專(zhuān)利名稱(chēng)：可防止表面氧化的接觸墊及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可防止金屬墊氧化的薄膜電晶體液晶顯示器制作方法，特別是一種在定義氧化銦錫像素電極于透光底材上表面的同時(shí)，形成氧化銦錫防護(hù)層于金屬墊上表面的相關(guān)方法。
參閱

圖1所示，有機(jī)發(fā)光二極管液晶顯示器是在二個(gè)電極間分別注入電子及電洞，再利用有機(jī)分子的激發(fā)，進(jìn)而達(dá)到發(fā)光的目的。一般說(shuō)來(lái)有機(jī)發(fā)光二極管10的陽(yáng)極(Anode)14為通過(guò)濺鍍或蒸鍍方式，而附著于透明塑膠基板或玻璃基板12上的氧化銦錫(indium tin oxideITO)膜層；陰極24則是由鎂、鋁或鋰等金屬構(gòu)成。在陽(yáng)極14與陰極24間，具有多個(gè)由有機(jī)薄膜形成的發(fā)光區(qū)域。這些區(qū)域包含電洞注入層(Hole injection layer；HIL)16、電洞傳遞層(Hole Transport Layer；HTL)18、發(fā)光層(Emitting layer；EL)20以及電子傳遞層(Electron Transport layer；ETL)22。
氧化銦錫膜層是一種具有高透明度的導(dǎo)電金屬薄膜，其主要成分為In2O3(含量約90％-95％)以及SnO2(含量約10％-5％)。目前，氧化銦錫膜層已被大量應(yīng)用于液晶顯示器(liquid crystal display；LCD)、觸控面板(touchpanel)以及有機(jī)發(fā)光二極管上。
在有機(jī)發(fā)光二極管液晶顯示器中，因頂部發(fā)光或底部發(fā)光等發(fā)光方式不同，氧化銦錫膜層所在位置及形成順序也會(huì)有所不同。
圖2-圖3揭露了使用于有機(jī)發(fā)光二極管液晶顯示器的薄膜電晶體的制作過(guò)程。首先，定義金屬圖案于透光底材30上表面，其中上述的金屬圖案包括柵極結(jié)構(gòu)32與金屬墊34；接著，形成柵極介電層36于透光底材30上表面，并覆蓋柵極結(jié)構(gòu)32與金屬墊34，之后進(jìn)行移除程序曝露出金屬墊34的上表面，以提供透光底材30上各個(gè)組件的電性連結(jié)路徑或其它接腳之用；隨后，定義硅基材層38于柵極結(jié)構(gòu)32正上方的部分柵極介電層36上表面，并接著形成氧化銦錫像素電極40于未被硅基材層38遮覆的部分柵極介電層36上表面。
值得注意的是，在氧化銦錫像素電極40形成之后，并在成長(zhǎng)有機(jī)層之前，會(huì)對(duì)氧化銦錫像素電極40的上表面進(jìn)行氧氣電漿預(yù)處理(oxygen plasmapre-treatment)程序，以去除制程中產(chǎn)生且殘留于其上表面的化學(xué)物質(zhì)，并提高其材料品質(zhì)。然而在此過(guò)程中，裸露的金屬墊34會(huì)被氧氣電漿氧化而產(chǎn)生金屬氧化物，進(jìn)而降低金屬墊34的導(dǎo)電能力，造成優(yōu)良率上的大幅損失。
本發(fā)明的另一目的是提供一種可防止金屬墊氧化的有機(jī)發(fā)光二極管液晶顯示器制作方法。
本發(fā)明的再一目的是提供一種在定義氧化銦錫像素電極于透光底材上表面的同時(shí)，形成氧化銦錫防護(hù)層于金屬墊上表面，以避免金屬墊受到氧化而降低導(dǎo)電能力的相關(guān)方法。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種可防止表面氧化的接觸墊，其特征是該接觸墊是制作于有機(jī)發(fā)光二極管液晶顯示器的透光底材上表面，以提供該透光底材上各個(gè)組件的電性連結(jié)路徑，該接觸墊至少包括金屬墊是制作于該透光底材上表面；氧化銦錫防護(hù)層是制作于該金屬墊上表面，以避免該金屬墊受到氧化而降低導(dǎo)電效果。
該透光底材選自玻璃底材或塑膠底材的其中之一。
本發(fā)明還提供一種可防止表面氧化的接觸墊的制作方法，其特征是它至少包括如下步驟(1)定義金屬墊于透光底材上表面，該金屬墊是用于提供該透光底材上各個(gè)元件的電性連接路徑；(2)在定義氧化銦錫像素電極于透光底材上表面的同時(shí)，定義氧化銦錫防護(hù)層于該金屬墊的上表面，其中，該氧化銦錫防護(hù)層是用于避免該金屬墊受到氧化而降低導(dǎo)電效果。
該透光底材選自玻璃底材或塑膠底材的其中之一。
