專利名稱：電極載具及雙面等離子體工藝裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種等離子體工藝裝置，特別是涉及一種雙面等離子體工藝裝置的電極載具結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工藝中，干式刻蝕工藝一般為刻蝕，是將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室內(nèi)，再利用射頻源讓刻蝕氣體產(chǎn)生等離子體，進(jìn)而對(duì)基材進(jìn)行刻蝕。以往的刻蝕結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參閱圖1所示(例如中國(guó)臺(tái)灣發(fā)明專利證書(shū)號(hào)U98357 —案所揭露)，是將基材90放置于一電極板91上并且間隔對(duì)應(yīng)于一氣體分布電極板92的正下方，刻蝕氣體是通過(guò)氣體分布電極板92的通孔921并在電極板91與氣體分布電極板92之間產(chǎn)生等離子體，進(jìn)而對(duì)基材90進(jìn)行刻蝕。由于基材90是被放置在電極板91上，因此，通常只能面向氣體分布電極板92的單面進(jìn)行刻蝕。由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的等離子體工藝裝置在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品及裝置又沒(méi)有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的電極載具及雙面等離子體工藝裝置，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的等離子體工藝裝置存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的電極載具及雙面等離子體工藝裝置，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的等離子體工藝裝置，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過(guò)不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過(guò)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本實(shí)用新型。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于，克服現(xiàn)有的等離子體工藝裝置存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的電極載具及雙面等離子體工藝裝置，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是在提供一種用以承載基材，使基材可雙面同時(shí)進(jìn)行等離子體工藝反應(yīng)的電極載具以及雙面等離子體工藝裝置，非常適于實(shí)用。本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本實(shí)用新型電極載具提出的用以承載一基材進(jìn)行雙面等離子體工藝反應(yīng)，其特征在于該電極載具包含一第一電極座，形成有多數(shù)個(gè)第一通氣孔；一支撐單元，設(shè)置于該第一電極座；一第二電極座，設(shè)置于該支撐單元并且間隔于該第一電極座，且該第二電極座形成有多數(shù)個(gè)第二通氣孔；以及一治具，設(shè)置于該第一電極座介于該第一電極座與該第二電極座之間，用以將該基材支撐于該第一電極座與該第二電極座之間并且分別與該第一、第二電極座相間
4隔。本實(shí)用新型的目的以及解決其技術(shù)問(wèn)題還可以采用以下的技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的電極載具，其中所述的該第一電極座包括一第一電極板以及一第一氣孔板，該第一電極板具有一面向該第二電極座的頂面以及由該頂面凹陷的一第一凹穴，該第一氣孔板設(shè)置于該第一電極板并且與該第一凹穴配合界定出一第一氣體通道，所述第一通氣孔設(shè)置于該第一氣孔板；該第二電極座包括一第二電極板以及一第二氣孔板，該第二電極板具有一面向該第一電極座的底面以及由該底面凹陷的一第二凹穴，該第二氣孔板設(shè)置于該第二電極板并且與該第二凹穴配合界定出一第二氣體通道，所述第二通氣孔設(shè)置于該第二氣孑L板。