則熱分解形成的1,2-二氯乙垸(DCE)將理論上 產(chǎn)生該方法所需量的HC1。然而實際上,可能需要從外源加入補(bǔ)給HC1。 在合成期間,為防止形成毒性產(chǎn)物和對所述乙烯氧氯化催化劑效力有 害的有機(jī)化合物,重要的是使用預(yù)先提純的補(bǔ)給HC1。因此,文獻(xiàn) EP-A_774 450教導(dǎo)在氧氯化中多氯二苯并二噁英(PCDD)以及多氯代二 苯呋喃(PCDF)的形成可歸因于污染反應(yīng)物的芳族化合物。已經(jīng)描述了通過使用溶劑漆氣提純HC1的方法。因此,法國專利 1 417 388概括地提到使用高沸點有機(jī)化合物通過滌氣從HC1中汽提有 機(jī)和無機(jī)物(第4頁,左欄,第二段落末);以編號2 151 107公開的法 國專利申請涉及(第2頁,第18-31行)一種通過用高沸點全氯代烴滌氣 而從氯化氫中提取低沸點雜質(zhì)的方法,并強(qiáng)調(diào)了其缺點;以編號 02137704A2公開的日本專利申請描述了通過用五氯乙垸溶液滌氣而提
純含氯代烴的HC1。所有這些提純方法共同的缺點是用于滌氣的化合物隨后會污染HC1,并且這種化合物的處理引發(fā)與HC1仍至少部分可溶于所述化合物液相的事實有關(guān)的問題。根據(jù)文獻(xiàn)PL-B-162 910,在吸收器中用冷卻到-25 -15T的DCE 噴霧從非芳族有機(jī)氯化合物的混合物中分離HC1。文獻(xiàn)EP-A-0 774 450提到可用于生產(chǎn)氯乙烯的若干補(bǔ)給HC的"外 部"源(第3頁,第14-21行)。在這些源中間,描述了有機(jī)異氰酸酯的 生產(chǎn)。該文獻(xiàn)同樣描述了用于從準(zhǔn)備用于氧氯化法的"外部"HC1中 除去所述芳族化合物的若干方法(第3頁,最后的5行到第4頁第17 行)。這些方法利用包括冷凝步驟的分餾,通過適當(dāng)?shù)囊后w或者固體吸 附或者吸收,以及催化氫化和氧化反應(yīng),所有這些方法都存在與待使 用設(shè)備的復(fù)雜性相關(guān)的缺點,需要再生使用的吸附劑或者吸收劑,它 們依次被在待提純HC1中存在的雜質(zhì)填充,或者需要再生使用的昂貴 的氫化或者氧化催化劑。文獻(xiàn)EP-A-0 618 170公開了一種從HC1中得到"試劑級"純的 鹽酸的方法,所述HC1是在通過有機(jī)胺與光氣反應(yīng)生產(chǎn)有機(jī)異氰酸酯 期間產(chǎn)生的。原因不清楚,該HC1通常包含大于200ppb的鐵基雜質(zhì)(EP A-0 61S 170,第2頁,第27-37行)。所述的鐵能夠催化副反應(yīng),如HC1 到烯烴上的加成,或者通過芳族化合物的烷基化形成更重質(zhì)的化合物。 在該文獻(xiàn)中提出的用于除去這些雜質(zhì)的復(fù)雜昂貴的溶液將HC1轉(zhuǎn)化為 鹽酸,然后使這種鹽酸與陰離子交換樹脂接觸。文獻(xiàn)US-A-2004/0163411描述了更特別適用于在生產(chǎn)異氰酸酯期 間產(chǎn)生的HC1的提純方法。所述HC1被氯化芳族化合物比如存在于所 述異氰酸酯合成介質(zhì)中的氯苯和二氯苯污染。在所使用的HC1中這些 化合物以及它們的轉(zhuǎn)化產(chǎn)物的存在,例如在氯乙烯生產(chǎn)期間,在將乙 烯催化氧氯化為DCE的步驟中,不管催化劑床是流化的或者固定的, 其均對該氧氯化步驟的進(jìn)行有害,特別是通過使催化劑失活而對所述 步驟有害。所述固定床同樣對能引起高壓降的降解或者碳酸產(chǎn)物的聚 集敏感。為改善這種情況,有必要中斷生產(chǎn)以更新所有或者部分的催化劑裝載量。