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一種電磁屏蔽鎂合金材料及其制備方法

文檔序號(hào):8218853閱讀:611來源:國(guó)知局
一種電磁屏蔽鎂合金材料及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及鎂合金材料,特別是涉及一種高電導(dǎo)率高屏蔽效能鎂合金屏蔽材料及其制備方法,屬于屏蔽材料及金屬材料領(lǐng)域。
[0002]
【背景技術(shù)】
[0003]目前,電子設(shè)備充斥人們的生活,電磁信號(hào)之間的相互干擾(EMI)引起的設(shè)備不穩(wěn)定日益嚴(yán)重,對(duì)于醫(yī)療、通信、軍工、航天等領(lǐng)域尤其重要。另外,電磁污染已經(jīng)成為繼水污染、大氣污染、噪音污染之后的第四大污染源,相關(guān)研宄表明長(zhǎng)時(shí)間暴露在電磁輻射環(huán)境下,將對(duì)人體組織產(chǎn)生不利影響,導(dǎo)致各種疾病。因此,電磁防護(hù)(或電磁屏蔽)日益凸顯其重要性,成為各國(guó)研宄的重點(diǎn)。
[0004]電磁防護(hù)主要取決于電磁發(fā)射源殼體的結(jié)構(gòu)及材料,其中材料是根本。目前常用的電磁屏蔽材料有金屬,如銅,鋁、鎳、鐵等。由于金屬具有較高的導(dǎo)電率(磁導(dǎo)率),所以對(duì)電磁波的反射(吸收)較高,且其易變形,強(qiáng)度高,是目前電磁屏蔽性能最好的材料。但是,金屬密度高,限制了其在某些領(lǐng)域的應(yīng)用。為了尋找質(zhì)量較輕的屏蔽材料,人們開發(fā)了各種涂層、復(fù)合材料及泡沫材料,特別是碳納米管和高聚物的復(fù)合材料一度成為研宄熱點(diǎn)。雖然這些材料質(zhì)量輕,耐腐蝕,但電磁屏蔽性能普遍不如金屬,且強(qiáng)度低,不適合用于結(jié)構(gòu)材料。
[0005]鎂合金作為工程應(yīng)用中密度最低的結(jié)構(gòu)材料,具有一系列優(yōu)點(diǎn)。作為屏蔽材料來說,其與傳統(tǒng)金屬相比,密度低,質(zhì)量輕,比強(qiáng)度高;與泡沫材料、涂層、復(fù)合材料相比,鎂合金屏蔽效能高,可用于結(jié)構(gòu)材料,且鎂合金是綠色工程材料,對(duì)環(huán)境友好。研宄開發(fā)高電導(dǎo)率高屏蔽效能鎂合金材料日益引起關(guān)注。
[0006]

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]針對(duì)現(xiàn)有電磁屏蔽材料存在的上述不足,本發(fā)明的目的是提供一種電導(dǎo)率和屏蔽效能進(jìn)一步提高的鎂合金屏蔽材料;本發(fā)明還同時(shí)提供所述屏蔽材料的制備方法。
[0008]實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種電磁屏蔽鎂合金材料,其成分及含量為:1.0-3.0wt.% Zn,MruZi^P Cu中的一種或兩種或三種;其中Mn 0-2.0wt.%, Zr 0-2.0wt.%, Cu 0~1.0wt.%,余量為Mg和不可避免的雜質(zhì)。
[0009]優(yōu)選成分及含量為:2.0wt.% Zn, 0.2wt.% Mn,其余為Mg和不可避免的雜質(zhì)。
[0010]一種電磁屏蔽鎂合金材料,其成分及含量為:1.0~3.0wt.% Zn,Ce、Nd、Y和La中的一種或兩種或三種或四種;其中Ce 0-2.0wt.%,Nd 0-2.0wt.%,Y 0-2.0wt.%,La0~2.0wt.%,余量為Mg和不可避免的雜質(zhì)。
[0011]—種電磁屏蔽鎂合金材料,其成分及含量為:1.0-3.0wt.% Zn,MruZi^P Cu中的一種或兩種或三種;其中 Mn 0-2.0wt.%, Zr 0-2.0wt.%, Cu 0-1.0wt.%,Ce、Nd、Y 和 La 中的一種或兩種或三種或四種;其中 Ce 0-2.0wt.%,Nd 0-2.0wt.%,Y 0-2.0wt.%,LaO?2.0wt.%,余量為Mg和不可避免的雜質(zhì)。
[0012]優(yōu)選成分及含量為:1.0-3.0wt.% Zn ;0.1-2.0wt.% Mn ;0.1-2.0wt.% Zr ;
0.1-1.0wt.%Cu ;0.1~2.0wt.% Ce ;0.1~2.0wt.% Nd ;0.1~2.0wt.%Y ;0.1~2.0wt.%La ;余量為Mg和不可避免的雜質(zhì)。
[0013]一種電磁屏蔽鎂合金材料制備方法,包括如下步驟:
