一種利用高爐熔渣生產(chǎn)微晶輕質(zhì)磚的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種利用高爐熔渣生產(chǎn)微晶輕質(zhì)磚的方法，該輕質(zhì)磚采用高爐熔渣作為主要原料，通過對高爐熔渣進(jìn)行調(diào)質(zhì)澄清得到成分合格的熔渣后，進(jìn)入水淬池，被水淬成微晶粒料，將微晶粒料研磨篩選后得到粒度合適的微晶粒料，與發(fā)泡劑混合均勻后放入鑄模中燒結(jié)制成氣泡均勻、成分穩(wěn)定的微晶輕質(zhì)磚；與傳統(tǒng)粘土磚相比，微晶輕質(zhì)磚有著更低的密度與更高的強度，因此具有更好的承重能力，并且由于其均勻的氣孔結(jié)構(gòu)，所以具有良好的保溫隔音效果，因此在一定程度上取代粘土磚或普通輕質(zhì)磚作為新型的建筑材料。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及工程材料【技術(shù)領(lǐng)域】，具體是一種利用高爐熔渣生產(chǎn)微晶輕質(zhì)磚的方 法。 -種利用高爐熔渣生產(chǎn)微晶輕質(zhì)磚的方法

【背景技術(shù)】
[0002] 粘土磚是建筑用的人造小型塊材。也被稱燒結(jié)磚。實心粘土磚是世界上最古老 的建筑材料之一，從秦始皇陵到明清長城，它傳承了中華民族幾千年的建筑文明史。至今， 它仍是國人衷愛的建筑材料。但是，由于粘土磚的制造需要大量的土地，會破壞大量的土 地資源。因此，政府頒布了"禁粘限實"令，規(guī)定全國禁燒粘土磚蓋房，縣城禁止使用實心粘 土磚，183個城市將限用粘土制品，由于此項政策，其他建筑材料應(yīng)運而生。微晶輕質(zhì)磚是 一種多孔的高強度微晶化硅酸鹽材料，也簡稱為泡沫微晶玻璃，它主要由玻璃相、晶體和氣 孔三部分組成，在均勻分布著大量氣孔的玻璃相基體中，分布著大量的微小晶體，使玻璃與 晶體網(wǎng)絡(luò)連接在一起，形成玻晶交織結(jié)構(gòu)，是一種性能優(yōu)越的新型多功能材料。由于泡沫 微晶玻璃本身的結(jié)構(gòu)特征和材料特性，使泡沫微晶玻璃具有諸多優(yōu)良性能：①不燃燒，防火 等級為A 1級，使用溫度可達(dá)1000°C不產(chǎn)生任何有毒有害氣體，屬于環(huán)保材料；②質(zhì)量輕， 150-400公斤/立方米，強度高，抗壓強度達(dá)到3. 9Mpa ;③抗凍性能好；④熱膨脹系數(shù)與墻 體材料十分接近，與墻體結(jié)合性能好；⑤吸水率僅為0. 4% -0. 8%，完全不滲透水汽，具有 良好的化學(xué)穩(wěn)定性；⑥屬于無機非金屬材料，性能穩(wěn)定，使用壽命長；⑦保溫性能好，導(dǎo)熱 系數(shù)為0. 050w/m · k ;⑧可以有效的回收利用。
[0003] 根據(jù)世界鋼鐵協(xié)會公布的數(shù)據(jù)顯示，2012年全世界的生鐵產(chǎn)量是11億噸，其中產(chǎn) 量最高的國家是中國，2012年一年的產(chǎn)量高達(dá)6. 5億噸。高爐熔渣是鋼鐵生產(chǎn)中的主要副 產(chǎn)品之一，在高爐冶煉過程中，即使按照300Kg的渣比來計算，高爐爐渣的產(chǎn)量也高達(dá)近兩 億噸。如何高效地利用這些高溫爐渣已逐漸成為人們關(guān)注的熱點?，F(xiàn)階段的高爐爐渣處理 工藝基本上都采用的是水沖渣工藝，得到的產(chǎn)品基本用于水泥生產(chǎn)，并且用作水泥生產(chǎn)原 料的高爐水渣幾乎毫無利潤可言。同時每淬冷It溫度在1450?1550°C的高溫爐渣需要消 耗新水1. 