本發(fā)明涉及一種類金剛石膜層的表面處理方法及制品。

背景技術(shù)：
類金剛石(Diamond-likeCarbon，簡寫為DLC)膜層具有高硬度、高彈性模量、優(yōu)異的耐磨性能、化學穩(wěn)定性及生物相容性，具有非常廣泛的應(yīng)用前景。但內(nèi)應(yīng)力大、膜/基之間的結(jié)合力差，且DLC膜層的硬度(一般在2300HV左右)與氮化鈦、氮化鉻等硬質(zhì)膜層的硬度相比偏低等缺點限制了DLC膜層的應(yīng)用。通過離子束輔助磁控濺射沉積技術(shù)，形成摻雜有金屬和/或非金屬元素DLC膜層，雖然可改善DLC膜層的硬度，但摻雜元素的加入易于使DLC膜層的內(nèi)應(yīng)力變大、膜/基之間的結(jié)合力降低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
鑒于此，有必要提供一種降低類金剛石膜層的內(nèi)應(yīng)力、提高基體與類金剛石膜層之間的結(jié)合力的類金剛石膜層的表面處理方法。另外，還提供一種經(jīng)上述類金剛石膜層的表面處理方法制得的制品。一種類金剛石膜層的表面處理方法，其包括如下步驟：提供基體；采用離子束輔助磁控濺射沉積技術(shù)，在基體表面形成類金剛石膜層；對該類金剛石膜層進行離子源滲透處理，在類金剛石膜層內(nèi)摻雜硅元素和氟元素，并于該基體與該類金剛石膜層之間形成擴散層，該擴散層中含有碳化硅、碳化鐵、硅鐵固溶體及氟鐵固溶體，該離子源滲透處理的溫度為400～600℃。一種制品，其包括基體及形成于基體上的類金剛石膜層，該類金剛石膜層中含有硅元素和氟元素。本發(fā)明類金剛石膜層的表面處理方法，通過所述離子源滲透處理，可使Si、F離子滲透至類金剛石膜層內(nèi)部及基體上靠近類金剛石膜層的部分區(qū)域，如此可提高所述類金剛石膜層的硬度；同時由于離子源滲透在400～600℃的高溫條件下進行，基體與類金剛石膜層之間會發(fā)生固相擴散，可有效降低基體與類金剛石膜層之間的內(nèi)應(yīng)力，提高基體與類金剛石膜層之間的結(jié)合力。附圖說明圖1是本發(fā)明較佳實施例的表面形成有DLC膜層的基體的示意圖。圖2是本發(fā)明較佳實施例的制品的示意圖。主要元件符號說明制品10基體...