圖像陣列中的局部化現(xiàn)象的修正的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了補(bǔ)償顯示器件中的局部化現(xiàn)象的方法和系統(tǒng)。顯示器包括像素陣列以及控制系統(tǒng)，控制系統(tǒng)用于調(diào)整像素陣列的內(nèi)容數(shù)據(jù)信號，以補(bǔ)償陣列中的像素的老化?？刂葡到y(tǒng)經(jīng)由至少一個(gè)像素的讀輸入部來測量陣列中的所述至少一個(gè)像素的參數(shù)?？刂破魍ㄟ^使用參數(shù)確定局部化現(xiàn)象對像素的影響。經(jīng)由至少一個(gè)像素的讀輸入部來測量陣列中至少一個(gè)像素的特性。調(diào)整所測量的特性以降低局部化現(xiàn)象的影響?？刂破骰诮?jīng)過調(diào)整的所測量的特性來計(jì)算調(diào)整的老化補(bǔ)償值。將老化補(bǔ)償值應(yīng)用至去往至少一個(gè)像素的數(shù)據(jù)內(nèi)容信號。
【專利說明】圖像陣列中的局部化現(xiàn)象的修正
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年12月6日提交的美國臨時(shí)專利申請61/912，926的權(quán)益，在這里將該在先申請的全部內(nèi)容以引用的方式并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明涉及諸如用于顯示器面板中的半導(dǎo)體陣列之類的半導(dǎo)體陣列，且更具體地涉及用于補(bǔ)償OLED顯示器中的局部化現(xiàn)象的系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0004]可通過發(fā)光器件陣列來創(chuàng)建顯示器，其中每個(gè)發(fā)光器件由各單獨(dú)電路(S卩，像素電路)控制，這些單獨(dú)電路具有晶體管以用于選擇性地控制這些電路被編程有顯示信息并根據(jù)顯示信息發(fā)射光?？梢詫⒈恢圃煊诨迳系谋∧ぞw管(TFT)組合到這類顯示器中。TFT在顯示面板中以及經(jīng)過一段時(shí)間隨著顯示器的老化呈現(xiàn)出不均勻的性能。可以將補(bǔ)償技術(shù)應(yīng)用到這類顯示器，以實(shí)現(xiàn)顯示器上的圖像一致性并消除顯示器中的隨著顯示器老化的劣化。
[0005]在一些用于向顯示器提供補(bǔ)償以消除顯示器面板中以及隨時(shí)間的變化的方案中，利用監(jiān)控系統(tǒng)來測量與像素電路的老化(即，劣化)相關(guān)的時(shí)間相關(guān)參數(shù)。接著，使用所測量的信息來通知像素電路的后續(xù)編程，以確?？赏ㄟ^對編程進(jìn)行調(diào)整來消除任何所測量的劣化。這種被監(jiān)控的像素電路可能需要使用額外的晶體管和/或線路以選擇性地將像素電路連接到監(jiān)控系統(tǒng)，并為信息的讀取做準(zhǔn)備。額外的晶體管和/或線路的組合可能不適宜地降低像素間距(即，像素密度)。
[0006]另一失真源可能是諸如由像素陣列顯示的數(shù)據(jù)內(nèi)容、溫度影響、屏幕上的壓力或入射光之類的局部化現(xiàn)象。例如，過高的局部化溫度會導(dǎo)致補(bǔ)償公式中出現(xiàn)失真的更高的輸入數(shù)據(jù)，這會使對老化影響的修正發(fā)生失真。因此，在獲得對這種像素的準(zhǔn)確老化補(bǔ)償時(shí)，用于像素的輸入數(shù)據(jù)可能需要基于像素顯示器上的局部化現(xiàn)象額外地補(bǔ)償這些影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]—個(gè)公開示例為一種補(bǔ)償顯示器件中的局部化現(xiàn)象的方法，所述顯示器件包括像素陣列以及控制器，所述控制器用于調(diào)整所述像素陣列的內(nèi)容數(shù)據(jù)信號以補(bǔ)償所述陣列中的像素的老化。測量所述陣列中的所述像素中的至少一者的參數(shù)。通過使用所述參數(shù)來確定局部化現(xiàn)象的影響。測量所述陣列中的所述像素中的至少一者的特性。調(diào)整所測量的特性以降低所述局部化現(xiàn)象的影響?；诮?jīng)過調(diào)整的所測量的特性來計(jì)算調(diào)整的老化補(bǔ)償值。將所述老化補(bǔ)償值應(yīng)用至去往所述像素中的至少一者的數(shù)據(jù)內(nèi)容信號。
