用于蝕刻或沉積室應用的長壽命的熱噴涂涂層的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于蝕刻或沉積室應用的長壽命的熱噴涂涂層。根據(jù)本公開，提供了若干發(fā)明，包含具有被配置為面對等離子體并耐受腐蝕的多層表面的襯底處理裝置。在一個實例中，這些多層表面可以包含鋁基底層、陽極化鋁、或石英、第二穩(wěn)定氧化鋯層以及第二釔?鋁復合物層諸如釔鋁石榴石層(YAG)。
【專利說明】
用于蝕刻或沉積室應用的長壽命的熱噴涂涂層
技術領域
[0001] 本發(fā)明涉及可在半導體處理中使用的涂層表面的形成。
【背景技術】
[0002] 在半導體材料處理設施中，等離子體處理室通常用于例如蝕刻和沉積。這些室的 壁以及襯里、處理套件和電介質窗口經(jīng)常暴露于腐蝕性和侵蝕性的工藝氣體、以及等離子 體。因此，通常由鋁制成的等離子室有時涂覆有保護層以延長室的壽命。
[0003] 美國專利No. 8，619，406B2描述了一種氧化釔(三氧化二釔，Y2〇3)涂層，其已被直接 施加到鋁上或帶有氧化鋁中間層。氧化釔的改進是氧化釔穩(wěn)定氧化鋯(YSZ，Zr0 2:Y203)。也 可以將這些成分中的任一種與其它成分形成層。例如，美國專利No.6,942,929描述了在鋁 上的釔鋁石榴石(YAGJ 3Al5O12)涂層。美國專利公布No. 2008/0169588A1描述了一種涂層， 其中具有在第三氧化鋁層上的氧化釔外層和YAG中間層。另一個例子是美國專利公布 NO.2014/0295670A1，其描述了一種在鋁或鋁合金上的氧化鋁上的氧化釔涂層。
[0004] 考慮到在等離子體處理室磨損后關停它們的費用和損失時間，具有較長壽命并且 針對腐蝕性工藝化學品會有較好的保護的室涂層會有益處。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 這里描述了多種創(chuàng)造性的實施方式，一種實施方式是一種包含被配置為容納等離 子體的室的襯底處理裝置，其中該裝置可以包含定位為面向所述等離子體的一個或多個多 層表面，所述一個或多個多層表面各自可以包含:基底材料;在所述基底材料上的第一層， 所述第一層包含用摻雜劑氧化物穩(wěn)定的氧化鋯；以及在所述第一層上的第二層，其包含釔-鋁復合物。
[0006] 在另一實施方式中，所述一個或多個多層表面中的至少一個可以是透明的石英 窗。所述實施方式還可以包括:光譜傳感器，其被定位成通過所述石英窗在所述室內(nèi)部獲取 光譜測量結果;模數(shù)轉換器，其被配置成將對應于所述光譜測量結果的信號轉換成一個或 多個數(shù)字信號；以及通用計算機，其可以包含:一個或多個處理器;數(shù)字存儲器系統(tǒng)；以及1/ 〇總線，其與所述模數(shù)轉換器通信并且被配置為接收所述一個或多個數(shù)字信號；以及一個或 多個互連總線，其被配置為在所述一個或多個處理器、所述數(shù)據(jù)接收器、所述數(shù)字存儲器系 統(tǒng)、和I /0總線之間傳輸數(shù)據(jù)。
[0007] 在另一實施方式中，一種操作本發(fā)明公開的上述裝置或相關的裝置的方法可以包 含:使用光譜傳感器以反復地通過石英窗獲取所述室內(nèi)的鋯含量的光譜測量結果，其中，所 述光譜測量結果通過所述模數(shù)轉換器轉換成所述一個或多個數(shù)字信號并被傳送到所述通 用計算機的所述I/O總線;使所述通用計算機運行計算機可執(zhí)行程序指令，該計算機可執(zhí)行 程序指令包括用以監(jiān)視所述數(shù)字信號直到所述信號反映所述室中的鋯的含量的峰值并且 接著發(fā)送指示所述裝置內(nèi)的表面上的涂層的失效的信號的指令。
[0008] 在另一實施方式中，一種制造本發(fā)明公開的上述裝置或相關的裝置中的任意一個 的方法，對于所述一個或多個表面的每一個表面，該方法可以包含:提供基底材料;通過使 所述表面暴露于等離子體熱噴涂而在所述基底材料形成第一層；以及在形成所述第一層之 后，通過使所述表面暴露于等離子體熱噴涂而在所述第一層上形成第二層。
