本發(fā)明涉及石英玻璃制備領(lǐng)域，特別是涉及一種制備石英玻璃的燒結(jié)方法及石英玻璃。

背景技術(shù)：

石英玻璃是具有良好性能，如耐高溫、膨脹系數(shù)低、耐熱震性、化學(xué)穩(wěn)定性高和電絕緣性能好等優(yōu)點(diǎn)，它是由二氧化硅作為主要組成的特種工業(yè)技術(shù)玻璃，按純度分為高純、普通和摻雜三類。

目前，石英玻璃的制備工藝主要分為直接法制備工藝和間接法制備工藝，在直接法制備工藝中，石英玻璃用水晶、硅石、含硅化合物為原料，經(jīng)高溫熔化或化學(xué)氣相沉積而成，熔制方法有電熔法、氣煉法、化學(xué)氣相沉積CVD和等離子化學(xué)氣相沉積PCVD等。在間接法制備工藝中，用含硅原料，經(jīng)過低溫化學(xué)氣相沉積合成制得二氧化硅疏松體，再將二氧化硅疏松體在常壓或正壓下進(jìn)行區(qū)熔逐步燒結(jié)，即二氧化硅疏松體通過機(jī)械裝置持續(xù)緩慢經(jīng)過高溫加熱帶，在很窄的加熱區(qū)進(jìn)行一段一段逐步燒結(jié)，將二氧化硅疏松體燒結(jié)成石英玻璃，整個(gè)過程需要24h以上。

其中，在對玻璃中間體進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，由于二氧化硅疏松體中含有大量氣孔，需要對二氧化硅疏松體自上而下通入大量的氦氣，使二氧化硅疏松體中氣孔內(nèi)的氣體排出，從而獲得高質(zhì)量的石英玻璃成品。

在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題：

對于尺寸較大的二氧化硅疏松體，在燒結(jié)中，二氧化硅疏松體內(nèi)部氣孔的氣體不易被排出，通過現(xiàn)有技術(shù)中通入氦氣的方法，排出氣體的效果較差，獲得的石英玻璃中仍存留有較多的氣孔，產(chǎn)品質(zhì)量無法滿足航空航天、激光核技術(shù)、精密光學(xué)與儀器、半導(dǎo)體、液晶顯示等領(lǐng)域；現(xiàn)有區(qū)熔逐步燒結(jié)方法效率低，成本高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種制備石英玻璃的燒結(jié)方法及石英玻璃，主要目的在于避免或降低間接合成法工藝制備石英玻璃中氣泡的產(chǎn)生，以及提高石英玻璃的燒結(jié)效率、降低成本。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明主要提供如下技術(shù)方案：

一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種制備石英玻璃的燒結(jié)方法，用于將二氧化硅疏松體在燒結(jié)空間中進(jìn)行燒結(jié)，獲得石英玻璃成品，其中，所述二氧化硅疏松體內(nèi)具有氣孔；所述方法包括：

對所述燒結(jié)空間抽真空至負(fù)壓環(huán)境，對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，使所述二氧化硅疏松體中氣孔在所述負(fù)壓環(huán)境下排出，并將二氧化硅疏松體燒結(jié)為透明化的石英玻璃；

對燒結(jié)后制得的透明化的石英玻璃冷卻后，獲得所述石英玻璃成品。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。

可選的，前述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，其中所述對所述燒結(jié)空間抽真空至負(fù)壓環(huán)境，具體為：

對所述燒結(jié)空間抽真空，使所述燒結(jié)空間的負(fù)壓保持在恒定壓力范圍值內(nèi)。

可選的，前述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，其中所述對所述燒結(jié)空間抽真空至負(fù)壓環(huán)境，對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，具體為：

包括至少2個(gè)模式，隨燒結(jié)時(shí)間依次包括第一模式和第二模式；

在第一模式下，對所述燒結(jié)空間抽真空，使所述燒結(jié)空間內(nèi)的負(fù)壓環(huán)境在第一負(fù)壓值，在第二模式下，對所述燒結(jié)空間抽真空，使所述燒結(jié)空間內(nèi)的負(fù)壓環(huán)境在第二負(fù)壓值，其中，所述第一負(fù)壓值與所述第二負(fù)壓值不同。

可選的，前述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，其中在第一模式下，對所述二氧化硅疏松體的燒結(jié)溫度在第一溫度值，在第二模式下，對所述二氧化硅疏松體的燒結(jié)溫度在第二溫度值，其中，所述第一溫度值小于所述第二溫度值，或所述第一溫度值大于所述第二溫度值。

可選的，前述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，其中保持所述第一模式的時(shí)間和保持所述第二模式的時(shí)間分別在1～50h。

可選的，前述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，其中所述負(fù)壓環(huán)境在0.01～500pa。

可選的，前述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，其中

所述對所述燒結(jié)空間抽真空至負(fù)壓環(huán)境，之后，還包括：

從所述燒結(jié)空間的進(jìn)氣口通入燒結(jié)氣體氣流，對所述燒結(jié)空間的出氣口進(jìn)行抽真空，使從所述進(jìn)氣口通入的氣流流經(jīng)所述二氧化硅疏松體后從所述出氣口抽出，并使所述燒結(jié)空間保持負(fù)壓環(huán)境。

可選的，前述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，其中

所述從所述燒結(jié)空間的進(jìn)氣口通入燒結(jié)氣體氣流，對所述燒結(jié)空間的出氣口進(jìn)行抽真空，使從所述進(jìn)氣口通入的氣流流經(jīng)所述二氧化硅疏松體后從所述出氣口抽出，并使所述燒結(jié)空間保持負(fù)壓環(huán)境，之前還包括：

