膜的真空層壓裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠例如在真空度為0.5kPa以下的高真空中進行層壓的膜的真空層壓裝置。為了與投入的基板(14a)的長度相應(yīng)地改變粘貼的層疊膜(21)的長度，在層壓前測定基板(14a)的長度，并具有膜長度調(diào)整機構(gòu)(23)，所述膜長度調(diào)整機構(gòu)(23)在半切位置與設(shè)置于層壓輥(26)附近的刀口部(24)之間，根據(jù)測定出的基板(14a)的長度改變層疊膜(21)的保持長度，在粘貼的層疊膜(21)的長度位置對通過該膜長度調(diào)整機構(gòu)(23)改變了層疊膜(21)的保持長度的、剝離保護膜(27)前的層疊膜(21)進行半切，利用膜搬運機構(gòu)(20、29)將層疊膜(21)在通過保護膜(27)而連接的狀態(tài)下搬運至刀口部(24)。
【專利說明】
膜的真空層壓裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種膜的真空層壓裝置，特別涉及一種用于在真空中將圖案形成用的感光性干膜等層疊膜粘貼到印刷基板的表面上的膜的真空層壓裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]以手機等為中心，印刷基板(在本說明書中有時僅簡稱為“基板”)的技術(shù)革新處于不斷進步的狀態(tài)，特別是，基板的小型、輕量化日益成為重要課題。
[0003]關(guān)于基板的小型化方面，形成于基板的圖案的微細化和基板的多層化在不斷進步，關(guān)于基板的輕量化方面，基板的薄型化在不斷進步。
[0004]在此，圖案的形成主要通過被稱作光刻工序的方式進行，在覆銅層疊板上層壓感光性干膜等層疊膜，然后進行曝光、顯影、刻蝕或者電鍍處理，形成圖案。
[0005]感光性干膜等主要由三層結(jié)構(gòu)的層疊膜構(gòu)成，在由聚酯膜等構(gòu)成的基膜上涂敷具有感光性和熱固化性的抗蝕劑層，然后在抗蝕劑層上層疊由聚乙烯膜等構(gòu)成的保護膜，由此形成為三層。
[0006]以下將該感光性干膜等稱作層疊膜(在本說明書中，有時僅簡稱為“膜”)。
[0007]在制造印刷基板的圖案形成用層壓工序中，剝離層疊膜的保護膜，利用作為熱壓接輥的層壓輥從基膜上方加熱加壓抗蝕劑層，將層疊膜熱壓接于覆銅層疊板。
[0008]作為真空層壓裝置的主要用途，包括對需要高可靠性的基板以及形成細微圖案用的層疊膜進行真空層壓、以及在多層基板的制造工序中將感光性焊接抗蝕劑膜(絕緣膜)等真空層壓于在基板上表面形成有配線圖案等的凹凸基板表面。
[0009]在真空中層壓層疊膜的目的是為了防止因緊貼不良導(dǎo)致的微小氣泡混入在層壓時粘貼的基板表面與層疊膜之間，近年來，伴隨圖案的細微化，當(dāng)在平坦的覆銅層疊板上進行層壓時，微小氣泡(直徑為ΙΟμπι以下)混入基板表面的細微的凹凸中，成為產(chǎn)生不良的原因，所以開始使用真空層壓裝置。
[0010]另外，在通常的覆銅層疊板的表面上，為了提高抗蝕劑的緊貼力，作為層壓前的前處理進行深度為ΙΟμπι以下的表面粗糙處理。主要的表面粗糙處理方法通過利用酸性化學(xué)試劑等進行化學(xué)研磨來實施。
[0011]通過使包含粘接成分的抗蝕劑進入該粗糙面部的凹部，提高抗蝕劑與基板的緊貼力。這被稱作錨固效應(yīng)。
[0012]由于該表面粗糙處理，在空氣中進行的層壓因加壓不均勻?qū)е驴刮g劑向粗糙面凹部的壓入不充分、以及因加熱不均勻?qū)е驴刮g劑的熔融不充分等原因，致使在粗糙面凹部上殘留有微小氣泡。由于沒有阻止抗蝕劑進入粗糙面凹部的空氣，因此在真空中進行的層壓大幅度改善了抗蝕劑的埋入性。