2t，并且產(chǎn)生大量廢水、腐蝕性熱蒸汽且熱量不能回收，同時大量使用的水資源不 能被循環(huán)重復(fù)利用，高溫爐渣中存在的大量顯熱和潛熱很難得到有效的回收利用。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，本發(fā)明提供一種以廉價的高爐熔渣為原料，充 分利用熔渣的顯熱、潛熱與鋼鐵企業(yè)的副產(chǎn)煤氣，減少了廢水、廢氣、廢渣和煙塵的產(chǎn)生，減 少鋼鐵冶煉對環(huán)境的污染和對資源的過度消耗，將無用的高爐渣再次利用，用于生產(chǎn)性能 優(yōu)異、用途廣泛的微晶輕質(zhì)磚的方法。
[0005] 本發(fā)明提供一種利用高爐熔渣生產(chǎn)微晶輕質(zhì)磚的方法，所述方法包括下述原料， 所述百分比為質(zhì)量百分比，以40-80%高爐熔渣為主要原料，加入占總原料質(zhì)量的15-55% 的調(diào)質(zhì)劑，加入占總原料質(zhì)量的〇. 2-10%的澄清劑；所述方法包括下述步驟：
[0006] (1)調(diào)質(zhì)攪拌：高爐熔渣轉(zhuǎn)移至成分調(diào)質(zhì)攪拌池中，加入成分調(diào)質(zhì)劑，熔渣處在 1400-1580°C高溫區(qū)間；
[0007] (2)澄清攪拌：熔渣通過成分調(diào)質(zhì)攪拌池底部的渣口進(jìn)入熔渣澄清池中，加入澄 清劑，攪拌使其成分均勻；
[0008] (3)渣包緩沖：熔渣通過澄清池底部的渣口進(jìn)入渣包中；
[0009] (4)熔渣水淬：熔渣從渣包下的渣口進(jìn)入水淬池，進(jìn)行水淬處理，形成微晶粒料；
[0010] (5)干燥研磨：將步驟（4)得到的微晶粒料進(jìn)行烘干研磨后，篩分出粒度為16-330 目的微晶粉料；在微晶粉料中加入占微晶粉料質(zhì)量〇. 1-5%的發(fā)泡劑與占微晶粉料質(zhì)量 0. 1-10%的穩(wěn)泡劑，通過固體攪拌器攪拌，使其成分均勻，得到微晶混合料；
[0011] (6)布料：將微晶混合料布在模具上；
[0012] (7)熱處理：將模具內(nèi)的的微晶混合料放入窯爐內(nèi)進(jìn)行熱處理；
[0013] (8)冷卻切割：將步驟（7)得到的產(chǎn)品，冷卻至100°C以下，按規(guī)格切割得到微晶輕 質(zhì)磚。
[0014] 進(jìn)一步的，在熔渣澄清池中，加入澄清劑排除熔渣中的各類雜質(zhì)和氣泡，使其成分 均勻，并使熔渣保溫在1400-1580°C。
[0015] 所述微晶粉料是粒度為220-320目的微晶粉料（也可稱為微晶粒料）。
[0016] 可以根據(jù)客戶的要求調(diào)節(jié)微晶輕質(zhì)磚內(nèi)氣泡的大小，例如，氣泡的直徑可以是 0. lmm-5mm。微晶輕質(zhì)磚內(nèi)氣泡的大小均勻。
[0017] 所述調(diào)質(zhì)劑，也稱為成分調(diào)質(zhì)劑，或成分改質(zhì)劑，或簡稱改質(zhì)劑。
[0018] 上述的總原料包括高爐熔渣,調(diào)質(zhì)劑，和澄清劑。
[0019] 進(jìn)一步的，該方法以高爐熔渣為主要原料，所述方法包括下述原料，所述百分比為 質(zhì)量百分比，以45-75 %高爐熔渣為主要原料，加入占總原料質(zhì)量的24-54 %的調(diào)質(zhì)劑，力口 入占總原料質(zhì)量的1%的澄清劑。
[0020] 進(jìn)一步的，上述方法中，所述熱處理包括核化、發(fā)泡晶化、穩(wěn)泡、退火冷卻4個階 段，所述窯爐溫度制度為：
[0021] 核化：以 5-15°C /min 的速度升至 790-900°C，保溫 0· l_3h ;