對所述燒結(jié)空間內(nèi)加熱至第一溫度；

所述對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，具體包括：

對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體加熱至第二溫度，使所述二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，所述第二溫度大于所述第一溫度。

可選的，前述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，其中對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，具體為：

驅(qū)動所述二氧化硅疏松體在所述燒結(jié)空間中旋轉(zhuǎn)，并進(jìn)行燒結(jié)。

可選的，前述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，其中對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，具體為：

對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)的燒結(jié)溫度在500～1700℃，燒結(jié)時(shí)間在1～50h。

可選的，前述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，其中所述二氧化硅疏松體由含硅原料經(jīng)低溫化學(xué)氣相沉積合成制得，所述二氧化硅疏松體為高純二氧化硅疏松體或摻雜二氧化硅疏松體，其中，所述高純二氧化硅疏松體中二氧化硅的含量在99.99％以上。

可選的，前述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，其中所述摻雜二氧化硅疏松體的摻雜元素包括硼B(yǎng)、鋁Al、氟F、鐵Fe、鈦Ti、鈰Ce、鈣Ca、鎂Mg、鈉Na、鉀K、鋇Ba、釔Y、鑭La、鋯Zr、鍺Ge中的至少一種。

可選的，前述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，其中所述對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，使所述二氧化硅疏松體中氣孔在所述負(fù)壓環(huán)境下排出，并將二氧化硅疏松體燒結(jié)為透明化的石英玻璃，具體為：

將位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體的有效區(qū)域全部或二氧化硅疏松體的整體進(jìn)行同時(shí)受熱燒結(jié)，使所述二氧化硅疏松體有效區(qū)域中氣孔在所述負(fù)壓環(huán)境下排出，并將二氧化硅疏松體有效區(qū)域燒結(jié)為透明化的石英玻璃。

可選的，前述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，其中所述二氧化硅疏松體的氣孔率在20～90％。

另一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種石英玻璃，包括：

石英玻璃成品，所述石英玻璃成品制備石英玻璃的燒結(jié)方法制備而成，制備石英玻璃的燒結(jié)方法，用于將二氧化硅疏松體在燒結(jié)空間中進(jìn)行燒結(jié)，獲得石英玻璃成品，其中，所述二氧化硅疏松體內(nèi)具有氣孔；所述方法包括：

對所述燒結(jié)空間抽真空至負(fù)壓環(huán)境，對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，使所述氣孔中的氣體從位于所述負(fù)壓環(huán)境下的二氧化硅疏松體內(nèi)排出；

對燒結(jié)后的二氧化硅疏松體降溫，獲得所述石英玻璃成品。

借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明技術(shù)方案提供的制備石英玻璃的燒結(jié)方法及石英玻璃至少具有下列優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，在對具有氣孔的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)中，將二氧化硅疏松體置于負(fù)壓環(huán)境內(nèi)，在負(fù)壓環(huán)境中燒結(jié)，氣孔中的氣體容易從二氧化硅疏松體內(nèi)排出，對于現(xiàn)有技術(shù)中，采用常壓/正壓下區(qū)熔逐步燒結(jié)方法，本發(fā)明中，燒結(jié)后獲得的石英玻璃成品中可減少其中含有的氣泡含量，以提高石英玻璃的產(chǎn)品質(zhì)量，并通過整體同時(shí)燒結(jié)，提高了二氧化硅疏松體的燒結(jié)效率、降低成本。

上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。

附圖說明

通過閱讀下文優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述，各種其他的優(yōu)點(diǎn)和益處對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優(yōu)選實(shí)施方式的目的，而并不認(rèn)為是對本發(fā)明的限制。而且在整個(gè)附圖中，用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中：

圖1是本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種制備石英玻璃的燒結(jié)方法的流程示意圖；

圖2是本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種具體的制備石英玻璃的燒結(jié)方法的流程示意圖；

圖3是本發(fā)明的實(shí)施例提供的另一種具體的制備石英玻璃的燒結(jié)方法的流程示意圖；

圖4是本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種制備石英玻璃的燒結(jié)裝置的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明的實(shí)施例提供的另一種制備石英玻璃的燒結(jié)裝置的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種制備石英玻璃的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的制備石英玻璃的燒結(jié)方法其具體實(shí)施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。在下述說明中，不同的“一實(shí)施例”或“實(shí)施例”指的不一定是同一實(shí)施例。此外，一或多個(gè)實(shí)施例中的特定特征、結(jié)構(gòu)、或特點(diǎn)可由任何合適形式組合。

本文中術(shù)語“和/或”，僅僅是一種描述關(guān)聯(lián)對象的關(guān)聯(lián)關(guān)系，表示可以存在三種關(guān)系，例如，A和/或B，具體的理解為：可以同時(shí)包含有A與B，可以單獨(dú)存在A，也可以單獨(dú)存在B，能夠具備上述三種任一種情況。

實(shí)施例一

如圖1所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提出的一種制備石英玻璃的燒結(jié)方法及石英玻璃，用于將二氧化硅疏松體在燒結(jié)空間中進(jìn)行燒結(jié)，獲得石英玻璃成品，其中，所述二氧化硅疏松體內(nèi)具有氣孔，所述二氧化硅疏松體的氣孔率可在20～90％，優(yōu)選50％以上；二氧化硅疏松體的直徑可在300mm以上；如φ350mm，φ550mm，φ750mm，φ850mm，φ950mm。上述方法可通過下述實(shí)施例二中提供的裝置實(shí)現(xiàn)。

