磁盤用鋁合金板、磁盤用鋁合金坯體和磁盤用鋁合金基底的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及磁盤用鋁合金板、磁盤用鋁合金坯體和磁盤用鋁合金基底。
【背景技術(shù)】
[0002] 作為計算機等的記錄介質(zhì)而使用的磁盤是在非磁性的基板上形成磁性膜而成 的。一般來說，對于該基板要求輕量且具有高剛性，并要求有平滑的表面，因此使用JIS Η 4000 :2006所規(guī)定的5086合金（Al-Mg系合金）。
[0003] 對于該基板而言，使用所述合金制造為板材后，例如，對于該板材的表面按順序進 行鏡面加工、脫脂處理、酸蝕刻處理、剝黑膜處理、第一次鋅酸鹽處理、硝酸剝離處理、第二 次鋅酸鹽處理、無電解鍍Ni-P處理。然后，在無電解鍍Ni-P膜之上形成磁性膜等，制造磁 盤。
[0004] 用于磁盤的鋁（A1)合金基板例如如專利文獻1、2所述。具體來說，在專利文獻1 中記述有一種磁盤用鋁合金，其特征在于，含有Cu :0. 01至0. 1質(zhì)量％、Mg :3. 0至6. 0質(zhì) 量％、0 :0· 02 至 0· 1 質(zhì)量％、Zn :0· 04 至 0· 7 質(zhì)量％、Ni :0· 001 至 0· 02 質(zhì)量％，余量由 A1 和雜質(zhì)構(gòu)成，該雜質(zhì)之中，將Fe和Si限制為Fe :0. 02質(zhì)量％以下、Si :0. 02質(zhì)量％以下， 其他的不可避免的雜質(zhì)分別限制在0. 01質(zhì)量％以下，并且使Fe+Ni為0. 03質(zhì)量％以下， Al-Fe系金屬間化合物的最大尺寸為6 μπι以下，Mg-Si系金屬間化合物的最大尺寸為3 μπι 以下。
[0005] 另外，在專利文獻2中記述有一種磁盤用鋁合金基板，其含有Mg :3. 5質(zhì)量％以上 且4. 5質(zhì)量％以下、Si :0. 001質(zhì)量％以上且0. 06質(zhì)量％以下和Fe :0. 001質(zhì)量％以上且 0. 06質(zhì)量％以下，含有Cu :0. 01質(zhì)量％以上且0. 2質(zhì)量％以下和Zn :0. 001質(zhì)量％以上且 0. 4質(zhì)量％以下之中至少一種，此外作為必須成分，含有Cr :高于0. 10質(zhì)量％且0. 3質(zhì)量％ 以下和Μη :高于0. 10質(zhì)量％且0. 3質(zhì)量％以下之中至少一種，余量由A1和不可避免的雜 質(zhì)構(gòu)成，最大長度高于5 μπι的金屬間化合物為1個/mm2以下，并且平均晶粒直徑為20 μπι 以下。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0007] 專利文獻
[0008] 專利文獻1 :日本國專利第3794930號公報
[0009] 專利文獻2 :日本國專利第5199714號公報
[0010] 發(fā)明要解決的課題
[0011] 專利文獻1所述的磁盤用鋁合金基板，能夠一邊確保與現(xiàn)有的磁盤用鋁合金基板 同程度的機械性質(zhì)，一邊獲得期望的平滑度，再循環(huán)性優(yōu)異。另外，專利文獻2所述的磁盤 用鋁合金基板，鍍層凹坑等表面缺陷少，并且具有微細(xì)的晶粒組織，因此能夠減少鍍Ni-P 表面的微小起伏。
[0012] 但是，近年來，磁盤的高記錄密度化進一步推進，要求平滑性更高的鍍覆面。為了 順應(yīng)該要求，有減弱鍍前處理時的酸蝕刻處理的條件，抑制基板表面的蝕刻損傷這樣的意 向。