[0009]具體而言，本發(fā)明的一些方面可以描述如下： 1. 一種包含被配置為容納等離子體的室的襯底處理裝置，其中所述裝置包含定位為面 向所述等離子體的一個或多個多層表面，所述一個或多個多層表面各自包含： 基底材料； 在所述基底材料上的第一層，所述第一層包含用摻雜劑氧化物穩(wěn)定的氧化鋯；以及 在所述第一層上的第二層，其包含釔-鋁復合物。 2. 根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述釔-鋁復合物是釔鋁石榴石(YAG)。 3. 根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述釔-鋁復合物是釔鋁單斜相(YAM)和釔鋁鈣鈦礦 (YAP)0 4. 根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述第一層是氧化釔穩(wěn)定氧化鋯(YSZ)。 5. 根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述基底材料是金屬鋁或鋁合金。 6. 根據(jù)條款5所述的裝置，其還包含在所述基底材料上面且在所述第一層下面的包含 氧化鋁的第三層。 7. 根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述基底材料是石英。 8. 根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述第一層具有至少約0.05mm并且不大于約0.1 mm的厚 度，并且其中所述第二層具有至少約0.05mm且不大于約0.15mm的厚度。 9. 根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述第一層和所述第二層的總厚度小于約0.2_。 10. 根據(jù)條款1所述的裝置，其中，所述一個或多個多層表面中的至少一個是被配置成 配合在所述室內(nèi)以面對等離子體的能更換的室襯里，使得其能從所述室中取出并更換為相 同的室襯里以翻新所述裝置。 11. 根據(jù)條款1所述的裝置，其中，所述一個或多個多層表面中的至少一個是透明的石 英窗。 12. 根據(jù)條款11所述的裝置，其還包括： 光譜傳感器，其被定位成通過所述石英窗在所述室內(nèi)獲取光譜測量結果； 模數(shù)轉換器，其被配置成將對應于所述光譜測量結果的信號轉換成一個或多個數(shù)字信 號；以及 通用計算機，其包含： 一個或多個處理器； 數(shù)字存儲器系統(tǒng)；以及 I/O總線，其與所述模數(shù)轉換器通信并且被配置為接收所述一個或多個數(shù)字信號；以及 一個或多個互連總線，其被配置為在所述一個或多個處理器、所述數(shù)據(jù)接收器、所述數(shù) 字存儲器系統(tǒng)、和所述I/O總線之間傳輸數(shù)據(jù)。 13. 根據(jù)條款12所述的裝置，其中所述數(shù)字存儲器系統(tǒng)裝載有包含用于通過一系列的 步驟反復地循環(huán)的指令的可執(zhí)行程序指令，在所述循環(huán)中的所述步驟包含： (1)從所述模數(shù)轉換器接收來自所述一個或多個數(shù)字信號中的數(shù)字信號，其中該信號 是反映在所述室內(nèi)的鋯含量的光譜測量結果的值； (2) 比較所述值與表示反映所述室內(nèi)的一個或多個表面失效的最大的鋯含量的閾值； (3) 如果所述值等于和/或超過所述閾值，則結束所述循環(huán)，并發(fā)送表示所述裝置內(nèi)的 表面上的涂層失效的信號;否則，重復所述循環(huán)。 14. 