在文獻(xiàn)US-A-2004/0163411中提出的用于從HC1中汽提 氯化芳族化合物的溶液進(jìn)行兩段冷凝,其中將較冷的冷凝相從第二段 循環(huán)到第一段。這涉及復(fù)雜的、包括需要高能耗的昂貴致冷裝置的設(shè) 備。而且,在冷凝中所達(dá)到的溫度下,這種汽提的效率受到待去除的 所述芳族化合物的蒸氣壓限制。本發(fā)明的目的是提供一種不存在這些缺點的用于提純氯化氫的方 法和設(shè)備。因此,本發(fā)明主要涉及一種用于提純含芳族有機(jī)化合物的氯化氫 氣體的方法,包括至少一個使所述的氯化氫與含1,2-二氯乙烷的滌氣劑 接觸的步驟。在本發(fā)明說明書中,"含1,2-二氯乙烷的滌氣劑"或者簡單地"滌 氣劑"意思是其中1,2-二氯乙垸(DCE)以液態(tài)存在的組合物。本發(fā)明的方法一般適用于提純通過涉及含有芳族有機(jī)化合物合成 產(chǎn)生的HC1。由于這種來源,該HC1包含作為雜質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)沸點一般高 于IO(TC的一種或多種芳族有機(jī)化合物,至少部分可溶于滌氣劑或者可 與其混溶的化合物。優(yōu)選,待提純的HC1是通過光氣與有機(jī)胺反應(yīng)生 產(chǎn)的有機(jī)異氰酸酯的副產(chǎn)品,所述有機(jī)胺通常為芳香胺,優(yōu)選為芳族 二胺。在該特定情況下,所述雜質(zhì)通常是用作生產(chǎn)中溶劑的氯代芳族 化合物,通常為氯苯和二氯苯。本發(fā)明可用的滌氣劑包含液態(tài)的DCE。本發(fā)明體系中絕不排除在 所述的滌氣劑中含有其他能夠溶解待提純HC1中存在的雜質(zhì)的化合物, 或者其他能夠與其形成液體混合物的化合物。然而,該滌氣劑優(yōu)選包
含至少50vol。/。的DCE,更特別至少80vol。/o的DCE。在一個特別優(yōu)選 的方式中,更確切地說是在其中待提純的HC1打算再用于將乙烯催化 氧氯化為DCE的情況下,滌氣劑基本上由液態(tài)的DCE組成。在這種 情況下,本發(fā)明方法的主要優(yōu)點在于該DCE的存在無任何干擾的事實, 因為它是在所述氧氯化期間形成的主要化合物。如上所述,如果待提純的HC1是有機(jī)胺與光氣反應(yīng)生產(chǎn)的有機(jī)異 氰酸酯的副產(chǎn)品,它通常還包含鐵基雜質(zhì)(參看EP-A-0 618 170)。一般說來,所述的HC1包含金屬雜質(zhì)。這些金屬雜質(zhì)包括那些由 裝置銹蝕導(dǎo)致的金屬雜質(zhì),特別是基于鐵、鎳和鉻的那些金屬雜質(zhì)。 同樣可以含有形式為微滴或者由蒸汽壓懸浮夾帶的無機(jī)化合物比如氯 化銨,因為它們通常增加阻塞,所以在該方法下游部分產(chǎn)生干擾。意想不到的是,本發(fā)明的提純方法對于除去金屬雜質(zhì)特別簡單而 且有效。優(yōu)選,本發(fā)明的提純方法對于除去鐵基雜質(zhì)特別簡單而且有 效。各種雜質(zhì)可以有利地以微滴、固體顆?;蛘邭怏w餾分的狀態(tài)存在 于所述HC1氣體中。有利地在任何與保持待提純HC1為氣體狀態(tài)相容的壓力下實施本 發(fā)明的方法。該壓力通常為1-20巴,優(yōu)選為5-15巴,更特別約10巴。 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以容易地選擇實施該方法的溫度,以促進(jìn)雜質(zhì) 在滌氣劑中的溶解和/或吸收,并考慮在待提純的HC1中作為雜質(zhì)存在 的芳族有機(jī)化合物的蒸汽壓。