專利名稱：：一種高透過率tp玻璃及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種TP玻璃，特別是指一種高透過率TP玻璃及其制造方法。
背景技術(shù)：
：氧化銦錫導電玻璃(IT0)，上世紀九十年代以來，主要應用在液晶顯示行業(yè)的液晶面板玻璃。玻璃結(jié)構(gòu)為GlaSS/Si02/IT0。其中的ITO層為導電層，厚度為可變的，主要產(chǎn)品從8nm-500nm甚至更厚連續(xù)可調(diào)。不同的厚度可以對應不同的電阻，應用在TP、TN、STN、CSTN等各個領(lǐng)域。另外，Si02膜通常稱為"阻擋層"，厚度在20-30nm，主要利用Si02膜層的晶體結(jié)構(gòu)，可以阻擋玻璃中的Na+離子析出，進入ITO層。如果Na+離子析出，進入ITO層，會導致液晶顯示器的顯示出現(xiàn)"字肥"的現(xiàn)象，此為嚴重缺陷。以上的結(jié)構(gòu)中，Si02的厚度不變時，ITO玻璃的透過率主要隨著ITO膜層厚度的變化呈現(xiàn)周期性的變化，一般在78-90%之間，可以滿足普通液晶顯示的需要。普通的TP玻璃也是ITO玻璃的一種，IT0厚度為8-12nm，電阻在200-600Q/□(方塊電阻)之間，透過率在89-91%左右。中國專利公開號CN101475317A公開了一種觸摸屏用高透過率導電玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片表面依次設(shè)置有二氧化硅鍍膜層和氧化銦錫鍍膜層，二氧化硅鍍膜層位于內(nèi)層，氧化銦錫鍍膜層位于外層，在玻璃基片和二氧化硅鍍膜層之間設(shè)置有五氧化二鈮鍍膜層。該發(fā)明專利申請在說明書中提到可將玻璃的可見光透過率提高到94%以上，但是由于其只在玻璃的前表面進行減反射，其減反射效果并不是特別理想。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中TP玻璃可見光透過率不理想的缺點，提供一種高透過率TP玻璃及其制造方法。本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種高透過率TP玻璃，包括一玻璃基片，在該玻璃基片的后表面依次設(shè)有一層恥205(五氧化二鈮)和一層Si02(二氧化硅)，在該玻璃基片的前表面依次設(shè)有一層恥205、一層Si02和一層ITO(氧化銦錫)。其結(jié)構(gòu)為ITO/Si02/Nb205/Glass/歸5/Si02。其中位于后表面的Si02層的厚度為120-130nm，位于后表面的恥205層的厚度為15-20nm，3位于前表面的恥205層的厚度為15-20nm，位于前表面的Si02層的厚度為90-95nm，ITO層的厚度為10-12nm。一種高透過率TP玻璃的制造方法，包括如下步驟步驟一，將玻璃基片清洗干凈；步驟二，在真空磁控濺射鍍膜機內(nèi)，先在玻璃基片的后表面鍍Nb205層和Si02層，再在玻璃基片的前表面鍍恥205層、Si02層和IT0層。其中，鍍恥205層時采用中頻磁控反應濺射方法，鍍Si02層時采用中頻磁控反應濺射方法，鍍IT0層時采用直流磁控濺射方法。其中，IT0靶材采用含3。/。重量Sn02的In203靶材，與普遍采用的10。/。的Sn02的靶材不同，目的是使IT0的電阻率高、膜層厚、工藝穩(wěn)定性和ITO的膜層性能顯著提高。由上述對本發(fā)明的描述可知，和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果本發(fā)明采用雙面鍍減反射膜層的方法，同時減少了玻璃前、后兩個表面對光線的反射。