一種操作根據(jù)條款12所述的裝置的方法，其包含： 使用所述光譜傳感器以反復地通過所述石英窗獲取所述室內(nèi)的鋯含量的光譜測量結 果，其中，所述光譜測量結果通過所述模數(shù)轉換器轉換成所述一個或多個數(shù)字信號并被傳 送到所述通用計算機的所述I/O總線； 使所述通用計算機運行計算機可執(zhí)行程序指令，該計算機可執(zhí)行程序指令包括用以監(jiān) 視所述數(shù)字信號直到所述信號反映所述室中的鋯含量的峰值并且接著發(fā)送表示所述裝置 內(nèi)的表面上的涂層失效的信號的指令。 15. -種制造根據(jù)條款1所述的裝置的方法，對于所述一個或多個表面中的每一個表 面，所述方法包含： 提供所述基底材料； 通過使所述表面暴露于等離子體熱噴涂而在所述基底材料上形成所述第一層;以及 在形成所述第一層之后，通過使所述表面暴露于等離子體熱噴涂而在所述第一層上形 成所述第二層。
[0010] 本發(fā)明的這些和其它特征將在下面在詳細描述中結合附圖進行描述。
【附圖說明】
[0011] 本公開的發(fā)明在附圖的圖中通過舉例的方式示出，而不是通過限制的方式示出， 并且在附圖中類似的附圖標記指代相似的元件，并且其中：
[0012] 圖1是多層涂層的示意性剖面圖。
[0013] 圖2是可用于實施所公開的發(fā)明中的處理室的示意圖。
[0014] 圖3是示出用于創(chuàng)建多層涂層的工藝的流程圖。
[0015] 圖4是用于實現(xiàn)所公開的發(fā)明的實施方式中使用的傳感器處理系統(tǒng)的計算機系統(tǒng) 的示意圖。
【具體實施方式】
[0016] 發(fā)明現(xiàn)在將參考一些如在附圖中所圖解的本發(fā)明的實施方式詳細地說明。在以下 的說明中，具體的細節(jié)被闡述以便提供對本發(fā)明的透徹理解。然而，本發(fā)明可以在沒有這些 具體細節(jié)中的一些或全部的情況下實施，并且本公開包括可以按照本技術領域中通?？捎?的知識作出的修改方案。公知的工藝步驟和/或結構沒有詳細描述以免不必要地模糊本公 開。
[0017] 在具有特定的現(xiàn)有技術的氧化釔涂層的等離子體處理室中，發(fā)明人已經(jīng)觀察到 3700個射頻小時的平均壽命。這種失效可能是早得多，具體取決于等離子體工藝的化學過 程。對于這樣的涂層失效機制可以包含在例如暴露于氯或氟時在清潔期間脫層。然而發(fā)明 人觀察到，在涉及HF溶液以模擬在反應器中的氟等離子體暴露的測試中，鋁上的YSZ涂層相 比于Y 2O3涂層可以持續(xù)長約10倍。然而，在涉及HCl溶液以模擬在反應器中的氯等離子體暴 露的類似測試中，涂層壽命的改善極小。在涉及HCl溶液以模擬在反應器中的氯等離子體暴 露的類似測試中，在鋁上的YAG涂層相比于Y2O3涂層可以持續(xù)長約6倍，但僅涉及HF溶液的類 似試驗，相對于Y2〇3,壽命大約增加一倍。熱循環(huán)似乎并不顯著影響這些結果。發(fā)明人已確 定，將YAG的優(yōu)點與YSZ的優(yōu)點合并在單一的涂層中是有利的，該單一的涂層尤其對HCl和HF 兩者有耐性。
[0018] 圖1示出了在同一涂層組合YSZ和YAG的優(yōu)點的這樣的涂層100的一個實施方式。在 這個實施例中，鋁是將被涂覆的基底/主體材料101，其是等離子體室的內(nèi)表面。在該鋁上面 是Al 2O3層102。在Al2O3層102上是YSZ層103。最后，在頂部是YAG層104。在本實施例中的YAG 層104面對室的等離子體側。
[0019] 在其它實施方式中，在層103中，氧化鋯可以利用氧化釔以外的其它氧化物保持穩(wěn) 定，其它氧化物如氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、和氧化鈰（III)(Ce 2O3)、氧化銥（IV) (IrO2)、 氧化鈦(IV)(TiO2)、或來自原子序數(shù)57(La)至71(Lu)中的元素的氧化物。在另一實施方式 中，Al 2O3層102可被省略。此外，其它實施方式可包含其它的釔-鋁復合物，例如釔鋁單斜相 (YAM)和釔鋁鈣鈦礦(YAP)。在某些情況下，YAG涂層可以含有少量其它成分，例如YAP和/或 YAM，同時仍然被認為是YAG。