[0008]另一個(gè)公開示例為一種顯示器件，所述顯示器件包括顯示器陣列，所述顯示器陣列包括多個(gè)像素。所述多個(gè)像素均包括用于寫入數(shù)據(jù)內(nèi)容的寫輸入部以及讀輸入部?？刂破鬟B接至所述顯示器陣列。所述控制器用于經(jīng)由所述陣列中的所述像素中的至少一者的所述讀輸入部測量所述像素中的所述至少一者的參數(shù)。所述控制器用于通過使用所述參數(shù)來確定確定局部化現(xiàn)象對所述像素的影響。所述控制器用于經(jīng)由所述陣列中的所述像素中的至少一者的讀輸入部測量所述像素中的所述至少一者的特性。所述控制器用于調(diào)整所測量的特性以降低所述局部化現(xiàn)象的影響。所述控制器用于基于經(jīng)過調(diào)整的所測量的特性計(jì)算調(diào)整的老化補(bǔ)償值。所述控制器用于將所述老化補(bǔ)償值應(yīng)用至去往所述像素中的至少一者的所述寫輸入部的數(shù)據(jù)內(nèi)容信號。
[0009]對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在閱讀了各實(shí)施方式的詳細(xì)說明之后，本發(fā)明的其它方面將變得更加清楚。上述詳細(xì)說明是通過參照附圖進(jìn)行的，接下來將對這些附圖進(jìn)行簡單說明。
【附圖說明】
[0010]在閱讀以下詳細(xì)說明并參照附圖之后，本發(fā)明的上述和其它優(yōu)點(diǎn)將變得更加清
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[0011]圖1示出了用于半導(dǎo)體顯示器陣列的兩種不同的像素架構(gòu)。
[0012]圖2是原始器件以及老化的且受溫度影響的器件的電流與操作電壓的關(guān)系曲線圖。
[0013]圖3是針對顯示器內(nèi)容中的局部化現(xiàn)象由參考像素的測量值之間的插值創(chuàng)建的參考圖。
[0014]圖4是示出了包括老化和局部化現(xiàn)象的影響的面板測量的原始結(jié)果的參考圖。
[0015]圖5是示出了在借助參考像素通過使用簡單扣除方法從面板測量的原始結(jié)果中移除局部化現(xiàn)象的影響以消除局部化現(xiàn)象的影響之后的老化補(bǔ)償結(jié)果的參考圖。
[0016]圖6示出了在半導(dǎo)體顯示器陣列中使用的兩種具有參考負(fù)載的變形像素結(jié)構(gòu)，以用于修正局部化現(xiàn)象。
[0017]圖7是示出了在借助參考負(fù)載從面板測量的原始結(jié)果中移除局部化現(xiàn)象的影響之后的老化補(bǔ)償結(jié)果的參考圖。
[0018]圖8A是包括用于修正局部化現(xiàn)象的參考像素的顯示器陣列的框圖。
[0019]圖SB是包括可用作參考像素的子像素的像素的框圖。
[0020]圖9是用于修正半導(dǎo)體陣列顯示器中的局部化現(xiàn)象的方法的流程圖。
[0021]雖然本發(fā)明可以容易地做出各種變形和替代形式，但在附圖中以示例的方式示出了具體實(shí)施例并且在本文中詳細(xì)說明了這些具體實(shí)施例。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所披露的特定形式。相反，本發(fā)明覆蓋了落入所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的所有變形、等同物和替代形式。
【具體實(shí)施方式】
[0022]圖1示出了用于半導(dǎo)體顯示器陣列(例如，OLED型顯示器中使用的陣列)的兩種像素架構(gòu)。圖1示出的第一像素架構(gòu)100包括驅(qū)動電路102和串聯(lián)連接在電壓源(VDD) 106與電壓源(VSS)1S之間的負(fù)載104。寫入開關(guān)110允許來自輸入線路112的數(shù)據(jù)被編程至驅(qū)動電路102。讀取開關(guān)114允許監(jiān)控線路116讀取驅(qū)動電路102的輸出。在本示例中，負(fù)載104是被像素驅(qū)動的負(fù)載或是使內(nèi)部像素電路復(fù)位的負(fù)載。驅(qū)動電路102是向顯示器陣列中的像素提供功率的電路的驅(qū)動部或放大部。
[0023]圖1還示出的第二像素架構(gòu)150包括驅(qū)動電路152和串聯(lián)連接在電壓源(VDD)156與電壓源(VSS)158之間的負(fù)載154。寫入開關(guān)160允許來自輸入線路162的數(shù)據(jù)被編程至驅(qū)動電路152。讀取開關(guān)164允許監(jiān)控線路166讀取驅(qū)動電路152的輸出。在本示例中，負(fù)載154是被像素驅(qū)動的負(fù)載或是使內(nèi)部像素電路復(fù)位的負(fù)載。驅(qū)動電路152是向顯示器陣列中的像素提供功率的電路的驅(qū)動部或放大部。在像素架構(gòu)100和150二者中，各個(gè)輸入線路112和162和監(jiān)控線路116和166連接至控制器，控制器通過由寫入開關(guān)110和160控制的輸入線路112、162對相應(yīng)像素進(jìn)行編程，并通過由讀取開關(guān)114和164控制的監(jiān)控線路116和166對相應(yīng)像素進(jìn)行監(jiān)控。在本示例中，被驅(qū)動器102和152驅(qū)動的像素是有機(jī)發(fā)光器件(OLED)，有機(jī)發(fā)光器件可以包括諸如具有可隨時(shí)間變化的操作特性的薄膜晶體管之類的部件。