[0022] 發(fā)泡晶化：以3-5°C /min的速度升至1100-1200°C，保溫l_4h ;
[0023] 穩(wěn)泡：以 8-15°C /min 的速度降至 500-680°C，保溫 0. 1-lh ;
[0024] 退火冷卻：然后以15-20°C /min的速度降至100°C以下出爐。
[0025] 進(jìn)一步的，上述方法中，使用的調(diào)質(zhì)劑選自石英砂、螢石、鉀長石、鈉長石、粘土、碳 酸鈉、方解石、硅藻土、氧化鋁、硝酸鈉、高嶺土、陶土、鋰輝石、氧化鋅、電廠灰、粉煤灰、生活 污泥、高爐鈦渣以及廢舊電腦手機電路板中的一種或多種。
[0026] 成分調(diào)質(zhì)劑的選擇和添加量根據(jù)生產(chǎn)產(chǎn)品的成分要求和調(diào)質(zhì)劑的價格及來源途 徑確定。
[0027] 進(jìn)一步的，所述調(diào)質(zhì)劑包括石英砂、鉀長石、硝酸鈉、氧化鋁、方解石、鋰輝石、粉煤 灰中的至少兩種的組合物。
[0028] 所述調(diào)質(zhì)劑包括石英砂、鉀長石、硝酸鈉、氧化鋁和方解石。
[0029] 所述調(diào)質(zhì)劑由石英砂、鉀長石、硝酸鈉、氧化鋁和方解石組成。
[0030] 所述石英砂的含量是15-20%。所述鉀長石的含量是4-5%。所述硝酸鈉的含量 是2%。所述氧化錯的含量是2-3%。所述方解石的含量是5-10%。
[0031] 進(jìn)一步的，上述方法中，所述發(fā)泡劑選自尿素、淀粉、碳粉、Na2C03、K 2C03、SiC、 CaC03、Mn02、(NH4)2C0 3或者復(fù)合發(fā)泡劑中的一種或多種；所述發(fā)泡劑的粒度為100?200目， 所述穩(wěn)泡劑選自磷酸鈉、氧化鋅、硼砂中的一種或多種；所述澄清劑選自白砒，三氧化二銻， 硝酸鈉，硝酸銨，二氧化鈰中的一種或多種。
[0032] 進(jìn)一步的，所述發(fā)泡劑選自碳酸鈣、碳化硅或其組合物，所述穩(wěn)泡劑是硼砂。
[0033] 進(jìn)一步的，所述發(fā)泡劑的含量是1-3%，所述穩(wěn)泡劑的含量是2-3%。
[0034] 進(jìn)一步的，所述發(fā)泡劑包括2%的發(fā)泡劑碳酸鈣、1 %的發(fā)泡劑碳化硅，所述穩(wěn)泡劑 包括3 %的硼砂。
[0035] 或者，所述發(fā)泡劑是1 %的碳化硅，所述穩(wěn)泡劑是3 %的硼砂。
[0036] 或者，所述發(fā)泡劑是3 %的碳酸鈣，所述穩(wěn)泡劑是2 %的硼砂
[0037] 所述澄清劑是二氧化二鋪，簡稱氧化鋪。
[0038] 進(jìn)一步的，上述方法中，所使用的高爐熔渣包括下述成分：Si02為30-40%，CaO為 30-40 %，MgO 為 5-15 %，A1203 為 5-25 %，F(xiàn)eO 為 0· 1-5 %，MnO 為 0· 1-5 %，K20 為 0· 1-5 %， Na20 為 0. 1-5%，其它為 1-10%。
[0039] 進(jìn)一步的，上述方法中，所使用的高爐熔渣包括下述成分：Si02為33-38%，CaO為 36-38 %，MgO 為 9-11 %，A1203 為 9-10 %，F(xiàn)eO 為 2-4 %，MnO 為 3-4 %，K20 為 0· 5-1 %，Na20 為 0. 5-1. 5%，其它為 1-2%。
[0040] 進(jìn)一步的，上述方法中，所使用的高爐熔渣包括下述成分：Si02為34-37%，CaO為 36-38%，Mg0 為 9-11%，A1203 為 9-ll%，F(xiàn)e0 為 2-4%，Mn0 為 1-4%，K20 為 0· 5-2%，Na20 為 0. 5-1. 5%，其它為 1-2%。