[0020] 在其它實施方式中，可以存在其它材料中間層，或以任意順序排列的多個任何上 述材料層?？梢允褂酶鞣N等離子體處理室基底材料101，其包含鋁(A1)、氧化鋁(Al 2〇3)、在Al 上的Al2O3膜(例如，通過陽極氧化創(chuàng)建的）、不含鋁的金屬、石英、或其它已知的等離子體室 材料。
[0021 ]在一個實施例中，涂層層103和涂層層104可以通過等離子體熱噴涂施加。在其它 實施方式中，它們可以通過濺射、等離子體增強化學氣相沉積或其它化學氣相沉積、電子束 物理氣相沉積或其它物理氣相沉積、化學溶液沉積、原子層沉積、脈沖激光沉積、陰極電弧 沉積、電流體動力施加沉積、溶膠-凝膠前體沉積、氣溶膠沉積、和類似沉積來施加。
[0022]在一實施方式中，層103和層104的總厚度為約0.2mm(8密爾）。這些層的總厚度可 以是更大或更小;然而，存在與這些層的厚度有關的權衡。這些層越厚，涂層的耐腐蝕性可 能越強，并且壽命可能越長。然而，當所述層變厚時，對下伏的一個或多個層的粘合性可能 降低。因此，假設表面可被均勻地涂覆，則越薄的層可能越好。在一個實施方式中，層103可 以是約0.05-0.1mm(2-4密爾）厚，而層104可以是約0.05-0.15mm(2-6密爾）厚。
[0023] 如上所述，在一實施方式中，表面可被構造為在失效之前維持約6000至10000個RF 小時的壽命，或者在另一實施方式中，大于10000個RF小時的壽命。表面也可被設計成在給 定的預期范圍內(nèi)失效，例如在6000至8000個RF小時、7000至9000個RF小時、或者8000至 10000個RF小時的范圍內(nèi)失效。
[0024] 該室可以以本技術領域中已知的各種方式來配置。合適的室可以包含由朗姆研究 公司（Lam Research Corporation)提供的23.0.0*1 VersyS^Kiyc^S111 室或類似物。表面可 以由本技術領域中已知的任何方法來形成。此外，在一實施方式中，中間含鋯層和外部的 釔-鋁復合層兩者可以通過等離子體熱噴涂沉積。在一實施方式中，由鋁制成的等離子體室 的內(nèi)部和/或一個或多個石英窗可以通過等離子體熱噴涂進行涂覆，以產(chǎn)生至少兩個涂層。
[0025] 在另一實施方式中，等離子體室可以包含一個或多個可更換的襯里。這些襯里可 在受控環(huán)境中涂覆，然后插入到等離子體室中。圖2是表示可更換的經(jīng)涂覆的襯里的等離子 體處理室的一個實施方式的示意性的簡化圖。在室200內(nèi)，卡盤201可以被用于保持襯底。噴 射器202可用于注入工藝氣體到室內(nèi)。襯里204、205和206可以在任何配置中用于保護該室 免被腐蝕。這種襯里可以由任何合適的材料制成。在一實施方式中，襯里可以由鋁制成，并 根據(jù)本文中所述的涂層中的一種涂覆。
[0026]圖2的實施方式包含石英窗203,如本文所述，也可以對石英窗203進行涂覆，其中 涂層面向室的等離子體側。在一實施方式中，傳感器207可以被放置在石英窗的后面，并通 過傳感器電路連接到處理器208以對來自傳感器207的信號進行處理。
[0027] 在一實施方式中，如本文所描述的被涂覆的表面的失效，可以通過使用傳感器識 別以監(jiān)控鋯在室中的存在。在鋯僅是中間層內(nèi)的組分的配置中，其中，鋯可因此作為在該鋯 層之上的層已被破壞的信號。在一個實例中，鋯峰值可以在等離子體中被識別，或在被處理 的襯底的表面上被識別。這樣的峰值可以指示，例如，存在已通過外部的YAG層的顯著的腐 蝕并且中間的YSZ層正被腐蝕。因此，這可能會導致所測量的鋯的含量的顯著升高。峰值可 以以幾種方式被識別，包含針對室內(nèi)的鋯濃度設定預定的閾值，使得當達到閾值時，這可能 表明在室中的表面涂層已失效。在替代的實施方式中，可以為作為時間的函數(shù)的鋯濃度的 變化速度設定閾值。