本發(fā)明提供又一種可防止表面氧化的接觸墊的制作方法，其特征是它至少包括如下步驟(1)定義金屬圖案于透光底材上表面，該金屬圖案包括柵極結(jié)構(gòu)和金屬墊，該金屬墊是用于提供該透光底材上各個(gè)元件的電性連接路徑；(2)依序形成柵極介電層和硅基材層于該柵極結(jié)構(gòu)上表面；(3)進(jìn)行蝕刻程序，以移除位于柵極結(jié)構(gòu)正上方以外的部分該硅基材層；(4)在定義氧化銦錫像素電極于未被該硅基材層遮覆的部分該柵極介電層上表面的同時(shí)，定義氧化銦錫防護(hù)層于該金屬墊的上表面，其中，該氧化銦錫防護(hù)層是用于避免該金屬墊受到氧化而降低導(dǎo)電效果；(5)定義源/漏極，以形成薄膜電晶體于該透光底材上表面，其中該源極是與該氧化銦錫像素電極連接。
該透光底材為玻璃底材。該透光底材為塑膠底材。該柵極介電層選自氮化硅、二氧化硅或高介電材料其中之一。該硅基材層的材料為非晶硅。該硅基材層的材料為復(fù)晶硅。下面結(jié)合較佳實(shí)施例和附圖進(jìn)一步說(shuō)明。
圖2為傳統(tǒng)形成薄膜電晶體與金屬墊的步驟的截面示意圖。
圖3為傳統(tǒng)形成氧化銦錫像素電極于未被硅基材層遮覆的部分柵極介電層上表面的步驟的截面示意圖。
圖4為本發(fā)明同時(shí)形成柵極結(jié)構(gòu)與金屬墊于透光底材上表面的步驟的截面示意圖。
圖5為本發(fā)明形成柵極介電層于透光底材上的步驟的截面示意圖。
圖6為本發(fā)明形成硅基材層于柵極結(jié)構(gòu)正上方部分柵極介電層上表面的步驟的截面示意圖。
圖7為本發(fā)明同時(shí)形成氧化銦錫像素電極與氧化銦錫防護(hù)層的步驟的截面示意圖。
圖8為本發(fā)明形成源/漏極的步驟的截面示意圖。
圖9為本發(fā)明形成保護(hù)層于透光底材上的步驟的截面示意圖。
圖10為本發(fā)明依序形成有機(jī)發(fā)光二極管層與金屬陰極于氧化銦錫像素電極上表面的步驟的截面示意圖。
參閱圖4所示，于透光底材50上表面形成第一金屬層，接著對(duì)其進(jìn)行蝕刻程序，以定義金屬圖案于透光底材50上表面。其中，透光底材50的材料亦可選自塑膠或玻璃，且上述的金屬圖案分別為柵極結(jié)構(gòu)52與金屬墊54。
之后，如圖5所示，形成柵極介電層56于透光底材50上表面，且覆蓋柵極結(jié)構(gòu)52與金屬墊54。在較佳實(shí)施例中，此柵極介電層56的材料可為氮化硅(SiN)、二氧化硅(SiO2)或高介電(high-k)材料。
隨后對(duì)此柵極介電層56進(jìn)行蝕刻程序，以移除金屬墊54上表面的部分柵極介電層56，而裸露出金屬墊54上表面，用以提供透光底材50上各個(gè)組成組件的電性連接路徑。換言之，通過(guò)此金屬墊54可使有機(jī)發(fā)光二極管液晶顯示器的組件導(dǎo)電而使其執(zhí)行功能。
參閱圖6，形成硅基材層58于柵極介電層56的上表面，并接著對(duì)此硅基材層58進(jìn)行蝕刻程序，以移除柵極結(jié)構(gòu)52正上方以外的部分硅基材層58。其中，硅基材層58可選自非晶硅或多晶硅。
如圖7所示，在定義氧化銦錫像素電極60于未被硅基材層58遮覆的部分柵極介電層56上表面的同時(shí)，定義氧化銦錫防護(hù)層62于金屬墊54的上表面。其中，上述的氧化銦錫像素電極60即為后續(xù)欲形成有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極，且該氧化銦錫防護(hù)層62與該金屬墊54構(gòu)成一接觸墊。
隨后，對(duì)該氧化銦錫像素電極60進(jìn)行氧氣電漿預(yù)處理程序，以移除制程中產(chǎn)生且殘留于氧化銦錫像素電極60上表面的化學(xué)物質(zhì)，并提高其材料品質(zhì)。值得注意的是氧化銦錫防護(hù)層62可用以避免金屬墊54的上表面受到氧化而降低其導(dǎo)電效果。
一般而言，在同時(shí)定義上述的氧化銦錫像素電極60及氧化銦錫防護(hù)層62時(shí)，只需要改變光罩上的圖案，而不需新增任何制程步驟。
參閱圖8所示，于柵極結(jié)構(gòu)52上方定義出源/漏極64，以形成薄膜電晶體66于透光底材50上表面。
參閱圖9所示，形成保護(hù)層68于圖8所示的結(jié)構(gòu)上表面，亦即此保護(hù)層68覆蓋了源/漏極64、部分柵極介電層56上表面、部分硅基材層58上表面、氧化銦錫像素電極60及氧化銦錫防護(hù)層62的上表面。在較佳實(shí)施例中，此防護(hù)層68的材料可選自氮化硅(SiN)、二氧化硅(SiO2)以及低介電(low-k)材料。
隨后，蝕刻該保護(hù)層68，以裸露出氧化銦錫像素電極60與氧化銦錫防護(hù)層62的上表面。
