專利名稱：濺鍍?cè)O(shè)備的移動(dòng)式磁控裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種磁控裝置，特別是涉及一種安裝在濺鍍?cè)O(shè)備上，并可往復(fù)移 位的濺鍍?cè)O(shè)備的移動(dòng)式磁控裝置。
背景技術(shù)：
濺鍍?cè)O(shè)備是一種使用電漿對(duì)靶材進(jìn)行離子轟擊，使靶材表面的原子可以被撞擊出 來，最后沉積在待濺鍍物上形成薄膜的專用器具。根據(jù)激發(fā)電漿方式的不同，現(xiàn)有的濺鍍?cè)O(shè) 備有許多種不同的形式，其中，磁控式濺鍍?cè)O(shè)備是在靠近靶材的位置安裝一個(gè)磁控裝置，利 用磁場與電場間的電磁效應(yīng)所產(chǎn)生的電磁力，來影響電漿內(nèi)的電子的移動(dòng)，使電子可以進(jìn) 行螺旋式的運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而增進(jìn)電子和氣體分子間的碰撞次數(shù)，以提高氣體分子離子化的機(jī)會(huì)。 為了提高靶材的利用率，有些濺鍍?cè)O(shè)備的磁控裝置被設(shè)計(jì)成移動(dòng)式。參閱圖1及圖2，現(xiàn)有的濺鍍?cè)O(shè)備通常是在一圖中未示出的腔座內(nèi)安裝一個(gè)靶材 91，通過電漿的轟擊，將靶材91表面的原子轟出，最后沉積在一個(gè)間隔的待濺鍍物92上，為 了提高濺鍍反應(yīng)速率，該濺鍍?cè)O(shè)備還包含一個(gè)靠近該靶材91的磁控裝置1，上述磁控裝置1 可以受到驅(qū)動(dòng)沿著一平行于待濺鍍物92的長度方向93往復(fù)移動(dòng)，且其包含一片矩形的基 板11，該基板11具有兩個(gè)間隔的長邊111，以及兩個(gè)垂直銜接在所述長邊111的相反側(cè)的 短邊112，所述磁控裝置1還包含一個(gè)安裝在該基板11上的磁控單元12，上述磁控單元12 包括兩個(gè)沿著長度方向93延伸并分別靠近一個(gè)長邊111的第一磁件121、一條平行地位于 所述第一磁件121中央的第二磁件122、兩條平行地位于所述第一磁件121及第二磁件122 之間的第三磁件123，以及數(shù)個(gè)靠近其中一個(gè)短邊112的垂直磁件124。上述第一磁件121、 第二磁件122及第三磁件123都是由數(shù)個(gè)磁鐵120并接而成的，其中第一磁件121、第二磁 件122及垂直磁件124的極性相同，例如都是N極，而第三磁件123的極性相反，例如S極。 所述相鄰的第一磁件121、第三磁件123之間，以及相鄰的第二磁件122及第三磁件123之 間的寬度W都相同?，F(xiàn)有的濺鍍?cè)O(shè)備在進(jìn)行濺鍍加工時(shí)，通常在真空腔體內(nèi)部通入惰性氣體，并且在 靶材91及待濺鍍物92間通以電源，此時(shí)，產(chǎn)生的電漿會(huì)被靶材91吸引進(jìn)行撞擊，被撞離靶 材91的原子就會(huì)被待濺鍍物92吸引并沉積在待濺鍍物92的表面上，而該磁控裝置1會(huì)受 到驅(qū)動(dòng)沿著該長度方向93往復(fù)移動(dòng)，從而提高濺鍍時(shí)的反應(yīng)速率。由于該磁控裝置1如何 移動(dòng)及如何提高反應(yīng)速率為現(xiàn)有技術(shù)，所以不再說明?，F(xiàn)有的磁控裝置1在使用時(shí)會(huì)沿著長度方向93往復(fù)移動(dòng)，以圖2的方向作說明， 當(dāng)磁控裝置1往圖2的左側(cè)移動(dòng)并到達(dá)終點(diǎn)時(shí)，會(huì)立刻往右側(cè)移動(dòng)，在到達(dá)右側(cè)的終點(diǎn)時(shí) 再往左移動(dòng)，因此，該磁控裝置1對(duì)應(yīng)待濺鍍物92的每個(gè)位置的時(shí)間不太一樣，也就是說， 該磁控裝置1對(duì)應(yīng)待濺鍍物92兩側(cè)的時(shí)間比對(duì)應(yīng)待濺鍍物92中間部位的時(shí)間短。而現(xiàn)有 的磁控裝置1的各個(gè)磁件121、122、123間的寬度W相同，所產(chǎn)生的磁力線強(qiáng)度大致相同，因 此，當(dāng)磁控裝置1對(duì)應(yīng)待濺鍍物92兩側(cè)的時(shí)間較短時(shí)，靶材91受到撞擊并沉積在待濺鍍物 92表面的時(shí)間也相對(duì)較短，造成濺鍍均勻度不佳。另一方面，所述垂直磁件IM和極性相反的第三磁件123垂直設(shè)置，會(huì)因?yàn)榇怪贝偶蘒M及第三磁件123之間的某些部位(例如對(duì) 角位置)距離較長，而削弱磁力線的強(qiáng)度。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種可以提高濺鍍均勻度的濺鍍?cè)O(shè)備的移動(dòng)式磁控