該溫度通常為-20 +5(TC,優(yōu)選為0 +35°C。接近于環(huán)境溫度(約25"C)的值是特別優(yōu)選的。滌氣劑與待提純的HC1流速各自的比例不是關(guān)鍵的,可以大幅變 化。在實踐中它僅由再生所述滌氣劑的成本所限制。 一般說來,滌氣 劑的流速相對于待提純的HC1的流速為0.5-50wt%,優(yōu)選為1-20%,特 別為2-10%。本發(fā)明方法能夠以連續(xù)或者批處理方式進(jìn)行。連續(xù)方式是優(yōu)選的。本發(fā)明的方法包括至少一個使所述HCl與滌氣劑接觸的步驟。優(yōu) 選,在連續(xù)操作情況下,雖然它以兩步進(jìn)行;步驟之一包括滌氣劑的 回路流動(循環(huán)),另一個步驟包括添加新鮮的補(bǔ)給滌氣劑。在這種情況 下,新鮮的滌氣劑流速通常為待提純HCl流速的0.1-10wt%,優(yōu)選 0.5-5%,特別為約2.5%。然后,將所述包括滌氣劑、含有從待提純HCl中提取的雜質(zhì)以及 部分溶解在所述滌氣劑內(nèi)或者與所述滌氣劑混合的HCl的液體混合物 或者溶液(以下稱作餾份(f))能夠通過任何已知的手段至少進(jìn)行部分地 處理以從其中分離HC1,例如通過滌氣、中和、沉降、蒸餾、吸收、汽提等。優(yōu)選通過將所有的或者至少部分的餾份(f)經(jīng)汽提操作,以從所述 含雜質(zhì)的滌氣劑中分離所述HC1。優(yōu)選,僅洗提部分的餾份(f)。用于該 目的,餾份(f)有利地分為液體餾份(fl)和液體餾份(f2)。可使用能將液 流分離成為兩部分、并用于調(diào)節(jié)由此產(chǎn)生的流速的任何已知設(shè)備實現(xiàn) 所述的分離,比如安裝有流量控制閥的三通。在其中以連續(xù)方式實施 本發(fā)明提純方法的情況下,富含滌氣劑的餾份(fl)有利地循環(huán)到使HCl 與滌氣劑接觸的步驟中。餾份(f2)(也稱作"吹洗氣流")有利地經(jīng)如上 所述的汽提操作處理,在此期間,餾份(f2)中含有的HCl—其可以循環(huán) 到與滌氣劑接觸的步驟一從主要包括含雜質(zhì)的殘余滌氣劑的吹洗氣流 的殘余中分離出來。在如上所述特別優(yōu)選的情況中,其中洗提劑基本上由液態(tài)DCE組 成,可通過將其送到如下單元中而有利地利用該殘余的吹洗氣流,所 述單元其中在第一變體中,得自于向其中可以加入吹洗氣流的乙烯氧 氯化步驟的DCE的滌氣、中和、和/或沉降以一個或多個步驟進(jìn)行。然 后在使用之前,有利地干燥并蒸餾DCE。在第二變體中,在不經(jīng)預(yù)先滌氣、中和、沉降和/或干燥處理的情況下,殘余吹洗氣流在其使用之前能夠直接送到蒸餾步驟中。然而,第一變體是優(yōu)選的。得到的DCE 能用于任何目的,但是優(yōu)選熱解以生產(chǎn)氯乙烯。得自于餾份(f)的分離的液體餾分(fl)和(f2)各自的比例可以大幅變 化。通常選擇餾份(f2)的流速以限制汽提操作需要的能量消耗并充分洗 提餾份(fl)的雜質(zhì)以保證所述HC1的適當(dāng)純化。餾份(f2)的流速通常為 餾份(f)流速的l-70wt%,優(yōu)選為10-50wt%,更特別為15-35wt%。本發(fā)明的純化方法是高效的。該方法能將芳族有機(jī)雜質(zhì)的含量減 少到低于100ppm,優(yōu)選低于50ppm。在如上所述的氯代芳族化合物情 況下,本發(fā)明方法可用于實現(xiàn)HC1中其殘余含量不超過10ppm。至于 金屬雜質(zhì),特別是如上所述的鐵基雜質(zhì),本發(fā)明的純化方法能將它們 的含量減少到低于5ppm,優(yōu)選低于0.5ppm。