[0041] 進(jìn)一步的，上述方法中，所使用的高爐熔渣包括下述成分：Si02S 34%，CaO為 37%，Mg0 為 11%，A1203 為 10%，F(xiàn)e0 為 3%，Mn0 為 3%，K20 為 0· 5%，Na20 為 0· 5%，其它 成分為2%。其它成分為雜質(zhì)，含量較低，對制備得到的微晶輕質(zhì)磚無影響。
[0042] 進(jìn)一步的，所述方法包括下述原料，以60%高爐熔渣為主要原料，加入占總原料質(zhì) 量的39%的調(diào)質(zhì)劑，加入占總原料質(zhì)量的1%的澄清劑。
[0043] 進(jìn)一步的，上述方法中，所述熱處理包括核化、發(fā)泡晶化、穩(wěn)泡、退火冷卻4個階 段，所述窯爐溫度制度為：
[0044] 核化：以 10-14°C /min 的速度升至 800-880°C，保溫 lh ;
[0045] 發(fā)泡晶化：以4-5°C /min的速度升至1150-1200°C，保溫2h ;
[0046] 穩(wěn)泡：以 8-10°C /min 的速度降至 610-680°C，保溫 0· 5h ;
[0047] 退火冷卻：然后以15°C /min的速度降至100°C以下出爐。
[0048] 進(jìn)一步的，所述窯爐溫度制度為：
[0049] 核化：以14°C /min的速度升至880°C，保溫lh ;
[0050] 發(fā)泡晶化：以5°C /min的速度升至1200°C，保溫2h ;
[0051] 穩(wěn)泡：以8°C /min的速度降至680°C，保溫0· 5h ;
[0052] 退火冷卻：然后以15°C /min的速度降至100°C以下出爐。
[0053] 進(jìn)一步的，上述方法中，整個過程中采用的加熱方式包括噴吹可燃高爐煤氣、轉(zhuǎn)爐 煤氣、焦?fàn)t煤氣；米用的冷卻方式包括循環(huán)水冷卻、空冷。
[0054] 本發(fā)明提供的利用高爐熔渣生產(chǎn)微晶輕質(zhì)磚的方法，采用高爐熔渣作為主要原 料，通過對高爐熔渣進(jìn)行調(diào)質(zhì)澄清得到成分合格的熔渣，之后，熔渣進(jìn)入水淬池，被水淬成 微晶粒料，將微晶粒料研磨篩選后得到粒度合適的微晶粒料，微晶粒料與發(fā)泡劑混合均勻 后放入鑄模中燒結(jié)制成氣泡均勻、成分穩(wěn)定的微晶輕質(zhì)磚；與傳統(tǒng)粘土磚相比，微晶輕質(zhì)磚 有著更低的密度與更高的強度，因此具有更好的承重能力，并且由于其均勻的氣孔結(jié)構(gòu)，所 以具有良好的保溫隔音效果，因此在一定程度上取代粘土磚或普通輕質(zhì)磚作為新型的建筑 材料。
[0055] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的利用高爐熔渣制備微晶輕質(zhì)磚的方法，具有下 述有益效果。
[0056] 1、傳統(tǒng)輕質(zhì)磚以粉煤灰、生石灰、水泥、鋁粉、穩(wěn)泡劑為原料，經(jīng)高壓成型、高溫?zé)?成，雖然強度及各項性能優(yōu)于粘土磚，但是無法滿足市場對高性能、低成本建筑材料的要 求，本發(fā)明提供的利用高爐熔渣生產(chǎn)微晶輕質(zhì)磚的方法，以高爐熔渣為原料，經(jīng)調(diào)質(zhì)、水淬、 熱處理等工藝生產(chǎn)制得微晶輕質(zhì)磚，旨在生產(chǎn)能滿足市場要求的產(chǎn)品。而且，使用廉價高爐 熔渣作為原料可以有效回收其熱量，大量降低了生產(chǎn)的成本，不僅提高了高爐熔渣的經(jīng)濟(jì) 效益，更生產(chǎn)出了具有高附加值的微晶輕質(zhì)磚產(chǎn)品；