直ο本實(shí)用新型移動(dòng)式磁控裝置包含一個(gè)基板，以及一個(gè)安裝在該基板上的磁控單 元，該磁控單元包括兩個(gè)彼此間隔的第一磁件、一個(gè)位于所述第一磁件之間且極性相同的 第二磁件、至少一個(gè)介于第二磁件與第一磁件之間且極性相反的第三磁件，以及數(shù)個(gè)連接 在第一磁件及第二磁件之間的弧連磁件，上述第三磁件和相鄰的第一磁件之間的寬度小于 上述第三磁件和第二磁件之間的寬度。本實(shí)用新型該磁控單元的第三磁件的數(shù)量是兩個(gè)，分別位于該第二磁件的相反 側(cè)。本實(shí)用新型的弧連磁件都具有一個(gè)與第一磁件垂直連接的平連段，以及一個(gè)連接 在該平連段及第二磁件之間的弧連段。本實(shí)用新型該基板包括兩個(gè)彼此平行且分別靠近其中一個(gè)第一磁件的長邊，且所 述第一磁件、第二磁件及第三磁件間隔設(shè)置，并且和所述長邊平行。本實(shí)用新型的基板還包括兩個(gè)垂直連接在所述長邊之間的短邊，而所述弧連磁件 左右對(duì)稱地靠近其中一個(gè)短邊。本實(shí)用新型的有益功效在于通過改變相鄰磁件之間的寬度，可以改善磁控裝置 因?yàn)橥鶑?fù)移動(dòng)和對(duì)應(yīng)待濺鍍物的各部位的時(shí)間不同，所可能產(chǎn)生的濺鍍均勻度不佳的缺
點(diǎn)O

圖1是一種現(xiàn)有的濺鍍?cè)O(shè)備的一個(gè)磁控裝置的主視示意圖；圖2是該現(xiàn)有的磁控裝置的一個(gè)使用狀態(tài)參考圖；圖3是本實(shí)用新型磁控裝置的一個(gè)較佳實(shí)施例的立體圖；圖4是該較佳實(shí)施例的一個(gè)主視示意圖；圖5是該較佳實(shí)施例的一個(gè)使用狀態(tài)參考圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。參閱圖3、4、5，本實(shí)用新型移動(dòng)式磁控裝置的一較佳實(shí)施例安裝在一個(gè)濺鍍?cè)O(shè)備 的一個(gè)腔座(圖未示)上，上述濺鍍?cè)O(shè)備具有一靶材2，通過產(chǎn)生的電漿對(duì)靶材2的表面進(jìn) 行撞擊，被轟離靶材2的原子最后會(huì)沉積在一個(gè)待濺鍍物3的表面并形成薄膜，由于靶材2 上的原子如何被轟離并沉積在待濺鍍物3上為現(xiàn)有技術(shù)，不再詳述。本實(shí)施例的磁控裝置靠近該靶材2，并和待濺鍍物3分別位于該靶材2的相反側(cè)， 所述磁控裝置包含一個(gè)基板4，以及一個(gè)安裝在該基板4上的磁控單元5。該基板4是一 個(gè)矩形的板體，故具有兩個(gè)平行的長邊41，以及兩個(gè)垂直連接在所述長邊41的相反側(cè)的短邊42。本實(shí)施例的磁控單元5包括兩個(gè)分別靠近其中一個(gè)長邊41的第一磁件51、一個(gè) 位于所述第一磁件51中央的第二磁件52、兩條平行且間隔地位于相鄰的第一磁件51及第 二磁件52之間的第三磁件53，以及數(shù)條靠近基板4的其中一個(gè)短邊42的弧連磁件M。其 中，所述第三磁件53，分別位于該第二磁件52的相反側(cè)，弧連磁件M左右對(duì)稱地靠近基板 4的其中一個(gè)短邊42。該第一磁件51、第二磁件52、第三磁件53以及弧連磁件M都是由 數(shù)個(gè)具有磁性的磁鐵50對(duì)接而成的，所述第一磁件51、第二磁件52及弧連磁件M都具有 一個(gè)第一極性，在本實(shí)施例中該第一極性是N極，而第三磁件53具有一個(gè)相反于第一極性 的第二極性，在本實(shí)施例中該第二極性是S極。本實(shí)施例的磁控裝置，所述第一磁件51、第 二磁件52及第三磁件53間隔設(shè)置，并且和所述長邊41平行；所述第三磁件53和相鄰的第 一磁件51之間具有一個(gè)第一寬度Wl，而上述第三磁件53和第二磁件52之間具有一個(gè)第二 寬度W2，該第一寬度Wl小于該第二寬度W2。本實(shí)施例的所述弧連磁件M都具有一個(gè)與其 中一個(gè)第一磁件51垂直連接的平連段Ml，以及一個(gè)自該平連段541往第二磁件52方向彎 弧延伸的弧連段討2。