化學(xué)機(jī)械拋光墊的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及化學(xué)機(jī)械拋光的技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，本實(shí)用新型涉及一種化學(xué)機(jī)械拋光墊。
【背景技術(shù)】
[0002]化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)是光學(xué)、半導(dǎo)體以及其它電子器件制造工藝中的常用技術(shù)，使用化學(xué)腐蝕及機(jī)械力對(duì)加工過程中的玻璃基片、硅晶圓或其它襯底材料進(jìn)行平坦化處理。在常規(guī)的CMP工藝中，待拋光的襯底被固定在載體組件上，并使襯底與CMP工藝中的拋光層接觸并提供受控的壓力，同時(shí)使拋光漿料在拋光層表面流動(dòng)。在設(shè)計(jì)拋光層時(shí)，需要考慮的主要因素有拋光漿料在拋光層上的分布，新鮮拋光漿料進(jìn)入拋光軌跡的流動(dòng)，拋光漿料從拋光軌跡的流動(dòng)，以及流過拋光區(qū)域基本未被利用的拋光漿料的量等等。為了減少基本未被利用的拋光漿料的量以及提高拋光效率和質(zhì)量，在現(xiàn)有技術(shù)中，需要在拋光層表面設(shè)計(jì)各種圖案，然而本領(lǐng)域的技術(shù)人員都知道拋光速率、拋光漿料消耗以及拋光效果等很難兼得，現(xiàn)有技術(shù)中也公開了多種改進(jìn)結(jié)構(gòu)以期降低拋光漿料消耗并使得拋光漿料在拋光層上的保持時(shí)間最長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)和圖案，然而需要在保證拋光速率、質(zhì)量的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步降低拋光層上拋光漿料的未利用量，減少拋光漿料的浪費(fèi)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種化學(xué)機(jī)械拋光墊。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案:
[0005]一種化學(xué)機(jī)械拋光墊，包括背板層和拋光層，所述背板層具有支持面和內(nèi)表面；其特征在于:所述拋光層具有在拋光漿料存在的條件下對(duì)基片表面進(jìn)行拋光的拋光面，與所述背板層內(nèi)表面相粘結(jié)的非拋光面，所述拋光層具有中心區(qū)域以及位于所述中心區(qū)域外的外圍區(qū)域；并且所述拋光層包括從所述拋光層的拋光面延伸至所述背板層的支持面的中心通孔，以及位于中心區(qū)域并且與該中心通孔同心并且通過十字通道連通的多個(gè)環(huán)形凹槽，以及從所述環(huán)形凹槽向所述外圍區(qū)域延伸的多個(gè)輻射凹槽，并且所述輻射凹槽在所述外圍區(qū)域的外緣形成有分支凹槽。
[0006]其中，所述環(huán)形凹槽的深度大于所述輻射凹槽以及分支凹槽的深度。
[0007]其中，所述環(huán)形凹槽的橫截面為U形、V形、長(zhǎng)方形或半圓形。
[0008]其中，所述輻射凹槽的橫截面為U形、V形、長(zhǎng)方形或半圓形。
[0009]其中，所述分支凹槽的橫截面為U形、V形、長(zhǎng)方形或半圓形。
[0010]其中，所述環(huán)形凹槽、輻射凹槽以及分支凹槽的寬度為0.2^1.2 mm。
[0011 ] 其中，所述背板層和所述拋光層為圓盤狀。
[0012]其中，所述背板層的直徑大于或等于所述拋光層的直徑。
[0013]其中，所述拋光層的直徑為5(T800 mm，并且所述拋光層的厚度為1.5^5.0 mm。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型所述的化學(xué)機(jī)械拋光墊具有以下有益效果:
[0015]本實(shí)用新型所述的化學(xué)機(jī)械拋光墊，可以用于光學(xué)玻璃或樹脂鏡片，半導(dǎo)體硅或二氧化硅基片，以及其它電子器件所采用的介質(zhì)材料基片或金屬基片的拋光處理，而且所述裝置通過中心通孔給所述拋光裝置的拋光面補(bǔ)充拋光漿料，通過螺旋凹槽和輻射凹槽的設(shè)置不僅提高了拋光漿料的有效使用率，而且有利于減少基片中心區(qū)域以及周邊區(qū)域拋光量的偏差，不僅保證了適當(dāng)?shù)膾伖馑俾?，而且有利于減少拋光表面的劃痕數(shù)量；另外，由于外界的空氣也可以從所述中心通孔進(jìn)入到基片與拋光層的界面中，從而有利于基片的轉(zhuǎn)移。
【附圖說明】
[0016]圖1為實(shí)施例1所述化學(xué)機(jī)械拋光墊橫截面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為實(shí)施例1所述化學(xué)機(jī)械拋光墊的拋光面的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]以下將結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型所述的化學(xué)機(jī)械拋光墊做進(jìn)一步的闡述，以幫助本領(lǐng)域的技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)用新型構(gòu)思、技術(shù)方案有更完整、準(zhǔn)確和深入的理解。
[0019]實(shí)施例1