[0024]—種用于延長半導(dǎo)體陣列使用壽命和/或改善陣列一致性的方法是針對老化對OLED的影響進(jìn)行外部補(bǔ)償。在本示例中，通過控制器測量顯示器陣列的底板和負(fù)載輸入特性，并使用所述底板和負(fù)載特性數(shù)據(jù)來針對OLED的使用壽命和一致性進(jìn)行補(bǔ)償。
[0025]—些取決于由陣列顯示的內(nèi)容或取決于局部化環(huán)境問題的局部化現(xiàn)象影響可在基于所測量的輸入特性數(shù)據(jù)的影響的老化補(bǔ)償函數(shù)中引起偏差。例如，當(dāng)將半導(dǎo)體陣列用于顯示器件時(shí)，像素上所顯示的內(nèi)容能夠影響整個(gè)顯示器上的電壓分布或局部化溫度。因此，如果在顯示不同內(nèi)容期間測量底板和負(fù)載特性，所測量的特性會因局部化現(xiàn)象而出現(xiàn)差異。在這種情況下，補(bǔ)償是以特性的累積變化為基礎(chǔ)的，且因而補(bǔ)償由于不同內(nèi)容的局部化顯示而隨時(shí)間出現(xiàn)偏差并導(dǎo)致誤差。局部化現(xiàn)象的另一示例可能是陣列中的某些像素的升高的溫度，例如顯示器的一部分暴露于日光。因日光而升高的溫度可影響暴露于日光的區(qū)域中的像素的電壓分布或局部化溫度，并因此所測量的輸入特性對于這些像素來說將出現(xiàn)差異。類似于內(nèi)容影響，此補(bǔ)償也是以特性的累積變化為基礎(chǔ)的，且因此此補(bǔ)償由于局部化溫度影響而會隨時(shí)間出現(xiàn)偏差并導(dǎo)致誤差。
[0026]為了改善老化補(bǔ)償性能，可以從所提取的特性中移除不期望的局部化現(xiàn)象影響。用于通過利用陣列上的至少一個(gè)像素的至少一個(gè)參數(shù)來確定局部化現(xiàn)象影響的三個(gè)示例性技術(shù)可以包括:a)基于像素特性進(jìn)行建模;b)使用參考像素；以及c)使用參考負(fù)載。一旦確定了局部化現(xiàn)象影響，則可以從被輸入至像素的老化補(bǔ)償公式中的特性中將其移除。下面將對這些用于確定局部化現(xiàn)象影響的技術(shù)進(jìn)行說明。
[0027]—個(gè)示例性技術(shù)通過使用建模來確定局部化現(xiàn)象影響。在該技術(shù)中，在諸如不同輸入電流值之類的多個(gè)點(diǎn)處測量像素特性?？梢栽诔浞挚紤]局部化現(xiàn)象影響的設(shè)備操作時(shí)間段期間獲取多個(gè)點(diǎn)?；跍y量點(diǎn)，計(jì)算不同參數(shù)的變化。這類參數(shù)可以包括迀移率、閾值電壓、OLED電壓以及OLED關(guān)斷電流。使用參數(shù)的變化并基于簡化的模型(例如，溫度差異、電壓分布等)來計(jì)算局部化現(xiàn)象影響。根據(jù)模型的結(jié)果為陣列器件提取用于局部化現(xiàn)象的補(bǔ)償值。
[0028]使用諸如圖1中的架構(gòu)100或150之類的顯示器電路的測量參數(shù)對所計(jì)算的局部化現(xiàn)象進(jìn)行微調(diào)。在一個(gè)示例中，選取主要受局部化現(xiàn)象(例如，迀移率)影響的參數(shù)來估計(jì)局部化現(xiàn)象。接著，計(jì)算所估計(jì)的局部化現(xiàn)象對在不同點(diǎn)處測量的其它參數(shù)(例如，關(guān)斷電壓(閾值電壓漂移))的影響。將所測量的點(diǎn)輸入至模型中以確定局部化現(xiàn)象影響。
[0029]例如，一階模型可表明器件的迀移率(增益)每10°C變化了5%。因此，如果像素特性中的兩個(gè)點(diǎn)的測量結(jié)果顯示出迀移率變化了 10%，則可以估計(jì)出溫度變化了 20°C。另外，通過了解溫度變化對其它參數(shù)(例如，閾值電壓)的影響能夠估計(jì)出所測量的參數(shù)變化在多大程度上是由溫度變化(20°C)引起的且在多個(gè)程度上是由老化引起的。
