技術(shù)編號(hào)：7171157
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種等離子體工藝裝置，特別是涉及一種雙面等離子體工藝裝置的電極載具結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)在半導(dǎo)體工藝中，干式刻蝕工藝一般為刻蝕，是將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室內(nèi)，再利用射頻源讓刻蝕氣體產(chǎn)生等離子體，進(jìn)而對(duì)基材進(jìn)行刻蝕。以往的刻蝕結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參閱圖1所示(例如中國(guó)臺(tái)灣發(fā)明專利證書號(hào)U98357 —案所揭露)，是將基材90放置于一電極板91上并且間隔對(duì)應(yīng)于一氣體分布電極板92的正下方，刻蝕氣體是通過氣體分布電極板92的通孔921并在電極板91與氣體分布電極板92...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。