專(zhuān)利名稱(chēng)：一種用于屏蔽強(qiáng)磁場(chǎng)的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的磁屏蔽裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及核電子學(xué)與核探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種用于屏蔽強(qiáng)磁 場(chǎng)的光電倍增管磁屏蔽裝置。
背景技術(shù)：
光電倍增管是一種基于光電效應(yīng)、二次電子發(fā)射的光電探測(cè)器件， 可將微弱的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成可測(cè)量的電信號(hào)，具有探測(cè)靈敏度高、時(shí)間響 應(yīng)快、放大倍數(shù)大、光電特性線性好、性能穩(wěn)定、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，被 廣泛應(yīng)用于光譜學(xué)、核物理、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。光電倍增管主要由光電發(fā)射 陰極(光陰極)和聚焦電極、電子倍增極(打拿極)及電子收集極(陽(yáng) 極)等組成，所有部件封裝在真空內(nèi)。入射光照射光陰極，光陰極向真 空中發(fā)射光電子。光電子在聚焦極電場(chǎng)作用下進(jìn)入倍增系統(tǒng)，并通過(guò)進(jìn) 一步的二次發(fā)射得到的倍增放大。陽(yáng)極收集放大后的電子用作為信號(hào)輸 出。光電倍增管按入射光的接收方式可分為端窗式和側(cè)窗式兩種類(lèi)型。 大多數(shù)光電倍增管性能會(huì)受到磁場(chǎng)的影響，磁場(chǎng)會(huì)使光電倍增管中的發(fā) 射電子脫離預(yù)定軌道而造成增益損失、時(shí)間響應(yīng)變壞等。這種損失與光 電倍增管的幾何結(jié)構(gòu)及其在磁場(chǎng)中的方向有關(guān)。從陰極到第一倍增極的 距離越長(zhǎng)、光窗口徑越大，光電倍增管就越容易受到磁場(chǎng)的影響。例如
5G的垂直于軸向的磁場(chǎng)就可以使光窗直徑13mm、打拿極為線形聚焦型 N的光電倍增管輸出降為無(wú)磁場(chǎng)時(shí)的60 %以下。
一般采用由高導(dǎo)磁率材料制成的磁屏蔽體消除磁場(chǎng)對(duì)光電倍增管 的影響。依據(jù)磁感應(yīng)線折射定律從磁導(dǎo)率小的介質(zhì)到磁導(dǎo)率大的介質(zhì)， 磁感應(yīng)線偏離法線，從磁導(dǎo)率大的介質(zhì)到磁導(dǎo)率小的介質(zhì)，磁感應(yīng)線偏 向法線。因而用磁導(dǎo)率很大的軟磁材料(坡莫合金，鐵鉻合金等)做成 的磁屏蔽體，放在磁場(chǎng)中，由于磁屏蔽體的磁導(dǎo)率遠(yuǎn)大于真空磁導(dǎo)率， 磁阻遠(yuǎn)小于空氣磁阻，絕大部分磁感應(yīng)線從磁屏蔽體的壁內(nèi)通過(guò)，而空 腔內(nèi)部磁感應(yīng)線極少，這就達(dá)到了磁屏蔽的目的。
設(shè)計(jì)一個(gè)磁屏蔽體，首先根據(jù)被屏蔽磁場(chǎng)的強(qiáng)度和屏蔽目標(biāo)選擇合 適的磁屏蔽材料。選擇磁屏蔽材料時(shí)主要考慮相對(duì)磁導(dǎo)率、飽和度、價(jià) 格、加工以及處理的難易、機(jī)械強(qiáng)度等。相對(duì)磁導(dǎo)率越高，磁屏蔽能力 越強(qiáng)，但是具有高的相對(duì)磁導(dǎo)率的材料一般飽和點(diǎn)都較低，飽和的材料 起不到磁屏蔽的作用。在選定了屏蔽材料后，設(shè)計(jì)屏蔽體時(shí)主要考慮幾 何結(jié)構(gòu)、形狀、尺寸、連續(xù)性、閉合、長(zhǎng)徑比、開(kāi)口、多層復(fù)合屏蔽 結(jié)構(gòu)等方面。在磁屏蔽加工完成后要進(jìn)行氫退火處理，嚴(yán)格遵守所規(guī)定 的退火周期，不但能保證獲得最佳磁屏蔽性能，而且還可以將未退火材