[0013]在真空下進行層壓的方式提出需要將真空室與空氣隔開，并使用由入口室、真空室以及出口室構(gòu)成的真空層壓裝置的方案(參照專利文獻I)。
[0014]另外，作為其他真空層壓方式，提出從減壓室的外部(空氣中)將層疊膜導(dǎo)入減壓室，不使用密閉密封真空室的壓接輥(橡膠制)進行基板的搬入以及搬出，從而能夠在干凈的狀態(tài)下真空層壓基板(參照專利文獻2)。
[0015]在先技術(shù)文獻
[0016]專利文獻
[0017]專利文獻I日本特開平4-39038號公報
[0018]專利文獻2日本特開2001-38806號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0019]發(fā)明所要解決的課題
[0020]在真空層壓的情況下，有無微小氣泡作為品質(zhì)評價的標(biāo)準(zhǔn)成為重要的課題。
[0021]評價試驗持續(xù)表明:影響有無微小氣泡的主要原因是層壓時的真空度。例如，如果圖案的線(導(dǎo)體寬度)以及空間(導(dǎo)體間的間隙)是25μπι級別以下，那么優(yōu)選真空度是1.3kPa以下。
[0022]并且，在今后投入量產(chǎn)的線以及空間是ΙΟμπι級別以下的圖案中，被認為需要
0.5kPa以下的高真空度。
[0023]因此，雖然需要一種以往沒有的在高真空下的層壓裝置，但現(xiàn)狀是存在市場上沒有發(fā)現(xiàn)在高真空下生產(chǎn)性良好的真空層壓裝置的問題。
[0024]例如，專利文獻I所示的真空層壓方式是與以往的空氣層壓裝置相同的結(jié)構(gòu)，設(shè)置有用于層疊膜的搬運和保持的吸附保持機構(gòu)。為了該層疊膜的吸附保持，根據(jù)試驗結(jié)果可知當(dāng)層疊膜寬度是500mm時需要大約12kPa的吸附差壓。因此，設(shè)置有層壓裝置的真空室當(dāng)真空度為約12kPa以下時不能夠吸附保持層疊膜，因此不能應(yīng)對高真空度的情況。
[0025]另外，專利文獻2所示的結(jié)構(gòu)是一種雖然從減壓室的外部(空氣側(cè))導(dǎo)入層疊膜的基膜并通過真空密封進行氣密，但是在基膜的兩側(cè)泄漏相當(dāng)于基膜的厚度的量的結(jié)構(gòu)。
[0026]因此，在不是完全真空密封的結(jié)構(gòu)并且不使用超過泄漏量的大容量的真空栗時，難以保持真空度為0.5kPa以下的真空度。
[0027]并且，每次搬入、搬出基板以及導(dǎo)入層疊膜時，都必須對大容量的減壓室進行空氣開放以及抽真空，可以預(yù)想會導(dǎo)致線的處理速度大幅度下降。
[0028]另外，作為在真空中層壓的課題，將在空氣中通過前工序的預(yù)熱裝置加熱了的基板投入真空室時，通過抽真空使基板周圍的空氣消失，因此基板表面溫度下降。特別是對于需求較多的薄板基板，因放熱導(dǎo)致的基板溫度下降尤為顯著。該下降溫度因基板厚度等而不同，但在基板厚度是0.2_的基板的情況下的試驗結(jié)果是產(chǎn)生大約10°C的基板溫度下降。
[0029]如上所述，當(dāng)在真空中層壓層疊膜時，存在因?qū)訅呵暗幕鍦囟认陆刀鴮?dǎo)致抗蝕劑的熔融不充分，致使抗蝕劑的緊貼力下降的問題。
[0030]作為對策，能夠通過在真空室入口部測定基板溫度、降低層壓速度、延長抗蝕劑加熱時間來應(yīng)對，但會導(dǎo)致生產(chǎn)性下降。
[0031]另外，層疊膜制造商的通常的推薦條件是將基板的預(yù)熱溫度、即層壓前的基板溫度設(shè)定為50°C至60°C，并且，推薦層壓速度是大約3m/min。
