用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜，它包括半導體加熱爐體，所述半導體加熱爐體兩端分別安裝有正導電電極和負導電電極，所述半導體加熱爐體上側(cè)開設有鋁分子蒸汽揮發(fā)口，所述半導體加熱爐體下側(cè)開設有多個原料進口。該用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜具有設計科學、實用性強、結(jié)構合理、鋁分子利用率高、鋁分子揮發(fā)效果好和生產(chǎn)質(zhì)量高的優(yōu)點。
【專利說明】
用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及一種鋁鍍膜原料加熱裝置，具體的說，涉及了一種用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜?！颈尘凹夹g】
[0002]壓腔熱床爐鏜作為真空卷繞鍍膜機的重要組成部分，用于加熱鋁絲使之汽化，形成鋁分子蒸汽以便完成鍍膜工藝。現(xiàn)有的壓腔熱床爐鏜大多采用開放式結(jié)構，同時間隔設置加熱帶進行加熱，由于加熱帶直接溫度變化導致加熱產(chǎn)生的蒸氣流局部紊亂、金屬蒸氣濃度下降、有效利用極低，非自由區(qū)的二次污染，鍍層金屬在薄膜上的沉積結(jié)合度、均勻度極差。
[0003]為了解決以上存在的問題，人們一直在尋求一種理想的技術解決方案。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術的不足，從而提供一種設計科學、實用性強、結(jié)構合理、鋁分子利用率高、鋁分子揮發(fā)效果好和生產(chǎn)質(zhì)量高的用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術方案是:一種用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜，它包括半導體加熱爐體，所述半導體加熱爐體兩端分別安裝有正導電電極和負導電電極，所述半導體加熱爐體上側(cè)開設有鋁分子蒸汽揮發(fā)口，所述半導體加熱爐體下側(cè)開設有多個原料進口。
[0006]基于上述，多個所述原料進口成排狀設置在所述半導體加熱爐體上。
[0007]基于上述，所述半導體加熱爐體是柱狀中空爐體，所述正導電電極和所述負導電電極分別是環(huán)狀電極，所述環(huán)狀電極壓接在所述柱狀中空爐體的兩側(cè)。
[0008]基于上述，所述柱狀中空爐體一側(cè)開設有檢修口，所述檢修口處鎖閉有檢修門。
[0009]基于上述，所述鋁分子蒸汽揮發(fā)口處設置有鋁分子蒸汽穩(wěn)壓管。
[0010]基于上述，所述鋁分子蒸汽揮發(fā)口開設在所述柱狀中空爐體的上方，多個所述原料進口成排狀設置在所述柱狀中空爐體的軸心線上。
[0011]本發(fā)明相對現(xiàn)有技術具有突出的實質(zhì)性特點和顯著的進步，具體的說，本發(fā)明利用所述正導電電極和所述負導電電極對所述半導體加熱爐體進行加熱，使得爐體內(nèi)溫度均勻，進而使得產(chǎn)生的鋁分子蒸汽均勻上升，防止局部蒸汽流紊亂的問題，進而保證鍍膜的均勻性和一致性，其具有設計科學、實用性強、結(jié)構合理、鋁分子利用率高、鋁分子揮發(fā)效果好和生產(chǎn)質(zhì)量高的優(yōu)點?！靖綀D說明】
[0012]圖1是本發(fā)明的結(jié)構示意圖。
[0013]圖中:1.半導體加熱爐體;2.正導電電極;3.負導電電極;4.鋁分子蒸汽揮發(fā)口；5.原料進口；6.錯分子蒸汽穩(wěn)壓管?！揪唧w實施方式】
[0014]下面通過【具體實施方式】，對本發(fā)明的技術方案做進一步的詳細描述。
[0015]如圖1所示，一種用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜，該爐鏜屬于真空卷繞鍍膜機的一部分，整個爐鏜設置在真空環(huán)境內(nèi)，能夠?qū)X絲汽化進行提供鋁分子蒸汽，配合上下游設備完成鍍膜工藝。該用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜包括半導體加熱爐體1，所述半導體加熱爐體1 采用SiC等半導體采集制成，滿足高溫加熱需求即可。所述半導體加熱爐體1兩側(cè)分別安裝有正導電電極2和負導電電極3，通過電極外加加熱電路進行爐鏜溫度的控制。所述半導體加熱爐1體上側(cè)開設有鋁分子蒸汽揮發(fā)口 4,在所述半導體加熱爐體1加熱的鋁絲變?yōu)殇X分子蒸汽后通過該鋁分子蒸汽揮發(fā)口 4進入下游設備完成鍍膜。為了便于原料鋁絲的進入，所述半導體加熱爐體1下側(cè)開設有多個原料進口 5。