料的磁導(dǎo)率平均提高4 0倍。但在退火以后，對(duì)屏蔽體進(jìn)行沖擊和振動(dòng)
試驗(yàn)，將降低材料的性能。
目前商品化的光電倍增管磁屏蔽可屏蔽的最大磁場(chǎng)只有十幾高斯， 無(wú)法屏蔽強(qiáng)磁場(chǎng)。在強(qiáng)磁場(chǎng)下一般通過(guò)增加光電倍增管與探測(cè)對(duì)象的距 離來(lái)減小磁場(chǎng)的影響，但是光電倍增管的探測(cè)效率隨著距離的增加而降 低；自行設(shè)計(jì)的磁屏蔽都是依靠增加磁屏蔽材料的厚度和層數(shù)來(lái)屏蔽強(qiáng) 磁場(chǎng)，存在體積大、造價(jià)高、加工及處理困難等缺點(diǎn)，而且光電倍增管 的探測(cè)效率隨著光窗前屏蔽材料厚度的增加而降低，限制了光電倍增管 的應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)目前的光電倍增管一般的磁屏蔽設(shè)計(jì)無(wú)法屏蔽強(qiáng)磁場(chǎng)的問(wèn)題， 本發(fā)明的目的是提供一種可使光電倍增管在強(qiáng)磁場(chǎng)下正常工作，用于屏 蔽強(qiáng)磁場(chǎng)的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的磁屏蔽裝置。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明用于屏蔽強(qiáng)磁場(chǎng)的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的
磁屏蔽裝置包括如下
采用多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，從外到內(nèi)包括三層-一硅鋼部件，為中間層； 一合金部件，為內(nèi)層； 一螺線管線圈，為外層；
將合金部件置于硅鋼部件內(nèi)部，在合金部件的外部置有螺線管線圈。
附圖說(shuō)朋


圖1是本發(fā)明用于屏蔽強(qiáng)磁場(chǎng)的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)磁屏蔽裝置示意圖
圖2為磁力線在磁屏蔽材料與空氣中分布示意圖
圖3為本發(fā)明中螺線管線圈實(shí)物圖 圖4為本發(fā)明磁屏蔽筒實(shí)物圖
圖5a、圖5 b為外磁場(chǎng)和被屏蔽光電倍增管輸出幅度、上升時(shí)間關(guān)
系
圖6 a、圖6b為在115高斯外磁場(chǎng)下螺線管電流與被屏蔽光電倍增 管輸出幅度、上升時(shí)間變化關(guān)系
具體實(shí)施例方式
下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型加以詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)指出的是，所描述 的實(shí)施例僅旨在便于對(duì)本發(fā)明的理解，而對(duì)其不起任何限定作用。
如圖1本發(fā)明用于屏蔽強(qiáng)磁場(chǎng)的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)磁屏蔽裝置示意圖所 示，包括硅鋼部件l、合金部件2、 一螺線管線圈3、前端蓋4、后端蓋 5、接頭孔6，從外到內(nèi)包括三層，最外層為螺線管線圈3，中間層為硅 鋼部件1，最內(nèi)層為合金部件2，其中硅鋼部件1采用硅鋼材料制成。 合金部件2采用坡莫合金材料制成；螺線管線3圈采用銅芯線制成。
螺線管線圈3、硅鋼部件l、合金部件2采用圓筒結(jié)構(gòu)。
螺線管線圈3、硅鋼部件l的兩端開(kāi)口，合金部件2—端封閉。
螺線管線圈3與硅鋼部件1之間有間隙。
硅鋼部件1緊貼在合金部件2外部。