所述二氧化硅疏松體可由含硅原料經(jīng)低溫化學(xué)氣相沉積合成制得，所述二氧化硅疏松體為高純二氧化硅疏松體，所述高純二氧化硅疏松體中二氧化硅的含量在99.99％以上。或所述二氧化硅疏松體為摻雜二氧化硅疏松體，摻雜元素為硼(B)、鋁(Al)、氟(F)鐵(Fe)、鈦(Ti)、鈰(Ce)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、鈉(Na)、鉀(K)、鋇(Ba)、釔(Y)、鑭(La)、鋯(Zr)、鍺(Ge)中的至少一種。低溫化學(xué)氣相沉積即：以含硅原料，在500-1200℃的燃燒火焰中反應(yīng)生成二氧化硅顆粒，二氧化硅顆粒最終沉積形成二氧化硅疏松體。

所述方法包括：

S10、對所述燒結(jié)空間抽真空至負(fù)壓環(huán)境，對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，使所述氣孔中的氣體從位于所述負(fù)壓環(huán)境下的二氧化硅疏松體內(nèi)排出；

其中，所述抽真空即代表是的將某個(gè)空間中的氣體抽出的意思，其從空間中抽出的氣體的量多或量少均屬于抽真空，即不一定代表將空間中的氣體全部抽出，并非代表將空間抽真空為絕對真空狀態(tài)；負(fù)壓環(huán)境是低于常壓(即一個(gè)大氣壓)的氣體壓力狀態(tài)。在負(fù)壓環(huán)境中，如，0.01～1000pa，可使用加熱體對燒結(jié)空間加熱，使二氧化硅疏松體在預(yù)定的燒結(jié)溫度下，燒結(jié)設(shè)定的時(shí)間段，燒結(jié)中，負(fù)壓環(huán)境的作用下，二氧化硅疏松體內(nèi)氣孔中的氣體能夠便于排出。

S20、對燒結(jié)后的二氧化硅疏松體降溫，獲得所述石英玻璃成品。

燒結(jié)過后，降溫至常溫后，即可制成石英玻璃成品。所述的石英玻璃成品為由二氧化硅疏松體燒結(jié)后轉(zhuǎn)變?yōu)槭⒉ＡУ牟馁|(zhì)，并非代表直接出售的產(chǎn)品。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，在對具有氣孔的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)中，將二氧化硅疏松體置于負(fù)壓環(huán)境內(nèi)，在負(fù)壓環(huán)境中燒結(jié)，氣孔中的氣體容易從二氧化硅疏松體內(nèi)排出，現(xiàn)對于現(xiàn)有技術(shù)中，采用常壓下區(qū)熔逐步燒結(jié)方法，本發(fā)明中，燒結(jié)后獲得的石英玻璃成品中可減少其中含有的氣泡含量，以提高石英玻璃的產(chǎn)品質(zhì)量。

在現(xiàn)有常壓的環(huán)境下，在對二氧化硅疏松體燒結(jié)中，對于燒結(jié)中的較大尺寸的二氧化硅疏松體，在大氣壓力作用下，其內(nèi)部受到的壓力較大，內(nèi)部的二氧化硅顆粒不易被轉(zhuǎn)換，而在負(fù)壓環(huán)境下燒結(jié)，其內(nèi)部受到的壓力較小，內(nèi)部的二氧化硅顆粒易被轉(zhuǎn)換，可降低在石英玻璃成品中存留的二氧化硅顆粒含量。對于尺寸適中的二氧化硅疏松體，燒結(jié)厚度石英玻璃成品中不含二氧化硅顆粒。

在具體的實(shí)施當(dāng)中，負(fù)壓環(huán)境的值可控制在恒定不變，上述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法中，

所述對所述燒結(jié)空間抽真空至負(fù)壓環(huán)境，具體為：

對所述燒結(jié)空間抽真空，使所述燒結(jié)空間的負(fù)壓保持在恒定壓力范圍值內(nèi)。

具體的恒定壓力范圍值根據(jù)需要產(chǎn)品的質(zhì)量而定，具體而言，負(fù)壓環(huán)境的范圍值越低，燒結(jié)后獲得的石英玻璃成品中可減少其中含有的氣孔量越少，如控制在20～30pa。其中，恒定壓力可適用于同一批次中每個(gè)二氧化硅疏松體中氣孔含量較為均勻的情況。

具體的，所述對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，具體包括：

分別在多個(gè)溫度下對二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，溫度可逐步提高，玻璃中間在燒結(jié)中，溫度逐步提高，可使其中氣孔的氣體逐步外排，提高產(chǎn)品質(zhì)量。

具體生產(chǎn)中，不同批次的二氧化硅疏松體內(nèi)的氣孔數(shù)量的多少，氣孔孔徑的大小不一，對氣孔情況不一的每個(gè)二氧化硅疏松體燒結(jié)中，為了獲得規(guī)格較為統(tǒng)一的石英玻璃成品，上述實(shí)施例中所述的方法中，所述對所述燒結(jié)空間抽真空至負(fù)壓環(huán)境，對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，具體為：

包括至少2個(gè)模式，隨燒結(jié)時(shí)間依次包括第一模式和第二模式；如0-1h采用第一模式，1-2h采用第二模式；

在第一模式下，對所述燒結(jié)空間抽真空，使所述燒結(jié)空間內(nèi)的負(fù)壓環(huán)境在第一負(fù)壓值，在第二模式下，對所述燒結(jié)空間抽真空，使所述燒結(jié)空間內(nèi)的負(fù)壓環(huán)境在第二負(fù)壓值，其中，所述第一負(fù)壓值與所述第二負(fù)壓值不同。

