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一種集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):10462608閱讀:521來(lái)源:國(guó)知局
一種集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種新的鍍膜掩膜結(jié)構(gòu),特別是涉及一種適合集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著光學(xué)薄膜濾光片朝著尺寸減小和高度集成化發(fā)展,多通道集成濾光片陣列的通道更多、體積更小、集成度更高,其制作難度越來(lái)越高。對(duì)于集成度高的多通道集成濾光片,目前通常采用光刻膠作為掩膜。
[0003]利用光刻膠作為掩膜的方法為,首先在基片上進(jìn)行甩膠,然后通過(guò)曝光、顯影,在基片上留出需要鍍膜的通道,再鍍制濾光片膜層,去掉光刻膠完成相應(yīng)通道的制作,如此往復(fù),直至完成集成多通道濾光片的制作。
[0004]光刻膠掩膜為疏松膜層,通常較厚(厚度通常為幾個(gè)微米),在鍍膜時(shí)可能形成陰影區(qū),從而引起通道內(nèi)膜層不均勻。鍍制某些膜層時(shí)需要較高的基底溫度,容易引起光刻膠變性、流動(dòng)或去膠困難,嚴(yán)重的可能造成對(duì)鍍膜腔的污染;另外,光刻膠容易與丙酮等溶劑反應(yīng),與基片結(jié)合性差,在后續(xù)處理中容易發(fā)生脫膠現(xiàn)象,會(huì)降低產(chǎn)品良率。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,本實(shí)用新型的目的在于提供一尚廣品良率、尚效的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu)。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0007]—種集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),包括:集成多通道濾光片8和納米掩膜結(jié)構(gòu),該納米掩膜結(jié)構(gòu)包括:
[0008]光刻膠I,其為正型光刻膠、負(fù)型光刻膠中的一種;
[0009]濾光片基片2,其位于所述光刻膠下方;
[0010]掩膜板4,位于所述光刻膠上表面;
[0011 ]紫外光3,其以紫外曝光的方式設(shè)于所述掩膜板上方;
[0012]納米掩膜膜層5,其位于所述濾光片基片上方,納米掩膜膜層的厚度為0.5微米-5微米;
[0013]濾光片通道6,其設(shè)于所述納米掩膜膜層上;
[0014]濾光片膜層7,其以蒸鍍的方式設(shè)于濾光片通道的上表面。
[0015]優(yōu)選的是,所述的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),其中,所述負(fù)型光刻膠與正型光刻膠所對(duì)應(yīng)的掩膜板不同,兩種掩膜板的透光區(qū)與遮光區(qū)互補(bǔ)。
[0016]優(yōu)選的是,所述的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),其中,所述多通道濾光片的通道數(shù)大于或等于兩個(gè)。
[0017]優(yōu)選的是,所述的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),其中,所述多通道濾光片的通道數(shù)為2-200個(gè)。
[0018]優(yōu)選的是,所述的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),其中,所述多通道濾光片的通道數(shù)為2-64個(gè)。
[0019]優(yōu)選的是,所述的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),其中,所述納米掩膜膜層材料為金屬、金屬化合物或金屬氧化物中的一種。
[0020]優(yōu)選的是,所述的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),其中,所述納米掩膜膜層采用蒸鍍、濺射或印刷方式中的一種鍍制在所述濾光片基片上。
[0021]優(yōu)選的是,所述的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),其中,所述納米掩膜膜層選自 Ag、Cu、Al、CaCO3、CaO、NaCl、ZnS 或 ZnSe 中的一種。
[0022]本實(shí)用新型的有益效果:本案采用濾光片基片位于光刻膠下方;掩膜板位于光刻膠上表面;納米掩膜與基底結(jié)合牢固,能承受較高的溫度,基底面上厚度均勻,且不容易發(fā)生變性、脫膜等現(xiàn)象,可以明顯提高集成多通道濾光片的良率;同時(shí)降低了成本;納米掩膜可以通過(guò)鍍膜、或印刷方法實(shí)現(xiàn);選用的掩膜層(如金屬、金屬化合物、金屬氧化物)材料穩(wěn)定,在鍍?yōu)V光片膜層時(shí),能起到很好的保護(hù)作用。
【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例所述的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu)的流程示意圖。
[0024]其中,1-光刻膠,2-濾光片基片,3-紫外光,4-掩膜板,5-納米掩膜,6_濾光片通道,7-濾光片膜層,8-集成多通道濾光片。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明,以令本領(lǐng)域技術(shù)人員參照說(shuō)明書(shū)文字能夠據(jù)以實(shí)施。
[0026]—種集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),請(qǐng)參閱附圖1,包括:集成多通道濾光片8和納米掩膜結(jié)構(gòu),該納米掩膜結(jié)構(gòu)包括:
