技術(shù)編號：3245917
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種使Cr、 Al、 Mg的雜質(zhì)含量和U、 Th等的同位素 元素的含量明顯減少的具有99.5重量％以上純度的高純度Ni —V合 金、由該Ni—V合金形成的靶以及該Ni —V合金薄膜和高純度Ni —V 合金的制造方法。背景技術(shù)目前，在半導(dǎo)體裝置的電路元件的一部分使用鎳一釩合金，最近 隨著半導(dǎo)體電路進(jìn)一步變小，電路的尺寸也變得微小化。該電路的微 小化，要求高精度的元件的設(shè)計(jì)和制造，同時(shí)要求構(gòu)成元件的材料的 高純度化和均勻性。如上所述，鎳一釩合金雖然用...
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