所述螺線管線圈3上的導(dǎo)線多層密繞排列，層與層之間，導(dǎo)線之間 有絕緣層。
所述合金部件2內(nèi)直徑大于被屏蔽光電倍增管外直徑。 所述合金部件2的長(zhǎng)度與硅鋼部件1相同且長(zhǎng)于硅鋼部件1直徑的
四倍。在光電倍增管磁屏蔽中長(zhǎng)徑比最小為4倍。
所述合金部件2本體側(cè)壁與前端蓋4焊接成為一個(gè)整體。 所述后端蓋5為一個(gè)活動(dòng)端蓋，為兩層復(fù)合結(jié)構(gòu)，內(nèi)層為坡莫合金 層、外層為純鐵層；被屏蔽光電倍增管從后端蓋5處置于合金部件2內(nèi) 部；后端蓋5與合金部件2主體尺寸配合連接；后端蓋5開(kāi)有三個(gè)接頭 孔6，用于引出被屏蔽光電倍增管信號(hào)和接入被屏蔽光電倍增管的工作
咼壓o
硅鋼部件1和合金部件2套在一起，作為磁屏蔽筒，同時(shí)作為被屏 蔽光電倍增管的遮光筒。磁屏蔽筒加工完成后進(jìn)行氫退火處理，使屏蔽 筒性能達(dá)到最佳。
最外層螺線管線圈3產(chǎn)生與強(qiáng)磁場(chǎng)方向相反的磁場(chǎng)，將強(qiáng)磁場(chǎng)大幅 度削弱；中間層硅鋼部件l具有較高的磁場(chǎng)飽和度，將外磁場(chǎng)進(jìn)一步降 低到幾Gauss，最內(nèi)層坡莫合金部件2具有很高的弱磁場(chǎng)導(dǎo)磁率，將很 弱的外磁場(chǎng)進(jìn)一步降低到0.001Gauss以下，遠(yuǎn)低于地磁場(chǎng)水平，保證光 電倍增管正常工作。
利用螺線管線圈3產(chǎn)生反向磁場(chǎng)，根據(jù)矢量疊加原理，與被屏蔽的 磁場(chǎng)疊加，將被屏蔽磁場(chǎng)抵消(削弱)，可以大大減少磁屏蔽的體積和 磁屏蔽材料的用量。根據(jù)被屏蔽光電倍增管的外形和被屏蔽磁場(chǎng)的方向 放置螺線管線圈3，使螺線管線圈3磁場(chǎng)的方向與被屏蔽磁場(chǎng)方向相同。 螺線管線圈3內(nèi)軸向上任意一點(diǎn)產(chǎn)生的磁場(chǎng)如式(1)所示，其中n為 線圈匝數(shù)、I為電流、p,、 p2為軸線上一點(diǎn)與線圈兩端夾角。
B = ，nI(Cos(3「CosP2) (1)
螺線管線圈3產(chǎn)生的磁場(chǎng)內(nèi)部均勻區(qū)長(zhǎng)，均勻區(qū)內(nèi)磁場(chǎng)強(qiáng)度為 B=^nl，可獲得較好的磁場(chǎng)屏蔽效果；磁場(chǎng)在螺線管線圈3外衰減快， 對(duì)被屏蔽磁場(chǎng)分布影響小。
根據(jù)磁感應(yīng)折射定律，相對(duì)磁導(dǎo)率不同的介質(zhì)分界面兩側(cè)處磁感應(yīng) 強(qiáng)度的方向滿足公式(2)，其中a、 w是兩種介質(zhì)的相對(duì)磁導(dǎo)率，ai、 a2
為磁力線在兩種介質(zhì)中與法線的夾角。
tana2 — p2 tana, {i,
磁屏蔽材料和空氣兩種媒質(zhì)磁導(dǎo)率枏差懸珠，空氣的相對(duì)磁導(dǎo)率 ja^l ，而ja2可達(dá)數(shù)千甚至數(shù)十萬(wàn)，因而a2-90。、 a，-0。，磁力線在磁 屏蔽材料與空氣中分布如圖2所示，其中l(wèi)l、 13為空氣層，12為磁屏 蔽材料。在磁屏蔽材料12質(zhì)內(nèi)磁力線線幾乎與分界面平行，而且也非 常密集，^越大，012越接近于90°，磁力線就越接近于與表面平行，從 而漏到外面的磁通越小，即磁場(chǎng)強(qiáng)度在磁屏蔽內(nèi)遠(yuǎn)大于其外，進(jìn)而達(dá)到 磁屏蔽的作用。當(dāng)磁場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)其磁屏蔽材料12的飽和磁場(chǎng)值時(shí)，超
出部分的磁力線將不改變方向，屏蔽性能下降。