[0013] 若反映這樣的意向，對于專利文獻1、2所述的磁盤用鋁合金基板以弱條件進行酸 蝕刻處理，則可以提高形成鍍膜的板表面的平滑性。但是另一方面，一直以來想要以酸蝕刻 處理進行溶解的Al-Fe系金屬間化合物的一部分未被溶解而殘留。而且，以此為原因，結(jié)節(jié) 和氣體凹坑等的微小鍍覆缺陷發(fā)生。
[0014] 在此，圖1(a)~（h)是說明如下內(nèi)容的說明圖，即，說明對于將磁盤用鋁合金基板 進行鏡面加工而制造的基底（在圖1中記述為"基底"。該基底也被稱為研磨基底（GR基 底）。）以弱條件進行酸蝕刻處理后，進行鋅酸鹽處理和鍍Ni-P處理時發(fā)生的結(jié)節(jié)和氣體 凹坑等微小鍍覆缺陷及其發(fā)生機理的說明圖。
[0015] 圖1 (a)表不對磁盤用錯合金基板進彳丁鏡面加工而制造的基底。若對該基底的 表面進行脫脂處理，接著以弱條件的酸蝕刻處理，則如所述，Al-Fe系金屬間化合物的一部 分無法被溶解而殘留（圖1(b))。這一現(xiàn)象被認(rèn)為是由于減弱了酸蝕刻處理的條件，因此 Al-Fe系金屬間化合物在電化學(xué)上成為高電位而發(fā)生的。
[0016] 隨后，若對于圖1(b)所示的狀態(tài)的基底進行鋅酸鹽處理，則如圖1(c)所示，在未 溶解掉的Al-Fe系金屬間化合物（具體來說是Al-Fe-Mn系金屬間化合物和Al-Fe-Ni系金 屬間化合物）上有鋅異常析出。若在此狀態(tài)下進行無電解鍍Ni-P處理，則如圖1(d)所示， 在鋅異常析出的部分Ni-P鍍膜異常析出，形成穹狀的突起（所謂結(jié)節(jié)）。結(jié)節(jié)能夠在鍍覆 后通過磨光除去，但阻礙平滑性，使磨光時間增加。因此，生產(chǎn)率變差。
[0017] 另外，圖1(c)所示，對于鋅異常析出的基底，在鍍覆處理之前進行的清洗工序中， 所述未溶解的Al-Fe系金屬間化合物與鋅一起脫落，在A1面露出（圖1(e))。若在此狀態(tài) 下進行無電解鍍Ni-P處理，則如圖1(f)所示，不僅在A1面露出的部分無法成膜Ni-P鍍膜， 而且鍍液中所含的次磷酸與A1反應(yīng)，成為H2氣發(fā)生的起點，因此形成氣體凹坑。
[0018] 另一方面，若對于圖1(b)所示的狀態(tài)的基底進行鋅酸鹽處理，有鋅不均勻析出的 情況或鋅不析出的情況（圖1(g))。若在此狀態(tài)下進行無電解鍍Ni-P處理，則如圖1(h)所 示，未溶解的Al-Fe系金屬間化合物成為陰極，使H2氣繼續(xù)發(fā)生。因此，在這部分無法成膜 Ni-P鍍膜，而形成氣體凹坑。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0019] 本發(fā)明鑒于所述問題而形成，其課題在于，提供一種即使以弱條件進行鍍前處理 的酸蝕刻處理時，也難以發(fā)生微小鍍覆缺陷的磁盤用鋁合金板、磁盤用鋁合金坯體和磁盤 用鋁合金基底。
[0020] 用于解決課題的手段
[0021] 解決所述課題的本發(fā)明的磁盤用鋁合金板，其構(gòu)成為，含有Mg :3. 5~5. 5質(zhì)量％， Fe :限制在0. 025質(zhì)量％以下，Si :限制在0. 020質(zhì)量％以下，含有Cr :0. 010~0. 20質(zhì) 量％，含有Cu :0. 010~0. 1質(zhì)量％和Zn :0. 05~0. 4質(zhì)量％之中的至少一種，此外，Μη :限 制在0. 005質(zhì)量％以下，以及Ni :限制在0. 001質(zhì)量％以下，余量由Α1和不可避免的雜質(zhì) 構(gòu)成，Al-Fe-Mn系金屬間化合物中的元素構(gòu)成比以Mn/Fe比計為0. 50以下，以及Al-Fe-Ni 系金屬間化合物中的元素構(gòu)成比以Ni/Fe比計為0. 20以下，Al-Fe系金屬間化合物的絕對 最大長度為10 μ m以下。