[0027]光刻膠I,其為正型光刻膠、負(fù)型光刻膠中的一種;
[0028]濾光片基片2,其位于所述光刻膠下方;
[0029]掩膜板4,位于所述光刻膠上表面;
[0030]紫外光3,其以紫外曝光的方式設(shè)于所述掩膜板上方;
[0031 ]納米掩膜膜層5,其位于所述濾光片基片上方,納米掩膜膜層的厚度為0.5微米-5微米;
[0032]濾光片通道6,其設(shè)于所述納米掩膜膜層上;
[0033]濾光片膜層7,其以蒸鍍的方式設(shè)于濾光片通道的上表面。
[0034]進(jìn)一步的,所述負(fù)型光刻膠與正型光刻膠所對(duì)應(yīng)的掩膜板不同,兩種掩膜板的透光區(qū)與遮光區(qū)互補(bǔ)。
[0035]進(jìn)一步的,所述多通道濾光片的通道數(shù)大于或等于兩個(gè)。
[0036]進(jìn)一步的,所述多通道濾光片的通道數(shù)為2-200個(gè)。
[0037]進(jìn)一步的,所述多通道濾光片的通道數(shù)為2-64個(gè)。
[0038]進(jìn)一步的,所述納米掩膜材料為金屬、金屬化合物或金屬氧化物材料中的一種。
[0039]進(jìn)一步的,所述納米掩膜膜層采用蒸鍍、濺射或印刷方式中的一種鍍制在所述濾光片基片上。
[0040]進(jìn)一步的,所述納米薄膜為選自Ag、Cu、Al、CaC03、Ca0、NaCl、ZnS或ZnSe中的一種薄膜。
[0041]盡管本實(shí)用新型的實(shí)施方案已公開(kāi)如上,但其并不僅僅限于說(shuō)明書(shū)和實(shí)施方式中所列運(yùn)用,它完全可以被適用于各種適合本實(shí)用新型的領(lǐng)域,對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的人員而言,可容易地實(shí)現(xiàn)另外的修改,因此在不背離權(quán)利要求及等同范圍所限定的一般概念下,本實(shí)用新型并不限于特定的細(xì)節(jié)和這里示出與描述的圖例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:集成多通道濾光片(8)和納米掩膜結(jié)構(gòu),該納米掩膜結(jié)構(gòu)包括: 光刻膠(I),其為正型光刻膠、負(fù)型光刻膠中的一種; 濾光片基片(2),其位于所述光刻膠下方; 掩膜板(4),位于所述光刻膠上表面; 紫外光(3),其以紫外曝光的方式設(shè)于所述掩膜板上方; 納米掩膜膜層(5),其位于所述濾光片基片上方,納米掩膜膜層的厚度為0.5微米-5微米; 濾光片通道(6),其設(shè)于所述納米掩膜膜層上; 濾光片膜層(7),其以蒸鍍的方式設(shè)于濾光片通道的上表面。2.如權(quán)利要求1所述的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),其特征在于,所述負(fù)型光刻膠與正型光刻膠所對(duì)應(yīng)的掩膜板不同,兩種掩膜板的透光區(qū)與遮光區(qū)互補(bǔ)。3.如權(quán)利要求2所述的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),其特征在于,所述多通道濾光片的通道數(shù)大于或等于兩個(gè)。4.如權(quán)利要求2所述的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),其特征在于,所述多通道濾光片的通道數(shù)為2-200個(gè)。5.如權(quán)利要求2所述的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),其特征在于,所述多通道濾光片的通道數(shù)為2-64個(gè)。6.如權(quán)利要求2所述的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),其特征在于,所述納米掩膜膜層材料為金屬、金屬化合物或金屬氧化物的一種。7.如權(quán)利要求2所述的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),其特征在于,所述納米掩膜膜層采用蒸鍍、濺射、噴鍍或印刷方式中的一種鍍制在所述濾光片基片上。8.如權(quán)利要求2所述的集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),其特征在于所述納米掩膜層材料選自 Ag、Cu、Al、CaCO3、CaO、NaCl、ZnS 或 ZnSe—種。
【專(zhuān)利摘要】本案為一種集成多通道濾光片用的納米掩膜結(jié)構(gòu),包括:集成多通道濾光片和納米掩膜結(jié)構(gòu),該納米掩膜結(jié)構(gòu)包括:光刻膠,其為正型光刻膠、負(fù)型光刻膠中的一種;濾光片基片,其位于所述光刻膠下方;掩膜板,位于所述光刻膠上表面;紫外光,其以紫外曝光的方式設(shè)于所述掩膜板上方;納米掩膜膜層,其位于所述濾光片基片上方,納米掩膜膜層的厚度為0.5微米-5微米;濾光片通道,其設(shè)于所述納米掩膜膜層上;濾光片膜層,其以蒸鍍的方式設(shè)于濾光片通道的上表面。本案的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,可以提高集成多通道濾光片的良率。
【IPC分類(lèi)】G03F7/00, G02B5/20
【公開(kāi)號(hào)】CN205374981
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521042199
【發(fā)明人】周東平
【申請(qǐng)人】蘇州晶鼎鑫光電科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年7月6日
【申請(qǐng)日】2015年12月15日
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