前述的電極載具，其中所述的該治具包括多數(shù)個(gè)支撐座，每一支撐座包括一設(shè)置于該第一電極板的底柱以及一設(shè)置于該底柱并且間隔于該第一電極座的盤(pán)部，該基材受承托于所述支撐座的盤(pán)部上。前述的電極載具，其中所述的其每一支撐座的盤(pán)部凹陷形成有一呈弧形方向延伸的凹陷階，每一凹陷階界定出一支撐凸緣，該基材受承托于所述支撐凸緣上。前述的電極載具，其中所述的該治具包括多數(shù)個(gè)相間隔設(shè)置于該第一電極座的支撐座，每一支撐座包括一直立設(shè)置于該第一電極座的支撐柱以及一由該支撐柱側(cè)向延伸出而間隔于該第一電極座的凸片，該基材可供放置于所述支撐座的凸片上而間隔于該第一電極座與該第二電極座之間。前述的電極載具，其中所述的該支撐單元包括多數(shù)個(gè)支撐柱。本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本實(shí)用新型雙面等離子體工藝裝置提出的其包含一第一電極載具，包括一第一電極座，形成有多數(shù)個(gè)第一通氣孔；一支撐單元，設(shè)置于該第一電極座；一第二電極座，設(shè)置于該支撐單元并且間隔于該第一電極座，且該第二電極座形成有多數(shù)個(gè)第二通氣孔；以及一治具，設(shè)置于該第一電極座介于該第一電極座與該第二電極座之間，用以將一基材支撐于該第一電極座與該第二電極座之間并且分別與該第一、第二電極座相間隔；以及一架體，界定出一供該第一電極載具容納于內(nèi)的一第一反應(yīng)室。本實(shí)用新型的目的以及解決其技術(shù)問(wèn)題還可以采用以下的技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的雙面等離子體工藝裝置，其中所述的該第一電極座包括一第一電極板以及一第一氣孔板，該第一電極板具有一面向該第二電極座的頂面以及由該頂面凹陷的一第一凹穴，該第一氣孔板設(shè)置于該第一電極板并且與該第一凹穴配合界定出一第一氣體通道， 所述第一通氣孔設(shè)置于該第一氣孔板；該第二電極座包括一第二電極板以及一第二氣孔板，該第二電極板具有一面向該第一電極座的底面以及由該底面凹陷的一第二凹穴，該第二氣孔板設(shè)置于該第二電極板并且與該第二凹穴配合界定出一第二氣體通道，所述第二通氣孔設(shè)置于該第二氣孔板。前述的雙面等離子體工藝裝置，其中所述的該治具包括多數(shù)個(gè)支撐座，每一支撐座包括一設(shè)置于該第一電極板的底柱以及一設(shè)置于該底柱并且間隔于該第一電極座的盤(pán)部，該基材受承托于所述支撐座的盤(pán)部上。[0019]前述的雙面等離子體工藝裝置，其中所述的每一支撐座的盤(pán)部凹陷形成有一呈弧形方向延伸的凹陷階，每一凹陷階界定出一支撐凸緣，該基材受承托于所述支撐凸緣上。前述的雙面等離子體工藝裝置，其中所述的該治具包括多數(shù)個(gè)相間隔設(shè)置于該第一電極座的支撐座，每一支撐座包括一直立設(shè)置于該第一電極座的支撐柱以及一由該支撐柱側(cè)向延伸出而間隔于該第一電極座的凸片，該基材可供放置于所述支撐座的凸片上而間隔于該第一電極座與該第二電極座之間。前述的雙面等離子體工藝裝置，其中所述的該支撐單元包括多數(shù)個(gè)支撐柱。前述的雙面等離子體工藝裝置，其中所述的該雙面等離子體工藝裝置還包含一第二電極載具，且該架體還界定出一用以容納該第二電極載具的第二反應(yīng)室。前述的雙面等離子體工藝裝置，其中所述的該架體包括多數(shù)個(gè)相間隔的層板，所述層板配合界定出該第一、第二反應(yīng)室。借由上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型電極載具及雙面等離子體工藝裝置至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果借由上述電極載具的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得基材放置于其上時(shí)，能同時(shí)對(duì)基材的兩面進(jìn)行工藝反應(yīng)，相較于以往單次僅能對(duì)基材的一側(cè)面進(jìn)行工藝反應(yīng)刻蝕的做法，能縮短工時(shí)而增加產(chǎn)量。綜上所述，本實(shí)用新型包含一第一電極座、一支撐單元、一第二電極座與一治具， 第一電極座形成有多數(shù)個(gè)第一通氣孔，第二電極座借支撐單元間隔于第一電極座并且形成有多數(shù)個(gè)第二通氣孔，治具用以將基材(例如晶圓、電路板或玻璃基板等)支撐間隔于第一電極座與第二電極座之間。本實(shí)用新型的一具體做法是借由將基材支撐間隔于第一電極座與第二電極座之間，使得工藝氣體可分別在第一電極座與基材之間以及在第二電極座與基材之間形成等離子體，對(duì)基材兩面進(jìn)行工藝反應(yīng)。本實(shí)用新型在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并具有明顯的積極效果，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說(shuō)明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本實(shí)用新型的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。