[0022] 這樣一來，本發(fā)明的磁盤用鋁合金板因為特定化學(xué)組成，控制Al-Fe-Mn系金屬間 化合物中的元素構(gòu)成比、Al-Fe-Ni系金屬間化合物中的元素構(gòu)成比、和Al-Fe系金屬間化 合物的絕對最大長度，所以金屬間化合物相對于蝕刻溶液在電化學(xué)上難以成為高電位。因 此，本發(fā)明的磁盤用鋁合金板即使以弱條件進行鍍前處理的酸蝕刻處理，也能夠難以發(fā)生 微小鍍覆缺陷。另外，本發(fā)明的磁盤用鋁合金板因為分別含有既定量的Fe、Si、Cr，所以能 夠使屈服強度等的機械特性提高。
[0023] 本發(fā)明的磁盤用鋁合金坯體，采用將所述磁盤用鋁合金板沖裁成圓盤狀這樣的構(gòu) 成。
[0024] 本發(fā)明的磁盤用鋁合金坯體，因為將所述磁盤用鋁合金板沖裁成圓盤狀，所以難 以發(fā)生微小鍍覆缺陷。
[0025] 此外，本發(fā)明的磁盤用鋁合金基底采用的構(gòu)成是，使用所述磁盤用鋁合金坯體。
[0026] 本發(fā)明的磁盤用鋁合金基底因為使用所述磁盤用鋁合金坯體，所以難以發(fā)生微小 鍍覆缺陷。
[0027] 發(fā)明效果
[0028] 本發(fā)明的磁盤用鋁合金板因為特定化學(xué)組成，控制Al-Fe-Mn系金屬間化合物中 的元素構(gòu)成比、Al-Fe-Ni系金屬間化合物中的元素構(gòu)成比、和Al-Fe系金屬間化合物的絕 對最大長度，所以即使以弱條件進行鍍前處理的酸蝕刻處理時，也能夠難以發(fā)生微小鍍覆 缺陷。另外，磁盤用鋁合金板因為特定化學(xué)組成，所以屈服強度優(yōu)異。
[0029] 本發(fā)明的磁盤用鋁合金坯體因為將所述磁盤用鋁合金板沖裁成圓盤狀，所以即使 以弱條件進行鍍前處理的酸蝕刻處理時，也難以發(fā)生微小鍍覆缺陷。
[0030] 本發(fā)明的磁盤用鋁合金基底因為使用所述磁盤用鋁合金坯體，所以即使以弱條件 進行鍍前處理的酸蝕刻處理時，也難以發(fā)生微小鍍覆缺陷。
【附圖說明】
[0031] 圖1 (a)~（h)是說明對于基底以弱條件進行酸蝕刻處理后，進行鋅酸鹽處理和鍍 Ni-P處理時發(fā)生的結(jié)節(jié)和氣體凹坑等的微小鍍覆缺陷及其發(fā)生機理的說明圖。
【具體實施方式】
[0032] 以下，對于本發(fā)明的磁盤用鋁合金板、磁盤用鋁合金坯體和磁盤用鋁合金基底 (以下，分別僅稱為"A1合金板"、"坯體"和"基底"。）的一個實施方式詳細(xì)地加以說明。
[0033] 在此，在說明書中，以質(zhì)量為基準(zhǔn)的百分率（質(zhì)量％ )與以重量為基準(zhǔn)的百分率 (重量％ )相同。
[0034] [A1 合金板]
[0035] 本實施方式的A1合金板用于磁盤。本實施方式的A1合金板含有Mg :3. 5~5. 5質(zhì) 量％^6 :限制在0.025質(zhì)量％以下，Si :限制在0.020質(zhì)量％以下，含有Cr :0.010~0.20 質(zhì)量％，含有Cu :0. 010~0. 1質(zhì)量％和Zn :0. 05~0. 4質(zhì)量％之中的至少一種，此外，Μη : 限制在0. 005質(zhì)量％以下，以及Ni :限制在0. 001質(zhì)量％以下，余量由Α1和不可避免的雜 質(zhì)構(gòu)成。在由這樣的化學(xué)組成構(gòu)成的本實施方式的A1合金板中，Al-Fe-Mn系金屬間化合 物中的元素構(gòu)成比以Mn/Fe比計為0. 50以下，以及Al-Fe-Ni系金屬間化合物中的元素構(gòu) 成比以Ni/Fe比計為0. 20以下，使Al-Fe系金屬間化合物的絕對最大長度為10 μ m以下。
[0036] 還有，所謂絕對最大長度，例如，是指以掃描型電子顯微鏡（Scann