具體的，其中，所述第一負(fù)壓值大于所述第二負(fù)壓值。

如在對不同2個(gè)批次的二氧化硅疏松體燒結(jié)中，2個(gè)二氧化硅疏松體內(nèi)的氣孔數(shù)量、氣孔孔徑不一，如果采用恒定的壓力負(fù)壓環(huán)境參數(shù)進(jìn)行燒結(jié)，那么獲得的石英玻璃成品的質(zhì)量會相差較大，采用不用的負(fù)壓值進(jìn)行燒結(jié)中，可增加適應(yīng)范圍，使獲得的玻璃產(chǎn)品的質(zhì)量趨于一致。

上述實(shí)施中是先在壓力較大的負(fù)壓中進(jìn)行燒結(jié)，之后，在壓力較小的負(fù)壓中進(jìn)行燒結(jié)。當(dāng)然，也可采用下述方式，其中，所述第一負(fù)壓值小于所述第二負(fù)壓值；先在壓力較小的負(fù)壓中進(jìn)行燒結(jié)，之后，在壓力較大的負(fù)壓中進(jìn)行燒結(jié)。

燒結(jié)中，為了進(jìn)一步的提高石英玻璃成品的產(chǎn)品質(zhì)量，降低石英玻璃成品中的氣孔含量，本發(fā)明上述實(shí)施例提供的方法中，

在第一模式下，對所述二氧化硅疏松體的燒結(jié)溫度在第一溫度值，在第二模式下，對所述二氧化硅疏松體的燒結(jié)溫度在第二溫度值，其中，所述第一溫度值小于所述第二溫度值；

即：所述第一負(fù)壓值大于所述第二負(fù)壓值，所述第一溫度值小于所述第二溫度值；在第一模式下，先在溫度較低、壓力較小的負(fù)壓中進(jìn)行燒結(jié)，之后，在第二模式下，在溫度較高、壓力較大的負(fù)壓中進(jìn)行燒結(jié)。

或，所述第一負(fù)壓值小于所述第二負(fù)壓值，所述第一溫度值小于所述第二溫度值；在第一模式下，先在溫度較低、壓力較高的負(fù)壓中進(jìn)行燒結(jié)，之后，在第二模式下，在溫度較高、壓力較低的負(fù)壓中進(jìn)行燒結(jié)。

或者，上述的方法中，所述第一溫度值大于所述第二溫度值。

即：所述第一負(fù)壓值大于所述第二負(fù)壓值，所述第一溫度值大于所述第二溫度值；在第一模式下，先在溫度較高、壓力較小的負(fù)壓中進(jìn)行燒結(jié)，之后，在第二模式下，在溫度較低、壓力較大的負(fù)壓中進(jìn)行燒結(jié)。

或，所述第一負(fù)壓值小于所述第二負(fù)壓值，所述第一溫度值大于所述第二溫度值；在第一模式下，先在溫度較高、壓力較高的負(fù)壓中進(jìn)行燒結(jié)，之后，在第二模式下，在溫度較低、壓力較低的負(fù)壓中進(jìn)行燒結(jié)。

具體的，保持所述第一模式的時(shí)間和保持所述第二模式的時(shí)間分別在1～50h。

具體實(shí)施中，負(fù)壓環(huán)境的壓力過大，會使二氧化硅疏松體內(nèi)的氣體不易完全散出，優(yōu)選的，所述負(fù)壓環(huán)境在0.01～500pa較佳。如，1pa，5pa，30pa，80pa，100pa，200pa。對于負(fù)壓環(huán)境過低中，二氧化硅疏松體內(nèi)的氣泡更容易排出，但是對真空設(shè)備要求較高，而且抽取更低真空的耗電量等更高，效率低，成本高。

其中，所述二氧化硅疏松體可在不通入燒結(jié)氣體的情況下的負(fù)壓環(huán)境下燒結(jié)，但是，不易使其內(nèi)部的氣體外排，為了使促進(jìn)二氧化硅疏松體的燒結(jié)，上述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，如圖2所示，所述對所述燒結(jié)空間抽真空至負(fù)壓環(huán)境，之后，還包括：

S11、從所述燒結(jié)空間的進(jìn)氣口通入燒結(jié)氣體氣流，對所述燒結(jié)空間的出氣口進(jìn)行抽真空，使從所述進(jìn)氣口通入的氣流流經(jīng)所述二氧化硅疏松體后從所述出氣口抽出，并使所述燒結(jié)空間保持負(fù)壓環(huán)境。所述燒結(jié)氣體可采用氮?dú)?N₂)、氬氣(Ar)、氦氣(He)、氫氣(H₂)、氧氣(O₂)中的至少一種。

即，從燒結(jié)空間的出氣口抽真空的氣流量與從所述燒結(jié)空間的進(jìn)氣口通入燒結(jié)氣體氣流量，達(dá)到一個(gè)平衡，使使所述燒結(jié)空間保持負(fù)壓環(huán)境。

其中，通入燒結(jié)氣體氣流的氣體流量可在0～100L/min。如，2L/min，5L/min，20L/min，50L/min，80L/min；優(yōu)選的，1～50L/min。

對燒結(jié)空間中通入燒結(jié)氣體的時(shí)間可在對燒結(jié)空間加熱之前通入，在具體的實(shí)施當(dāng)中，通常是在對燒結(jié)空間加熱到一定溫度之后，燒結(jié)空間中的燒結(jié)氣體才會對二氧化硅疏松體產(chǎn)生作用，為了提高燒結(jié)氣體的使用效率，所述從所述燒結(jié)空間的進(jìn)氣口通入燒結(jié)氣體氣流，對所述燒結(jié)空間的出氣口進(jìn)行抽真空，使從所述進(jìn)氣口通入的氣流流經(jīng)所述二氧化硅疏松體后從所述出氣口抽出，并使所述燒結(jié)空間保持負(fù)壓環(huán)境，之前還包括：

