技術(shù)編號：6773903
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種存取單元可高密度安裝的靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAMStatic Random Access Memory)。背景技術(shù) 我們知道CMOS型靜態(tài)隨機(jī)存儲器是由6個晶體管分成兩組基本電路后相互耦合而成。其中包括以構(gòu)成反相器的PMOS負(fù)載晶體管及NMOS驅(qū)動晶體管和將該反相器的輸出聯(lián)接于位線上的NMOS存取晶體管的基本電路為第1組，將該基本電路與另一組相同的基本電路的反相器的輸出，入交叉耦合聯(lián)接在一起的2組基本電路。美國專利第5744844號揭載的靜態(tài)隨...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。