[0057] 2、本發(fā)明提供的方法制得的產(chǎn)品為微晶輕質(zhì)磚，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)由玻璃相、微晶相、氣 相三相構(gòu)成，本質(zhì)上和傳統(tǒng)輕質(zhì)磚的水泥結(jié)構(gòu)不同，故本產(chǎn)品一方面具有普通輕質(zhì)磚密度 小、質(zhì)量輕，保溫隔熱，防止噪音等性能，并且具有A1級的防火等級，另一方面具有優(yōu)于粘 土磚和普通輕質(zhì)磚的強度，可以作為建筑的承重材料；
[0058] 3、高爐熔渣在成份調(diào)整過程中大量使用了諸如尾礦，電廠灰，粉煤灰，生活污泥等 廉價工業(yè)廢棄物，并且可以使用廢舊電腦手機電路板作為添加劑，對于處理廢舊電腦手機 電路板中的重金屬提供了一種新的思路，從而減少掩埋處理過程中大量重金屬進(jìn)入土壤和 地下水產(chǎn)生的污染，不僅提高了產(chǎn)品的附加值，也是循環(huán)經(jīng)濟(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)經(jīng)濟(jì)效益和環(huán)境效 益的雙贏。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0059] 圖1是本發(fā)明提供的利用高爐熔渣制備微晶輕質(zhì)磚的生產(chǎn)方法的工藝流程圖；
[0060] 圖2是本發(fā)明提供的方法使用的設(shè)備的示意圖；
[0061] 圖3是本發(fā)明實施例1制備的微晶輕質(zhì)磚的剖面圖；
[0062] 圖4是對比例1制備的微晶輕質(zhì)磚的剖面圖。

【具體實施方式】
[0063] 下面結(jié)合實施例和說明書附圖對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0064] 如圖1所示，本發(fā)明提供的利用高爐熔渣生產(chǎn)泡沫微晶輕質(zhì)磚的工藝流程包括： 高爐熔渣經(jīng)過調(diào)質(zhì)攪拌、澄清攪拌、渣包緩沖、水淬之后形成玻璃顆粒，后經(jīng)干燥研磨、布 料、熱處理形成泡沫微晶輕質(zhì)磚，后經(jīng)冷卻切割得到輕質(zhì)磚成品。
[0065] 如圖2所示，本發(fā)明提供的利用高爐熔渣生產(chǎn)泡沫微晶輕質(zhì)磚的設(shè)備包括：調(diào)質(zhì) 攪拌池1，澄清攪拌池2,渣包3,水淬池4,干燥機5,研磨機6,布料器（或布料機）7,熱處理 爐8,切割機9,拋光機10。
[0066] 上述制備泡沫微晶輕質(zhì)磚的設(shè)備中：
[0067] (1)調(diào)質(zhì)攪拌池1 :將成分改質(zhì)劑通過改質(zhì)劑漏斗101加入調(diào)質(zhì)攪拌池中，對高爐 熔渣進(jìn)行調(diào)質(zhì)，通過頂吹攪拌槍102頂吹惰性氣體進(jìn)行攪拌，并通過煤氣加熱槍103噴吹副 產(chǎn)煤氣加熱保溫；
[0068] (2)澄清攪拌池2 :將澄清劑通過漏斗201加入澄清攪拌池中，澄清熔融原料，通過 頂吹攪拌槍202頂吹惰性氣體進(jìn)行攪拌，并通過煤氣加熱槍203噴吹副產(chǎn)煤氣加熱保溫；
[0069] (3)渣包3 :將調(diào)質(zhì)澄清后成分均勻的熔融原料，儲存在渣包中，渣包下有下渣口 301，渣包放在渣包回轉(zhuǎn)臺302上，通過渣包回轉(zhuǎn)臺可保證連續(xù)水淬，且形成一個緩沖區(qū)；
[0070] (4)水淬池4 :熔渣通過渣包的下渣口 301流入水淬池4中，水淬池有進(jìn)水口 401 和出水口 402,通過調(diào)節(jié)水的流速使得水淬池的水溫不會過高；