S12、對所述燒結(jié)空間內(nèi)加熱至第一溫度；具體的，第一溫度可在300～600℃，如500℃。

所述對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，具體包括：

S13、對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體加熱至第二溫度，使所述二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，所述第二溫度大于所述第一溫度。第二溫度可在500～1700℃。

即，先將燒結(jié)空間中的溫度加熱至第一溫度，使燒結(jié)空間中的溫度到達(dá)能夠使燒結(jié)氣體才會對二氧化硅疏松體產(chǎn)生作用后，在通入燒結(jié)氣體，可節(jié)約資源，降低生產(chǎn)成本。

在具體的實(shí)施當(dāng)中，上述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，

對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，具體為：

S13、驅(qū)動所述二氧化硅疏松體在所述燒結(jié)空間中旋轉(zhuǎn)，并進(jìn)行燒結(jié)。旋轉(zhuǎn)所述二氧化硅疏松體的速度在0～100轉(zhuǎn)/每分鐘。如，10轉(zhuǎn)/每分鐘，30轉(zhuǎn)/每分鐘，60轉(zhuǎn)/每分鐘。

本發(fā)明中由于采用了在負(fù)壓環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié)，二氧化硅疏松體中的氣孔容易外排，無需像現(xiàn)有技術(shù)中對二氧化硅疏松體一段一段逐步燒結(jié)，可直接一次對二氧化硅疏松體燒結(jié)，形成較現(xiàn)有技術(shù)中對二氧化硅疏松體一段一段逐步燒結(jié)的方法質(zhì)量更高的石英玻璃，提高二氧化硅疏松體的燒結(jié)效率、降低成本。

上述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，所述對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)，使所述二氧化硅疏松體中氣孔在所述負(fù)壓環(huán)境下排出，并將二氧化硅疏松體燒結(jié)為透明化的石英玻璃，如圖3所示，具體為：

S101、將位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體的有效區(qū)域的全部或二氧化硅疏松體的整體進(jìn)行同時(shí)受熱燒結(jié)，使所述二氧化硅疏松體有效區(qū)域中氣孔在所述負(fù)壓環(huán)境下排出，并將二氧化硅疏松體有效區(qū)域燒結(jié)為透明化的石英玻璃。

二氧化硅疏松體有效區(qū)域指的是，在燒結(jié)后，可形成石英玻璃成品的區(qū)域。其中，所述的二氧化硅疏松體的包括有效區(qū)域非有效區(qū)域。

在具體的實(shí)施當(dāng)中，上述的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，

對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)的燒結(jié)溫度在500～1700℃，燒結(jié)時(shí)間在1～50h。如2h，5h，10h，20h，30h，40h。

本發(fā)明提供了3中二氧化硅疏松體樣本的制備石英玻璃的燒結(jié)方法，具體參見表1：

上述3個(gè)樣本獲得的石英玻璃成品中的氣泡含量，均少于區(qū)熔逐步燒結(jié)方法獲得的石英玻璃成品中的氣孔存量。與現(xiàn)有區(qū)熔逐步燒結(jié)方法的燒結(jié)時(shí)間為24小時(shí)以上相比，大大縮短了燒結(jié)時(shí)間，便可獲得氣孔存量較少的石英玻璃，實(shí)現(xiàn)了高效低能制備更具優(yōu)越性能的高品質(zhì)石英玻璃。發(fā)明實(shí)施例制得的石英玻璃屬于高品質(zhì)合成石英玻璃，能夠適用于航空航天、激光核技術(shù)、精密光學(xué)與儀器、半導(dǎo)體、液晶顯示等領(lǐng)域。

實(shí)施例二

本發(fā)明實(shí)施例二提供了一種制備石英玻璃的燒結(jié)裝置，用于對二氧化硅疏松體燒結(jié)，獲得石英玻璃成品，其中，所述二氧化硅疏松體內(nèi)具有氣孔；二氧化硅疏松體的直徑可在300mm以上；如φ350mm，φ550mm，φ750mm，φ850mm，φ950mm。

所述二氧化硅疏松體可由含硅原料經(jīng)低溫化學(xué)氣相沉積合成制得，所述二氧化硅疏松體為高純二氧化硅疏松體，所述高純二氧化硅疏松體中二氧化硅的含量在99.99％以上。或所述二氧化硅疏松體為摻雜二氧化硅疏松體，摻雜元素為硼(B)、鋁(Al)、氟(F)鐵(Fe)、鈦(Ti)、鈰(Ce)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、鈉(Na)、鉀(K)、鋇(Ba)、釔(Y)、鑭(La)、鋯(Zr)、鍺(Ge)中的至少一種。

如圖4所示，所述裝置包括：

爐體10，所述爐體10內(nèi)具有用于容納所述二氧化硅疏松體B10的燒結(jié)空間；

所述爐體10內(nèi)還具有為所述燒結(jié)空間加熱的加熱器20；

具體的，所述加熱器可采用石墨電阻加熱、感應(yīng)加熱、硅鉬棒加熱、硅碳棒加熱或金屬電阻絲加熱。加熱器可直接為燒結(jié)空間加熱或間接加熱。

所述爐體10上還具連通所述燒結(jié)空間的抽真空通道30，用于對所述燒結(jié)空間抽真空至負(fù)壓環(huán)境，使對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)中，所述二氧化硅疏松體中氣孔在所述負(fù)壓環(huán)境下排出，并將二氧化硅疏松體燒結(jié)為透明化的石英玻璃。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，在爐體上具連通所述燒結(jié)空間的抽真空通道，通過抽真空通道，可對所述燒結(jié)空間抽真空至負(fù)壓環(huán)境，對具有氣孔的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)中，將二氧化硅疏松體置于負(fù)壓環(huán)境內(nèi)，在負(fù)壓環(huán)境中燒結(jié)，氣孔中的氣體容易從二氧化硅疏松體內(nèi)排出，現(xiàn)對于現(xiàn)有技術(shù)中，采用常壓下區(qū)熔逐步燒結(jié)方法的燒結(jié)裝置，本發(fā)明中，制備石英玻璃的燒結(jié)裝置可在負(fù)壓環(huán)境下燒結(jié)，燒結(jié)后獲得的石英玻璃成品中可減少其中含有的氣泡含量，以提高石英玻璃的產(chǎn)品質(zhì)量，并通過整體同時(shí)燒結(jié)，提高了二氧化硅疏松體的燒結(jié)效率、降低成本。