[0020]如圖f 2所示，本實(shí)施例所述的化學(xué)機(jī)械拋光墊，其包括背板層10和拋光層20，根據(jù)需要，所述拋光層的直徑為5(T800 mm，并且所述拋光層的厚度為1.5?5.0 mm;通常的，為了方便旋轉(zhuǎn)和按壓，所述背板層和所述拋光層為圓盤狀；而且所述背板層的直徑大于或等于所述拋光層的直徑；作為所述拋光層的材料，可以使用現(xiàn)有技術(shù)中已知的軟質(zhì)材料，例如常用的氨基樹脂、丙烯酸樹脂、聚丙烯樹脂、異氰酸酯樹脂、聚砜樹脂、ABS樹脂、聚碳酸樹脂或聚酰亞胺樹脂。所述背板層10具有支持面11和內(nèi)表面12 ;所述拋光層20具有在拋光漿料存在的條件下對(duì)基片表面進(jìn)行拋光的拋光面21，與所述背板層內(nèi)表面相粘結(jié)的非拋光面22 ;所述拋光層20具有中心區(qū)域23以及位于所述中心區(qū)域外的外圍區(qū)域24 ;所述拋光層20包括從所述拋光層的拋光面21延伸至所述背板層的支持面11的中心通孔25，以及位于中心區(qū)域23并且與該中心通孔同心并且通過十字通道26連通的多個(gè)環(huán)形凹槽27，以及從所述環(huán)形凹槽27向所述外圍區(qū)域延伸的多個(gè)輻射凹槽28，并且所述輻射凹槽28在所述外圍區(qū)域的外緣形成有分支凹槽29。所述環(huán)形凹槽的深度大于所述輻射凹槽以及分支凹槽的深度，所述環(huán)形凹槽、輻射凹槽以及分支凹槽的橫截面為U形、V形、長(zhǎng)方形或半圓形，所述環(huán)形凹槽、輻射凹槽以及分支凹槽的寬度為0.2?1.2 mm。本實(shí)施例所述的化學(xué)機(jī)械拋光墊，可以用于光學(xué)玻璃或樹脂鏡片，半導(dǎo)體硅或二氧化硅基片，以及其它電子器件所采用的介質(zhì)材料基片或金屬基片的拋光處理，而且所述裝置通過中心通孔給所述拋光裝置的拋光面補(bǔ)充拋光漿料，通過環(huán)形凹槽和曲線形凹槽的設(shè)置不僅提高了拋光漿料的有效使用率，而且有利于減少拋光基片中心區(qū)域以及周邊區(qū)域拋光量的偏差，不僅保證了適當(dāng)?shù)膾伖馑俾?，而且有利于減少拋光表面的劃痕數(shù)量；另外，由于外界的空氣也可以從所述中心通孔進(jìn)入到拋光基片與拋光層的界面中，從而有利于拋光基片的轉(zhuǎn)移。
[0021]對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，具體實(shí)施例只是對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了示例性描述，顯然本實(shí)用新型具體實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本實(shí)用新型的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種非實(shí)質(zhì)性的改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本實(shí)用新型的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場(chǎng)合的，均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種化學(xué)機(jī)械拋光墊，包括背板層和拋光層，所述背板層具有支持面和內(nèi)表面；其特征在于:所述拋光層具有在拋光漿料存在的條件下對(duì)基片表面進(jìn)行拋光的拋光面，與所述背板層內(nèi)表面相粘結(jié)的非拋光面，所述拋光層具有中心區(qū)域以及位于所述中心區(qū)域外的外圍區(qū)域；并且所述拋光層包括從所述拋光層的拋光面延伸至所述背板層的支持面的中心通孔，以及位于中心區(qū)域并且與該中心通孔同心并且通過十字通道連通的多個(gè)環(huán)形凹槽，以及從所述環(huán)形凹槽向所述外圍區(qū)域延伸的多個(gè)輻射凹槽，并且所述輻射凹槽在所述外圍區(qū)域的外緣形成有分支凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光墊，其特征在于:所述環(huán)形凹槽的深度大于所述輻射凹槽以及分支凹槽的深度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光墊，其特征在于:所述環(huán)形凹槽的橫截面為U形、V形、長(zhǎng)方形或半圓形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光墊，其特征在于:所述輻射凹槽的橫截面為U形、V形、長(zhǎng)方形或半圓形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光墊，其特征在于:所述分支凹槽的橫截面為U形、V形、長(zhǎng)方形或半圓形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光墊，其特征在于:所述環(huán)形凹槽、輻射凹槽以及分支凹槽的寬度為0.2^1.2 mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光墊，其特征在于:所述背板層和所述拋光層為圓盤狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光墊，其特征在于:所述背板層的直徑大于或等于所述拋光層的直徑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光墊，其特征在于:所述拋光層的直徑為5(Γ800mm，并且所述拋光層的厚度為1.5^5.0 mm。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種化學(xué)機(jī)械拋光墊，包括背板層和拋光層，所述拋光層具有拋光面與非拋光面，所述拋光層具有中心區(qū)域以及外圍區(qū)域；并且所述拋光層包括從所述拋光層延伸至所述背板層的支持面的中心通孔，以及位于中心區(qū)域并且與該中心通孔同心并且通過十字通道連通的多個(gè)環(huán)形凹槽，以及從所述環(huán)形凹槽向所述外圍區(qū)域延伸的多個(gè)輻射凹槽，并且所述輻射凹槽在所述外圍區(qū)域的外緣形成有分支凹槽。本實(shí)用新型所述的化學(xué)機(jī)械拋光墊，可以用于光學(xué)玻璃或樹脂鏡片，半導(dǎo)體硅或二氧化硅基片，以及其它電子器件所采用的介質(zhì)材料基片或金屬基片的拋光處理，而且有利于減少拋光表面的劃痕數(shù)量，且有利于拋光基片的轉(zhuǎn)移。
【IPC分類】B24B37-26
【公開號(hào)】CN204277742
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420630426
【發(fā)明人】張海龍, 張海民, 王用堂
【申請(qǐng)人】安陽方圓研磨材料有限責(zé)任公司
【公開日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2014年10月29日