[0030]在另一個(gè)示例中，可以使用參數(shù)的變化率來提取局部化現(xiàn)象影響。例如，在與溫度差異和內(nèi)容相關(guān)的電壓再分布的情況下，參數(shù)的變化很快，而老化過程緩慢。在一種情況下，低通濾波器可以移除測量中的所有快速變化，以消除局部化參數(shù)的影響。接著，可以將濾波后的特性測量用作老化補(bǔ)償算法的輸入。在另一種情況下，可以對所提取的參數(shù)使用低通濾波器，以便消除如下局部化現(xiàn)象影響，用于指示該局部化現(xiàn)象影響的變化與作為老化的結(jié)果而逐漸發(fā)生的變化相比快速地發(fā)生。
[0031]在另一個(gè)示例中，可以使用參數(shù)的變化率以及參數(shù)的與局部化現(xiàn)象的相關(guān)性來提取局部化現(xiàn)象影響?？梢曰谖⒄{(diào)的局部化現(xiàn)象來修正補(bǔ)償值。在前面的步驟中對各參數(shù)的局部化現(xiàn)象影響進(jìn)行估計(jì)之后，例如，可以通過將參數(shù)與所估計(jì)的影響相減或相除來從這些參數(shù)中移除該影響。接著，可以將所修改的參數(shù)用于生成補(bǔ)償值。例如，用于閾值電壓漂移的補(bǔ)償值可以是所提取的參數(shù)的漂移與輸入信號的簡單加和。
[0032]可以改變上述步驟的順序?？蛇x地，可以僅依靠所測量的參數(shù)來計(jì)算局部化現(xiàn)象。
[0033]圖2為原始器件以及老化的且受諸如溫度之類的局部化現(xiàn)象影響的器件的電流與操作電壓的關(guān)系曲線圖200。第一條線202示出了原始器件的電流與操作電壓的關(guān)系繪圖。第二條線204示出了受老化和溫度影響的器件的電流與操作電壓的關(guān)系繪圖。從圖2的線204可以看出，老化和溫度會使器件的操作特性發(fā)生扭曲。在本示例中，由于老化影響，器件關(guān)斷電壓增加了0.5V，且因溫度局部化現(xiàn)象，其增益增加了25%。因此，由于溫度影響，受影響的器件具有較高的電流。可以基于許多不同技術(shù)來補(bǔ)償受影響的器件的輸出。然而，僅對老化進(jìn)行補(bǔ)償依然會因諸如溫度之類的局部化現(xiàn)象而導(dǎo)致相對于原始器件的偏差。
[0034]為了消除該影響，基于建模，可以針對器件測量兩個(gè)點(diǎn)來提取溫度影響。接著，可以根據(jù)建模的結(jié)果來調(diào)整器件特性的測量，以消除溫度影響。接著，可以將經(jīng)過調(diào)整的所測量的特性輸入至老化補(bǔ)償技術(shù)中。在本示例中，在第一電流(點(diǎn)A)210和第二電流(點(diǎn)B)212處測量諸如操作電壓之類的參數(shù)。如果使用電流-電壓特性的線性模型，則可以根據(jù)兩個(gè)操作電壓點(diǎn)將增益變化提取為19%，并將關(guān)斷電壓變化提取為0.22V。所確定的增益變化是基于局部化現(xiàn)象的，并于是可以在確定用于像素器件的老化的補(bǔ)償時(shí)用于修正所測量的輸入特性。
[0035]然而，基于兩個(gè)測量的電流-電壓特性的更復(fù)雜的非線性模型的使用導(dǎo)致將增益變化確定為24.9 %，并且將關(guān)斷電壓變化確定為0.502V。因此，取決于所需要的精度和可用的計(jì)算能力，可以使用不同模型來確定局部化現(xiàn)象影響，并從而確定老化補(bǔ)償技術(shù)的所測量的輸入特性的調(diào)整精度。為了建模結(jié)果的更高精度，可以在器件的多于兩個(gè)的參數(shù)點(diǎn)上獲得模型輸出。至于對模型的輸入，可以測量陣列上的每個(gè)像素的多個(gè)參數(shù)點(diǎn)，或者可以測量陣列中的相隔預(yù)定間隔的某些被選定的像素的多個(gè)參數(shù)點(diǎn)。
[0036]在確定局部化現(xiàn)象影響的第二種技術(shù)中，可以使用參考像素。圖8A示出了面板顯示器件800，該面板顯示器件包括被控制器804控制的像素陣列802?？刂破?04經(jīng)由地址驅(qū)動器806訪問各個(gè)像素。經(jīng)由數(shù)據(jù)驅(qū)動器808在像素陣列802上顯示內(nèi)容。通過電流供給和讀出單元810供給并讀取電流。供應(yīng)電壓控制部812調(diào)整被施加至像素陣列802中的像素的電壓。
[0037]如圖8A所示，面板顯示器件800可以包括分布在像素陣列802中的普通像素820和一些參考像素830。普通像素820接收來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器808的內(nèi)容數(shù)據(jù)輸入，并顯示內(nèi)容。參考像素830的結(jié)構(gòu)與普通像素820相同。然而，由于參考像素830不與來自控制器804的數(shù)據(jù)輸入連接，因此這種像素的狀態(tài)保持不變。因此，由于參考像素830不與內(nèi)容數(shù)據(jù)信號連接，因此它們不會老化，或者會以已知狀態(tài)老化。在本示例中，經(jīng)由電流讀出單元810以相同方式測量普通像素820和參考像素830 二者的參數(shù)。在參考像素830和靠近參考像素830的普通像素820之間測量的參數(shù)值的差值與局部化現(xiàn)象影響相關(guān)。例如，參考像素和普通像素的參數(shù)值之間的差值表示老化影響，這是由于普通像素會受老化影響，而參考像素卻不會。在消除普通像素的參數(shù)值的差值之后得到的絕對參數(shù)值表示局部化現(xiàn)象影響，這是由于局部化現(xiàn)象會影響普通像素和非?？拷胀ㄏ袼氐膮⒖枷袼囟?。