在具體的燒結(jié)中，加熱器可為硅鉬棒加熱，整個(gè)硅鉬棒形狀為方形結(jié)構(gòu)；或，加熱器為感應(yīng)加熱，感應(yīng)加熱的發(fā)熱體形狀為分段環(huán)形結(jié)構(gòu)，發(fā)熱體外圍嵌套碳纖維氈；或，加熱器為石墨電阻加熱，石墨電阻形狀為分段環(huán)形結(jié)構(gòu)，石墨電阻外圍嵌套碳纖維氈。加熱體在對二氧化硅疏松體燒結(jié)加熱中，對二氧化硅疏松體受熱不均。為了使二氧化硅疏松體受熱均勻，上述的制備石英玻璃的燒結(jié)裝置，

如圖4所示，所述燒結(jié)空間位于爐芯管40內(nèi)，

所述加熱器20位于所述爐體10的爐壁與所述爐芯管40之間的加熱空間內(nèi)，所述加熱器20通過所述爐芯管40向所述燒結(jié)空間內(nèi)加熱。

爐芯管可采用筒狀，加熱器位于筒狀的爐芯管外，對爐芯管加熱，爐芯管的筒壁再對位于爐芯管內(nèi)的二氧化硅疏松體加熱，可對二氧化硅疏松體均勻受熱。

同時(shí)，爐芯管可將燒結(jié)空間在爐體置于一獨(dú)立空間內(nèi)；所述爐芯管將所述燒結(jié)空間與所述加熱空間隔離。那么，在對燒結(jié)空間抽真空中，單獨(dú)對爐芯管內(nèi)部抽真空，針對性較強(qiáng)。

其中，所述的隔離是相對上的隔離，由于爐芯管材質(zhì)的性質(zhì)，在具體的實(shí)踐中，可能會有稍微的通氣體性。如，所述爐芯管的基體采用碳化硅、氮化硅、氧化鋁、石墨或石英玻璃中至少一種制成。

那么，爐芯管可能會很容易出現(xiàn)透氣，具體的為了提高爐芯管的密封效果，所述爐芯管基體的內(nèi)壁上具有密封涂層?；?，所述爐芯管基體的外壁上具有密封涂層?；颍鰻t芯管基體的內(nèi)壁和外壁上具有密封涂層。具有密封涂層的爐芯管基體的氣密性較高，適于較高負(fù)壓環(huán)境下的燒結(jié)。

其中，所述密封涂層為碳化硅、氮化硅或氧化鋁涂層。具體密封工藝中，可將密封涂層通過鹽溶液涂刷在待加工的爐芯管基體上，然后再進(jìn)行高溫?zé)疲纯稍诖庸さ臓t芯管基體上形成密封涂層。其中，不同材質(zhì)的爐芯管基體的耐高溫的溫度不一，對于耐高溫較低的材質(zhì)制成的爐芯管基體，在爐芯管基體內(nèi)壁和/或外壁上采用耐高溫較高的材質(zhì)，以提高爐芯管的耐高溫溫度。如在由石墨制成的爐芯管的基體上的外壁上涂刷氧化鋁涂層。

如，對于石墨電阻加熱的加熱器，石墨電阻在高溫加熱中，很容易被加熱空間中的氧氣氧化，容易損壞，為了提高其使用壽命，上述的制備石英玻璃的燒結(jié)裝置中，所述抽真空通道還與所述加熱空間連通。在對二氧化硅疏松體加熱中，同時(shí)對加熱空間進(jìn)行抽真空，使加熱器位于負(fù)壓環(huán)境中，可降低加熱器的氧化，提高加熱器的使用壽命。

當(dāng)加熱空間呈負(fù)壓環(huán)境中，爐壁外會受到較大的向內(nèi)的大氣壓力，在加熱器處于高溫狀態(tài)下之后，爐壁溫度急劇上升，受熱后，在大氣壓力作用下，爐壁很容易發(fā)生形變，最終導(dǎo)致?lián)p壞，為了提高其使用壽命，所述爐壁內(nèi)還具有循環(huán)冷卻液通道。具體的，爐壁采用雙層爐壁，在雙層爐壁之間具有循環(huán)冷卻液通道，對爐壁進(jìn)行冷卻；在爐體外，具有循環(huán)冷卻系統(tǒng)，與循環(huán)冷卻液通道構(gòu)成循環(huán)，對爐壁進(jìn)行降溫。

如圖4所示，上述的制備石英玻璃的燒結(jié)裝置，還包括：

驅(qū)動所述二氧化硅疏松體在所述燒結(jié)空間中旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動裝置50。驅(qū)動裝置可包括有電機(jī)，驅(qū)動軸；電機(jī)驅(qū)動所述驅(qū)動軸轉(zhuǎn)動，電機(jī)位于爐體頂部，在爐體頂部具有密封蓋，驅(qū)動軸的驅(qū)動端穿過所述密封蓋驅(qū)動二氧化硅疏松體轉(zhuǎn)動。在密封蓋與驅(qū)動軸之間具有密封圈，以達(dá)到密封要求。

