一種可調(diào)化合物蒸發(fā)鍍膜紅外真空裝置的下加熱區(qū)機(jī)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及化合物蒸發(fā)鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體的說涉及一種可調(diào)化合物蒸發(fā)鍍膜紅外真空裝置的下加熱區(qū)機(jī)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有化合物蒸發(fā)鍍膜設(shè)備大都采用電阻絲加熱，由于電阻絲本身具有熱慣性大且升降溫速率慢的特性，使得其溫度上限很低，限制了化合物蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的使用范圍，并且電阻絲具有溫度反應(yīng)敏度低、纏繞復(fù)雜等問題，要占用化合物蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的大量真空腔空間，而且現(xiàn)有化合物蒸發(fā)鍍膜設(shè)備加熱區(qū)區(qū)間位置固定，對(duì)不同化合物的加熱需要不同的加熱溫度，而加熱設(shè)備區(qū)間位置固定對(duì)不同化合物加熱會(huì)造成加熱效果差，且增大了能耗。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的是提供一種可調(diào)化合物蒸發(fā)鍍膜紅外真空裝置的下加熱區(qū)機(jī)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)獨(dú)特簡單，能夠?qū)崿F(xiàn)單獨(dú)控制，其快速升降溫度，加熱效果好，降低能耗。
[0004]為了解決【背景技術(shù)】所存在的問題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
[0005]一種可調(diào)化合物蒸發(fā)鍍膜紅外真空裝置的下加熱區(qū)機(jī)構(gòu)，所述的下加熱區(qū)機(jī)構(gòu)包括有熱區(qū)托盤，所述的熱區(qū)托盤上方設(shè)有下加熱區(qū)底座，所述的下加熱區(qū)底座與熱區(qū)托盤通過卡扣卡合連接，所述的下加熱區(qū)底座內(nèi)部設(shè)有云母片，所述的云母片上方設(shè)有多根紅外加熱管，所述的紅外加熱管兩側(cè)連接有多根紅外加熱管連接棒，所述的紅外加熱管連接棒穿過接線排上的通孔，所述的接線排固定在下加熱區(qū)底座的底部兩側(cè)，所述的紅外加熱管的上方設(shè)有燈管壓片，所述的燈管壓片上方設(shè)有緩釋片，所述的緩釋片上設(shè)有壓板。
[0006]所述的壓板為石英壓板，所述的壓板為方形空心連接件，所述的壓板的一側(cè)邊上部開設(shè)有凹槽，用于與裝置連接。
[0007]所述的熱區(qū)托盤為工形連接件，所述的熱區(qū)托盤的底部為四角開設(shè)有連接孔的方形板，所述的方形板上設(shè)有圓柱型連接件，所述的圓柱形連接件上方連接連接板，所述的連接板的中部開設(shè)有圓孔，連接板兩側(cè)連接有凹形件，所述的連接板的主視方向結(jié)構(gòu)為凹形結(jié)構(gòu)。
[0008]所述的下加熱區(qū)底座為方形框架，所述的下加熱區(qū)底座的兩側(cè)底部分別設(shè)有固定件，所述的下加熱區(qū)底座上的固定件與熱區(qū)托盤通過卡扣卡合連接，使得下加熱區(qū)底座固定在熱區(qū)托盤上，所述的下加熱區(qū)底座內(nèi)側(cè)底部兩端分別設(shè)有上端帶有齒狀的支撐塊，兩相鄰齒狀之間設(shè)有通孔，可使得紅外加熱管連接棒穿過下加熱區(qū)底座與接線排連接。
[0009]本實(shí)用新型有益效果:本實(shí)用新型其結(jié)構(gòu)獨(dú)特簡單，能夠?qū)崿F(xiàn)單獨(dú)控制，其快速升降溫度，加熱效果好，降低損耗，提高加熱效率。
【附圖說明】
[0010]圖1為實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖2為本實(shí)用新型平面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]參見附圖，一種可調(diào)化合物蒸發(fā)鍍膜紅外真空裝置的下加熱區(qū)機(jī)構(gòu)，所述的下加熱區(qū)機(jī)構(gòu)包括有熱區(qū)托盤1，所述的熱區(qū)托盤I上方設(shè)有下加熱區(qū)底座2，所述的下加熱區(qū)底座2與熱區(qū)托盤I通過卡扣3卡合連接，所述的下加熱區(qū)底座2內(nèi)部設(shè)有云母片16，所述的云母片3上方設(shè)有多根紅外加熱管4，所述的紅外加熱管4兩側(cè)連接有多根紅外加熱管連接棒5，所述的紅外加熱管連接棒5穿過接線排6上的通孔，所述的接線排6固定在下加熱區(qū)底座2的底部兩側(cè)，所述的紅外加熱管4的上方設(shè)有燈管壓片7，所述的燈管壓片7上方設(shè)有緩釋片8，所述的緩釋片8上設(shè)有壓板9。