[0032]設(shè)置于在空氣中使用的層壓裝置之前的基板預(yù)熱裝置通常采用通過筒式加熱器或者熱風(fēng)循環(huán)使?fàn)t內(nèi)的環(huán)境氣體溫度恒定的加熱方式，測定加熱爐內(nèi)的環(huán)境氣體溫度并進行反饋控制，但是存在由于真空中沒有空氣而不能測定加熱爐內(nèi)的環(huán)境氣體溫度的課題。
[0033]鑒于上述以往的膜的層壓裝置所存在的問題，本發(fā)明的第一目的例如是提供一種能夠在真空度0.5kPa以下的高真空中進行層壓的膜的真空層壓裝置。
[0034]并且，本發(fā)明的第二目的同樣是提供一種能夠解決因基板溫度下降導(dǎo)致在層壓時抗蝕劑緊貼力下降的課題的膜的真空層壓裝置。
[0035]用于解決課題的方案
[0036]為了達成上述第一目的，本發(fā)明的膜的真空層壓裝置在真空室內(nèi)一邊通過搬運機構(gòu)搬運基板一邊將保護膜從膜剝離，并將膜粘貼到基板上，為了與投入的基板的長度相應(yīng)地改變粘貼的膜的長度，在層壓前測定基板的長度，并具有膜長度調(diào)整機構(gòu)，所述膜長度調(diào)整機構(gòu)在半切位置與設(shè)置于層壓輥附近的刀口部之間，與檢測出的基板的長度相應(yīng)地改變膜的保持長度，在粘貼的膜的長度位置對通過該膜長度調(diào)整機構(gòu)改變了膜的保持長度的、剝離保護膜前的膜進行半切，并利用膜搬運機構(gòu)將膜在通過保護膜而的狀態(tài)下搬運至刀口部，從而例如能夠在真空度為0.5kPa以下的高真空中進行層壓。
[0037]并且，為了達成上述第二目的，S卩，從空氣中投入了真空室的基板通過抽真空而去除基板周圍的空氣，因此基板溫度下降，由于基板溫度下降，導(dǎo)致在層壓時抗蝕劑緊貼力下降，針對這一課題，通過在真空室內(nèi)具有用于在層壓工序的前工序中加熱基板的基板加熱機構(gòu)，將層壓前的基板加熱為最適合的條件。
[0038]并且，在對上述基板預(yù)熱裝置進行溫度控制時，由于真空中沒有空氣，因此不能測定加熱爐內(nèi)的環(huán)境氣體溫度，針對這一課題，在基板加熱機構(gòu)的出口測定基板的溫度，將該測定出的溫度反饋至基板加熱機構(gòu)的溫度控制部，自動控制基板的加熱溫度。
[0039]發(fā)明效果
[0040]本發(fā)明的膜的真空層壓裝置具有通過在基板的細微圖案形成用的真空層壓工序中提尚廣品的品質(zhì)以及提尚層壓處理速度來提尚生廣性的效果。
[0041 ] 更具體地說，
[0042]1.通過減少不良以及提高層壓處理速度來提高生產(chǎn)性
[0043](I)由于在高真空度(0.5kPa以下)下進行層壓，因此能夠防止導(dǎo)致不良的主要原因的微小氣泡的混入。
[0044](2)通過設(shè)置于真空室的基板加熱機構(gòu)，防止了層壓前的基板溫度下降，使基板溫度恒定化，從而能夠使與抗蝕劑的緊貼力下降相對的層壓品質(zhì)穩(wěn)定化。并且，能夠防止基板溫度下降，提高層壓速度，從而能夠提高生產(chǎn)性。
[0045](3)通過在基板加熱機構(gòu)的出口測定基板溫度，將該溫度測定結(jié)果反饋至基板加熱機構(gòu)，能夠使基板溫度穩(wěn)定化并提高層壓品質(zhì)。
[0046]2.其他效果
[0047](I)當(dāng)在真空中層壓層疊膜時，能夠通過抽真空從真空室除去從裝置驅(qū)動部等產(chǎn)生的漂浮異物，不存在混入層疊膜與基板之間的漂浮異物，能夠減少產(chǎn)品不良。
[0048](2)由于在真空中進行層壓，因此使空氣中所包含的水分消失，從而混入層疊膜與基板之間的水分也消失，具有提高抗蝕劑的緊貼力和防止作為配線圖案的主要材料的銅的表面氧化的效果。
