一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前在制作電路板的過(guò)程中，電路板品質(zhì)的好壞，品質(zhì)問(wèn)題的發(fā)現(xiàn)及解決，制程改進(jìn)的評(píng)估都需要通過(guò)金相切片來(lái)對(duì)其客觀檢查和判斷。金相切片制作的好壞直接影響到電路板的質(zhì)量評(píng)估。傳統(tǒng)的金相切片過(guò)程包括，用銑的方式進(jìn)行取樣;采用樹(shù)脂鑲嵌法對(duì)樣品進(jìn)行封膠;對(duì)樣品進(jìn)行研磨;對(duì)樣品進(jìn)行拋光;對(duì)樣品進(jìn)行微蝕刻。其中，微蝕刻液的配方為質(zhì)量百分比為50%的雙氧水2?3滴、25%?28%的氨水8ml，去離子水(De1nized water,簡(jiǎn)稱(chēng)DI水)8ml。其缺點(diǎn)在于，該微蝕刻液中的氨水易揮發(fā)且有刺激性氣味，因此不利于操作，配置后使用的時(shí)間短，只能維持0.5小時(shí)左右，從而給金相切片的工藝帶來(lái)了不便。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷提供一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液的制備方法。
[0004]本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案:一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液的制備方法，包括如下步驟:
[0005]第一步:將弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂加入到重量百分比為2.5%?3.3%有機(jī)鹽酸中，攪拌混合，攪拌的速度為50?60轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌時(shí)間為5?7分鐘，攪拌溫度為10?13°C，然后濾出弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂，控制或去除有機(jī)鹽酸中的雜質(zhì)離子；
[0006]第二步:將重量百分比為3.5?6.5%的納米二氧化硫和三分之一的蒸餾水到入反應(yīng)釜中，在常溫、常壓下充分?jǐn)嚢?，攪拌時(shí)間為10?12分鐘，攪拌速度為60?70轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度為14?18°C
[0007]第三步:然后加入重量百分比為1.2%?1.6%的三乙醇胺，充分?jǐn)嚢??7分鐘；加入重量百分比為0.5?1.6%的碘酸，充分?jǐn)嚢??7分鐘;加入三分之一的蒸餾水，充分?jǐn)嚢??6分鐘;加入重量百分比為2.5?3.3 %的有機(jī)鹽酸，充分?jǐn)嚢??7分鐘;加入重量百分比為1.5?2.3 %的非離子表面活性劑，充分?jǐn)嚢??6分鐘；加入重量百分比為0.5?1.5 %的穩(wěn)定劑；加入重量百分比為3.5?5.6 %的消泡劑，充分?jǐn)嚢??7分鐘；最后再加剩余蒸餾水，再攪拌8?10分鐘，攪拌速度為45?55轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度均為14?18°C ；
[0008]第四步:最后將制得的混合物經(jīng)0.12μπι的過(guò)濾器過(guò)濾，以去除混合物中粒徑大于0.12μπι的有害粒子，制得所需蝕刻液，其表面張力低為20?40 X 10-3N/m。
[0009]進(jìn)一步的，所述碘酸的濃度大于97.5 % (重量百分比)，所述有機(jī)鹽酸的濃度大于89% (重量百分比)。
[0010]進(jìn)一步的，所述非離子表面活性劑為司盤(pán)類(lèi)非離子表面活性劑。
[0011]進(jìn)一步的，所述弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂為弱酸性苯乙烯陽(yáng)離子交換樹(shù)脂。
[0012]進(jìn)一步的，所述弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂與有機(jī)鹽酸的質(zhì)量比為0.3?0.5。
[0013]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明通過(guò)在原有工藝的基礎(chǔ)上新加入了納米二氧化硫，不僅能夠在不發(fā)生抗蝕涂層滲透的情況下進(jìn)行蝕刻，顯著提高鉻金屬膜的蝕刻速度，具有蝕刻速度可控性，有效抑制抗蝕保護(hù)層的劣化，得到表面平坦光滑的鉻金屬膜配線，具有重要的應(yīng)用價(jià)值;而且能有效降低蝕刻液的表面張力，不僅能夠產(chǎn)生滲透，浸潤(rùn)的作用，而且能夠蝕刻銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜速率適中，反應(yīng)穩(wěn)定，使其在不影響產(chǎn)品質(zhì)量的前提下提高產(chǎn)品的蝕刻效果，并使產(chǎn)品能在較低的環(huán)境溫度下保存，避免了原有技術(shù)造成的蝕刻不干凈，不能在低溫下儲(chǔ)存的缺點(diǎn)，本方法能適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
【具體實(shí)施方式】
[0014]實(shí)施例1
[0015]本發(fā)明電路板用蝕刻液的制備方法，包括如下步驟:
[0016]第一步:將弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂加入到重量百分比為2.5%有機(jī)鹽酸中，攪拌混合，攪拌的速度為50轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌時(shí)間為5分鐘，攪拌溫度為10°C，然后濾出弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂，控制或去除有機(jī)鹽酸中的雜質(zhì)離子；
[0017]第二步:將重量百分比為3.5%的納米二氧化硫和三分之一的蒸餾水到入反應(yīng)釜中，在常溫、常壓下充分?jǐn)嚢?，攪拌時(shí)間為10分鐘，攪拌速度為60轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度為14°C;
[0018]第三步:然后加入重量百分比為1.2%的三乙醇胺，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入重量百分比為0.5 %的碘酸，充分?jǐn)嚢?分鐘;加入三分之一的蒸餾水，充分?jǐn)嚢?分鐘;加入重量百分比為2.5%的有機(jī)鹽酸，充分?jǐn)嚢?分鐘;加入重量百分比為1.5%的非尚子表面活性劑，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入重量百分比為0.5%的穩(wěn)定劑;加入重量百分比為3.5%的消泡劑，充分?jǐn)嚢?分鐘；最后再加剩余蒸餾水，再攪拌8分鐘，攪拌速度為45轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度均為14°C；
[0019]第四步:最后將制得的混合物經(jīng)0.12μπι的過(guò)濾器過(guò)濾，以去除混合物中粒徑大于
0.12μπι的有害粒子，制得所需蝕刻液，其表面張力低為40 X 10—3N/m。
[0020]其中，所述碘酸的濃度大于97.5%(重量百分比)，所述有機(jī)鹽酸的濃度大于89%(重量百分比)。
[0021 ]其中，所述非離子表面活性劑為司盤(pán)類(lèi)非離子表面活性劑。
[0022]其中，所述弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂為弱酸性苯乙烯系陽(yáng)離子交換樹(shù)脂。
[0023]其中，所述弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂與有機(jī)鹽酸的質(zhì)量比為0.3?0.5。
[0024]實(shí)施例2
[0025]上述電路板用蝕刻液的制備方法，包括如下步驟:
[0026]第一步:將弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂加入到重量百分比為2.8%有機(jī)鹽酸中，攪拌混合，攪拌的速度為55轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌時(shí)間為6分鐘，攪拌溫度為12°C，然后濾出弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂，控制或去除有機(jī)鹽酸中的雜質(zhì)離子；
[0027]第二步:將重量百分比為5%的納米二氧化硫和三分之一的蒸餾水到入反應(yīng)釜中，在常溫、常壓下充分?jǐn)嚢?，攪拌時(shí)間為11分鐘，攪拌速度為65轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度為16°C;
[0028]第三步:然后加入重量百分比為1.4%的三乙醇胺，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入重量百分比為1.1 %的碘酸，充分?jǐn)嚢?分鐘;加入三分之一的蒸餾水，充分?jǐn)嚢?分鐘;加入重量百分比為2.8