[0013]所述的壓板9為石英壓板，所述的壓板9為方形空心連接件，所述的壓板9的一側(cè)邊上部開設(shè)有凹槽10，用于與裝置連接。
[0014]所述的熱區(qū)托盤I為工形連接件，所述的熱區(qū)托盤I的底部為四角開設(shè)有連接孔11的方形板，所述的方形板上設(shè)有圓柱型連接件12，所述的圓柱形連接件12上方連接連接板13，所述的連接板13的中部開設(shè)有圓孔14，連接板13兩側(cè)連接有凹形件15，所述的連接板13的主視方向結(jié)構(gòu)為凹形結(jié)構(gòu)。
[0015]所述的下加熱區(qū)底座2為方形框架，所述的下加熱區(qū)底座2的兩側(cè)底部分別設(shè)有固定件21，所述的下加熱區(qū)底座2上的固定件21與熱區(qū)托盤I通過卡扣3卡合連接，使得下加熱區(qū)底座2固定在熱區(qū)托盤I上，所述的下加熱區(qū)底座2內(nèi)側(cè)底部兩端分別設(shè)有上端帶有齒狀的支撐塊22，兩相鄰齒狀之間設(shè)有通孔23，可使得紅外加熱管連接棒5穿過下加熱區(qū)底座2與接線排6連接。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種可調(diào)化合物蒸發(fā)鍍膜紅外真空裝置的下加熱區(qū)機(jī)構(gòu)，其特征在于:包括有熱區(qū)托盤，所述的熱區(qū)托盤上方設(shè)有下加熱區(qū)底座，所述的下加熱區(qū)底座與熱區(qū)托盤通過卡扣卡合連接，所述的下加熱區(qū)底座內(nèi)部設(shè)有云母片，所述的云母片上方設(shè)有多根紅外加熱管，所述的紅外加熱管兩側(cè)連接有多根紅外加熱管連接棒，所述的紅外加熱管連接棒穿過接線排上的通孔，所述的接線排固定在下加熱區(qū)底座的底部兩側(cè)，所述的紅外加熱管的上方設(shè)有燈管壓片，所述的燈管壓片上方設(shè)有緩釋片，所述的緩釋片上設(shè)有壓板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可調(diào)化合物蒸發(fā)鍍膜紅外真空裝置的下加熱區(qū)機(jī)構(gòu)，其特征在于:所述的壓板為石英壓板，所述的壓板為方形空心連接件，所述的壓板的一側(cè)邊上部開設(shè)有凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可調(diào)化合物蒸發(fā)鍍膜紅外真空裝置的下加熱區(qū)機(jī)構(gòu)，其特征在于:所述的熱區(qū)托盤為工形連接件，所述的熱區(qū)托盤的底部為四角開設(shè)有連接孔的方形板，所述的方形板上設(shè)有圓柱型連接件，所述的圓柱形連接件上方連接連接板，所述的連接板的中部開設(shè)有圓孔，連接板兩側(cè)連接有凹形件，所述的連接板的主視方向結(jié)構(gòu)為凹形結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可調(diào)化合物蒸發(fā)鍍膜紅外真空裝置的下加熱區(qū)機(jī)構(gòu)，其特征在于:所述的下加熱區(qū)底座為方形框架，所述的下加熱區(qū)底座的兩側(cè)底部分別設(shè)有固定件，所述的下加熱區(qū)底座上的固定件與熱區(qū)托盤通過卡扣卡合連接，所述的下加熱區(qū)底座內(nèi)側(cè)底部兩端分別設(shè)有上端帶有齒狀的支撐塊，兩相鄰齒狀之間設(shè)有通孔。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種可調(diào)化合物蒸發(fā)鍍膜紅外真空裝置的下加熱區(qū)機(jī)構(gòu)，所述的下加熱區(qū)機(jī)構(gòu)包括有熱區(qū)托盤，所述的熱區(qū)托盤上方設(shè)有下加熱區(qū)底座，所述的下加熱區(qū)底座與熱區(qū)托盤通過卡扣卡合連接，所述的下加熱區(qū)底座內(nèi)部設(shè)有云母片，所述的云母片上方設(shè)有多根紅外加熱管，所述的紅外加熱管兩側(cè)連接有多根紅外加熱管連接棒，所述的紅外加熱管連接棒穿過接線排上的通孔，所述的接線排固定在下加熱區(qū)底座的底部兩側(cè)，所述的紅外加熱管的上方設(shè)有燈管壓片，所述的燈管壓片上方設(shè)有緩釋片，所述的緩釋片上設(shè)有壓板；本實(shí)用新型其結(jié)構(gòu)獨(dú)特簡單，能夠?qū)崿F(xiàn)單獨(dú)控制，其快速升降溫度，加熱效果好，降低損耗，提高加熱效率。
【IPC分類】C23C14-24
【公開號(hào)】CN204608144
【申請?zhí)枴緾N201520109445
【發(fā)明人】孔令杰, 吳克松, 丁玉林
【申請人】安徽貝意克設(shè)備技術(shù)有限公司
【公開日】2015年9月2日
【申請日】2015年2月13日