在一個特別優(yōu)選的方式中, 由于(采用)本發(fā)明方法,在HC1中金屬雜質(zhì)特別是鐵的剩余量不超 過200ppb。通過將芳族化合物送到氧氯化中,本發(fā)明的方法具有避免形成有 毒產(chǎn)品比如PCDD和PCDF的優(yōu)點。它還具有防止通過沉積無機(jī)元素 的阻塞以及防止由引入鐵基污染物所引起的氧氯化副反應(yīng)的優(yōu)點。根據(jù)另一個方面,本發(fā)明進(jìn)一步涉及提純HC1氣體的設(shè)備。該設(shè) 備包括至少一個其中待提純的HC1與上述定義的滌氣劑逆向流動的滌 氣器,所述的滌氣器包括一個在另一個之上放置的兩個部分。提純的 HC1氣體在塔的頂部逸出。在該塔的底部,收集包括滌氣劑、從待提純 的HC1中提取的(如上定義)的雜質(zhì)和溶解或者與滌氣劑混合的部分該 HC1的餾份(f)。
在所述包括兩個段的滌氣器中,第一段有利地提供有至少部分以 上定義的餾份(f),在該段底部流出并以環(huán)路方式循環(huán)。在其循環(huán)期間, 為此目的可通過任何已知的手段有利地全部或者部分處理該餾份(f), 以分離含從所述HC1中提取的雜質(zhì)的滌氣劑。這些手段可以是如上所 述的關(guān)于處理餾份(f)的那些。在被循環(huán)到所述滌氣器第一段的頂部之 前,在汽提塔中優(yōu)選至少部分地處理餾份(f)以從其中提取雜質(zhì)。在包括兩個段的滌氣器中,放置在第一段之上的第二段有利地提 供有新鮮的滌氣劑。所述滌氣器可以配備有任何已知類型的能促進(jìn)待提純的氣態(tài)組份 (HC1)和液體洗滌劑之間交換的填充材料。關(guān)于最常用材料的描述例如 參見Unit Operations II of Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, Fifth, Completely Revised Edition, published by VCH, 1988的 B3巻第8-20和8-21頁的3.4, 3.5禾卩3.6節(jié)。在包括兩段的滌氣器中, 在第一段中因為通常高速液體流通過該段,由拉西環(huán)或者貝爾鞍形填 料組成的填料被認(rèn)為是有利的,其中特別優(yōu)選貝爾鞍形填料。僅容納 補(bǔ)給滌氣劑的第二段有利地裝備有泡罩塔盤以用于實現(xiàn)液體和氣相的 良好接觸。本發(fā)明最后涉及一種使用通過本發(fā)明純化方法得到的氯化氫將乙 烯氧氯化為1,2-二氯乙垸的方法。所述氧氯化反應(yīng)有利地在包括含有沉積在惰性載體上的銅的活性 元素的催化劑存在下實施。該惰性載體有利地選自氧化鋁,硅膠,混 合氧化物,粘土及其他天然來源的載體。氧化鋁構(gòu)成優(yōu)選的惰性載體。優(yōu)選催化劑有利地包括至少總計兩種,其中一個是銅的活性元素。 在除了銅以外的活性元素中間,可以提到堿金屬,堿土金屬,稀土金
屬,和由釕,銠,鈀,鋨,銥,鉑和金組成的金屬的組。包括以下活 性元素的催化劑是特別有利的銅/鎂/鉀,銅/鎂/鈉;銅/鎂/鋰,銅/鎂/ 銫,銅/鎂/鈉/鋰,銅/鎂/鉀/鋰和銅/鎂/銫/鋰,銅/鎂/鈉/鉀,銅/鎂/鈉/銫和銅/鎂/鉀/銫。描述于在此引入作為參考的專利申請EP-A 255 156, EP_A 494 474, EP-A-657 212和EP-A 657 213中的催化劑特別是最優(yōu)選 的。以金屬形式計算的銅含量有利地為30-90g/kg,優(yōu)選為40-80g/kg, 在一個特別優(yōu)選的方式中為50-70g/kg催化劑。以金屬形式計算的鎂含量有利地為10-30g/kg,優(yōu)選為12-25g/kg, 在一個特別優(yōu)選的方式中為15-20g/kg催化劑。