專利名稱：自控溫金屬電熱膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種金屬電熱膜，尤其是一種可實(shí)時(shí)自行監(jiān)測，當(dāng)任一點(diǎn)溫度 超過標(biāo)準(zhǔn)值時(shí)即可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制(斷電)的自控溫金屬電熱膜。
背景技術(shù)：
金屬電熱膜是在絕緣薄膜(PET)之間設(shè)置有金屬(合金)導(dǎo)電線路，與 導(dǎo)電線路相接有兩條輸入總線(高、低電位)，目前已廣泛應(yīng)用于地?zé)?、電熱?及薄膜采暖器等領(lǐng)域。為了減少熱量損失，通常在金屬電熱膜的背面都設(shè)置了 保溫材料，使其所產(chǎn)生的熱量絕大部分向前面散發(fā)和輻射，其表面溫度設(shè)計(jì)為80 90°C。但是如果雙面均處于保溫狀態(tài)，其表面溫度就可達(dá)到170~180°C，遠(yuǎn) 遠(yuǎn)超過其絕緣薄膜所能承受極限，導(dǎo)致絕緣薄膜快速老化、變黃變脆，嚴(yán)重影 響了整個(gè)金屬電熱膜的使用安全及壽命。例如電熱板、電熱畫、薄膜采暖器等 一般都安裝在墻上，而在寒冷的冬季，人們往往愿意倚靠在電熱板上取暖，這 就使金屬電熱膜局部處于雙面保溫狀態(tài)，金屬電熱膜被長時(shí)間靠覆的局部表面 溫度就會(huì)急劇升高，而使絕緣薄膜損壞。雖然，有的金屬電熱膜設(shè)置了溫度控 制電路，即在金屬電熱膜的某一點(diǎn)設(shè)置溫度傳感器(如熱電隅、熱電阻傳感器) 進(jìn)行測溫，當(dāng)此點(diǎn)溫度超過標(biāo)準(zhǔn)值時(shí)就與所設(shè)置的電子電路(信號(hào)處理電路、 驅(qū)動(dòng)控制電路)配合，實(shí)現(xiàn)控溫(斷電)。但是，由于不能在整個(gè)電熱膜上布置 多個(gè)溫度傳感器，所以此溫度控制電路只適合于表面溫度一致的金屬電熱膜， 如地?zé)嵊秒姛崮さ?，卻無法解決局部溫度因人為倚靠而隨機(jī)升溫、超標(biāo)的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的上述技術(shù)問題，提供一種可實(shí)時(shí)自行 監(jiān)測，當(dāng)任一點(diǎn)溫度超過標(biāo)準(zhǔn)值時(shí)即可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制(斷電)的自控溫金屬電 熱膜。本發(fā)明的技術(shù)解決方案是 一種自控溫金屬電熱膜，有雙層絕緣薄膜，在 雙層絕緣薄膜內(nèi)置有導(dǎo)電線路，與導(dǎo)電線路相接有輸入總線，在導(dǎo)電線路上設(shè)有電位檢測點(diǎn)A，另設(shè)有電位參考點(diǎn)B，電位檢測點(diǎn)A及電位參考點(diǎn)B的輸出 通過信號(hào)處理電路與驅(qū)動(dòng)執(zhí)行電路相接。所述參考點(diǎn)B是相串聯(lián)電阻R1、可調(diào)電阻R2的接點(diǎn)，電阻R1的另一端 與輸入總線相接，可調(diào)電阻R2的另一端與另一條輸入總線相接。 所述參考點(diǎn)B設(shè)置在兩個(gè)不同單元的導(dǎo)電線路上。本發(fā)明是利用金屬電熱膜的正溫度系數(shù)特性，在導(dǎo)電線路上取電位檢測 點(diǎn)，并設(shè)置了電位參考點(diǎn)，當(dāng)金屬電熱膜任一區(qū)域處于雙面保溫狀態(tài)時(shí)，電位 檢測點(diǎn)的電位就會(huì)隨此區(qū)域的溫升而升高，使電位檢測點(diǎn)與電位參考點(diǎn)之間的 電位差發(fā)生變化，將這一電位變量經(jīng)過信號(hào)處理電路處理，再經(jīng)驅(qū)動(dòng)控制電路， 即可實(shí)現(xiàn)斷電，可防止金屬電熱膜因人為倚靠而發(fā)生的局部過熱現(xiàn)象，避免因 此而對(duì)絕緣薄膜造成的損壞，提高了金屬電熱膜的可靠性，延長了金屬電熱膜 的使用壽命，同時(shí)具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、易于控制等優(yōu)點(diǎn)。