【附圖說明】
[0049]圖1是表示本發(fā)明的膜的真空層壓裝置的一實施例的說明圖。
[0050]附圖標(biāo)記說明[0051 ]I 入口室
[0052]2真空室
[0053]3 出口室
[0054]4基板搬入閘閥
[0055]5基板入口閘閥
[0056]6基板出口閘閥
[0057]7基板搬出閘閥
[0058]8真空栗
[0059]9真空歧管
[0060]10a、10b、1c 真空隔離閥[0061 ]I la、I Ib真空旁通閥
[0062]12a、12b、12c 空氣開放閥
[0063]13a、13b、13c 真空儀
[0064]14a、14b、14c、14d、14e 基板
[0065]15入口室輸送部
[0066]16基板加熱機構(gòu)輸送部
[0067]17a、17b基板加熱機構(gòu)
[0068]18a、18b基板溫度檢測器
[0069]19基板投入輸送部
[0070]20膜卷放單元(膜搬運機構(gòu))
[0071]21層疊膜
[0072]22半切單元
[0073]23膜拉出調(diào)整單元(膜長度調(diào)整機構(gòu))
[0074]24 刀口部
[0075]25層疊膜前端
[0076]26層壓輥
[0077]27保護膜
[0078]28保護膜輸送輥
[0079]29保護膜卷取單元(膜搬運機構(gòu))
[0080]30層壓結(jié)束層疊膜[0081 ]31基板搬出輸送部
[0082]32出口室搬出輸送部
【具體實施方式】
[0083]以下參照附圖對本發(fā)明的膜的真空層壓裝置的實施方式進行說明。
[0084]圖1是本發(fā)明的膜的真空層壓裝置的一實施例，表示在基板的兩面真空層壓層疊膜的形態(tài)，在真空室2中表示即將進行層壓前的狀態(tài)。
[0085]該膜的真空層壓裝置由從空氣投入基板的入口室1、在真空中預(yù)熱基板并進行層壓的真空室2、從真空室2向空氣搬出基板的出口室3、以及控制這些機構(gòu)的未圖示的控制裝置構(gòu)成。另外，真空室2內(nèi)的膜層壓部上下對稱，因此省略下側(cè)的附圖標(biāo)記。
[0086]在圖1中，基板14a從左方通過前工序的搬運輸送機等搬入，通過位于入口室I的入口室輸送部15搬入基板。
[0087]為了達到真空狀態(tài)，關(guān)閉基板搬入閘閥4，通過真空栗8進行抽真空，使入口室I達到真空狀態(tài)。
[0088]當(dāng)入口室I的真空度與真空室2的真空度大致相同時，打開基板入口閘閥5，將基板搬入真空室2的基板加熱機構(gòu)輸送部16。
[0089 ]被設(shè)置于基板加熱機構(gòu)輸送機部16的上下的基板加熱機構(gòu)17a、17b加熱了的基板14b通過輸送機移動，利用基板溫度檢測器18a、18b測定基板的正反表面溫度，為了進行反饋控制將數(shù)據(jù)發(fā)送至基板加熱機構(gòu)的溫度調(diào)節(jié)器。
[0090]在基板投入輸送部19中，通過未圖示的基板對齊裝置等根據(jù)層疊膜21的膜寬對齊基板寬度方向。
[0091]并且，對于投入了的基板14c的基板長度，通過未圖示的基板位置檢測器和基板投入輸送部19的輥輸送量測定基板長度。
[0092]并且，對于基板14c前端的層壓開始位置的停止，為了在指定的基板粘貼位置粘貼層疊膜，通過未圖示的控制裝置控制基板投入輸送部19的停止位置。
[0093]在真空室2的層壓部中，通過保護膜輸送輥28從膜卷放單元(膜搬運機構(gòu))20拉出層疊膜21，通過保護膜27的輸送，層疊膜21上被半切切斷的位置被搬運至層疊膜前端25的位置。