[0016]為了便于輸送原料鋁絲所述原料進口 5設置鋁絲輸送盤，該鋁絲輸送盤采用現(xiàn)有技術以便鋁絲的自動化輸送。為了保證鋁絲加熱的均勻性，多個所述原料進口 5成排狀設置在所述半導體加熱爐體1上。
[0017]本實施例中，所述半導體加熱爐體1是柱狀中空爐體，所述正導電電極2和所述負導電電極3分別是環(huán)狀電極，所述環(huán)狀電極壓接在所述柱狀中空爐體的兩側(cè)。配合該柱狀中空爐體，所述鋁分子蒸汽揮發(fā)口 4開設在所述柱狀中空爐體的上方，多個所述原料進口 5成排狀設置在所述柱狀中空爐體的軸心線上。
[0018]采用柱狀中空爐體便于安裝，便于設置電極、原料進口5等的位置，同時保證加熱的均勻性，使得所述半導體加熱爐體1產(chǎn)生均勻的鋁分子蒸汽流，以此保證鍍膜質(zhì)量。
[0019]為了便于檢修，所述柱狀中空爐體一側(cè)開設有檢修口，所述檢修口處鎖閉有檢修門。生產(chǎn)時閉合所述檢修門，使得所述柱狀中空爐體形成密閉空間，保證鋁分子蒸汽流通過所述鋁分子蒸汽揮發(fā)口 4均勻揮發(fā)處。
[0020]為了便于導向蒸汽流，所述鋁分子蒸汽揮發(fā)口 4處設置有鋁分子蒸汽穩(wěn)壓管6，以此保證鋁分子蒸汽流向的穩(wěn)定性。
[0021]該用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜整合鋁分子蒸汽流的流向，增大蒸氣區(qū)域金屬分子濃度及壓力，使得金屬分子類轟擊基材薄膜，進而實現(xiàn)金屬分子有效沉積，形成導電、耐蝕的高性能金屬鍍層;并且由于錯分子蒸氣濃度高、方向性好，在基膜上的沉積速度加快，膜材經(jīng)過高溫沉積區(qū)的時間短，基膜受損減小，耐壓提高。
[0022]所述柱狀中空爐體結(jié)構形成的鋁分子揮發(fā)高壓源，在類轟擊作用下消除柱狀晶體，代之而形成的是均勻的顆粒狀晶體，提高了金屬膜層壓應力及金屬材料的疲勞壽命，蒸氣分子束對膜層的轟擊作用影響到膜的形態(tài)、結(jié)晶組分、物理性能和許多其他特性。
[0023]最后應當說明的是:以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案而非對其限制；盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，所屬領域的普通技術人員應當理解:依然可以對本發(fā)明的【具體實施方式】進行修改或者對部分技術特征進行等同替換;而不脫離本發(fā)明技術方案的精神，其均應涵蓋在本發(fā)明請求保護的技術方案范圍當中。
【主權項】
1.一種用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜，其特征在于:它包括半導體加熱爐體，所述半導體加熱爐體兩端分別安裝有正導電電極和負導電電極，所述半導體加熱爐體上側(cè)開設有鋁分子蒸汽揮發(fā)口，所述半導體加熱爐體下側(cè)開設有多個原料進口。2.根據(jù)權利要求1所述的用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜，其特征在于:多個所述原料進口成排狀設置在所述半導體加熱爐體上。3.根據(jù)權利要求1或2所述的用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜，其特征在于:所述半導體加熱爐體是柱狀中空爐體，所述正導電電極和所述負導電電極分別是環(huán)狀電極，所述環(huán)狀電極壓接在所述柱狀中空爐體的兩側(cè)。4.根據(jù)權利要求3所述的用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜，其特征在于:所述柱狀中空爐體一側(cè)開設有檢修口，所述檢修口處鎖閉有檢修門。5.根據(jù)權利要求4所述的用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜，其特征在于:所述鋁分子蒸汽揮發(fā)口處設置有鋁分子蒸汽穩(wěn)壓管。6.根據(jù)權利要求3所述的用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜，其特征在于:所述鋁分子蒸汽揮發(fā)口開設在所述柱狀中空爐體的上方，多個所述原料進口成排狀設置在所述柱狀中空爐體的軸心線上。
【文檔編號】C23C14/24GK106086794SQ201610733091
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年8月27日
【發(fā)明人】王軍友, 陳鴻杰
【申請人】王軍友, 陳鴻杰