合金部件2和硅鋼部件1是常用的磁屏蔽材料，區(qū)別在于相對(duì)磁導(dǎo) 率和飽和磁場(chǎng)強(qiáng)度的不同。坡莫合金的特點(diǎn)是相對(duì)磁導(dǎo)率很高，可以達(dá) 到4xl05，但是飽和磁場(chǎng)強(qiáng)度較低，理想的經(jīng)過(guò)退火的坡莫合金材料的 飽和磁場(chǎng)強(qiáng)度約為0.8 1.5T。在實(shí)際應(yīng)用中由于形狀、幾何結(jié)構(gòu)、加 工等因素的影響，在幾十高斯的外場(chǎng)中即可使其飽和，如商品化的光電 倍增管磁屏蔽，所以坡莫合金具有很高的弱磁場(chǎng)導(dǎo)磁率。硅鋼(硅4%) 的相對(duì)磁導(dǎo)率為7000，但是其飽和磁場(chǎng)強(qiáng)度較高，可達(dá)坡莫合金的三倍。 綜合兩種材料的特點(diǎn)，采用復(fù)合結(jié)構(gòu)可以獲得最佳的磁屏蔽效果。
強(qiáng)磁場(chǎng)在磁屏蔽裝置迅速衰減到遠(yuǎn)低于地磁場(chǎng)水平，保證光電倍增 管在強(qiáng)磁場(chǎng)下正常工作。設(shè)地磁場(chǎng)為BQ、強(qiáng)磁場(chǎng)強(qiáng)度為Bj、螺線管線 圈3磁場(chǎng)為B2、磁屏蔽體飽和磁場(chǎng)為B3、磁屏蔽體衰減系數(shù)為r|，小于 B3的磁場(chǎng)都將被衰減為原來(lái)的乂，在磁屏蔽筒退火后要滿足B/遠(yuǎn)小于 Bo。 ri由磁屏蔽材料、磁屏蔽體的結(jié)構(gòu)、加工工藝等因素共同決定，對(duì) 于一個(gè)磁屏蔽體不同方向的磁場(chǎng)的n是不同的。因此調(diào)節(jié)螺線管線圈3 方向，使其軸向與強(qiáng)磁場(chǎng)方向一致，調(diào)節(jié)螺線管線圈3的電流，使
IB,-B,I^B3，即可保證被屏蔽光電倍增管正常工作。經(jīng)過(guò)磁屏蔽裝置屏 蔽后，被屏蔽光電倍增管工作區(qū)域的磁場(chǎng)強(qiáng)度可用(3)式表示
從上面的分析可以看出，通過(guò)調(diào)節(jié)螺線管線圈3的方向和電流，總 能使強(qiáng)磁場(chǎng)降低，降低后的磁場(chǎng)經(jīng)過(guò)磁屏蔽筒衰減到遠(yuǎn)小于地磁場(chǎng)水 平。這種多層復(fù)合結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的磁屏蔽相比，可屏蔽磁場(chǎng)強(qiáng)度更高，所 屏蔽的最高磁場(chǎng)不受磁屏蔽材料的飽和磁場(chǎng)限制。屏蔽極強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)存在 線圈電流過(guò)大、發(fā)熱量高等問(wèn)題，可以通過(guò)在螺線管線圈3外適當(dāng)增加 一層硅鋼部件1及水冷等措施解決。屏蔽相同磁場(chǎng)磁屏蔽材料更少，磁 屏蔽的體積更小，大大降低了加工和處理的難度。
本發(fā)明能夠屏蔽強(qiáng)磁場(chǎng)，解決了現(xiàn)有磁屏蔽設(shè)計(jì)中可屏蔽最大磁場(chǎng) 強(qiáng)度受材料限制的問(wèn)題。
本發(fā)明運(yùn)用較少的磁屏蔽材料，在強(qiáng)磁場(chǎng)下獲得最佳的磁屏蔽效 果，與一般的強(qiáng)磁場(chǎng)屏蔽相比結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、便于加工和處理，更 經(jīng)濟(jì)。
本發(fā)明應(yīng)用的實(shí)施例是選用應(yīng)用于慢正電子壽命測(cè)量中，具體的 實(shí)施例如下所示
經(jīng)過(guò)磁屏蔽的光電倍增管置于正電子束流線的末端，測(cè)量正電子湮
沒(méi)產(chǎn)生的Y射線，屏蔽對(duì)象是100高斯的輸運(yùn)磁場(chǎng)。
螺線管線圈3選擇的內(nèi)直徑68mm、外直徑86mm、線圈線徑1.3mm、 長(zhǎng)度200mm，螺線管線圈3的內(nèi)徑大于磁屏蔽筒外徑，如圖3為本發(fā)明 中螺線管線圈實(shí)物圖所示?？紤]到工作時(shí)螺線管線圈3的發(fā)熱會(huì)對(duì)被屏 蔽光電倍增管造成影響，因此在螺線管線圈3和磁屏蔽筒之間加隔熱材 料如聚四氟等。