從而最大限度提高了產(chǎn)品的可見光透過率，使產(chǎn)品的可見光透過率可達到99%以上。另外，選擇成膜折射率較為穩(wěn)定的五氧化二鈮和二氧化硅作為光學增透的介質(zhì)層，利用五氧化二鈮和氧化硅良好的絕緣性和穩(wěn)定的折射率，可使導電玻璃的性能穩(wěn)定可靠。同時合理的工藝過程有利于提高操作的可控性和產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性，可滿足大批量生產(chǎn)的要求。圖1為本發(fā)明一種高透過率TP玻璃的膜層結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明的減反射原理示意圖。具體實施例方式以下通過具體實施方式對本發(fā)明進行詳細說明。參照圖l，本發(fā)明的一種高透過率TP玻璃，包括玻璃基片l，玻璃基片l后表面依次設(shè)置有五氧化二鈮鍍膜層2和二氧化硅鍍膜層3，玻璃基片l的前表面依次設(shè)置有五氧化二鈮鍍膜層4和二氧化硅鍍膜層5和氧化銦錫鍍膜層6。其中，后表面的五氧化二鈮鍍膜層2的厚度為15-20nm，二氧化硅鍍膜層3的厚度為120-130nm，前表面的五氧化二鈮鍍膜層4的厚度為15-20nm，二氧化硅鍍膜層5的厚度為90-95nm，氧化銦錫鍍膜層6的厚度為10-12nm。通常來說，要最大限度提高導電玻璃的可見光透過率，需要同時降低玻璃前后兩個表面對可見光的反射，因此需要玻璃的前后表面都鍍制減反射介質(zhì)膜層。參照圖2，為本發(fā)明的減反射原理示意圖，圖中A為入射光，B為前表面反射光，C為后表面反射光，D為透射光。另外，介質(zhì)層膜的選擇是關(guān)鍵，只有選擇合理的介質(zhì)層膜，才可利用光學原理，使各介質(zhì)層膜之間相互干涉，并使各介質(zhì)層膜界面的反射光與入射光相互抵消，從而提高可見光的透過率，降低可見光的反射率，在此，本發(fā)明選擇成膜折射率較為穩(wěn)定的五氧化二鈮和二氧化硅作為光學增透的介質(zhì)層，并且五氧化二鈮和二氧化硅均具有良好的絕緣性和穩(wěn)定的折射擊率，與ITO材料的磁控濺射可順利制造完成，對面電阻也無明顯的影響，因此在保證導電性能的前提下，可使導電玻璃的可見光透過率提高到99%以上，顯示效果也更為清晰。本發(fā)明所述的觸摸屏用高透過率導電玻璃的生產(chǎn)工藝的流程為A.選擇合格的玻璃基片進行清洗。B.將清洗干凈的玻璃基片送入鍍膜機內(nèi)。C.對玻璃基片的后表面進行鍍膜加工，先鍍五氧化二鈮膜，再鍍二氧化硅膜。D.對玻璃基片的前表面進行鍍膜加工，先鍍五氧化二鈮膜，再鍍二氧化硅膜，最后鍍氧化銦錫膜。D.將鍍好膜的成品從鍍膜機取出。E.對成品進行性能檢測，合格的包裝入庫。其中鍍五氧化二鈮膜采用的是中頻反應磁控濺射工藝，濺射時玻璃溫度控制在20(TC±50。C，本底真空度《2.0X10—^a，工作真空度(3-5)X10—Va，99.999%的高純氬氣，流量為IOOSCCM，99.995%的高純氧分量占12%左右，玻璃通過耙面速度為O.6m/分，耙功率為8.5KW，耙表面電壓為450V，所得五氧化二鈮膜層的厚度為18nm。其中鍍二氧化硅采用的是中頻反應磁控濺射工藝，濺射時玻璃溫度控制在20(TC±50°C，本底真空度《2.0X10—^a，工作真空度(3-5)X10—Va，99.999%的高純氬氣，流量為300SCCM，玻璃通過耙面速度為O.6m/分，耙表面電壓為440V，99.995%的高純氧分量占50%左右。靶材總功率為43KW時，所得二氧化硅鍍膜層的厚度為125nm;靶材總功率為30KW，所得二氧化硅鍍膜層的厚度為95nm。