一種用于多晶硅片酸制絨的添加劑及使用方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于太陽(yáng)電池制造領(lǐng)域，內(nèi)容為一種多晶硅片酸制絨的添加劑及使用方法，添加劑的組成成分為全氟非離子型表面活性劑、多元醇、檸檬酸和余量的水。應(yīng)用添加劑進(jìn)行酸制絨的方法，包括以下步驟：（1）將全氟非離子型表面活性劑、多元醇、檸檬酸與水配成多晶硅酸制絨的添加劑；（2）將氫氟酸、硝酸與水配置成酸制絨溶液；（3）將添加劑加入步驟（2）制得的酸制絨液中；（4）將硅片放入到步驟（3）制得的酸制絨溶液中進(jìn)行制絨。使用本添加劑后絨面更加均勻，腐蝕坑更加細(xì)小，與常規(guī)制絨相比反射率能夠降低2-3%。
【專利說(shuō)明】—種用于多晶硅片酸制絨的添加劑及使用方法
[0001]【技術(shù)領(lǐng)域】:
本發(fā)明涉及一種多晶硅片酸制絨的添加劑及使用方法，屬于太陽(yáng)能電池多晶硅制絨領(lǐng)域。
[0002]技術(shù)背景:
在太陽(yáng)能電池制造工藝中，制絨為整個(gè)電池制造工序的開(kāi)始，制絨工序在降低反射率、提高光利用率、改善電池外觀與提高光電轉(zhuǎn)換效率方面起到很大作用，多晶硅由于其本身是由不同晶向的晶粒組成的，如果采用單晶各向異性腐蝕來(lái)制絨會(huì)使反射率較高并導(dǎo)致陷光作用不明顯，所以采用酸性各向同性腐蝕的方法來(lái)降低反射率。
[0003]常規(guī)酸性制絨的制絨效果并不理想主要問(wèn)題有腐蝕坑尺寸較大、均勻性較差、黑絲嚴(yán)重、反射率較高與表面缺陷多從而影響電池的外觀，降低光電轉(zhuǎn)換效率。多晶制絨添加劑通過(guò)改變硅片表面氣泡大小、多少和脫離速度從而改善腐蝕坑的尺寸與均勻性，降低反射率；優(yōu)化硅片缺陷處腐蝕速率，使得硅片表面黑絲的數(shù)量降低從而改善制絨后電池的外觀，提高光電轉(zhuǎn)換效率。
[0004]


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了克服上述缺陷，本發(fā)明提供了一種用于多晶硅片酸制絨的添加劑，所述添加劑包含的組分為:全氟非離子型表面活性劑、多元醇、檸檬酸和余量的水，其中全氟非離子型表面活性劑與水的重量比為0.01?5:100，多元醇與水的重量比為0.05?5:100，檸檬酸與水的重量比為0.05?5:100。
[0006]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的水為去離子水。
[0007]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的多元醇為含4?8個(gè)羥基的多元醇其中的一種或多種的組合。
[0008]此項(xiàng)所述的運(yùn)用上述添加劑進(jìn)行酸制絨的方法，包括以下步驟:
(1)全氟非離子型表面活性劑、多元醇、檸檬酸和余量的水按照比例配成多晶硅片酸制絨的添加劑；(2)將氫氟酸、硝酸與水配置成酸制絨溶液。(3)將添加劑加入步驟(2)制得的酸制絨液中；(4)將硅片放入到步驟(3)制得的酸制絨溶液中進(jìn)行制絨，制絨溫度為0?25°C，優(yōu)選2?10°C，制絨時(shí)間為50?200s。
[0009]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，在步驟(3)所述的添加劑與酸制絨液的重量比為0.5 ?2:100。
[0010]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，在步驟(4)所述的制絨溫度為0?25°C，優(yōu)選2?10°C，制絨時(shí)間為50?200s。
[0011]本發(fā)明的有益效果是:使用本發(fā)明的添加劑后絨面尺寸細(xì)小并均勻，對(duì)硅片清洗能力更強(qiáng)、黑絲數(shù)量降低，反射率與常規(guī)制絨相比降低2-3%，提高電池光電轉(zhuǎn)換效率，絨面更加均勻，對(duì)硅片沾污的清洗能力更強(qiáng)，降低表面缺陷有助于提高開(kāi)路電壓。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為常規(guī)制絨多晶硅片表面SEM圖片；
圖2為本發(fā)明添加劑制絨多晶硅片表面SEM圖片。

【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。
[0014]
實(shí)施例