[0094]此時，為了使半切單元22在與投入的基板14c的粘貼長度對應(yīng)的位置對層疊膜進行半切，使用未圖示的驅(qū)動裝置使膜拉出調(diào)整單元(膜長度調(diào)整機構(gòu))23移動。
[0095]半切指的是保留層疊膜21的保護膜27，而切斷基膜以及抗蝕劑。這樣的不切斷層疊膜21的全部厚度而保留半切單元22的相反側(cè)、即保護膜27地進行切斷的方法稱作半切。
[0096]通過在刀口部24中將保護膜27折疊成銳角，在剝離了保護膜27的狀態(tài)下，將露出了抗蝕劑面的層疊膜前端25從刀口前端拉出。
[0097]在層壓輥26上下，通過未圖示的夾緊機構(gòu)對定位于層壓位置的基板14c與層疊膜前端25進行夾緊，通過未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)在熱壓接的同時進行層壓。此時，層疊膜21通過層壓輥26的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動而拉出。
[0098]并且，膜卷放單元20通過力矩馬達等在膜卷放軸產(chǎn)生制動力矩，使層壓時的層疊膜21的保持張力最合適。
[0099]并且，在保護膜27的卷取中，通過保護膜輸送輥28將保護膜27拉出，并通過保護膜卷取單元(膜搬運機構(gòu))29卷取回收。通過伺服馬達等控制保護膜輸送輥28的旋轉(zhuǎn)從而使該保護膜輸送速度與層壓輥26的層壓速度同步。
[0100]在基板搬出輸送部31中，以與層壓速度同步的基板搬出輸送機速度接受在基板正反粘貼了層置I旲30的粘貼基板14d。
[0101]此時，為了在出口室3中接受基板14d，在層壓過程中關(guān)閉空氣開放閥12c，打開真空隔離閥10c，進行抽真空，當(dāng)真空室2與出口室3的真空度大致同壓時，關(guān)閉真空隔離閥1c0
[0102]通過真空儀13c監(jiān)控出口室3的真空度，當(dāng)與真空室2的真空度大致相同時，打開基板出口閘閥6，使基板搬出輸送部31與出口室3的出口室搬出輸送部32同步旋轉(zhuǎn)，將基板14e搬入出口室3。
[0103]接下來，關(guān)閉基板出口閘閥6，打開空氣開放閥12c，使出口室3成為空氣狀態(tài)，打開基板搬出閘閥7，將粘貼了層疊膜30的基板14e搬出到下一個工序裝置。
[0104]以下對該膜的真空層壓裝置的運轉(zhuǎn)方法等的詳細情況進行說明。
[0105]作為運轉(zhuǎn)準(zhǔn)備，為了使真空室2以及出口室3成為真空，打開真空隔離閥10b、真空隔離閥1c以及真空旁通閥11b，由一直處于真空狀態(tài)的真空歧管9進行抽真空。打開真空旁通閥Ilb是為了開閉基板出口閘閥6，從而將真空室2與出口室3的真空度形成為大致同壓。
[0106]對于真空度的設(shè)定可以采用如下方法:根據(jù)真空儀13b以及真空儀13c的輸出信號，關(guān)閉真空隔離閥1b以及10c，在因微小泄漏等導(dǎo)致真空度向空氣側(cè)上升時，同樣根據(jù)真空儀13b、13c的輸出信號打開真空隔離閥1b以及10c，開始抽真空從而能夠?qū)⒄婵斩缺３譃榇笾潞愣?。并且作為其他的方法，通過未圖示的泄漏閥等使少量空氣進入真空室2以及出口室3，對泄漏閥等進行開閉控制，從而與真空閥8的真空排氣量平衡，從而保持真空度。
[0107]對于從前工序投入的基板14a而言，通過未圖示的基板檢測器的信號確認基板搬入，停止入口室輸送部15的搬運。同時關(guān)閉基板搬入閘閥4與空氣開放閥12a，打開真空隔離閥10a，進行抽真空。