[0028] 當室的內(nèi)部的涂層失效時，室可被更換或重新涂覆，或室的一部分可以被更換或 重新涂覆。在一實施方式中，室可包含可更換的經(jīng)涂覆的襯里，并且當多個襯里中的一個襯 里上的涂層失效時，該襯里可以更換。在另一實施方式中，石英窗插入件可以類似地被涂 覆，并且當涂層失效時將窗更換。在另一實施方式中，進入室內(nèi)的氣體噴射器可以如上所述 進行涂覆，并且當在氣體噴射器上的涂層失效時，可更換噴射器。
[0029] 圖3示出了用于確定室的內(nèi)部的表面(特別是可更換的襯里的表面)何時已失效的 算法的一實施方式。在步驟301中，傳感器207可以用來測量室內(nèi)的鋯的含量。只要沒有檢測 到鋯含量的峰值，該工藝就循環(huán)(302)。但是，如果檢測到峰值，該過程可以指示操作員，室 涂層已失效，303。在一實施方式中，操作者可以通過以下操作做出響應:使工藝停止，檢查 襯里，并且更換所有的襯里，或者僅僅更換已失效的一個或多個襯里。該算法可以通過本技 術領域中已知的模擬報警電路，或者通過例如專用或通用計算機之類的數(shù)字電路來執(zhí)行。 可以通過各種方式，包含通過視覺顯示器、聲頻警報、或文本消息通知操作者。在一實施方 式中，這種通知可以通過有線或無線網(wǎng)絡，或者經(jīng)由任何適當?shù)碾娦沤橘|發(fā)送。
[0030] 圖4是圖解計算機系統(tǒng)400的高階框圖，計算機系統(tǒng)400用于實現(xiàn)在所公開發(fā)明的 實施方式中使用的傳感器處理系統(tǒng)。該計算機系統(tǒng)可具有許多物理形式，范圍從集成電路、 印刷電路板和小型手持設備到巨型超級計算機。該計算機系統(tǒng)400包括一個或多個處理器 402,并且還可以包括電子顯示裝置404(用于顯示圖形、文本、和其它數(shù)據(jù)）、主存儲器406 (例如，隨機存取存儲器(RAM))、存儲裝置408(例如，硬盤驅動器）、可移動存儲設備410(例 如，光盤驅動器）、用戶接口設備412(例如，鍵盤、觸摸屏、小型鍵盤，鼠標或其它指針設備 等）、和/或通信接口414(例如，無線網(wǎng)絡接口）。通信接口414可以使得軟件和數(shù)據(jù)能在計算 機系統(tǒng)400和外部設備之間經(jīng)由鏈路傳送。該系統(tǒng)還可以包括通信構架416(例如，通信總 線、交叉桿、或網(wǎng)絡），前述的裝置/模塊可以連接到該通信構架416上。
[0031]經(jīng)由通信接口 414傳送的信息可以是信號的形式，如電子信號、電磁信號、光學信 號、或其它能夠通過通信接口 414、經(jīng)由傳輸信號并且可以使用有線或電纜、光纖、電話線、 蜂窩電話鏈路、射頻鏈路、和/或其它通信信道實現(xiàn)的通信鏈路接收的其它信號的形式。利 用這樣的通信接口，可以設想，一個或多個處理器402可以從網(wǎng)絡接收信息，或者可以在執(zhí) 行上述方法步驟的過程中輸出信息到網(wǎng)絡。此外，本發(fā)明的方法實施方式可通過處理器單 獨執(zhí)行，或者可以通過網(wǎng)絡(例如互聯(lián)網(wǎng)）結合共享該處理一部分的遠程處理器執(zhí)行。
[0032]術語"非暫態(tài)計算機可讀介質"一般用來指介質，例如主存儲器、輔助存儲器、可移 動存儲裝置和存儲設備，諸如硬盤、閃存、磁盤驅動器存儲器、CD-ROM光盤和其它形式的永 久性存儲器，并不得被解釋為涵蓋暫態(tài)主題，諸如載波或信號。計算機代碼的示例包括機器 代碼(如由編譯器產(chǎn)生）以及包含由使用解釋器的計算機執(zhí)行的更高級代碼的文件。計算機 可讀介質也可以是通過包含在載波中的計算機數(shù)據(jù)信號傳輸并且表示由處理器執(zhí)行的指 令序列的計算機代碼。
[0033] 計算機設備400可以作為用于處理來自圖2中的傳感器207的信號的處理器208。例 如，來自傳感器207的信號可以通過模數(shù)轉換計算機進行處理，使得數(shù)字信號可以例如經(jīng)由 可以包含在I/O總線的通信接口 414被發(fā)送到計算設備208。