[0015]實(shí)施例1為對(duì)比組實(shí)例:
1)配置酸性制絨液:將3L去離子水，1.5L濃度為49%的氫氟酸，5.5L濃度為68-71%的硝酸，依次加入制絨槽中并攪拌，得到10L酸性制絨液；
2)制絨:將太陽(yáng)能多晶硅片放入制絨槽進(jìn)行制絨，制絨的溫度為8°C，制絨時(shí)間為80s。
[0016]常規(guī)制絨后的反射率為24.0%，由圖1可知得到了尺寸較大、分布不均的絨面。
[0017]實(shí)施例2:
1)配置多晶制絨添加劑:將0.0ig全氟非離子型表面活性劑，0.05g季戊四醇，0.05g檸檬酸加入100ml去離子水中配成多晶制絨添加劑；
2)配置酸性制絨液:將3L去離子水，1.5L濃度為49%的氫氟酸，5.5L濃度為68-71%的硝酸，依次加入制絨槽中并攪拌，得到10L酸性制絨液；
3)將0.2L添加劑加入步驟2)配置好的酸性制絨液中；
4)制絨:將太陽(yáng)能多晶硅片放入制絨槽進(jìn)行制絨，制絨的溫度為8°C，制絨時(shí)間為80s。
[0018]實(shí)施例3:
1)得到配置多晶制絨添加劑:將5g全氟非離子型表面活性劑，5g正丁醇，5g檸檬酸加入100ml去離子水中配成多晶制絨添加劑；
2)配置酸性制絨液:將3L去離子水，1.5L濃度為49%的氫氟酸，5.5L濃度為68-71%的硝酸，依次加入制絨槽中并攪拌，得到10L酸性制絨液；
3)將0.05L添加劑加入步驟2)配置好的酸性制絨液中；
4)制絨:將太陽(yáng)能多晶硅片放入制絨槽進(jìn)行制絨，制絨的溫度為8°C，制絨時(shí)間為80s。
[0019]實(shí)施例4:
1)得到配置多晶制絨添加劑:將0.lg全氟非離子型表面活性劑，lg季戊四醇，lg檸檬酸加入100ml去離子水中配成多晶制絨添加劑；
2)配置酸性制絨液:將3L去離子水，1.5L濃度為49%的氫氟酸，5.5L濃度為68-71%的硝酸，依次加入制絨槽中并攪拌，得到10L酸性制絨液；
3)將0.08L添加劑加入步驟2)配置好的酸性制絨液中；
4)制絨:將太陽(yáng)能多晶硅片放入制絨槽進(jìn)行制絨，制絨的溫度為8°C，制絨時(shí)間為80s。
[0020]添加劑制絨后的反射率為21.5%，由圖2可知得到了尺寸較小、分布均勻的絨面。對(duì)比圖1中可得添加劑制絨比常規(guī)制絨絨面更均勻，腐蝕坑更小。
【權(quán)利要求】
1.一種用于多晶硅片酸制絨的添加劑，其特征在所述添加劑包含的組分為:全氟非離子型表面活性劑、多元醇、檸檬酸和水，其中全氟非離子型表面活性劑與水的重量比為0.01?5:100，多元醇與水的重量比為0.05?5:100，檸檬酸與水的重量比為0.05?5:100。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于多晶硅片酸制絨的添加劑，其特征在于:所述的水為去離子水。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于多晶硅片酸制絨的添加劑，其特征在于:所述的多元醇為含4?8個(gè)羥基的多元醇其中的一種或多種的組合。
4.一種應(yīng)用權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的用于多晶硅片酸制絨的添加劑進(jìn)行酸制絨的方法，其特征在于，包括以下步驟: 1)將全氟非離子型表面活性劑、多元醇、檸檬酸與水配成多晶硅片酸制絨的添加劑； 2)將氫氟酸、硝酸與水配置成酸制絨溶液； 3)將步驟1)制得的添加劑加入步驟2)制得的酸制絨液中； 4)將硅片放入到步驟3)制得的酸制絨溶液中進(jìn)行制絨。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種應(yīng)用添加劑進(jìn)行酸制絨的方法，其特征在于:在步驟(3)所述的添加劑與酸制絨液的重量比為0.5?2:100。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種應(yīng)用添加劑進(jìn)行酸制絨的方法，其特征在于:在步驟(4)所述的制絨溫度為0?25°C，優(yōu)選2?10°C，制絨時(shí)間為50?200s。
【文檔編號(hào)】C30B33/10GK104294369SQ201410636695
【公開(kāi)日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月13日
【發(fā)明者】陶龍忠, 李海波, 楊灼堅(jiān), 張堯 申請(qǐng)人:蘇州潤(rùn)陽(yáng)光伏科技有限公司