[0038]基于對像素陣列802中的參考像素830的測量，可以制作用于整個(gè)像素陣列802的參考圖。接著，可以使用參考圖來針對像素陣列802中的各像素820確定局部化現(xiàn)象影響。
[0039]在一個(gè)示例中，參考圖是基于參考像素測量值對所有其它像素的測量值的插值。在這種情況下，其它像素的測量值是通過使用與該像素相關(guān)的參考值來修正的(例如，對兩個(gè)值進(jìn)行相減或相除)。使用所得到的修正值來調(diào)整所測量的特性，其中所測量的特性被用于計(jì)算陣列中的像素的經(jīng)過調(diào)整的老化補(bǔ)償值。
[0040]在另一個(gè)示例中，參考圖是基于參考像素參數(shù)對其它像素的提取參數(shù)的插值。每個(gè)像素的基于其自身的測量數(shù)據(jù)提取的參數(shù)是通過參考參數(shù)圖調(diào)整的(例如，可以使用模型從所提取的參數(shù)中消除不期望的影響)。
[0041]可以在顯示器件800在線或離線時(shí)對參考像素830進(jìn)行參考測量。通常，由于參考像素不與內(nèi)容數(shù)據(jù)輸入連接，因此參考像素?cái)?shù)量少于普通像素。因此，參考像素的數(shù)量限制了陣列中像素的顯示區(qū)域。在本示例中，雖然每一個(gè)參考像素830對應(yīng)四個(gè)普通像素820，但是也可以使用其它比例。將參考像素測量應(yīng)用至靠近參考像素830的普通像素820的補(bǔ)償。
[0042]為了代替與陣列中的參考像素相關(guān)的內(nèi)容丟失，可以使用相鄰像素來生成參考像素中丟失的內(nèi)容。在圖SB示出的一個(gè)示例中，像素陣列802可以包括多個(gè)像素單元，像素單元例如是均包含多個(gè)子像素的參考像素單元830。如上所說明，除參考像素830中的某些或所有子像素不與內(nèi)容數(shù)據(jù)信號連接之外，參考像素單元830與普通像素單元820相同。圖8A中的示例像素陣列802中的諸如像素單元830之類的每個(gè)像素單元具有諸如紅色像素840a、綠色像素840b、藍(lán)色像素840c以及白色像素840d之類的不同子像素。可以使用子像素840a-840d來生成來自普通像素單元820的彩色輸出。在本示例中，如圖8A所示，像素陣列802中的一些像素為參考像素。在諸如圖8B示出的參考像素830之類的這類參考像素中，一個(gè)或多個(gè)子像素被用作參考像素，且如果像素單元正常操作，其它子像素可以生成將會在參考子像素上輸出的內(nèi)容。在這種情況下，參考像素可以是一個(gè)諸如白色像素840d之類的子像素。紅色像素840a、綠色像素840b和藍(lán)色像素840c可以生成被用作參考像素且因而不發(fā)射任何光的白色像素840d的白色內(nèi)容。
[0043]圖3-5示出了具有某個(gè)局部化現(xiàn)象的面板的老化算法的結(jié)果以及使用參考像素來最小化局部化現(xiàn)象影響的結(jié)果。在左上角處有意地使用散熱器來冷卻面板以模擬局部化現(xiàn)象，并且在面板上顯示影響電壓再分布的幾幅圖像。圖3是針對顯示器內(nèi)容的局部化現(xiàn)象由參考像素的測量值之間的插值生成的參考圖300。參考圖300包括由靠近顯示器的散熱器的溫度生成的局部化現(xiàn)象區(qū)域302。
[0044]圖4是示出了包括老化和局部化現(xiàn)象影響(溫度、電壓再分布等)的面板測量的原始結(jié)果的參考圖400。在本示例中，原始結(jié)果包括區(qū)域402中的溫度局部化現(xiàn)象。
[0045]圖5是示出了通過使用用于消除局部化現(xiàn)象影響的簡單差分方法并借助參考像素(例如圖8A-8B示出的參考像素)將局部化現(xiàn)象影響從面板測量的原始結(jié)果中移除之后的老化補(bǔ)償結(jié)果的參考圖500?？梢詫D5的區(qū)域502和圖4中參考圖400的區(qū)域402進(jìn)行對比，從而顯示出與局部化現(xiàn)象相關(guān)的影響已經(jīng)被消除。
