用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法，包括：步驟一：開始對準掃描，獲取光強和工件臺和掩模臺位置信息；步驟二：根據所述工件臺和掩模臺位置信息計算工件臺的水平向相對位置；步驟三：對光強和工件臺的水平向相對位置進行頻譜分析，獲取各級次光信號的頻譜特性；步驟四：根據光強和工件臺的水平相對位置頻譜分析結果，分別建立奇次級光擬合模型和偶次級光擬合模型，對奇次級光擬合模型和偶次級光擬合模型進行信號擬合，得到奇次光和偶次光的信號表達式，并進行對準位置計算。
【專利說明】用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種集成電路裝備制造領域，尤其涉及一種用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法。
【背景技術】
[0002]光刻機是集成電路加工過程中最為關鍵的設備。對準是光刻機的主要工藝流程之一，通過掩模、掩模臺、硅片、硅片臺上的特殊標記確定它們之間的相對位置關系，使掩模圖形能夠精確的成像于硅片上，實現套刻精度。套刻精度是投影光刻機的主要技術指標之一。對準可分為掩模對準和硅片對準，掩模對準實現掩模與工件臺的相對位置關系，硅片對準實現硅片與硅片臺的相對位置關系。掩模與硅片之間的對準精度是影響套刻精度的關鍵因素。
[0003]在硅片對準掃描過程中，光束照射到對準標記上，形成攜帶標記信息的衍射光，通過成像模塊成像到參考光柵表面上，參考光柵下方的傳感器檢測光強信號，結合工件臺的位置信息，進行一系列的數字信號處理，求出其對準位置。在實際的偶級次光采樣信號，由于受設備工藝誤差影響較大，信號中摻雜著其它級次光分量，并且占有很大的比重。中國專利CN200510030807.0給出了用于光刻裝置的硅片對準系統。該專利中，所列舉的擬合模型對于實際中的偶級次光信號擬合誤差較大，甚至并不適用。
[0004]以往測量各級次自身的光功率和其他級次光串擾后的光功率，是利用輔助光闌板的遮光作用，在探測光纖輸出端，分別測得各級次自身的光功率和其他級次光串擾后的光功率，再通過計算得到各級次的級間串擾。這種方法操作流程復雜，精度不高。

【發(fā)明內容】

[0005]為了克服現有技術中存在的缺陷，本發(fā)明提供一種用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法。
[0006]為了實現上述發(fā)明目的，本發(fā)明公開一種用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法，包括:步驟一:開始對準掃描，獲取光強和工件臺和掩模臺位置信息；
步驟二:根據所述工件臺和掩模臺位置信息計算工件臺的水平向相對位置；
步驟三:對光強和工件臺的水平向相對位置進行頻譜分析，獲取各級次光信號的頻譜特性。
[0007]步驟四:根據光強和工件臺的水平相對位置頻譜分析結果，分別建立奇次級光擬合模型和偶次級光擬合模型，對奇次級光擬合模型和偶次級光擬合模型進行信號擬合，得到奇次光和偶次光的信號表達式，并進行對準位置計算。
[0008]對光強進行頻譜分析如下:
【權利要求】
1.一種用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法，其特征在于，包括: 步驟一:開始對準掃描，獲取光強和工件臺和掩模臺位置信息； 步驟二:根據所述工件臺和掩模臺位置信息計算工件臺的水平向相對位置； 步驟三:對光強和工件臺的水平向相對位置進行頻譜分析，獲取各級次光信號的頻譜特性； 步驟四:根據光強和工件臺的水平相對位置頻譜分析結果，分別建立奇次級光擬合模型和偶次級光擬合模型，對奇次級光擬合模型和偶次級光擬合模型進行信號擬合，得到奇次光和偶次光的信號表達式，并進行對準位置計算。
2.如權利要求1所述的用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法，其特征在于，所述步驟三中，對光強進行頻譜分析如下:
3.如權利要求1所述的用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法，其特征在于，步驟四中對奇次級光擬合模型和偶次級光擬合模型進行信號擬合為最小二乘法模型擬入口 ο
4.如權利要求1所述的用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法，其特征在于，所述步驟四中，奇次級光擬合模型為:
5.如權利要求1所述的用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法，其特征在于，偶次級光的信號表達式為:
【文檔編號】G03F1/44GK103969967SQ201310040710
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年2月1日 優(yōu)先權日:2013年2月1日
【發(fā)明者】陳小娟, 李運鋒, 趙新, 趙正棟 申請人:上海微電子裝備有限公司, 上海微高精密機械工程有限公司