單顆錫珠植球裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及錫焊，尤其涉及一種單顆錫珠植球裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)在的電子產(chǎn)品越來越精密，工藝越來越復(fù)雜，對于某些空間狹窄，熱效應(yīng)要求低，無法進(jìn)爐的精密元件，植球焊接成了其量產(chǎn)化的瓶頸，目前很多高新企業(yè)已經(jīng)開始使用激光加工技術(shù)來解決這類問題，但是傳統(tǒng)的植球技術(shù)如網(wǎng)板球柵陣列在這類產(chǎn)品上難以形成單顆錫珠植球，影響產(chǎn)品的量產(chǎn)化。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種單顆錫珠植球裝置，旨在用于解決現(xiàn)有的錫珠植球難以進(jìn)行單顆植球的問題。
[0004]本實用新型是這樣實現(xiàn)的:
[0005]本實用新型提供一種單顆錫珠植球裝置，包括工作臺，所述工作臺上設(shè)置可繞自身軸線水平旋轉(zhuǎn)的磁盤以及具有容納腔的錫焊噴嘴，于所述磁盤上開設(shè)有間隔設(shè)置用于填塞錫珠的若干通孔，各所述通孔均位于同一圓周上，且所述圓周的圓心位于所述磁盤的旋轉(zhuǎn)軸線上，于所述工作臺上還設(shè)置有一端連通所述容納腔的錫珠導(dǎo)孔，所述錫珠導(dǎo)孔的另一端具有豎直朝上且至所述磁盤的旋轉(zhuǎn)軸線的距離與各所述通孔至所述磁盤的旋轉(zhuǎn)軸線距離相同的進(jìn)口，所述錫珠導(dǎo)孔沿所述磁盤至所述容納腔的方向向下延伸，且所述錫珠導(dǎo)孔的口徑不小于所述錫珠直徑。
[0006]進(jìn)一步地，于所述錫珠導(dǎo)孔的所述進(jìn)口的正上方設(shè)置有離子風(fēng)口，所述磁盤夾設(shè)于所述離子風(fēng)口與所述進(jìn)口之間。
[0007]進(jìn)一步地，于所述磁盤上還設(shè)置有用于檢測各所述通孔內(nèi)所述錫珠的若干檢測孔，各所述檢測孔與各所述通孔一一對應(yīng)。
[0008]進(jìn)一步地，還包括設(shè)置于所述工作臺上用于盛放所述錫珠的容器，所述容器上開設(shè)有位于所述磁盤正上方的錫珠出孔，所述錫珠出孔至所述磁盤的旋轉(zhuǎn)軸線的距離與各所述通孔至所述磁盤的旋轉(zhuǎn)軸線的距離相同，且所述錫珠出孔靠近所述磁盤上表面。
[0009]具體地，各所述通孔均勻間隔設(shè)置，所述錫珠出孔至所述磁盤上的投影與所述進(jìn)口至所述磁盤上的投影之間的圓心角為相鄰兩個所述通孔之間圓心角的整數(shù)倍。
[0010]具體地，所述錫珠導(dǎo)孔包括豎直設(shè)置的直孔段以及斜向下設(shè)置的斜孔段，所述直孔段位于所述磁盤的下方且至所述磁盤的旋轉(zhuǎn)軸線的距離與各所述通孔至所述磁盤的旋轉(zhuǎn)軸線的距離相同，所述進(jìn)口位于所述直孔段上，且所述斜孔段分別連通所述容納腔與所述直孔段。
[0011]進(jìn)一步地，所述磁盤上豎直設(shè)置有位于所述旋轉(zhuǎn)軸線上的轉(zhuǎn)軸，所述工作臺上還設(shè)置有用于驅(qū)使所述轉(zhuǎn)軸水平轉(zhuǎn)動的驅(qū)動件。