以金屬形式計算的堿金屬含量有利地為0.1-30g/kg,優(yōu)選為 0.5-20g/kg,在一個特別優(yōu)選的方式中為l-15g/kg催化劑。銅鎂堿金屬原子比有利地為1:0.1-2:0.05-2,優(yōu)選 1:0.2-1.5:0.1-1,5,在一個特別優(yōu)選的方式中為1:0.5-1:0.15-1。根據(jù)B.E.T.方法利用氮測定的催化劑比表面積有利地為 25m2/g-300m2/g,優(yōu)選為50-200m2/g,在一個特別優(yōu)選的方式中為 75-175m2/g是特別有利的。催化劑可以在固定床中或者流化床中使用。第二選擇是優(yōu)選的。 在通常對于該反應(yīng)推薦的條件范圍下有利地利用氧氯化方法。溫度有 利地為150-300°C,優(yōu)選200-275。C,最優(yōu)選215-255°C 。所述壓力有利 地大于大氣壓力。2-10絕對巴的壓力值產(chǎn)生良好的結(jié)果。4-7絕對巴的 壓力是優(yōu)選的。有效調(diào)整壓力以在反應(yīng)器中得到優(yōu)化的停留時間,并 對于不同速度的操作保持恒定的轉(zhuǎn)換率。通常的駐留時間范圍為l-60s, 優(yōu)選10-40s。
用于氧氯化的氧源可以是空氣、純氧或者其混合物,優(yōu)選純氧。 后者的解決方案是優(yōu)選的,它可使未轉(zhuǎn)化的試劑容易地再循環(huán)。反應(yīng)物可以通過任何已知的設(shè)備引入床層中。通常出于安全性理 由將氧與其他反應(yīng)物分開引入是有利的。在考慮的壓力和溫度下,這些同樣需要保持離開反應(yīng)器或者循環(huán)回反應(yīng)器的氣態(tài)混合物處于可燃 性極限之外。優(yōu)選保持所謂的富混合料,即相對于燃料含過少的氧以 致不能點燃。在這方面,大量氫的存在(〉2%,優(yōu)選〉5vol。/。)將構(gòu)成缺點, 它們使該化合物具有寬范圍的易燃性。使用的氯化氫(HCl)/氧比有利地為3-6mol/mo1。乙烯/氯化氫比例 有利地為0.4-0.6 mol/mo1。然后可將通過乙烯氧氯化得到的DCE熱解成為氯乙烯,其然后可 以聚合為聚氯乙烯?,F(xiàn)在參考本發(fā)明說明書的附圖,舉例說明本發(fā)明的純化方法和設(shè) 備。本發(fā)明附圖由附加的

圖1組成,用示意圖說明本發(fā)明各方面的實 際實施方式。依據(jù)這種實施方式,所述HC1氣體從異氰酸酯生產(chǎn)單元 流出,被主要由含量為250ppm的一氯苯和含量為10ppm的鐵組成的 雜質(zhì)污染。滌氣劑由DCE組成。提純的HC1送到乙烯氧氯化單元。待提純的HC1經(jīng)由管線4引入滌氣器1的段2中,其中溫度為25 °C,壓力為10巴。新鮮的DCE(補(bǔ)給所需,因為經(jīng)由提純的HC1通過 DCE的蒸氣壓懸浮夾帶到乙烯氧氯化單元中以及經(jīng)由吹洗系統(tǒng)(見下文) 除去的DCE)以代表待提純的HC1流速的約2.5wt。/。的流速引入,經(jīng)由 管線5進(jìn)入滌氣器1的段3中。滌氣器1的段2填充有貝爾鞍形填料。 滌氣器1的段3提供有泡罩塔盤。包括含從待提純的HC1中提取的溶 解雜質(zhì)的DCE和部分HC1的液體餾份(f)在塔1的底部經(jīng)由管線6流出,