參閱圖10所示，依序形成有機(jī)發(fā)光二極管層70及金屬陰極72于裸露的氧化銦錫像素電極60上表面，其中此金屬陰極72的材料可為鎂、鋁、鋰或其它導(dǎo)電材料。
利用本發(fā)明的方法，在定義氧化銦錫像素電極于部分透光底材上表面的同時(shí)，定義氧化銦錫防護(hù)層于金屬墊上表面，具有下列優(yōu)點(diǎn)1、由于氧化銦錫材料為制程中所使用的材料，因此不需更換或新增材料；2、形成氧化銦錫材料于透光底材上亦為制程原本具有的步驟，因此不需要改變制程步驟；3、金屬墊被氧化的情形改善之后，可減少組件產(chǎn)生導(dǎo)電不良的情形，進(jìn)而大幅增加制程優(yōu)良率。
本發(fā)明雖以較佳實(shí)施例闡明如上，然其并非用以限定本發(fā)明，因此，在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)所作的修改，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種可防止表面氧化的接觸墊，其特征是該接觸墊是制作于有機(jī)發(fā)光二極管液晶顯示器的透光底材上表面，以提供該透光底材上各個(gè)組件的電性連結(jié)路徑，該接觸墊至少包括金屬墊是制作于該透光底材上表面；避免該金屬墊受到氧化的氧化銦錫防護(hù)層是制作于該金屬墊上表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可防止表面氧化的接觸墊，其特征是該透光底材選自玻璃底材或塑膠底材的其中之一。
3.一種可防止表面氧化的接觸墊的制作方法，其特征是它至少包括如下步驟(1)定義金屬墊于透光底材上表面，以提供該透光底材上各個(gè)元件的電性連接路徑；(2)在定義氧化銦錫像素電極于透光底材上表面的同時(shí)，定義氧化銦錫防護(hù)層于該金屬墊的上表面，以避免該金屬墊受到氧化而降低導(dǎo)電效果。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可防止表面氧化的接觸墊的制作方法，其特征是該透光底材選自玻璃底材或塑膠底材的其中之一。
5.一種可防止表面氧化的接觸墊的制作方法，其特征是它至少包括如下步驟(1)定義金屬圖案于透光底材上表面，該金屬圖案包括柵極結(jié)構(gòu)和金屬墊，該金屬墊是用于提供該透光底材上各個(gè)元件的電性連接路徑；(2)依序形成柵極介電層和硅基材層于該柵極結(jié)構(gòu)上表面；(3)進(jìn)行蝕刻程序，以移除位于柵極結(jié)構(gòu)正上方以外的部分該硅基材層；(4)在定義氧化銦錫像素電極于未被該硅基材層遮覆的部分該柵極介電層上表面的同時(shí)，定義氧化銦錫防護(hù)層于該金屬墊的上表面，其中，該氧化銦錫防護(hù)層是用于避免該金屬墊受到氧化而降低導(dǎo)電效果；(5)定義源/漏極，以形成薄膜電晶體于該透光底材上表面，其中該源極是與該氧化銦錫像素電極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征是該透光底材為玻璃底材。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征是該透光底材為塑膠底材。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征是該柵極介電層選自氮化硅、二氧化硅或高介電材料其中之一。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征是該硅基材層的材料為非晶硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征是該硅基材層的材料為復(fù)晶硅。
全文摘要
一種可防止表面氧化的接觸墊及其制作方法。首先，定義金屬墊于透光底材上表面，其中此金屬墊是用以提供透光底材上各個(gè)組件電性連結(jié)的路徑；接著，在定義氧化銦錫像素電極于部分透光底材上表面的同時(shí)，定義氧化銦錫防護(hù)層于金屬墊上表面，其中，上述的氧化銦錫防護(hù)層與金屬墊即構(gòu)成接觸墊，且氧化銦錫防護(hù)層能用來(lái)避免金屬墊受到氧化而降低其導(dǎo)電效果。
文檔編號(hào)G02F1/13GK1470910SQ0212691
公開(kāi)日2004年1月28日 申請(qǐng)日期2002年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月25日
發(fā)明者李純懷 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司