由上所述可知，本實(shí)用新型的磁控單元5包括兩個(gè)彼此間隔的第一磁件51、一個(gè) 位于所述第一磁件51之間且極性相同的第二磁件52、以及至少一個(gè)介于第二磁件52與第 一磁件51之間且極性相反的第三磁件53，以及數(shù)個(gè)連接在第一磁件51及第二磁件52之間 的弧連磁件M。本實(shí)施例的磁控裝置在使用時(shí)，也是沿著該待濺鍍物3的一個(gè)長度方向30往復(fù)移 動(dòng)，當(dāng)該磁控裝置移動(dòng)而靠近該待濺鍍物3的其中一個(gè)側(cè)邊時(shí)，由于磁控裝置的第一磁件 51及第三磁件53之間的第一寬度Wl小于第二磁件52及第三磁件53之間的第二寬度W2， 因此，在第一磁件51及第三磁件53之間可以產(chǎn)生較強(qiáng)的磁力強(qiáng)度，從而改善磁控裝置在移 動(dòng)時(shí)，對(duì)應(yīng)待濺鍍物3的兩側(cè)時(shí)間較短所衍生的濺鍍均勻度不佳的缺點(diǎn)。另一方面，本實(shí)施 例所述弧連磁件M的設(shè)計(jì)，可以拉近所述弧連磁件M與第三磁件53之間的距離，借此提 高磁控裝置兩側(cè)的磁力強(qiáng)度。故本實(shí)用新型該移動(dòng)式磁控裝置的設(shè)計(jì)不但結(jié)構(gòu)新穎，還具 有提高濺鍍均勻度的功效。
權(quán)利要求1.一種濺鍍?cè)O(shè)備的移動(dòng)式磁控裝置，包含一個(gè)基板，以及一個(gè)安裝在該基板上的磁 控單元，該磁控單元包括兩個(gè)彼此間隔的第一磁件、一個(gè)位于所述第一磁件之間且極性相 同的第二磁件，以及至少一個(gè)介于第二磁件與第一磁件之間且極性相反的第三磁件；其特 征在于該磁控單元還包括數(shù)個(gè)連接在第一磁件及第二磁件之間的弧連磁件，上述第三磁 件和相鄰的第一磁件之間的寬度小于上述第三磁件和第二磁件之間的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺鍍?cè)O(shè)備的移動(dòng)式磁控裝置，其特征在于該磁控單元的第 三磁件的數(shù)量是兩個(gè)，分別位于該第二磁件的相反側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的濺鍍?cè)O(shè)備的移動(dòng)式磁控裝置，其特征在于所述弧連磁 件都具有一個(gè)與第一磁件垂直連接的平連段，以及一個(gè)連接在該平連段及第二磁件之間的 弧連段。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺鍍?cè)O(shè)備的移動(dòng)式磁控裝置，其特征在于該基板包括兩個(gè) 彼此平行且分別靠近其中一個(gè)第一磁件的長邊，且所述第一磁件、第二磁件及第三磁件間 隔設(shè)置，并且和所述長邊平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的濺鍍?cè)O(shè)備的移動(dòng)式磁控裝置，其特征在于該基板還包括兩 個(gè)垂直連接在所述長邊之間的短邊，而所述弧連磁件左右對(duì)稱地靠近其中一個(gè)短邊。
專利摘要一種濺鍍?cè)O(shè)備的移動(dòng)式磁控裝置，包含一個(gè)基板，以及一個(gè)安裝在該基板上的磁控單元，該磁控單元包括兩個(gè)間隔的第一磁件、一個(gè)位于所述第一磁件間且極性相同的第二磁件、至少一個(gè)間隔地位于第二磁件與第一磁件間但極性相反的第三磁件，以及數(shù)個(gè)連接該第一磁件及第二磁件的弧連磁件，其中該第一磁件及第三磁件之間的寬度小于第二磁件及第三磁件之間的寬度。本實(shí)用新型該磁控裝置的設(shè)計(jì)不但結(jié)構(gòu)新穎，還可以提高磁控裝置靠近邊緣位置的磁力線強(qiáng)度，借此改善磁控裝置往復(fù)移動(dòng)和在待濺鍍物的邊緣部位對(duì)應(yīng)時(shí)間較短所產(chǎn)生的濺鍍均勻度不佳的缺點(diǎn)。
文檔編號(hào)C23C14/35GK201817544SQ201020579640
公開日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2010年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月28日
發(fā)明者鄭博仁, 黃泳釗 申請(qǐng)人:北儒精密股份有限公司