[0046]在用于確定局部化現(xiàn)象影響的第三種技術(shù)中，向陣列中的至少一些像素添加負(fù)載元件，以根據(jù)參考負(fù)載的測量來提取局部化現(xiàn)象。在該技術(shù)中，參考負(fù)載元件不因內(nèi)容壓力而老化，但像素架構(gòu)的其它部件會基于被寫入像素的內(nèi)容數(shù)據(jù)而老化。將參考負(fù)載的特性與像素負(fù)載的特性進(jìn)行對比。因此，可以將參考負(fù)載和像素負(fù)載之間的特性差值與局部化現(xiàn)象(例如，電壓再分布、溫度差異等)相關(guān)聯(lián)。
[0047]圖6示出了使用額外負(fù)載元件來補(bǔ)償局部化現(xiàn)象的兩種像素結(jié)構(gòu)。圖6示出了示例參考負(fù)載像素架構(gòu)600和可選的參考負(fù)載像素架構(gòu)650。第一參考負(fù)載像素架構(gòu)600包括驅(qū)動電路602和串聯(lián)連接在電壓源(VDD)606與電壓源(VSS)608之間的像素負(fù)載604。寫入開關(guān)610允許來自輸入線路612的數(shù)據(jù)被編程至驅(qū)動電路602。讀取開關(guān)614允許監(jiān)控線路616讀取驅(qū)動電路602的輸出。在本示例中，像素負(fù)載604是被像素驅(qū)動的負(fù)載或是使內(nèi)部像素電路復(fù)位的負(fù)載。驅(qū)動電路602是向顯示器陣列中的像素提供功率的電路的驅(qū)動部或放大部。參考負(fù)載620還連接至電壓接地608并經(jīng)由參考開關(guān)622連接至監(jiān)控線路616。參考開關(guān)622可以由與控制寫入開關(guān)610或讀取開關(guān)614的信號相同的信號控制?？蛇x地，可以使用單獨(dú)的測量線路來控制參考開關(guān)622，以測量參考負(fù)載620。
[0048]可選的參考負(fù)載像素架構(gòu)650包括驅(qū)動電路652和串聯(lián)連接在電壓源656與電壓接地658之間的像素負(fù)載654。寫入開關(guān)610允許來自輸入線路662的數(shù)據(jù)被編程至驅(qū)動電路652。讀取開關(guān)644允許監(jiān)控線路666讀取驅(qū)動電路652的輸出。在本示例中，負(fù)載654是被像素驅(qū)動的負(fù)載或是使內(nèi)部像素電路復(fù)位的負(fù)載。驅(qū)動電路652是向顯示器陣列中的像素提供功率的電路的驅(qū)動部或放大部。參考負(fù)載670還連接至電壓源656并經(jīng)由參考開關(guān)672連接至監(jiān)控線路616。參考開關(guān)672可以由與控制寫入開關(guān)660或讀取開關(guān)664的信號相同的信號控制?？蛇x地，可以將單獨(dú)的測量線路用于參考負(fù)載670。
[0049]在一個(gè)不例中，被施加至開關(guān)622或開關(guān)672的參考信號可以是分別被施加至讀取開關(guān)614或664以對各像素驅(qū)動器602和652進(jìn)行讀取的讀取信號。測量參考負(fù)載620或670的參數(shù)或特性，以將參數(shù)或特性與像素驅(qū)動器中的元素(element)進(jìn)行比較。在本示例中，參考負(fù)載可以包括與顯示器的實(shí)際像素(諸如驅(qū)動晶體管或像素電路)類似的部件。然而，參考負(fù)載并不包括實(shí)際像素架構(gòu)的每個(gè)部件，因此不會如前述示例中那樣，占據(jù)參考像素的空間。在對參考負(fù)載620或670的進(jìn)行特性測量的過程中，像素自身可以被編程有信號截止?fàn)顟B(tài)，或者如果像素內(nèi)容對參考負(fù)載的測量產(chǎn)生可忽略的影響，像素可被編程有其內(nèi)容，并且由于各讀取開關(guān)614和664處于打開狀態(tài)，讀取信號截止。
[0050]因此，在本示例中，可以經(jīng)由各讀取線路616和666來提取參考負(fù)載620或670的特性。在這種情況下，電源線(例如，VSS或VDD)的任何變化都將成為參考負(fù)載的測量數(shù)據(jù)的一部分。在本示例中，可以通過各讀取線路616和666來提取像素負(fù)載604或654的特性。在提取過程中，參考開關(guān)622或672打開，因此不會讀取參考負(fù)載620和670。將參考負(fù)載和像素負(fù)載的讀取特性進(jìn)行比較以確定局部化現(xiàn)象影響。
[0051]此外，如果任何其它局部化現(xiàn)象對參考負(fù)載造成影響，那么可以測量這些局部化現(xiàn)象。為了改善對局部化現(xiàn)象在像素和負(fù)載604或654的特性上的影響的修正，可以使用不同的參考負(fù)載元件。一些參考負(fù)載元件可以與負(fù)載604或654匹配，而另一些參考負(fù)載可以與像素驅(qū)動電路602或652匹配。在另一個(gè)示例中，可以使用不同的參考負(fù)載來測量不同局部化現(xiàn)象影響。取決于所需的精度和處理成本，顯示器陣列中的一些或全部像素可以具有參考負(fù)載元件?？梢栽陲@示器件在線或離線時(shí)對參考負(fù)載元件進(jìn)行參考測量。