其中，所述二氧化硅疏松體可在氣體靜止環(huán)境的負(fù)壓環(huán)境下燒結(jié)，但是，不易是其內(nèi)部的氣體外排，為了使促進(jìn)二氧化硅疏松體的燒結(jié)，上述的制備石英玻璃的燒結(jié)裝置，如圖2所示，還包括：

與所述燒結(jié)空間連通的進(jìn)氣口60，用于向所述燒結(jié)空間內(nèi)通入氣流；

所述抽真空通道30作為出氣口，使從所述進(jìn)氣口60通入的氣流流經(jīng)所述二氧化硅疏松體后從所述出氣口抽出。

通氣燒結(jié)氣體的氣流有益于使二氧化硅疏松體中氣孔在負(fù)壓環(huán)境下排出，獲得更高質(zhì)量的石英玻璃成品。所述燒結(jié)氣體可采用氮?dú)?N₂)、氬氣(Ar)、氦氣(He)、氫氣(H₂)、氧氣(O₂)中的至少一種。

在具體的實(shí)施當(dāng)中，如圖2所示，所述抽真空通道30連通所述爐芯管40的底部，所述進(jìn)氣口60連通所述爐芯管40的上部，使得，從進(jìn)氣口通入的氣流，在爐芯管內(nèi)由上至下的流經(jīng)二氧化硅疏松體。

如圖5所示，所述抽真空通道30連通所述爐芯管40的上部，所述進(jìn)氣口60連通所述爐芯管40的底部，使得，從進(jìn)氣口通入的氣流，在爐芯管內(nèi)由下至上的流經(jīng)二氧化硅疏松體。

采用本發(fā)明的制備石英玻璃的燒結(jié)裝置，可采用在負(fù)壓環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié)，二氧化硅疏松體中的氣孔容易外排，無需像現(xiàn)有技術(shù)中對二氧化硅疏松體一段一段逐步燒結(jié)，可直接一次對二氧化硅疏松體燒結(jié)，形成較現(xiàn)有技術(shù)中對二氧化硅疏松體一段一段逐步燒結(jié)的方法質(zhì)量更高的石英玻璃，提高二氧化硅疏松體的燒結(jié)效率、降低成本。具體的，為了實(shí)現(xiàn)直接一次對二氧化硅疏松體燒結(jié)，所述爐芯管的工作段用于對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體有效區(qū)域的全部進(jìn)行同時(shí)燒結(jié)，使所述二氧化硅疏松體有效區(qū)域中氣孔在所述負(fù)壓環(huán)境下排出，并將二氧化硅疏松體有效區(qū)域燒結(jié)為透明化的石英玻璃；所述加熱器環(huán)繞在所述爐芯管的整體工作段的外圍。在所述加熱器加熱工作中，可對爐芯管的整體工作段同時(shí)加熱，使二氧化硅疏松體有效區(qū)域同時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)橥该骰氖⒉ＡВ淮纬尚?，制成石英玻璃成本?/p>

在具體的實(shí)施當(dāng)中，加熱器可采用一體結(jié)構(gòu)，也可采用分體結(jié)構(gòu)；在所述爐芯管的工作段的長度方向上，所述加熱器具有M個(gè)加熱分段，M為大于等于1小于等于10的正整數(shù)。多個(gè)加熱分段環(huán)繞在爐芯管的工作段的一周。具體，M可為1、2、3、4、5、6等。每個(gè)加熱分段的高度為200-2000mm。

另外，為了保持爐芯管內(nèi)的溫度，使?fàn)t芯管內(nèi)溫度均勻，上述的制備石英玻璃的燒結(jié)裝置，在所述加熱器的發(fā)熱體外具有保溫層，所述保溫層采用碳纖維氈、耐火磚中的至少一種制成。保溫層可呈筒狀，嵌套在加熱器外圍。

具體的，為了提高爐芯管的密封效果，所述保溫層的基體的內(nèi)壁上具有碳化硅、氮化硅或氧化鋁涂層?；?，所述保溫層的基體的外壁上具有碳化硅、氮化硅或氧化鋁涂層。或，所述保溫層的基體的內(nèi)壁和外壁上具有碳化硅、氮化硅或氧化鋁涂層?？商岣弑貙拥谋匦Ч?。

具體密封工藝中，可將碳化硅、氮化硅或氧化鋁涂層通過鹽溶液涂刷在待加工的保溫層基體上，然后再進(jìn)行高溫?zé)?，即可在待加工的保溫層基體上形成保溫涂層。

實(shí)施例三

如圖6所示，本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種制備石英玻璃的系統(tǒng)，包括：

低溫化學(xué)氣相沉積裝置(圖中未示出)，用于將含硅原料經(jīng)低溫化學(xué)氣相沉積合成制得二氧化硅疏松體，所述二氧化硅疏松體為高純二氧化硅疏松體或摻雜二氧化硅疏松體，其中，所述高純二氧化硅疏松體中二氧化硅的含量在99.99％以上；

制備石英玻璃的燒結(jié)裝置100，所述制備石英玻璃的燒結(jié)裝置包括：

爐體，所述爐體內(nèi)具有用于容納所述二氧化硅疏松體的燒結(jié)空間；

所述爐體內(nèi)還具有為所述燒結(jié)空間加熱的加熱器；

所述爐體上還具連通所述燒結(jié)空間的抽真空通道，用于對所述燒結(jié)空間抽真空至負(fù)壓環(huán)境，使對位于燒結(jié)空間內(nèi)的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)中，所述二氧化硅疏松體中氣孔在所述負(fù)壓環(huán)境下排出，并將二氧化硅疏松體燒結(jié)為透明化的石英玻璃；

