專利名稱：一種衛(wèi)生潔具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種衛(wèi)生潔具。
背景技術(shù)：
隨著人們生活質(zhì)量的日益提高，人們對家居環(huán)境的裝飾要求也越來越高，尤其是與自身息息相關(guān)的，更為注重，例如起居室或衛(wèi)生間等，其裝飾要求更是越來越高，衛(wèi)生潔具是居室或衛(wèi)生間的主要用品，衛(wèi)生潔具的外觀、質(zhì)量、檔次等都直接影響居室或衛(wèi)生間的裝飾效果。為了使得衛(wèi)生潔具更加美觀、高檔，使得與周邊的裝飾環(huán)境更加協(xié)調(diào)，往往 需要在衛(wèi)生潔具陶瓷主體的表面采用金屬進行裝飾。目前，在衛(wèi)生潔具上采用金屬進行裝飾的一般做法是采用金屬膏在衛(wèi)生潔具陶瓷主體的表面進行描繪或涂布，形成一層涂布的金屬層，然后再在800°C左右的高溫環(huán)境中進行煅燒。煅燒后，涂布的金屬層滲透到陶瓷主體中，與陶瓷主體混為一體，缺乏層次感；另夕卜，高溫煅燒成本高，且高溫煅燒會造成很多次品，降低產(chǎn)品的成品率；還有，因為涂布的厚度很不均勻，使得金屬層各部分的延展性差別較大，在高溫煅燒冷卻后，金屬層容易斷裂，露出陶瓷主體的白底，即是產(chǎn)生“白紋”，難以修補，影響美觀，因此目前基本無法在衛(wèi)生潔具陶瓷主體的表面設(shè)置大面積的金屬層。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種衛(wèi)生潔具，這種衛(wèi)生潔具具有較大面積的金屬層，厚度均勻、亮度高、金屬感強，并且減少生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品的成品率。采用的技術(shù)方案如下一種衛(wèi)生潔具，包括潔具陶瓷主體，其特征是還包括電鍍金屬層，電鍍金屬層通過真空電鍍的方式鍍制在潔具陶瓷主體的表面上。真空電鍍，即是在真空條件下，通過蒸餾或濺射等方式在潔具陶瓷主體表面沉積各種金屬薄膜，通過這樣的方式可以得到非常薄的電鍍金屬層。真空電鍍的方式在潔具陶瓷主體的表面上鍍制電鍍金屬層，所形成的電鍍金屬層非常薄、非常均勻、亮度更高、金屬感更強；無需高溫煅燒，既降低生產(chǎn)成本，又不會產(chǎn)生次品，提高了產(chǎn)品的成品率；真空電鍍采用沉積技術(shù)，大面積沉積時所形成的電鍍金屬層仍保持高度均勻性，真空電鍍過程的溫度又不高(大約在130°C左右)，不會由于熱脹冷縮的不均勻而導(dǎo)致電鍍金屬層斷裂，適合在潔具陶瓷主體表面設(shè)置大面積電鍍金屬層。作為本實用新型的優(yōu)選方案，其特征是所述電鍍金屬層為圖案層。即是電鍍金屬層為裝飾圖案，由于真空電鍍的方式是采用沉積技術(shù)，電鍍金屬層不會滲透到陶瓷主體中，具有更好的層次感，更具美觀。

附圖是本實用新型優(yōu)選實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖和本實用新型的優(yōu)選實施方式做進一步的說明。如附圖所示，這種衛(wèi)生潔具，包括潔具陶瓷主體I和電鍍金屬層2，電鍍金屬層2通過真空電鍍的方式鍍制在潔具陶瓷主體I的表面上；電鍍金屬層2為圖案層。上述電鍍金屬層2非常薄、非常均勻、亮度更高、金屬感更強；無需高溫煅燒，既降低生產(chǎn)成本，又不會產(chǎn)生次品，提高了產(chǎn)品的成品率；真空電鍍采用沉積技術(shù)，大面積沉積時所形成的電鍍金屬層2仍保持高度均勻性，真空電鍍過程的溫度又不高(大約在130°C左右)，不會由于熱脹冷縮的不均勻而導(dǎo)致電鍍金屬層2斷裂，適合在潔具陶瓷主體I表面設(shè)置大面積電鍍金屬層2。另外，電鍍金屬層2形成的裝飾圖案，具有更好的層次感，更具美 觀。
權(quán)利要求1.一種衛(wèi)生潔具，包括潔具陶瓷主體，其特征是還包括電鍍金屬層，電鍍金屬層通過真空電鍍的方式鍍制在潔具陶瓷主體的表面上。
2.如權(quán)利要求I所述的衛(wèi)生潔具，其特征是所述電鍍金屬層為圖案層。
專利摘要本實用新型涉及一種衛(wèi)生潔具，包括潔具陶瓷主體，其特征是還包括電鍍金屬層，電鍍金屬層通過真空電鍍的方式鍍制在潔具陶瓷主體的表面上。真空電鍍的方式在潔具陶瓷主體的表面上鍍制電鍍金屬層，所形成的電鍍金屬層非常薄、非常均勻、亮度更高、金屬感更強；無需高溫煅燒，既降低生產(chǎn)成本，又不會產(chǎn)生次品，提高了產(chǎn)品的成品率；真空電鍍采用沉積技術(shù)，大面積沉積時所形成的電鍍金屬層仍保持高度均勻性，真空電鍍過程的溫度又不高，不會由于熱脹冷縮的不均勻而導(dǎo)致電鍍金屬層斷裂，適合在潔具陶瓷主體表面設(shè)置大面積電鍍金屬層。
文檔編號B32B18/00GK202498795SQ20122008881
公開日2012年10月24日 申請日期2012年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月9日
發(fā)明者劉東坡 申請人:劉東坡