[0052]圖7是示出了在借助參考負(fù)載(例如圖6中的結(jié)構(gòu)600和650)將局部化現(xiàn)象影響從面板測量的原始結(jié)果中移除之后的老化結(jié)果的參考圖700。參考圖700示出了在與圖6的架構(gòu)中表示的面板相同的面板上使用參考負(fù)載的結(jié)果。由圖7可以看出，由于參考負(fù)載的數(shù)量可以更多，因此該結(jié)果可具有更高的分辨率以及更小的插值誤差，這與由相對數(shù)量少的參考像素限制的更少數(shù)量的數(shù)據(jù)相比導(dǎo)致更多的輸入數(shù)據(jù)，而不會影響圖像質(zhì)量。
[0053]圖9是補(bǔ)償顯示器陣列中老化以及局部化現(xiàn)象的方法的流程圖。最初，采集相關(guān)的輸入?yún)?shù)(900)。相關(guān)的輸入?yún)?shù)可以是像素特性的點(diǎn)或者參考像素或參考負(fù)載的特性的測量的點(diǎn)?；谙嚓P(guān)的輸入?yún)?shù)或多個(gè)參數(shù)來確定局部化現(xiàn)象影響(902)。接著，測量陣列中的至少一個(gè)像素的特性，以用于老化補(bǔ)償(904)。接著，對像素的測量特性進(jìn)行調(diào)整，以降低局部化現(xiàn)象影響(906)。接著，將所調(diào)整的測量特性輸入至補(bǔ)償公式中，以計(jì)算調(diào)整的老化補(bǔ)償值(908)。接著，應(yīng)用補(bǔ)償值來調(diào)整像素的數(shù)據(jù)內(nèi)容信號，以補(bǔ)償老化的影響(910)。
[0054]雖然已經(jīng)圖示和說明了本發(fā)明的特定實(shí)施例和應(yīng)用，但應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明不限于本文中所披露的精確的構(gòu)造和組成，且在不偏離如所附的權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，各種修改、改變和變化從前文的說明中是顯見的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種補(bǔ)償顯示器件中的局部化現(xiàn)象的方法，所述顯示器件包括像素陣列和控制器，所述控制器用于調(diào)整所述像素陣列的內(nèi)容數(shù)據(jù)信號以補(bǔ)償所述陣列中的像素的老化，所述方法包括: 測量所述陣列中的所述像素中的至少一者的參數(shù)； 使用所述參數(shù)來確定所述局部化現(xiàn)象的影響； 測量所述陣列中的所述像素中的至少一者的特性； 調(diào)整所測量的特性以降低所述局部化現(xiàn)象的影響； 基于經(jīng)過調(diào)整的所測量的特性來計(jì)算調(diào)整的老化補(bǔ)償值;并且 將所述老化補(bǔ)償值應(yīng)用至去往所述像素中的至少一者的數(shù)據(jù)內(nèi)容信號。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述像素中的至少一者是參考像素，并且其中，確定所述局部化現(xiàn)象的影響的步驟包括比較所述參考像素的所測量的參數(shù)與靠近所述參考像素的至少一個(gè)像素的所測量的同一參數(shù)。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述參考像素包括用于接收數(shù)據(jù)內(nèi)容信號的第一子像素以及不與數(shù)據(jù)內(nèi)容信號連接的第二子像素，其中，從所述第二子像素中測量所述參考像素的所述參數(shù)。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一子像素代替所述第二子像素來生成數(shù)據(jù)內(nèi)容。5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述參考像素的所述參數(shù)被插值，以用于與靠近所述參考像素的所述至少一個(gè)像素的所測量的同一參數(shù)進(jìn)行比較。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述像素中的所述至少一者包括參考負(fù)載，并且其中，確定所述局部化現(xiàn)象的影響的步驟包括比較所述參考負(fù)載的所測量的參數(shù)與所述像素中的所述至少一者的同一參數(shù)。