圖1是以往一種刻蝕結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2是本實(shí)用新型雙面等離子體工藝裝置的一個(gè)較佳實(shí)施例的前視示意圖；圖3是該較佳實(shí)施例的一電極載具的前視示意圖。圖4是該較佳實(shí)施例的該電極載具的部分組件立體圖，圖中并未示出該電極載具的一第二電極座。圖5是本實(shí)用新型電極載具的另一實(shí)施結(jié)構(gòu)的前視示意圖。圖6是該另一實(shí)施結(jié)構(gòu)的電極載具的部分組件俯視圖，圖中并未示出該電極載具的第二電極座。
具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，
以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本實(shí)用新型提出的電極載具及雙面等離子體工藝裝置其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。請(qǐng)參閱圖2，本實(shí)用新型雙面等離子體工藝裝置100的一個(gè)較佳實(shí)施例是應(yīng)用于等離子體刻蝕工藝，但其也適用于如等離子體濺鍍、等離子體相關(guān)鍍膜等工藝，該雙面等離子體工藝裝置100包含一架體1以及第一至第五電極載具2，其中，架體1界定出上下排列的第一至第五反應(yīng)室10，每一反應(yīng)室10用以容納一電極載具2，事實(shí)上，架體1是包括多數(shù)個(gè)上下相間隔的層板11以及多數(shù)個(gè)連接所述層板11的直立側(cè)板12，所述層板11與直立側(cè)板12界定出第一至第五反應(yīng)室10。由于第一至第五電極載具2結(jié)構(gòu)都相同，以下只以第一電極載具2為例說(shuō)明請(qǐng)參閱圖3、圖4，第一電極載具2包括一第一電極座21、一支撐單元22、一第二電極座23以及一治具24。第一電極座21形成有多數(shù)個(gè)用以供刻蝕氣體通過(guò)的第一通氣孔210，具體而言， 第一電極座21包括一金屬材質(zhì)的第一電極板211以及一第一氣孔板216，第一電極板211 具有一頂面212、一第一板緣213以及一由頂面212凹陷并且在第一板緣213形成一第一開(kāi)口 217的第一凹穴214，第一氣孔板216設(shè)置在第一電極板211的頂面212并且遮蔽第一凹穴214，且第一氣孔板216與第一凹穴214配合界定出一橫向延伸介于第一電極板211的頂面212與底面之間的第一氣體通道215，前述的第一通氣孔210是形成在第一氣孔板216 而與第一氣體通道215相連通，刻蝕氣體可由第一電極板211第一板緣213的第一開(kāi)口 217 進(jìn)入第一氣體通道215并且經(jīng)由第一通氣孔210通過(guò)第一氣孔板216。第二電極座23與第一電極座21借由支撐單元22的支撐而上下相間隔，支撐單元 22在本實(shí)施例中包括多數(shù)個(gè)根設(shè)置在第一電極座21上的支撐柱221，第二電極座23設(shè)置在支撐柱221頂端而間隔于第一電極座21上方。第二電極座23形成有多數(shù)個(gè)用以供刻蝕氣體通過(guò)的第二通氣孔230，第二電極座 23的結(jié)構(gòu)可大致與第一電極座23的結(jié)構(gòu)相同，具體而言，第二電極座23包括一金屬材質(zhì)的第二電極板231以及一第二氣孔板236，第二電極板231具有一底面232、一第二板緣233 以及一由底面232凹陷并且在第二板緣233形成一第二開(kāi)口 237的第二凹穴234，第一電極板211的頂面212是面向第二電極座23，第二電極板231的底面232是面向第一電極座 21，第二氣孔板236設(shè)置在第二電極板231的底面232并且遮蔽第二凹穴234，且第二氣孔板236與第二凹穴234之間界定出一橫向延伸介于第二電極板231的底面232與頂面之間的第二氣體通道235，前述的第二通氣孔231是形成在第二氣孔板236而與第二氣體通道 235相連通，刻蝕氣體可由第二電極板231第二板緣233的第二開(kāi)口 237進(jìn)入第二氣體通道 235并且經(jīng)由第二通氣孔230通過(guò)第二氣孔板236。