1)熔煉鑄錠:按成分含量要求稱取各原料,其中除鎂和鋅外,其余原料均為各自與鎂的中間合金;在保護(hù)氣下,先對(duì)Mg在720°C?740°C之間進(jìn)行熔煉,待全部熔化,溫度上升到740°C穩(wěn)定之后加入預(yù)熱至200°C的各鎂中間合金及常溫下的工業(yè)純鋅,使各鎂中間合金及工業(yè)純鋅熔化并充分?jǐn)嚢??6分鐘,將熔體在740°C靜置10?20分鐘,并打掉表面的浮渣,在740°C的條件下澆注至預(yù)熱到250?350°C的鐵模中,制備出鎂合金鑄錠;
2)均勻化處理:將步驟I)所制備的鎂合金鑄錠用石墨覆蓋,在420?480°C的條件下均勻化處理20-30小時(shí),然后水淬,得到均勻化處理的鎂合金鑄錠試樣;
3)軋制:將步驟2)均勻化處理后的鎂合金鑄錠試樣,線切割得到某初始厚度的板材,打磨光亮后在300?350°C下預(yù)熱2-5小時(shí),然后在300?350°C下進(jìn)行軋制;經(jīng)過多道次軋制后最終得到需要厚度的板材,該板材即為電磁屏蔽鎂合金材料;其中每道次壓下量均勻,且道次間需回爐在300?350°C下保溫10?30分鐘。
[0014]所述保護(hù)氣由體積含量99%的0)2和1%的SF 6組成。
[0015]第3)步軋制時(shí),最終板材厚度為初始厚度的35-45%。
[0016]第3)步軋制時(shí),線切割得到的板材初始厚度為5mm,軋制道次為6道次,每道次壓下量為0.5mm,最終所得板材厚度為2mm。
[0017]相比現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明具有如下有益效果:
1、密度小:本發(fā)明提供的合金,加入的合金元素含量低,最終合金密度沒有顯著增加。
[0018]2、電導(dǎo)率和電磁屏蔽性能高:在設(shè)計(jì)體系中Zn加入沒有明顯降低合金電導(dǎo)率,其余少量合金元素的加入可以促進(jìn)合金第二相的形成及析出,改善合金電導(dǎo)率及屏蔽性會(huì)K。
[0019]3、優(yōu)良的力學(xué)性能:在合金的熱變形過程中,由于引入了微量的合金元素,析出細(xì)小第二相顆粒阻礙了合金晶粒的長(zhǎng)大,同時(shí)合金元素細(xì)化了合金的組織,因而顯著提高了合金的強(qiáng)度和室溫延伸率。
[0020]4、制備工藝簡(jiǎn)單、成本低:本發(fā)明利用常規(guī)鎂中間合金,通過較為簡(jiǎn)單的熔煉一均勻化熱處理一軋制工藝制備出了高電導(dǎo)率高屏蔽效能的鎂合金材料。
[0021]總之,同目前廣泛使用的屏蔽材料相比,本發(fā)明合金材料低密度,具有高比電導(dǎo)率及高比電磁屏蔽效能,且塑形加工性能優(yōu)異,可廣泛應(yīng)用于對(duì)重量敏感的電磁防護(hù)領(lǐng)域。
[0022]
【具體實(shí)施方式】
[0023]本發(fā)明電磁屏蔽鎂合金材料主要為三大類,這三大類的基本成分都包括基材鎂和合金成分鋅,區(qū)別在于其它合金成分,第一大類合金成分含有Mn、Zr和Cu中的一種或兩種或三種;第二大類合金成分含有Ce、Nd、Y和La四種稀土元素中的一種或兩種或三種或四種;第三大類合金成分含有Ce、Nd、Y和La中的一種或兩種或三種或四種,同時(shí)還含有Mn、Zr和Cu中的一種或兩種或三種。具體成分及含量介紹如下:
第一種電磁屏蔽鎂合金材料,其成分及含量為:1.0-3.0wt.% Zn,MruZi^P Cu中的一種或兩種或三種;其中Mn 0-2.0wt.%, Zr 0-2.0wt.%, Cu 0~1.0wt.%,余量為Mg和不可避免的雜質(zhì)。
[0024]第二種電磁屏蔽鎂合金材料,其成分及含量為:1.0~3.0wt.% Zn,Ce、Nd、Y和La中的一種或兩種或三種或四種;其中Ce 0-2.0wt.%,Nd 0-2.0wt.%,Y 0-2.0wt.%,La0~2.0wt.%,余量為Mg和不可避免的雜質(zhì)。
[0025]第三種電磁屏蔽鎂合金材料,其成分及含量為:1.0~3.0wt.% Zn,MruZi^PCu中的一種或兩種或三種;其中 Mn 0-2.0wt.%,Zr 0-2.0wt.%,Cu 0-1.0wt.%,Ce、Nd、Y和La中的一種或兩種或三種或四種;其中Ce 0-2.0wt.%,Nd 0-2.0wt.%,Y 0-2.0wt.%,La0~2.0wt.%,余量為Mg和不可避免的雜質(zhì)。
[0026]所有成分都包含的情況下,其成分及含量為:1.0-3.0wt.% Zn ;0.1-2.0wt.% Mn ;0.1-2.0wt.% Zr ;0.1-1.0wt.%Cu ;0.1~2.0wt.% Ce ;0.1~2.0wt.% Nd ;0.1~2.0wt.%Y ;
0.1-2.0wt.%La ;余量為Mg和不可避免的雜質(zhì)。
[0027]本發(fā)明電磁屏蔽鎂合金材料制備方法,包括如下步驟:
1)熔煉鑄錠:按成分含量要求稱取各原料,除鎂和鋅外,其余原料均為各自與鎂的中間合金;在保護(hù)氣(所述保護(hù)氣由體積含量99%的0)2和1%的SF6組成)下,先對(duì)Mg在720°C?74
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