[0012]進(jìn)一步地，所述磁盤上設(shè)置有凸臺，所述轉(zhuǎn)軸安設(shè)于所述凸臺上。
[0013]進(jìn)一步地，所述工作臺具有用于支撐各所述通孔內(nèi)的所述錫珠的支撐面。
[0014]進(jìn)一步地，所述錫焊噴嘴沿豎直方向設(shè)置，且沿豎直向下的方向所述容納腔呈漸縮狀。
[0015]本實用新型具有以下有益效果:
[0016]本實用新型的植球裝置中，在磁盤上設(shè)置有若干通孔，并在每一通孔內(nèi)填塞有錫珠，當(dāng)驅(qū)使磁盤繞旋轉(zhuǎn)軸線轉(zhuǎn)動時，磁盤帶動各錫珠轉(zhuǎn)動，且當(dāng)其中一通孔位于進(jìn)口的正上方時，則其內(nèi)錫珠可由進(jìn)口進(jìn)入錫珠導(dǎo)孔內(nèi)，再由錫珠導(dǎo)孔進(jìn)入錫焊噴嘴內(nèi)，而當(dāng)磁盤繼續(xù)旋轉(zhuǎn)一定角度后，另一相鄰的通孔也位于進(jìn)口的正上方，其內(nèi)錫珠也由錫珠導(dǎo)孔進(jìn)入錫焊噴嘴內(nèi)，依次旋轉(zhuǎn)磁盤使得各通孔內(nèi)的錫珠依次進(jìn)入錫焊噴嘴內(nèi)，在上述過程中，每次只有一顆錫珠進(jìn)入錫焊噴嘴內(nèi)用于焊接，且通過磁盤的旋轉(zhuǎn)從而達(dá)到單顆植球的目的，利于產(chǎn)品的量產(chǎn)化，當(dāng)然在是磁盤旋轉(zhuǎn)的過程中，當(dāng)每一通孔內(nèi)的錫珠植球后，應(yīng)向該通孔內(nèi)補充錫珠，進(jìn)而保證單顆錫珠植球過程的持續(xù)性。
【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0018]圖1為本實用新型實施例提供的單顆錫珠植球裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為圖1的單顆錫珠植球裝置的磁盤的俯視圖。
【具體實施方式】
[0020]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。
[0021]參見圖1以及圖2，本實用新型實施例提供一種單顆錫珠植球裝置1，包括工作臺11，在工作臺11上設(shè)置有磁盤12以及錫焊噴嘴13，磁盤12可繞自身軸線水平旋轉(zhuǎn)，通常呈圓形結(jié)構(gòu)，錫焊噴嘴13具有容納腔131，其可將位于容納腔131內(nèi)的錫珠2噴出以達(dá)到錫焊的目的，在磁盤12上開設(shè)有若干通孔121，各通孔121間隔設(shè)置且位于同一圓周上，且該圓周的圓心剛好位于磁盤12的旋轉(zhuǎn)軸123線上，在每一通孔121內(nèi)均可以填塞有一顆錫珠2，工作臺11具有支撐面111，磁盤12的下表面靠近或者接觸該支撐面111，當(dāng)通孔121內(nèi)填塞有錫珠2后，支撐面111支撐該錫珠2，且在磁盤12旋轉(zhuǎn)后，各通孔121內(nèi)的錫珠2均沿支撐面111移動，在工作臺11上還設(shè)置有錫珠導(dǎo)孔14，該錫珠導(dǎo)孔14的一端連通至錫焊噴嘴13的容納腔131，而其另一端具有進(jìn)口 141，該進(jìn)口 141豎直向上且至磁盤12旋轉(zhuǎn)軸123線的距離與各通孔121至磁盤12旋轉(zhuǎn)軸123線的距離相同，且錫珠導(dǎo)孔14沿磁盤12至容納腔131的方向向下延伸，即當(dāng)磁盤12旋轉(zhuǎn)時，可以調(diào)節(jié)其中一通孔121位于錫珠導(dǎo)孔14的進(jìn)口 141的正上方，另外該錫珠導(dǎo)孔14的口徑應(yīng)不小于錫珠2的直徑，即當(dāng)內(nèi)置有錫珠2的通孔121位于錫珠導(dǎo)孔14進(jìn)口 141的正上方時，錫珠2可由該通孔121經(jīng)進(jìn)口141掉落至錫珠導(dǎo)孔14內(nèi)。