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一種雙保護厄他培南晶型及其制備工藝的制作方法

文檔序號:8467512閱讀:275來源:國知局
一種雙保護厄他培南晶型及其制備工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及醫(yī)藥中間體合成技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種厄他培南中間體晶型及其制 備工藝技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002] 厄他培南軸為美國默克制藥公司開發(fā)的新型廣譜碳青霉帰類抗生素,化學(xué)名稱為 (4R,5S,6巧-3-[ [ (3S,5巧-5-[ [ (3-駿基苯基)氨基甲醜基]化咯焼-3-基]硫-6-(1-輕 基己基)-4-甲基-7-氧代-1-氮雜雙環(huán)化2. 0]庚-2-帰-2-甲酸軸鹽,其結(jié)構(gòu)式如下:
[0003]
【主權(quán)項】
1. 一種具有下列式(C)結(jié)構(gòu)化合物的晶型,在衍射角20為5.7±0.2°,8.6±0.2°, 12. 8 + 0. 2。,14. 3 + 0. 2。,15. 8 + 0. 2。,16. 7 + 0. 2。,18. 0 + 0. 2。處有特征峰,
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶型,在衍射角20為5. 7 + 0. 2° ,6. 1 + 0.2° ,7. 1 + 0.2 。,8.6 + 0. 2° ,9. 3 + 0. 2° ,12.8 + 0. 2° ,14. 3 + 0. 2° ,巧.8 + 0. 2° ,16. 7 + 0. 2° ,18.0 + 0. 2°處有特征峰。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶型,具有圖1所述的X-射線粉末衍射圖譜。
4. 一種權(quán)利要求1至3任一權(quán)利要求所述的晶型的制備方法,包括步驟: a) 將式(a)化合物與式(b)化合物在有機堿存在進行縮合反應(yīng),
b) 反應(yīng)結(jié)束,將反應(yīng)液倒入團代焼姪類溶劑中,用緩沖溶液進行洗涂,有機層經(jīng)攬拌析 出所述的雙保護厄他培南晶型。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其中所述步驟a)中所述有機堿選自1,8-二氮雜 二環(huán)[5.4.0] ^^一碳-7-帰(D腳),DBN(DBN)、二異丙基己胺、二異丙基胺、二甲胺、H己胺、 四甲基脈或其中兩種或多種的混合物。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其中所述式a化合物與所述有機堿的摩爾用量比 為 1 ;(0. 5 ~5)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,步驟b)中所述團代焼焼姪類溶劑選自二氯甲焼、 二氯己焼和含有該些溶劑的混合溶劑。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,所述緩沖溶液選自磯酸二氨軸緩沖液和磯酸二氨 鐘緩沖液。
9. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,步驟a)中的縮合反應(yīng)的溶劑選自己膳,二甲基甲 醜胺,N-甲基化咯焼麗,N-己基化咯焼麗或其中兩種或兩種W上的混合溶劑。
10. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,步驟b)中析晶步驟是在-50~3(TC進行的。
【專利摘要】本發(fā)明涉及醫(yī)藥中間體合成技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種厄他培南中間體晶型及其制備工藝技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種雙保護厄他培南晶型及其制備工藝,所述的雙保護基厄他培南晶型在衍射角2θ為5.7±0.2°,8.6±0.2°,12.8±0.2°,14.3±0.2°,15.8±0.2°,16.7±0.2°,18.0±0.2°處有特征峰。
【IPC分類】C07D477-20, C07D477-06
【公開號】CN104788452
【申請?zhí)枴緾N201410018915
【發(fā)明人】蔡亞祥, 方健, 李前勇, 張懷寶
【申請人】浙江九洲藥業(yè)股份有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2014年1月16日
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