%的有機鹽酸，充分攪拌6分鐘;加入重量百分比為1.9%的非尚子表面活性劑，充分攪拌5分鐘；加入重量百分比為0.9%的穩(wěn)定劑;加入重量百分比為4.6%的消泡劑，充分攪拌5分鐘；最后再加剩余蒸餾水，再攪拌9分鐘，攪拌速度為49轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度均為15°C；
[0029]第四步:最后將制得的混合物經(jīng)0.12μπι的過濾器過濾，以去除混合物中粒徑大于
0.12μπι的有害粒子，制得所需蝕刻液，其表面張力低為30 X 10—3N/m。
[0030]其中，所述碘酸的濃度大于97.5%(重量百分比)，所述有機鹽酸的濃度大于89%(重量百分比)。
[0031 ]其中，所述非離子表面活性劑為司盤類非離子表面活性劑。
[0032]其中，所述弱酸性陽離子交換樹脂為弱酸性苯乙烯系陽離子交換樹脂。
[0033]其中，所述弱酸性陽離子交換樹脂與有機鹽酸的質(zhì)量比為0.3?0.5。
[0034]實施例3
[0035]上述電路板用蝕刻液的制備方法，包括如下步驟:
[0036]第一步:將弱酸性陽離子交換樹脂加入到重量百分比為2.8%有機鹽酸中，攪拌混合，攪拌的速度為60轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌時間為7分鐘，攪拌溫度為13°C，然后濾出弱酸性陽離子交換樹脂，控制或去除有機鹽酸中的雜質(zhì)離子；
[0037]第二步:將重量百分比為6.5%的納米二氧化硫和三分之一的蒸餾水到入反應(yīng)釜中，在常溫、常壓下充分攪拌，攪拌時間為12分鐘，攪拌速度為70轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度為18°C;
[0038]第三步:然后加入重量百分比為1.6%的三乙醇胺，充分攪拌7分鐘；加入重量百分比為1.6%的碘酸，充分攪拌7分鐘;加入三分之一的蒸餾水，充分攪拌6分鐘;加入重量百分比為3.3%的有機鹽酸，充分攪拌7分鐘;加入重量百分比為2.3%的非尚子表面活性劑，充分攪拌6分鐘；加入重量百分比為1.5%的穩(wěn)定劑;加入重量百分比為5.6%的消泡劑，充分攪拌7分鐘；最后再加剩余蒸餾水，再攪拌10分鐘，攪拌速度為55轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度均為18°C；
[0039]第四步:最后將制得的混合物經(jīng)0.12μπι的過濾器過濾，以去除混合物中粒徑大于
0.12μπι的有害粒子，制得所需蝕刻液，其表面張力低為20 X 10—3N/m。
[0040]其中，所述碘酸的濃度大于97.5%(重量百分比)，所述有機鹽酸的濃度大于89%(重量百分比)。
[0041 ]其中，所述非離子表面活性劑為司盤類非離子表面活性劑。
[0042]其中，所述弱酸性陽離子交換樹脂為弱酸性苯乙烯系陽離子交換樹脂。
[0043]其中，所述弱酸性陽離子交換樹脂與有機鹽酸的質(zhì)量比為0.3?0.5。
[0044]綜上所述，本發(fā)明液晶顯示器用蝕刻液及其制備方法具有的如下優(yōu)點:I)改變表面張力，使其表面張力從傳統(tǒng)的60mN/m降低到20?403N/m左右，增強其表面浸潤性，使在使用過程中達到均勻一致的目的，蝕刻效果佳，無微晶體殘留。
[0045]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 第一步:將弱酸性陽離子交換樹脂加入到重量百分比為2.5%?3.3%有機鹽酸中，攪拌混合，攪拌的速度為50?60轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌時間為5?7分鐘，攪拌溫度為10?13°C，然后濾出弱酸性陽離子交換樹脂，控制或去除有機鹽酸中的雜質(zhì)離子； 第二步:將重量百分比為3.5?6.5 %的納米二氧化硫和三分之一的蒸餾水到入反應(yīng)釜中，在常溫、常壓下充分攪拌，攪拌時間為10?12分鐘，攪拌速度為60?70轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度為14?18°C; 第三步:然后加入重量百分比為1.2%?1.6%的三乙醇胺，充分攪拌6?7分鐘；加入重量百分比為0.5?1.6%的碘酸，充分攪拌5?7分鐘;加入三分之一的蒸餾水，充分攪拌4?6分鐘；加入重量百分比為2.5?3.3%的有機鹽酸，充分攪拌5?7分鐘；加入重量百分比為1.5?2.3%的非離子表面活性劑，充分攪拌4?6分鐘；加入重量百分比為0.5?1.5 %的穩(wěn)定劑;加入重量百分比為3.5?5.6%的消泡劑，充分攪拌3?7分鐘；最后再加剩余蒸餾水，再攪拌8?10分鐘，攪拌速度為45?55轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度均為14?18°C ； 第四步:最后將制得的混合物經(jīng)0.12μπι的過濾器過濾，以去除混合物中粒徑大于0.12μm的有害粒子，制得所需蝕刻液，其表面張力低為20?40 X 10-3N/m。2.如權(quán)利要求1所述的一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液的制備方法，其特征在于，所述碘酸的濃度大于97.5% (重量百分比)，所述有機鹽酸的濃度大于89% (重量百分比)。3.如權(quán)利要求1所述的一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液的制備方法，其特征在于，所述非離子表面活性劑為司盤類非離子表面活性劑。4.如權(quán)利要求1所述的一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液的制備方法，其特征在于，所述弱酸性陽離子交換樹脂為弱酸性苯乙烯陽離子交換樹脂。5.如權(quán)利要求1所述的一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液的制備方法，其特征在于，所述弱酸性陽離子交換樹脂與有機鹽酸的質(zhì)量比為0.3?0.5。
【專利摘要】本發(fā)明公布了一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液的制備方法，其中所述蝕刻液包括以下重量百分比的組合物：納米二氧化硫3.5％～6.5％；三乙醇胺1.2％～1.6％；碘酸0.5％～1.6％；有機鹽酸2.5％～3.3％；非離子表面活性劑1.5％～2.3％；穩(wěn)定劑0.5％～1.5％；消泡劑3.5％～5.6％；其余為蒸餾水。本發(fā)明通過在原有工藝的基礎(chǔ)上新加入了納米二氧化硫，不僅能夠在不發(fā)生抗蝕涂層滲透的情況下進行蝕刻，顯著提高鉻金屬膜的蝕刻速度，具有蝕刻速度可控性，有效抑制抗蝕保護層的劣化，得到表面平坦光滑的鉻金屬膜配線，具有重要的應(yīng)用價值。
【IPC分類】C09K13/06
【公開號】CN105542774
【申請?zhí)枴緾N201510952044
【發(fā)明人】劉進軍
【申請人】無錫吉進環(huán)保科技有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2015年12月16日