[0071] (5)干燥機5 :將經(jīng)過水淬的熔渣進(jìn)行干燥，使得水淬得到的玻璃顆粒（或稱為微 晶粒料）中不含有水分；
[0072] (6)研磨機6 :將得到的玻璃顆粒進(jìn)行破碎，并通過其中的篩分功能篩分出合適的 微晶粒料（或稱微晶粉料）；
[0073] (7)布料機7 :將合格的微晶混合料均勻的布在模具上；
[0074] (8)熱處理爐8,用于對模具上的微晶混合料進(jìn)行核化、發(fā)泡晶化、穩(wěn)泡、退火冷 卻；
[0075] (9)切割機9和拋光機10 :成型的產(chǎn)品進(jìn)行冷卻后，對其進(jìn)行切割拋光打磨，最終 成為泡沫微晶輕質(zhì)磚。
[0076] 如圖3所示，本發(fā)明實施例1制備得到的微晶輕質(zhì)磚有著均勻的氣孔結(jié)構(gòu)。圖3 中的多數(shù)氣泡的直徑為〇. 3-0. 6mm。
[0077] 如圖4所示，對比例1中所用的高爐熔渣含量過高，制備得到的微晶輕質(zhì)磚氣孔大 小不均勻，有特大氣泡缺陷。
[0078] 表1實施例1-6中所用高爐熔渣的成分組成
[0079]

【權(quán)利要求】
1. 一種利用高爐熔渣生產(chǎn)微晶輕質(zhì)磚的方法，其特征在于，所述方法包括下述原料，所 述百分比為質(zhì)量百分比，以40-80%高爐熔渣為主要原料，加入占總原料質(zhì)量的15-55%的 調(diào)質(zhì)劑，加入占總原料質(zhì)量的〇. 2-10%的澄清劑；所述方法包括下述步驟： (1) 調(diào)質(zhì)攪拌：高爐熔渣轉(zhuǎn)移至成分調(diào)質(zhì)攪拌池中，加入調(diào)質(zhì)劑，熔渣處在 1400-1580°C高溫區(qū)間； (2) 澄清攪拌：熔渣通過成分調(diào)質(zhì)攪拌池底部的渣口進(jìn)入熔渣澄清池中，加入澄清劑， 攪拌使其成分均勻； (3) 渣包緩沖：熔渣通過澄清池底部的渣口進(jìn)入渣包中； (4) 熔渣水淬：熔渣從渣包下的渣口進(jìn)入水淬池，進(jìn)行水淬處理，形成微晶粒料； (5) 干燥研磨：將步驟（4)得到的微晶粒料進(jìn)行烘干研磨后，篩分出粒度為16-330 目的微晶粉料；在微晶粉料中加入占微晶粉料質(zhì)量〇. 1-5 %的發(fā)泡劑與占微晶粉料質(zhì)量 0. 1-10%的穩(wěn)泡劑，通過固體攪拌器攪拌，使其成分均勻，得到微晶混合料； (6) 布料：將微晶混合料布在模具上； (7) 熱處理：將模具內(nèi)的的微晶混合料放入窯爐內(nèi)進(jìn)行熱處理； (8) 冷卻切割：將步驟（7)得到的產(chǎn)品，冷卻至KKTC以下，按規(guī)格切割得到微晶輕質(zhì) 磚。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述利用高爐熔渣生產(chǎn)微晶輕質(zhì)磚的方法，其特征在于，該方法以 高爐熔渣為主要原料，所述方法包括下述原料，所述百分比為質(zhì)量百分比，以45-75%高爐 熔渣為主要原料,加入占總原料質(zhì)量的24-54%的調(diào)質(zhì)劑，加入占總原料質(zhì)量的1 %的澄清 劑。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述利用高爐熔渣生產(chǎn)微晶輕質(zhì)磚的方法，其特征在于，所述熱處 理包括核化、發(fā)泡晶化、穩(wěn)泡、退火冷卻4個階段，所述窯爐溫度制度為： 核化：以5-15°C /min的速度升至790-900°C，保溫0. l_3h ; 發(fā)泡晶化：以3-5°C /min的速度升至1100-1200°C，保溫l_4h ; 穩(wěn)泡：以8-15°C /min的速度降至500-680°C，保溫0. 