治具M(jìn)用以供一基材101放置，使基材101位于第一電極座21與第二電極座23 之間并且同時(shí)與第一電極座21以及第二電極座23相間隔，在本實(shí)施例中，基材101為晶圓，但并不以此為限，其也可以是電路板或玻璃基板等可供進(jìn)行等離子體工藝的基材。治具 24包括一對(duì)支撐座M1，所述支撐座241相間隔設(shè)置在第一電極板211的頂面212，每一支撐座241包括一固定在第一電極板211頂面212的底柱M2以及一設(shè)置在底柱242并且間隔于第一電極座21上方的盤(pán)部M3，且盤(pán)部243形成有一呈弧形方向延伸的凹陷階M4，該凹陷階244界定出一支撐凸緣M5，且兩支撐座241的盤(pán)部243相向而可供一基材101放置在兩支撐座Ml的盤(pán)部243凹陷階244之間并且受承托于支撐凸緣245上，兩盤(pán)部243凹陷階M4的弧形是用以符合基材101的外緣。因此，當(dāng)基材101被放置在治具M(jìn)上時(shí)，基材101的頂面與底面分別間隔面向第二電極座23的第二氣孔板236與第一電極座21的第一氣孔板216，因此，當(dāng)刻蝕氣體分別由第一通氣孔210與第二通氣孔230進(jìn)入第一電極座21與第二電極座23之間時(shí)，刻蝕氣體便能分別在第一氣孔板216與基材101底面之間以及第二氣孔板236與基材101頂面之間形成等離子體并且分別對(duì)基材101的底面與頂面進(jìn)行刻蝕。在本實(shí)施例中，所有電極載具2的第一電極板211與第二電極板231均連接至同一極性的電極，架體1的所述層板11為接地。請(qǐng)參閱圖5、圖6，為電極載具2’的另一實(shí)施結(jié)構(gòu)，其中，與前述電極載具不同的地方在于支撐單元25的結(jié)構(gòu)，在此實(shí)施結(jié)構(gòu)中，治具25包括多數(shù)個(gè)相間隔設(shè)置于第一電極座 21上的支撐座251，每一支撐座251包括一直立設(shè)置于第一電極座21的支撐柱252以及一由支撐柱252鄰近頂端處側(cè)向延伸出而間隔于第一電極座21上方的凸片253，所述支撐座 251的凸片253是朝向第一電極座21中央，供基材101能放置在所述支撐座251的凸片253 上而間隔于第一電極座21與第二電極座23之間。事實(shí)上，治具M(jìn)、25的結(jié)構(gòu)并不以上述兩種結(jié)構(gòu)為限，其也可以是其它例如夾具等結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)，只要能將基材101支撐于第一電極座21與第二電極座23之間并且與第一電極座21的第一氣孔板216及第二電極座23的第二氣孔板236相間隔即可。綜上所述，本實(shí)用新型借由上述電極載具2、2’的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得基材101放置于其上時(shí)，能同時(shí)對(duì)基材101的兩面進(jìn)行工藝反應(yīng)，相較于以往單次只能對(duì)基材的一側(cè)面進(jìn)行工藝反應(yīng)刻蝕的做法，能縮短工時(shí)而增加產(chǎn)量，所以確實(shí)能達(dá)成本實(shí)用新型的目的。以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的結(jié)構(gòu)及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電極載具，用以承載一基材進(jìn)行雙面等離子體工藝反應(yīng)，其特征在于該電極載具包含一第一電極座，形成有多數(shù)個(gè)第一通氣孔；一支撐單元，設(shè)置于該第一電極座；一第二電極座，設(shè)置于該支撐單元并且間隔于該第一電極座，且該第二電極座形成有多數(shù)個(gè)第二通氣孔；以及一治具，設(shè)置于該第一電極座介于該第一電極座與該第二電極座之間，用以將該基材支撐于該第一電極座與該第二電極座之間并且分別與該第一、第二電極座相間隔。
2.如權(quán)利要求1所述的電極載具，其特征在于該第一電極座包括一第一電極板以及一第一氣孔板，該第一電極板具有一面向該第二電極座的頂面以及由該頂面凹陷的一第一凹穴，該第一氣孔板設(shè)置于該第一電極板并且與該第一凹穴配合界定出一第一氣體通道，所述第一通氣孔設(shè)置于該第一氣孔板；該第二電極座包括一第二電極板以及一第二氣孔板， 該第二電極板具有一面向該第一電極座的底面以及由該底面凹陷的一第二凹穴，該第二氣孔板設(shè)置于該第二電極板并且與該第二凹穴配合界定出一第二氣體通道，所述第二通氣孔設(shè)置于該第二氣孔板。