合金部件2選擇坡莫合金或其它合金材料，合金部件2內(nèi)直徑選擇 為57mm、外直徑選擇為59mm;前端蓋4選擇坡莫合金或其它合金材 料，前端蓋4厚度選擇為lmm;硅鋼部件l采用硅鋼片，硅鋼片厚度選 擇為lmm。
如圖4本發(fā)明磁屏蔽筒實(shí)物圖所示，后端蓋5開(kāi)孔直徑10.5mm、 后端蓋5開(kāi)孔均布在以端蓋中心為圓心直徑30mm的圓周上；后端蓋5 的純鐵層厚度為lmm、后端蓋5的坡莫合金層厚度為lmm。
采用的被屏蔽光電倍增管為濱松公司的R3377，晶體為4)30x10的 BF2，曰曰體，將被屏蔽光電倍增管封裝在磁屏蔽筒內(nèi)，磁屏蔽筒同時(shí)作為 被屏蔽光電倍增管的遮光筒，被屏蔽光電倍增管以及分壓電路固定在末 端蓋上，被屏蔽光電倍增管的頂端距磁屏蔽筒頂端20mm。磁屏蔽筒內(nèi) 所有部件的相對(duì)磁導(dǎo)率都接近1。
利用示波器(TDS3052B， TEK)觀察被屏蔽光電倍增管陽(yáng)極輸出 信號(hào)，比較不同情況下脈沖上升時(shí)間和幅度的變化。
在只有地磁場(chǎng)、螺線管線圈3無(wú)電流情況下，去掉后端蓋5，測(cè)量 筒內(nèi)剩余磁場(chǎng)，剩余磁場(chǎng)為地磁場(chǎng)的1/600。
由于主要是屏蔽輸運(yùn)磁場(chǎng)，因此將螺線管線圈3與磁屏蔽筒同軸心 放置。逐步增加軸向磁場(chǎng)，被屏蔽光電倍增管的輸出脈沖上升時(shí)間、幅 度變化如圖5a和圖5b所示，從圖可以看出，單獨(dú)使用磁屏蔽筒無(wú)法屏 蔽大于60高斯的軸向磁場(chǎng)。
將大線圈磁場(chǎng)固定在115高斯，逐漸增加螺線管線圈3的電流，被 屏蔽光電倍增管陽(yáng)極輸出脈沖的上升時(shí)間、幅度變化如圖6a和圖6b所 示。隨著螺線管線圈3磁場(chǎng)的增加，被屏蔽光電倍增管開(kāi)始有輸出，脈 沖上升時(shí)間逐漸減小、脈沖幅度逐漸增大。
從實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出磁屏蔽筒可以屏蔽60高斯磁場(chǎng)，使被屏蔽光 電倍增管正常工作；大于60高斯的磁場(chǎng)通過(guò)調(diào)節(jié)螺線管線圈3的電流 可以降到60高斯之下，保證被屏蔽光電倍增管正常工作。調(diào)節(jié)螺線管 線圈3的電流，使外磁場(chǎng)遠(yuǎn)低于60高斯，這時(shí)被屏蔽光電倍增管處的 磁場(chǎng)約為0.001高斯，可使被屏蔽光電倍增管的性能達(dá)到最佳。
盡管通過(guò)上述實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限于該實(shí)施 例。因此，不偏離本發(fā)明精神的各種等效結(jié)構(gòu)，也應(yīng)包含在本發(fā)明的范 圍內(nèi)，如在螺線管線圈3外增加一層純鐵層或硅鋼層、多線圈層與多純 鐵層或硅鋼交替復(fù)合結(jié)構(gòu)等。
權(quán)利要求
1.一種用于屏蔽強(qiáng)磁場(chǎng)的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的磁屏蔽裝置，其特征在于，采用多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，從外到內(nèi)包括三層一硅鋼部件(1)，為中間層；一合金部件(2)，為內(nèi)層；一螺線管線圈(3)，為外層；將合金部件(2)置于硅鋼部件(1)內(nèi)部，在合金部件(2)的外部置有螺線管線圈(3)。
2. 如權(quán)利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于螺線管線圈(3)、 硅鋼部件(1)、合金部件(2)采用圓筒結(jié)構(gòu)。
