1.一種像素電路，其特征在于，包括驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)寫入電路、置位電路；所述驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管；所述驅(qū)動(dòng)晶體管包括第一柵極、第二柵極、第一極和第二極；
2.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，還包括第一初始化電路和第二初始化電路；
3.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，還包括第一儲(chǔ)能電路；
4.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述第一柵極為頂柵，所述第二柵極為底柵。
5.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)晶體管為n型晶體管，所述第一電壓端提供的第一電壓信號(hào)的電壓值大于0；或者，所述驅(qū)動(dòng)晶體管為p型晶體管，所述第一電壓信號(hào)的電壓值小于0。
6.如權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的像素電路，其特征在于，所述置位電路包括通斷控制電路和第一發(fā)光控制電路，所述置位控制端包括第一復(fù)位控制端和第一發(fā)光控制端；
7.如權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的像素電路，其特征在于，還包括第二儲(chǔ)能電路；
8.如權(quán)利要求6所述的像素電路，其特征在于，還包括發(fā)光元件、第二發(fā)光控制電路和第三初始化電路；
9.如權(quán)利要求8所述的像素電路，其特征在于，所述第一發(fā)光控制電路包括的晶體管和所述第二發(fā)光控制電路包括的晶體管都為n型晶體管或都為p型晶體管，所述第一發(fā)光控制端為第n級(jí)發(fā)光控制端，所述第二發(fā)光控制端為第n+a級(jí)發(fā)光控制電路，n和a都為正整數(shù)。
10.如權(quán)利要求8所述的像素電路，其特征在于，所述像素電路還包括第一初始化電路和第二初始化電路；
11.如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)寫入電路包括第一晶體管；所述第一儲(chǔ)能電路包括第一電容；
12.如權(quán)利要求11所述的像素電路，其特征在于，所述第一晶體管為低溫多晶硅晶體管。
13.如權(quán)利要求6所述的像素電路，其特征在于，所述通斷控制電路包括第二晶體管，所述第一發(fā)光控制電路包括第三晶體管；
14.如權(quán)利要求13所述的像素電路，其特征在于，所述第三晶體管為低溫多晶硅晶體管。
15.如權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述第一初始化電路包括第四晶體管，所述第二初始化電路包括第五晶體管；
16.如權(quán)利要求7所述的像素電路，其特征在于，所述第二儲(chǔ)能電路包括第二電容；
17.如權(quán)利要求8所述的像素電路，其特征在于，所述第二發(fā)光控制電路包括第六晶體管，所述第三初始化電路包括第七晶體管；
18.如權(quán)利要求17所述的像素電路，其特征在于，所述第六晶體管為低溫多晶硅晶體管。
19.一種像素驅(qū)動(dòng)方法，應(yīng)用于如權(quán)利要求1至18中任一權(quán)利要求所述的像素電路，其特征在于，顯示周期包括復(fù)位階段和數(shù)據(jù)寫入階段；
20.如權(quán)利要求19所述的像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述像素電路還包括第一初始化電路和第二初始化電路；所述像素驅(qū)動(dòng)方法還包括：
21.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至18中任一權(quán)利要求所述的像素電路。