抽真空機(jī)200，其抽真空口與所述抽真空通道連接。

具體的，本實(shí)施例三中所述的制備石英玻璃的燒結(jié)裝置可直接采用上述實(shí)施例二提供的所述制備石英玻璃的燒結(jié)裝置，具體的實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)可參見上述實(shí)施例二中描述的相關(guān)內(nèi)容，此處不再贅述。

具體的，還包括：

燒結(jié)氣體通入裝置300，與所述燒結(jié)裝置100的進(jìn)氣口連通。

實(shí)施例四

本發(fā)明提供了一種石英玻璃，所述石英玻璃包括石英玻璃成品，所述石英玻璃成品采用實(shí)施例一中所述的石英玻璃的燒結(jié)方法制備而成。

具體的，本實(shí)施例四中所述的石英玻璃的燒結(jié)方法可直接采用上述實(shí)施例一提供的所述石英玻璃的燒結(jié)方法，具體的實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)可參見上述實(shí)施例一中描述的相關(guān)內(nèi)容，此處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，在爐體上具連通所述燒結(jié)空間的抽真空通道，通過抽真空通道，可對所述燒結(jié)空間抽真空至負(fù)壓環(huán)境，對具有氣孔的二氧化硅疏松體進(jìn)行燒結(jié)中，將二氧化硅疏松體置于負(fù)壓環(huán)境內(nèi)，在負(fù)壓環(huán)境中燒結(jié)，氣孔中的氣體容易從二氧化硅疏松體內(nèi)排出，現(xiàn)對于現(xiàn)有技術(shù)中，采用常壓下區(qū)熔逐步燒結(jié)方法的燒結(jié)裝置，本發(fā)明中，制備石英玻璃的燒結(jié)裝置可在負(fù)壓環(huán)境下燒結(jié)，燒結(jié)后獲得的石英玻璃成品中可減少其中含有的氣孔量，以提高石英玻璃的產(chǎn)品質(zhì)量。

在上述實(shí)施例中，對各個(gè)實(shí)施例的描述都各有側(cè)重，某個(gè)實(shí)施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實(shí)施例的相關(guān)描述。

可以理解的是，上述裝置中的相關(guān)特征可以相互參考。另外，上述實(shí)施例中的“第一”、“第二”等是用于區(qū)分各實(shí)施例，而并不代表各實(shí)施例的優(yōu)劣。

在此處所提供的說明書中，說明了大量具體細(xì)節(jié)。然而，能夠理解，本發(fā)明的實(shí)施例可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐。在一些實(shí)例中，并未詳細(xì)示出公知的結(jié)構(gòu)和技術(shù)，以便不模糊對本說明書的理解。

類似地，應(yīng)當(dāng)理解，為了精簡本公開并幫助理解各個(gè)發(fā)明方面中的一個(gè)或多個(gè)，在上面對本發(fā)明的示例性實(shí)施例的描述中，本發(fā)明的各個(gè)特征有時(shí)被一起分組到單個(gè)實(shí)施例、圖、或者對其的描述中。然而，并不應(yīng)將該公開的裝置解釋成反映如下意圖：即所要求保護(hù)的本發(fā)明要求比在每個(gè)權(quán)利要求中所明確記載的特征更多的特征。更確切地說，如下面的權(quán)利要求書所反映的那樣，發(fā)明方面在于少于前面公開的單個(gè)實(shí)施例的所有特征。因此，遵循具體實(shí)施方式的權(quán)利要求書由此明確地并入該具體實(shí)施方式，其中每個(gè)權(quán)利要求本身都作為本發(fā)明的單獨(dú)實(shí)施例。

本領(lǐng)域那些技術(shù)人員可以理解，可以對實(shí)施例中的裝置中的部件進(jìn)行自適應(yīng)性地改變并且把它們設(shè)置在與該實(shí)施例不同的一個(gè)或多個(gè)裝置中?？梢园褜?shí)施例中的部件組合成一個(gè)部件，以及此外可以把它們分成多個(gè)子部件。除了這樣的特征中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何組合對本說明書(包括伴隨的權(quán)利要求、摘要和附圖)中公開的所有特征以及如此公開的任何裝置的所有部件進(jìn)行組合。除非另外明確陳述，本說明書(包括伴隨的權(quán)利要求、摘要和附圖)中公開的每個(gè)特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征來代替。

此外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解，盡管在此所述的一些實(shí)施例包括其它實(shí)施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同實(shí)施例的特征的組合意味著處于本發(fā)明的范圍之內(nèi)并且形成不同的實(shí)施例。例如，在下面的權(quán)利要求書中，所要求保護(hù)的實(shí)施例的任意之一都可以以任意的組合方式來使用。本發(fā)明的各個(gè)部件實(shí)施例可以以硬件實(shí)現(xiàn)，或者以它們的組合實(shí)現(xiàn)。

應(yīng)該注意的是上述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行說明而不是對本發(fā)明進(jìn)行限制，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離所附權(quán)利要求的范圍的情況下可設(shè)計(jì)出替換實(shí)施例。在權(quán)利要求中，不應(yīng)將位于括號之間的任何參考符號構(gòu)造成對權(quán)利要求的限制。單詞“包含”不排除存在未列在權(quán)利要求中的部件或組件。位于部件或組件之前的單詞“一”或“一個(gè)”不排除存在多個(gè)這樣的部件或組件。本發(fā)明可以借助于包括有若干不同部件的裝置來實(shí)現(xiàn)。在列舉了若干部件的權(quán)利要求中，這些部件中的若干個(gè)可以是通過同一個(gè)部件項(xiàng)來具體體現(xiàn)。單詞第一、第二等的使用不表示任何順序。可將這些單詞解釋為名稱。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。