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1的電路原理圖。 圖3是本發(fā)明實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖4是本發(fā)明實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖5是本發(fā)明實(shí)施例3的電路原理圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合

本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。實(shí)施例1如圖1、圖2所示同現(xiàn)有技術(shù)一樣，有雙層絕緣薄膜1，在雙 層絕緣薄膜1內(nèi)置有導(dǎo)電線路2，與導(dǎo)電線路2相接有輸入總線3、輸入總線4， 與現(xiàn)有技術(shù)所不同的是在I單元的導(dǎo)電線路2上直接引出導(dǎo)線作為電位檢測點(diǎn) A，電位參考點(diǎn)B只是為電位檢測點(diǎn)A提供參照值，可以如圖l所示，設(shè)置在 另一個(gè)單元II的導(dǎo)電線路2上，也可以設(shè)置在另一個(gè)單元II的絕緣薄膜1、輸 入總線4上等。信號(hào)處理電路可同現(xiàn)有技術(shù)，如信號(hào)比較電路、信號(hào)放大電路、 模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路、微處理器及或門等電路；驅(qū)動(dòng)執(zhí)行電路則可以是繼電器等電路。 當(dāng)電位檢測點(diǎn)A與電位參考點(diǎn)B之間的電位差發(fā)生變化且達(dá)到設(shè)定數(shù)值時(shí)，微 處理器或者是或門電路則輸出信號(hào)，使驅(qū)動(dòng)控制電路動(dòng)作，切斷電源，實(shí)現(xiàn)自 動(dòng)監(jiān)測、控制。實(shí)施例2如圖3所示同現(xiàn)有技術(shù)一樣，有雙層絕緣薄膜l,在雙層絕緣薄膜1內(nèi)置有導(dǎo)電線路2， 與導(dǎo)電線路2相接有輸入總線3、輸入總線4，與現(xiàn)有技術(shù)所不同的是在導(dǎo)電線路2上直接設(shè)置電位檢測點(diǎn)A，電位檢測點(diǎn)A與信號(hào)處理電路中比較器I的輸 入端相接，而電位參考點(diǎn)B則是設(shè)置在比較器I另外一個(gè)輸入端的比較電壓， 電位檢測點(diǎn)A及電位參考點(diǎn)B通過比較器比較，其輸出再通過信號(hào)處理電路的 其他電路(信號(hào)放大電路、模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路、微處理器及或門)與驅(qū)動(dòng)執(zhí)行電路 相接。實(shí)施例3如圖4、 5所示同現(xiàn)有技術(shù)一樣，有雙層絕緣薄膜l，在雙層絕緣薄膜1內(nèi)置有導(dǎo)電線路2， 與導(dǎo)電線路2相接有輸入總線3、輸入總線4，與現(xiàn)有技術(shù)所不同的是在導(dǎo)電線 路2上設(shè)有電位檢測點(diǎn)A，而電壓參考點(diǎn)B是相串聯(lián)電阻R1、可調(diào)電阻R2的 接點(diǎn)，電阻R1的另一端與輸入總線3相接，可調(diào)電阻R2的另一端與輸入總線 4相接。