其中鍍氧化銦錫膜采用的是直流磁控濺射工藝，濺射時，玻璃溫度控制在30(TC士l(rC，本底真空度《2.0X10—3Pa，工作真空度(3-5)X10—^a，99.999%的高純氬氣，流量為400SCCM，玻璃通過耙面速度為O.6m/分，耙功率為2.3KW，耙表面電壓為380V，99.995%的高純氧分量占O.4%左右，所得氧化銦錫鍍膜層的厚度為10-12nm，單片玻璃方塊電阻400Q/□±7%。在鍍膜設(shè)備方面，由于各功能膜濺射時的工作條件不同，因此在各鍍膜真空腔室之間采用了大抽氣量的渦輪分子泵，并通過氣體隔離閥門進行隔離，以保證鍍膜氣氛的穩(wěn)定，提高鍍膜質(zhì)量。所得的觸摸屏用高透過率導電玻璃的性能指標如下可見光透過率(550nm處測量)》99%;單片玻璃方塊電阻4000/口±7%;耐酸酸性(AR/R)《10%;耐酸堿性(AR/R)《10%;膜厚批均勻性《±5%;耐擦性(AR/R)《10%;熱穩(wěn)定性(AR/R)《10%。參照下表，為本發(fā)明一種高透過率TP玻璃在不同厚度膜層的情況下的透過率對比表:<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>上述僅為本發(fā)明的一個具體實施方式，但本發(fā)明的設(shè)計構(gòu)思并不局限于此，凡利用此構(gòu)思對本發(fā)明進行非實質(zhì)性的改動，均應屬于侵犯本發(fā)明保護范圍的行為。權(quán)利要求1.一種高透過率TP玻璃，包括一玻璃基片，其特征在于在該玻璃基片的后表面依次設(shè)有一層Nb2O5和一層SiO2，在該玻璃基片的前表面依次設(shè)有一層Nb2O5、一層SiO2和一層ITO。2如權(quán)利要求1所述的一種高透過率TP玻璃，其特征在于其中位于后表面的Si02層的厚度為120-130nm，位于后表面的Nb205層的厚度為15-20nm，位于前表面的Nb205層的厚度為15-20nm，位于前表面的Si02層的厚度為90-95nm，IT0層的厚度為10-12nm。3如權(quán)利要求1或2所述的一種高透過率TP玻璃的制造方法，其特征在于包括如下步驟步驟一，將玻璃基片清洗干凈；步驟二，在真空磁控濺射鍍膜機內(nèi)，先在玻璃基片的后表面鍍Nb205層和Si02層，再在玻璃基片的前表面鍍Nb205層、Si02層和IT0層。4如權(quán)利要求3所述的一種高透過率TP玻璃的制造方法，其特征在于:鍍Nb205層時采用中頻磁控反應濺射方法，鍍Si02層時采用中頻磁控反應濺射方法，鍍IT0層時采用直流磁控濺射方法。5如權(quán)利要求3所述的一種高透過率TP玻璃的制造方法，其特征在于:IT0靶材采用含3。/。重量Sn02的In203靶材。全文摘要本發(fā)明涉及一種TP玻璃，特別是指一種高透過率TP玻璃及其制造方法，包括一玻璃基片，在該玻璃基片的后表面依次設(shè)有一層Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>和一層SiO<sub>2</sub>，在該玻璃基片的前表面依次設(shè)有一層Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、一層SiO<sub>2</sub>和一層ITO。和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用雙面鍍減反射膜層的方法，同時減少了玻璃前、后兩個表面對光線的反射，從而最大限度提高了產(chǎn)品的可見光透過率，使產(chǎn)品的可見光透過率可達到99％以上。文檔編號C03C17/34GK101648777SQ20091030510公開日2010年2月17日申請日期2009年7月31日優(yōu)先權(quán)日2009年7月31日發(fā)明者李俊華,文王申請人:佳晶光電(廈門)有限公司