并以環(huán)路方式經(jīng)由機(jī)泵7和管線8以代表待提純的HC1流速的約7wt% 的流速循環(huán)到段2頂部。用于吹掃由一氯苯和鐵污染的DCE的系統(tǒng)包 括汽提和分餾塔10,經(jīng)由管線9提供有從餾份(f)分流的液體餾份(f2 )。 餾份(f2)的流速代表從其分流的餾份(f)流速的25wt%。該汽提塔將大部 分溶解的HC1經(jīng)由管線12送到滌氣器1中。經(jīng)由管線11去除分殘余 吹洗氣流,其主要包含含一氯苯和鐵的DCE。其流速僅代表待提純的 HC1流速的0.2wt%,當(dāng)DCE在氧氯化反應(yīng)器中合成的同時,能夠通過 緊鄰氧氯化反應(yīng)器之后的滌氣、中和、和/或沉降系統(tǒng)容易地處理。然 后在使用之前,干燥和蒸餾所述DCE。提純的HC1氣體經(jīng)由管線13 離開塔l,并被送到乙烯氧氯化單元。由于利用該設(shè)備,在經(jīng)由管線13離開塔1的液體餾份中所述HC1 的一氯苯含量從250ppm減少到低于10ppm。同樣減少了無機(jī)的污染物 氣相中鐵含量從10ppm下降到低于200ppb。因此,無論鐵是以固體顆 粒、微滴存在或者以氣體餾份存在,該操作有效地用于從氯苯中精制 HC1以從其中去除鐵。因此得到可用于乙烯氧氯化步驟中的產(chǎn)品而不存 在任何問題。
權(quán)利要求
1.一種用于提純含芳族有機(jī)化合物的氯化氫氣體的方法,其包括至少一個使所述的氯化氫與含1,2-二氯乙烷的滌氣劑接觸的步驟。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述氯化氫是通過光氣與有機(jī)胺 反應(yīng)生產(chǎn)的有機(jī)異氰酸酯的副產(chǎn)品。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述芳族有機(jī)化合物是氯代芳族 化合物。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述氯化氫還包含金屬雜質(zhì)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述滌氣劑基本上由液態(tài)1,2-二 氯乙烷組成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中與滌氣劑接觸的步驟在-20到+50 'C的溫度下進(jìn)行。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中與滌氣劑接觸的步驟在1-20巴的 壓力下進(jìn)行。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法,其中滌氣劑的流速為待提純的HC1流 速的0.5-50wt%。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法,其中所述氯化氫預(yù)定用于乙烯氧氯化 反應(yīng)。
10. —種用于提純氯化氫氣體的設(shè)備,其包括至少一個待提純的 氯化氫和含1,2-二氯乙烷的滌氣劑逆向流動的滌氣器,所述的滌氣器包 括一個放置在另一個之上的兩段。
11. 一種使用根據(jù)權(quán)利要求1的方法得到的氯化氫將乙烯氧氯化 為1,2-二氯乙烷的方法。
全文摘要
一種用于提純含芳族有機(jī)化合物的氯化氫氣體的方法,其包括至少一個使所述的氯化氫與含1,2-二氯乙烷的滌氣劑接觸的步驟。
文檔編號B01D53/14GK101115677SQ200680004353
公開日2008年1月30日 申請日期2006年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月8日
發(fā)明者米歇爾·施特雷貝勒, 米歇爾·朗珀勒 申請人:索維公司
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