[0108]通過真空儀13a檢測入口室I的真空度，當(dāng)入口室I的真空度比設(shè)定真空度稍微接近空氣側(cè)真空度時，打開真空旁通閥11a，使入口室I與真空室2成為大致相同的真空度。這是為了防止在突然打開真空旁通閥Ila連接真空狀態(tài)的真空室2與空氣狀態(tài)的入口室I時，導(dǎo)致真空室2的真空度大幅度變化。
[0109]并且，當(dāng)在基板入口閘閥5的前后真空室產(chǎn)生差壓時，在通過閥封閉的開口面產(chǎn)生按壓力，不能進行閥門的打開動作。
[0110]該真空隔離閥由制造商商品化(商品名稱是“gatevalve”等)，打開動作時的差壓越小越好，制造商推薦的差壓是大約3.9kPa以下。
[0111]當(dāng)入口室I的真空度達到設(shè)定值時，打開基板入口閘閥5，使入口室輸送部15與基板加熱機構(gòu)輸送部16以同步速度運轉(zhuǎn)，將基板搬入真空室2。
[0112]并且，通過基板加熱機構(gòu)輸送部16的未圖示的基板位置檢測器使基板14b在基板加熱機構(gòu)17a、17b內(nèi)停止。
[0113]在該基板加熱位置通過基板加熱機構(gòu)17a、17b對基板進行加熱。由于在真空中沒有傳遞熱的空氣，因此在真空中加熱基板的方式采用利用輻射熱的遠紅外線加熱器等，所以如圖1的基板加熱機構(gòu)17a、17b所示，以超過應(yīng)用的最大基板尺寸的面積配置遠紅外線加熱器等。在該遠紅外線加熱器等中埋入了熱電偶，且為了溫度控制連接有溫度調(diào)節(jié)器。
[0114]并且，為了使基板的溫度分布均勻化，優(yōu)選將加熱器區(qū)域在基板流動方向上劃分為上游、中游以及下游三部分，在寬度方向上劃分為基板兩端以及中央這三部分，一共劃分為九個區(qū)域，進行溫度控制。
[0115]通過基板溫度檢測器18a、18b測定被基板加熱機構(gòu)17a、17b加熱了的基板14b的表面溫度，并根據(jù)該數(shù)據(jù)通過溫度調(diào)節(jié)器進行溫度控制。
[0116]例如，根據(jù)線速度使基板加熱時間恒定化，參考事前確認用的樣品基板的溫度測定值決定溫度調(diào)節(jié)器的設(shè)定值，對實際流動的基板溫度的測定值與溫度調(diào)節(jié)器的設(shè)定值之間的偏差進行反饋，從而對遠紅外線加熱器等進行溫度控制。
[0117]作為在真空室2內(nèi)測定基板溫度的方式，考慮到在基板產(chǎn)生損傷或者異物附著，優(yōu)選使用非接觸式的溫度檢測器。
[0118]作為非接觸式的溫度檢測方法，例如在真空室2內(nèi)設(shè)置溫度檢測器用氣密盒子，從其窺視窗透過玻璃通過放射溫度計(測量從物體放射的被稱作黑體輻射的紅外線的量，并換算為溫度)進行測定。
[0119]圖1表不層壓開始時的狀態(tài)。
[0120]層壓輥26的上下輥使用未圖示的氣缸等，在層疊膜前端25的位置夾持基板14c，夾緊層壓輥26，在夾緊的狀態(tài)下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動層壓輥26。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動源使用未圖示的伺服馬達或者速度控制馬達等，開始層壓工作。
[0121]粘貼通過層壓輥26完成層壓的層疊膜30，根據(jù)基于基板14c的長度設(shè)定的層疊膜粘貼長度，在層壓終端位置打開對層壓輥26的夾緊，結(jié)束層壓工作。
[0122]此時，基板搬出輸送部31的搬運速度與層壓速度同步。
[0123]出口室3已經(jīng)是真空狀態(tài)，基板出口閘閥6下降成為打開狀態(tài)，因此通過出口室搬運輸送部32以同步速度將粘貼了層疊膜30的基板14d連續(xù)搬運至出口室3的基板He的位置。