7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述參考負(fù)載的所測量的參數(shù)被插值，以用于與靠近包括所述參考負(fù)載的像素的另一像素的同一參數(shù)進(jìn)行比較。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，確定所述局部化現(xiàn)象的影響的步驟包括輸入模型中的一個(gè)點(diǎn)處的所測量的參數(shù)和另一點(diǎn)處的所測量的參數(shù)以計(jì)算所述局部化現(xiàn)象的影響。9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，確定所述局部化現(xiàn)象的影響的步驟包括對所測量的參數(shù)中的快速變化進(jìn)行濾波。10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述局部化現(xiàn)象是所述像素根據(jù)數(shù)據(jù)內(nèi)容信號顯示的內(nèi)容。11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，局部化現(xiàn)象是溫度。12.—種顯示器件，其包括: 顯示器陣列，其包括多個(gè)像素，所述多個(gè)像素均包括用于寫入數(shù)據(jù)內(nèi)容的寫輸入部以及讀輸入部；以及 控制器，其連接至所述顯示器陣列，所述控制器用于: 經(jīng)由所述陣列中的所述像素中的至少一者的所述讀輸入部來測量所述像素中的所述至少一者的參數(shù)； 使用所述參數(shù)來確定局部化現(xiàn)象對所述像素的影響； 經(jīng)由所述陣列中的所述像素中的至少一者的所述讀輸入部來測量所述像素中的所述至少一者的特性； 調(diào)整所測量的特性以降低所述局部化現(xiàn)象的影響； 基于經(jīng)過調(diào)整的所測量的特性來計(jì)算調(diào)整的老化補(bǔ)償值;并且 將所述老化補(bǔ)償值應(yīng)用至所述像素中的至少一者的所述寫輸入部上的數(shù)據(jù)內(nèi)容信號。13.如權(quán)利要求12所述的顯示器件，其中，所述像素中的至少一者是參考像素，并且所述控制器通過比較所述參考像素的所測量的參數(shù)與靠近所述參考像素的至少一個(gè)像素的所測量的同一參數(shù)來確定所述局部化現(xiàn)象的影響。14.如權(quán)利要求13所述的顯示器件，其中，所述參考像素包括用于接收數(shù)據(jù)內(nèi)容信號的第一子像素以及不與數(shù)據(jù)內(nèi)容信號連接的第二子像素，其中，所述參考像素的所述參數(shù)是從所述第二子像素中測量的。15.如權(quán)利要求14所述的顯示器件，其中，所述第一子像素代替所述第二子像素來生成數(shù)據(jù)內(nèi)容。16.如權(quán)利要求13所述的顯示器件，其中，所述參考像素的所述參數(shù)被插值，以用于與靠近所述參考像素的所述至少一個(gè)像素的所測量的同一參數(shù)進(jìn)行比較。17.如權(quán)利要求12所述的顯示器件，其中，所述像素中的所述至少一者包括參考負(fù)載，并且其中，所述控制器通過比較所述參考負(fù)載的所測量的參數(shù)與所述像素中的所述至少一者的同一參數(shù)來確定所述局部化現(xiàn)象的影響。18.如權(quán)利要求17所述的顯示器件，其中，所述參考負(fù)載的所測量的參數(shù)被插值，以用于與靠近包括所述參考負(fù)載的像素的另一像素的同一參數(shù)進(jìn)行比較。19.如權(quán)利要求12所述的顯示器件，其中，所述控制器通過輸入模型中的一個(gè)點(diǎn)處的所測量的參數(shù)和另一點(diǎn)處的所測量的參數(shù)以計(jì)算所述局部化現(xiàn)象的影響來確定所述局部化現(xiàn)象的影響。20.如權(quán)利要求12所述的顯示器件，其中，確定所述局部化現(xiàn)象的影響的步驟包括對所測量的參數(shù)中的快速變化進(jìn)行濾波。21.如權(quán)利要求12所述的顯示器件，其中，所述局部化現(xiàn)象是所述像素根據(jù)數(shù)據(jù)內(nèi)容信號顯示的內(nèi)容。22.如權(quán)利要求12所述的顯示器件，其中，局部化現(xiàn)象是溫度。
【文檔編號】G09G3/3225GK105934789SQ201480074120
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2014年12月6日
【發(fā)明人】戈?duì)柪斎鹪で〖? 邁赫迪·托巴蒂安
【申請人】伊格尼斯創(chuàng)新公司