3. 如權(quán)利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于螺線管線圈(3)、 硅鋼部件(1)的兩端開(kāi)口，合金部件(2) —端封閉。
4. 如權(quán)利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于螺線管線圈(3)與硅鋼部件(1)之間有間隙。
5. 如權(quán)利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于硅鋼部件(1) 緊貼在合金部件(2)外部。
6. 如權(quán)利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于所述螺線管線圈(3)上的導(dǎo)線多層密繞排列，層與層之間，導(dǎo)線之間有絕緣層。
7. 如權(quán)利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于所述合金部件(2)內(nèi)直徑大于被屏蔽光電倍增管外直徑。
8. 如權(quán)利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于所述合金部件 (2)的長(zhǎng)度與硅鋼部件(1)相同且長(zhǎng)于硅鋼部件(1)直徑的四倍。
9. 如權(quán)利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于還包括合金部件(2)本體側(cè)壁與前端蓋(4)連接。
10. 如權(quán)利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于還包括 后端蓋(5)為一個(gè)活動(dòng)端蓋，為兩層復(fù)合結(jié)構(gòu)，內(nèi)層為坡莫合金、外層為純鐵； 被屏蔽光電倍增管從后端蓋(5)處置于合金部件(2)內(nèi)部； 后端蓋(5)與合金部件(2)主體尺寸配合連接；后端蓋(5)開(kāi)有三個(gè)接頭孔(6)，用于引出被屏蔽光電倍增管信 號(hào)和接入被屏蔽光電倍增管的工作高壓。
全文摘要
本發(fā)明涉及核電子學(xué)與核探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)一種用于屏蔽強(qiáng)磁場(chǎng)的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的磁屏蔽裝置，針對(duì)目前一般的光電倍增管磁屏蔽設(shè)計(jì)無(wú)法屏蔽強(qiáng)磁場(chǎng)的問(wèn)題，采用多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，從外到內(nèi)包括三層硅鋼部件為中間層；合金部件為內(nèi)層；螺線管線圈為外層；螺線管線圈產(chǎn)生與外部磁場(chǎng)方向相反的磁場(chǎng)，將強(qiáng)磁場(chǎng)大幅度削弱；硅鋼部件具有較高的磁場(chǎng)飽和度，將外磁場(chǎng)進(jìn)一步降低到幾Gauss，最內(nèi)層為合金部件，具有很高的弱磁場(chǎng)導(dǎo)磁率，將剩余的磁場(chǎng)進(jìn)一步降低到0.001Gauss以下，遠(yuǎn)低于地磁場(chǎng)水平。本發(fā)明可以使被屏蔽光電倍增管在強(qiáng)磁場(chǎng)下正常工作，在核電子學(xué)與核探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
文檔編號(hào)H05K9/00GK101166411SQ20061011382
公開(kāi)日2008年4月23日 申請(qǐng)日期2006年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月18日
發(fā)明者于潤(rùn)生, 平 王, 王寶義, 秦秀波, 章志明, 馬雁云, 龍 魏 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所