1-lh ; 退火冷卻：然后以15_20°C /min的速度降至KKTC以下出爐。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，使用的調(diào)質(zhì)劑選自石英砂、螢石、鉀長石、 鈉長石、粘土、碳酸鈉、方解石、硅藻土、氧化鋁、硝酸鈉、高嶺土、陶土、鋰輝石、氧化鋅、電廠 灰、粉煤灰、生活污泥、高爐鈦渣以及廢舊電腦手機電路板中的一種或多種。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述發(fā)泡劑選自尿素、淀粉、碳粉、Na2C03、 K2C03、SiC、CaC03、Mn02、（NH 4)2C03或者復(fù)合發(fā)泡劑中的一種或多種；所述發(fā)泡劑的粒度為 100?200目，所述穩(wěn)泡劑選自磷酸鈉、氧化鋅、硼砂中的一種或多種；所述澄清劑選自白 砒，三氧化二銻，硝酸鈉，硝酸銨，二氧化鈰中的一種或多種。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述方法中，所使用的高爐熔渣包括下述成 分：Si02 為 30-40 %，CaO 為 30-40 %，MgO 為 5-15 %，A1203 為 5-25 %，F(xiàn)eO 為 0· 1-5 %，MnO 為 0· 1-5%，K20 為 0· 1-5%，Na20 為 0· 1-5%，其它為 1-10%。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述方法中，所使用的高爐熔渣包括下述成 分：Si02 為 33-38%，CaO 為 36-38%，MgO 為 9-11%，A1203 為 9-10%，F(xiàn)eO 為 2-4%，MnO 為 3-4%，K20 為 0. 5-1%，Na20 為 0. 5-1. 5%，其它為 1-2%。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述方法中，所使用的高爐熔渣包括下述成 分：Si02 為 34-37%，CaO 為 36-38%，MgO 為 9-11%，A1203 為 9-11%，F(xiàn)eO 為 2-4%，MnO 為 1-4%，K20 為 0· 5-2%，Na20 為 0· 5-1. 5%，其它為 1-2%。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述方法包括下述原料，以60 %高爐熔渣為 主要原料，加入占總原料質(zhì)量的39%的調(diào)質(zhì)劑，加入占總原料質(zhì)量的1%的澄清劑。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述熱處理包括核化、發(fā)泡晶化、穩(wěn)泡、退 火冷卻4個階段，所述窯爐溫度制度為： 核化：以10_14°C /min的速度升至800-880°C，保溫lh ; 發(fā)泡晶化：以4-5°C /min的速度升至1150-1200°C，保溫2h ; 穩(wěn)泡：以8-10°C /min的速度降至610-680°C，保溫0. 5h ; 退火冷卻：然后以15°C /min的速度降至100°C以下出爐。
【文檔編號】C03C11/00GK104098272SQ201410392197
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年8月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月11日
【發(fā)明者】吳克誠, 陳懷冰, 鄧釋禪 申請人:北京璞晶科技有限公司