[0034]雖然已經(jīng)根據(jù)幾個優(yōu)選實施例對發(fā)明進行了描述，但仍有落入本發(fā)明的范圍之內(nèi) 的變形、置換和各種替代的等同方案。存在實施本文所公開的方法和裝置的許多替代方式。 因此，意在將下面所附的權利要求解釋為包括所有這些落入本發(fā)明的真實精神和范圍內(nèi)的 變形、置換和各種替代等同方案。
【主權項】
1. 一種包含被配置為容納等離子體的室的襯底處理裝置，其中所述裝置包含定位為面 向所述等離子體的一個或多個多層表面，所述一個或多個多層表面各自包含： 基底材料； 在所述基底材料上的第一層，所述第一層包含用摻雜劑氧化物穩(wěn)定的氧化鋯；以及 在所述第一層上的第二層，其包含釔-鋁復合物。2. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述釔-鋁復合物是釔鋁石榴石(YAG)。3. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述釔-鋁復合物是釔鋁單斜相(YAM)和釔鋁鈣鈦 礦(YAP)〇4. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述第一層是氧化釔穩(wěn)定氧化鋯(YSZ)。5. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述基底材料是金屬鋁或鋁合金。6. 根據(jù)權利要求5所述的裝置，其還包含在所述基底材料上面且在所述第一層下面的 包含氧化鋁的第三層。7. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述一個或多個多層表面中的至少一個是透明的 石英窗。8. 根據(jù)權利要求7所述的裝置，其還包括： 光譜傳感器，其被定位成通過所述石英窗在所述室內(nèi)獲取光譜測量結果； 模數(shù)轉換器，其被配置成將對應于所述光譜測量結果的信號轉換成一個或多個數(shù)字信 號；以及 通用計算機，其包含： 一個或多個處理器； 數(shù)字存儲器系統(tǒng)；以及 I/O總線，其與所述模數(shù)轉換器通信并且被配置為接收所述一個或多個數(shù)字信號；以及 一個或多個互連總線，其被配置為在所述一個或多個處理器、所述數(shù)據(jù)接收器、所述數(shù) 字存儲器系統(tǒng)、和所述I/O總線之間傳輸數(shù)據(jù)。9. 一種操作根據(jù)權利要求8所述的裝置的方法，其包含： 使用所述光譜傳感器以反復地通過所述石英窗獲取所述室內(nèi)的鋯含量的光譜測量結 果，其中，所述光譜測量結果通過所述模數(shù)轉換器轉換成所述一個或多個數(shù)字信號并被傳 送到所述通用計算機的所述I/O總線； 使所述通用計算機運行計算機可執(zhí)行程序指令，該計算機可執(zhí)行程序指令包括用以監(jiān) 視所述數(shù)字信號直到所述信號反映所述室中的鋯含量的峰值并且接著發(fā)送表示所述裝置 內(nèi)的表面上的涂層失效的信號的指令。10. -種制造根據(jù)權利要求1所述的裝置的方法，對于所述一個或多個表面中的每一個 表面，所述方法包含： 提供所述基底材料； 通過使所述表面暴露于等離子體熱噴涂而在所述基底材料上形成所述第一層；以及 在形成所述第一層之后，通過使所述表面暴露于等離子體熱噴涂而在所述第一層上形 成所述第二層。
【文檔編號】C23C4/134GK106086762SQ201610263658
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年4月26日 公開號201610263658.0, CN 106086762 A, CN 106086762A, CN 201610263658, CN-A-106086762, CN106086762 A, CN106086762A, CN201610263658, CN201610263658.0
【發(fā)明人】劉金逸, 拉塞爾·奧蒙德, 納什·W·安德森, 戴維·M·舍費爾
【申請人】朗姆研究公司