本實用新型中，在每一通孔121內(nèi)均填塞有錫珠2，當(dāng)旋轉(zhuǎn)磁盤12至一定角度時，其中一通孔121剛好位于錫珠導(dǎo)孔14進(jìn)口 141的正上方，其內(nèi)錫珠2經(jīng)錫珠導(dǎo)孔14進(jìn)入磁盤12噴嘴的容納腔131內(nèi)進(jìn)行錫焊，然后磁盤12再次旋轉(zhuǎn)一定角度與上述通孔121相鄰的另一通孔121位于錫珠導(dǎo)孔14進(jìn)口 141的正上方，則該通孔121內(nèi)的錫珠2也沿錫珠導(dǎo)孔14進(jìn)入錫焊噴嘴13內(nèi)進(jìn)行錫焊，依次旋轉(zhuǎn)磁盤12 —定角度，從而可以使得各通孔121內(nèi)的錫珠2 —顆一顆進(jìn)入錫焊噴嘴13內(nèi)，即達(dá)到了單顆錫珠2植球的目的，有利于產(chǎn)品焊接的量產(chǎn)化。當(dāng)然在上述磁盤12旋轉(zhuǎn)的過程中，當(dāng)其中一個或者部分通孔121內(nèi)的錫珠2植入錫焊噴嘴13內(nèi)后，應(yīng)向該通孔121內(nèi)繼續(xù)填塞錫珠2，進(jìn)而保證單顆錫珠2植球過程的持續(xù)性，提高錫焊工作效率。對于錫焊噴嘴13應(yīng)沿豎直方向設(shè)置，且沿豎直向下的方向容納腔131呈漸縮狀，且其底部位置的尺寸略大于錫珠2的直徑。在錫焊噴嘴13上方設(shè)置有激光發(fā)生器(圖中未示出)，容納腔131即為激光束的通道，在錫焊時，錫焊噴嘴13的正下方設(shè)置有焊盤3，且在焊盤3上設(shè)置有若干限位結(jié)構(gòu)31，當(dāng)錫珠2由錫焊噴嘴13內(nèi)噴出后，該錫珠2剛好位于焊盤3的其中一限位結(jié)構(gòu)31內(nèi)，從而完成單顆錫珠2植球過程，而將容納腔131設(shè)計為漸縮狀，則可有利于錫珠2在錫焊噴嘴13內(nèi)的移動。
[0022]參見圖1，優(yōu)化上述實施例，在工作臺11上還設(shè)置有離子風(fēng)口 15，該離子風(fēng)口 15豎直朝向可以持續(xù)向下吹出潔凈的離子風(fēng)，該離子風(fēng)口 15位于錫珠導(dǎo)孔14的進(jìn)口 141的正上方，且磁盤12剛好夾設(shè)于離子風(fēng)口 15與進(jìn)口 141之間。本實用新型中，錫珠2的尺寸為0.050mm-0.760mm,當(dāng)磁盤12旋轉(zhuǎn)時，錫珠2與工作臺11支撐面111之間摩擦產(chǎn)生靜電，且當(dāng)錫珠2位于錫珠導(dǎo)孔14進(jìn)口 141的正上方時，由于該錫珠2表面的靜電沒有消除其可能發(fā)生不掉落至錫珠導(dǎo)孔14內(nèi)的現(xiàn)象，對此本實施例中，在磁盤12上方設(shè)置有離子風(fēng)口 15，當(dāng)錫珠2移動至錫珠導(dǎo)孔14的進(jìn)口 141正上方時