電位檢測點(diǎn)A及電位參考點(diǎn)B的輸出同實(shí)施例1一樣通過信號(hào)處理電 路與驅(qū)動(dòng)執(zhí)行電路相接。電位檢測點(diǎn)A將金屬電熱膜的導(dǎo)電線路2分為兩段，分別形成電阻Rl'、 R2'，正常工作時(shí)，電位檢測點(diǎn)A與電位參考點(diǎn)B之間有一個(gè)固定不變的電位 差，可通過調(diào)節(jié)可變電阻R2，設(shè)參考點(diǎn)B電位與電位檢測點(diǎn)A電位相等，這 樣在正常工作時(shí)AB的電位差為零。而當(dāng)電熱板被人倚靠時(shí)，此倚靠區(qū)域必將 因蓄熱而溫度升高，如倚靠在電熱板的下方，則下方的電阻R2'則隨之增大(金 屬電阻為正溫度系數(shù))，B點(diǎn)電位就會(huì)提高，AB點(diǎn)之間的電位差發(fā)生變化，而 形成電位差U，隨著蓄熱部位溫度不斷增高，電阻R2'的阻值將不斷增大，則 U值亦不斷增大，利用電位差信號(hào)U和所設(shè)置的信號(hào)處理電路、驅(qū)動(dòng)控制電路， 就可以控制金屬電熱膜的通電、斷電，也就控制了金屬電熱膜的表面溫度，防 止因局部溫度過高所帶來的各種問題。
權(quán)利要求
1.一種自控溫金屬電熱膜，有雙層絕緣薄膜(1)，在雙層絕緣薄膜(1)內(nèi)置有導(dǎo)電線路(2)，與導(dǎo)電線路(2)相接有輸入總線(3)、(4)，其特征在于在導(dǎo)電線路(2)上設(shè)有電位檢測點(diǎn)A，另設(shè)有電位參考點(diǎn)B，電位檢測點(diǎn)A及電位參考點(diǎn)B的輸出通過信號(hào)處理電路與驅(qū)動(dòng)執(zhí)行電路相接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的自控溫金屬電熱膜，其特征在于所述參考點(diǎn)B 是相串聯(lián)電阻R1、可調(diào)電阻R2的接點(diǎn)，電阻R1的另一端與輸入總線(3)相 接，可調(diào)電阻R2的另一端與另一條輸入總線(4)相接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的自控溫金屬電熱膜，其特征在于所述電位檢 測點(diǎn)A、參考點(diǎn)B設(shè)置在兩個(gè)不同單元的導(dǎo)電線路(2)上。
全文摘要
本發(fā)明公開一種自控溫金屬電熱膜，有雙層絕緣薄膜，在雙層絕緣薄膜內(nèi)置有導(dǎo)電線路，與導(dǎo)電線路相接有輸入總線，在導(dǎo)電線路上設(shè)有電位檢測點(diǎn)A，另設(shè)有電位參考點(diǎn)B，電位檢測點(diǎn)A及電位參考點(diǎn)B的輸出通過信號(hào)處理電路與驅(qū)動(dòng)執(zhí)行電路相接。當(dāng)金屬電熱膜任一區(qū)域處于雙面保溫狀態(tài)時(shí)，電位檢測點(diǎn)的電位就會(huì)隨此區(qū)域的溫升而升高，使電位檢測點(diǎn)與電位參考點(diǎn)之間的電位差發(fā)生變化，將這一電位變量經(jīng)過信號(hào)處理電路處理，再經(jīng)驅(qū)動(dòng)控制電路，即可實(shí)現(xiàn)斷電，可防止金屬電熱膜因人為倚靠而發(fā)生的局部過熱現(xiàn)象，避免因此而對(duì)絕緣薄膜造成的損壞，提高了金屬電熱膜的可靠性，延長了金屬電熱膜的使用壽命，同時(shí)具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、易于控制等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H05B1/02GK101404832SQ20081022810
公開日2009年4月8日 申請日期2008年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月16日
發(fā)明者松 欒, 竹 欒, 欒文彥 申請人:松 欒