3.如權(quán)利要求2所述的電極載具，其特征在于該治具包括多數(shù)個(gè)支撐座，每一支撐座包括一設(shè)置于該第一電極板的底柱以及一設(shè)置于該底柱并且間隔于該第一電極座的盤(pán)部， 該基材受承托于所述支撐座的盤(pán)部上。
4.如權(quán)利要求3所述的電極載具，其特征在于其每一支撐座的盤(pán)部凹陷形成有一呈弧形方向延伸的凹陷階，每一凹陷階界定出一支撐凸緣，該基材受承托于所述支撐凸緣上。
5.如權(quán)利要求2所述的電極載具，其特征在于該治具包括多數(shù)個(gè)相間隔設(shè)置于該第一電極座的支撐座，每一支撐座包括一直立設(shè)置于該第一電極座的支撐柱以及一由該支撐柱側(cè)向延伸出而間隔于該第一電極座的凸片，該基材可供放置于所述支撐座的凸片上而間隔于該第一電極座與該第二電極座之間。
6.如權(quán)利要求4或5所述的電極載具，其特征在于該支撐單元包括多數(shù)個(gè)支撐柱。
7.一種雙面等離子體工藝裝置，其特征在于該雙面等離子體工藝裝置包含一第一電極載具，包括一第一電極座，形成有多數(shù)個(gè)第一通氣孔；一支撐單元，設(shè)置于該第一電極座；一第二電極座，設(shè)置于該支撐單元并且間隔于該第一電極座，且該第二電極座形成有多數(shù)個(gè)第二通氣孔；以及一治具，設(shè)置于該第一電極座介于該第一電極座與該第二電極座之間，用以將一基材支撐于該第一電極座與該第二電極座之間并且分別與該第一、第二電極座相間隔；以及一架體，界定出一供該第一電極載具容納于內(nèi)的一第一反應(yīng)室。
8.如權(quán)利要求7所述的雙面等離子體工藝裝置，其特征在于該第一電極座包括一第一電極板以及一第一氣孔板，該第一電極板具有一面向該第二電極座的頂面以及由該頂面凹陷的一第一凹穴，該第一氣孔板設(shè)置于該第一電極板并且與該第一凹穴配合界定出一第一氣體通道，所述第一通氣孔設(shè)置于該第一氣孔板；該第二電極座包括一第二電極板以及一第二氣孔板，該第二電極板具有一面向該第一電極座的底面以及由該底面凹陷的一第二凹穴，該第二氣孔板設(shè)置于該第二電極板并且與該第二凹穴配合界定出一第二氣體通道，所述第二通氣孔設(shè)置于該第二氣孔板。
9.如權(quán)利要求8所述的雙面等離子體工藝裝置，其特征在于該治具包括多數(shù)個(gè)支撐座，每一支撐座包括一設(shè)置于該第一電極板的底柱以及一設(shè)置于該底柱并且間隔于該第一電極座的盤(pán)部，該基材受承托于所述支撐座的盤(pán)部上。
10.如權(quán)利要求9所述的雙面等離子體工藝裝置，其特征在于每一支撐座的盤(pán)部凹陷形成有一呈弧形方向延伸的凹陷階，每一凹陷階界定出一支撐凸緣，該基材受承托于所述支撐凸緣上。
11.如權(quán)利要求8所述的雙面等離子體工藝裝置，其特征在于該治具包括多數(shù)個(gè)相間隔設(shè)置于該第一電極座的支撐座，每一支撐座包括一直立設(shè)置于該第一電極座的支撐柱以及一由該支撐柱側(cè)向延伸出而間隔于該第一電極座的凸片，該基材可供放置于所述支撐座的凸片上而間隔于該第一電極座與該第二電極座之間。
12.如權(quán)利要求10或11所述的雙面等離子體工藝裝置，其特征在于該支撐單元包括多數(shù)個(gè)支撐柱。
13.如權(quán)利要求12所述的雙面等離子體工藝裝置，其特征在于該雙面等離子體工藝裝置還包含一第二電極載具，且該架體還界定出一用以容納該第二電極載具的第二反應(yīng)室。
14.如權(quán)利要求13所述的雙面等離子體工藝裝置，其特征在于該架體包括多數(shù)個(gè)相間隔的層板，所述層板配合界定出該第一、第二反應(yīng)室。
專利摘要本實(shí)用新型是有關(guān)于一種電極載具，其包含一第一電極座、一支撐單元、一第二電極座與一治具，第一電極座形成有多數(shù)個(gè)第一通氣孔，第二電極座借支撐單元間隔于第一電極座并且形成有多數(shù)個(gè)第二通氣孔，治具用以將基材(例如晶圓、電路板或玻璃基板等)支撐間隔于第一電極座與第二電極座之間。本實(shí)用新型的一具體做法是借由將基材支撐間隔于第一電極座與第二電極座之間，使得工藝氣體可分別在第一電極座與基材之間以及在第二電極座與基材之間形成等離子體，對(duì)基材兩面進(jìn)行工藝反應(yīng)。
文檔編號(hào)H01L21/00GK201985070SQ20112000663
公開(kāi)日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月6日
發(fā)明者卓瑞斌, 莊炳煌, 張宏隆, 胡肇匯, 陳慶安, 陳瑞志 申請(qǐng)人:志圣工業(yè)股份有限公司