[0124]根據(jù)未圖示的基板位置檢測器發(fā)出的基板14e的搬運結(jié)束信號，關(guān)閉基板出口閘閥6，打開空氣開放閥12c，使出口室3成為空氣狀態(tài)。通過真空儀13c確認出口室3為空氣狀態(tài)，打開基板搬出閘閥7，使用出口室搬出輸送部32將粘貼了層疊膜30的基板14e搬出到下一個工序裝置。
[0125]真空室2在運轉(zhuǎn)過程中一直是真空狀態(tài)，根據(jù)膜卷放單元20的層疊膜剩余量信號停止運轉(zhuǎn)，關(guān)閉真空隔離閥10a、10b、10c，打開真空旁通閥11a、11b，然后打開空氣開放閥12a、12b、12c，真空室2成為空氣狀態(tài)，打開真空室2的未圖示的門，進行層疊膜的更換。
[0126]以上，基于實施例對本發(fā)明的層疊膜的真空層壓裝置進行了說明，但是本發(fā)明不限于上述實施例記載的結(jié)構(gòu)，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)可以適當(dāng)變更其結(jié)構(gòu)。
[0127]工業(yè)上的應(yīng)用可能性
[0128]本發(fā)明的膜的真空層壓裝置在高真空下層壓層疊膜，因此能夠通過防止微小氣泡的混入，用于形成細微圖案的用途。
[0129]并且，在配線圖案形成的最終工序中，包括為了保護配線的表面而層壓感光性焊接抗蝕劑膜(絕緣膜)的工序，但是由于已經(jīng)形成了圖案，因此基板表面存在配線圖案高度的凹凸，在空氣的層壓中存在在基板與抗蝕劑之間殘留氣泡的課題，當(dāng)前使用真空沖壓裝置進行層壓，但是每次投入基板時都將真空室向空氣開放，因此存在處理速度慢的課題。本發(fā)明具有用作真空沖壓裝置的代替裝置的用途。
【主權(quán)項】
1.一種膜的真空層壓裝置，所述膜的真空層壓裝置在真空室內(nèi)一邊通過搬運機構(gòu)搬運基板一邊將保護膜從膜剝離，并將膜粘貼到基板上，其特征在于，為了與投入的基板的長度相應(yīng)地改變粘貼的膜的長度，在層壓前測定基板的長度，并具有膜長度調(diào)整機構(gòu)，所述膜長度調(diào)整機構(gòu)在半切位置與設(shè)置于層壓輥附近的刀口部之間，與檢測出的基板的長度相應(yīng)地改變膜的保持長度，在粘貼的膜的長度位置對通過該膜長度調(diào)整機構(gòu)改變了膜的保持長度的、剝離保護膜前的膜進行半切，并利用膜搬運機構(gòu)將膜在通過保護膜而連續(xù)的狀態(tài)下搬運至刀口部。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜的真空層壓裝置，其特征在于，將真空室內(nèi)設(shè)定為真空度0.5kPa以下的氣密狀態(tài)，對膜進行層壓。3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的膜的真空層壓裝置，其特征在于，在真空室內(nèi)具有用于在層壓工序的前工序中加熱基板的基板加熱機構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的膜的真空層壓裝置，其特征在于，在基板加熱機構(gòu)的出口測定基板的溫度，將測定出的溫度反饋至基板加熱機構(gòu)的溫度控制部，自動控制基板的加熱溫度。
【文檔編號】B32B38/18GK105922706SQ201510929321
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2015年12月15日
【發(fā)明人】高橋雄, 高橋一雄, 大澤睦, 山本英樹
【申請人】日立成套設(shè)備機械股份有限公司