專利名稱：平面顯示器的施體薄膜及利用其制造oled的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平面顯示器的施體薄膜及利用其制造有機發(fā)光器件(OLED)的方法，更為具體地，本發(fā)明涉及一種平面顯示器的施體薄膜，其與轉(zhuǎn)移層間具有改善的粘結(jié)力，以及利用該施體薄膜制造OLED的方法。
背景技術(shù)：
通常，作為平面顯示器的有機發(fā)光器件(下文稱為“OLED”)包括陽極、陰極和置于陽極和陰極之間的有機層。有機層必須包括一發(fā)射層并可n能還包括空穴注入層、空穴轉(zhuǎn)移層、電子轉(zhuǎn)移層以及電子注入層。根據(jù)組成有機層的材料，特別是組成有機層的發(fā)射層的材料，可將OLED分為聚合物OLED和小分子OLED。
在為OLED實現(xiàn)全部色彩中，必須將發(fā)射層圖案化。存在多種圖案化OLED的發(fā)射層的方法。小分子OLED是用遮光板進行圖案化的，而聚合物OLED是通過噴墨印刷或者激光熱成像(下文稱為“LITI”)來圖案化的。在干法處理中，LITI方法具有精細圖案化有機層的優(yōu)點。另一方面，噴墨印刷方法在濕法處理中圖案化有機層。
用于利用LITI圖案化聚合物有機層的方法需要至少一個光源、一個OLED基板(即受體基板)和一個施體薄膜。在此，施體薄膜包括基膜、光熱轉(zhuǎn)化層(下文稱為“LTHC”)和包含有機層的轉(zhuǎn)移層。位于受體基板上的有機層是按以下方式圖案化的當光源向施體薄膜發(fā)射光線時，LTHC層吸收入射光，隨后將該光線轉(zhuǎn)化為熱能。然后該熱能將轉(zhuǎn)移層的有機層轉(zhuǎn)移至受體基板上。該過程已在韓國專利申請NO.10-1998-0051844、美國專利NO.5998085、NO.6214520和NO.6114088中公開了，在此引作參考。
圖1A和1B是用于解釋通過LITI方法在常規(guī)有機層的轉(zhuǎn)移過程中轉(zhuǎn)移機制的剖視圖。
參照圖1A，利用施主基板S1和有機層S2之間的粘結(jié)力W12，將有機層S2附著在施主基板S1上，其中S1包括基膜S1a和LTHC層S1。將受體基板S3置于施主基板S1之下。
參照圖1B，除第二區(qū)域R2之外，激光照射到基膜S1a的第一區(qū)域R1上。穿過基膜S1a的激光被轉(zhuǎn)化為LTHC層中的熱能，然后該熱量導(dǎo)致在第一區(qū)域R1的第一粘結(jié)力W12發(fā)生變化以使得有機層S2轉(zhuǎn)移到受體基板S3上。在該轉(zhuǎn)移過程中，有機層S2的轉(zhuǎn)移特性依賴于第二區(qū)域R2的施主基板S1于有機層S2間的第一粘結(jié)力W12、有機層S2內(nèi)的粘結(jié)力W22以及有機層S2和受體基板S3間的第二粘結(jié)力W23。
然而，如果第一粘結(jié)力W12相對較少，有機層S2就可能容易從施主基板S1上分離。從而，沒有經(jīng)過激光照射的第二區(qū)域R2的有機層S2會發(fā)生轉(zhuǎn)移，即使不希望這樣。這個問題在包括小分子材料的有機層S2中更為嚴重。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為平面顯示器提供了一種利用轉(zhuǎn)移層改善粘結(jié)特性的施體薄膜。
本發(fā)明單獨為平面顯示器提供了一種利用該施體薄膜制造OLED的方法。
在本發(fā)明中，施體薄膜包括基膜、位于基膜上的LTHC層、位于LTHC層上的轉(zhuǎn)移層、以及置于LTHC層和轉(zhuǎn)移層之間的緩沖層，其中緩沖層包括一種其玻璃轉(zhuǎn)換溫度(Tg)低于25℃材料。
具有低于25℃的玻璃轉(zhuǎn)換溫度的材料可以是硅聚合物。在此情況下，通過在LTHC層上形成液態(tài)硅聚合物，然后利用UV固化、室溫固化、低溫固化和催化劑固化中的任意一種對液態(tài)硅聚合物進行固化，來形成緩沖層。緩沖層厚度優(yōu)選為小于20μm。更為優(yōu)選地，緩沖層厚度小于5μm。
轉(zhuǎn)移層至少包括發(fā)射有機層、空穴注入有機層、空穴轉(zhuǎn)移有機層、電子轉(zhuǎn)移有機層和電子注入有機層之一。更為優(yōu)選地，轉(zhuǎn)移層是一發(fā)射有機層。優(yōu)選地、每個有機層包括小分子材料。更為優(yōu)選地，施體薄膜還包括置于LTHC層和緩沖層之間的中間層。
本發(fā)明也公開了利用施體薄膜制造OLED的方法。


通過參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例進行詳細說明，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，本發(fā)明的上述及其他特性和優(yōu)點將變得更加明顯。
圖1A和1B是用于解釋通過LITI在常規(guī)有機層的轉(zhuǎn)移過程中轉(zhuǎn)移機制的剖視圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的平面顯示器的施體薄膜的剖視圖。
圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明利用平面顯示器的施體薄膜制造OLED的一個步驟的剖視圖。
圖4A和4B是顯示利用分別通過實驗性示例1和2制造的施體薄膜在受體基板上形成發(fā)射層圖案的視圖。
圖5A和5B是顯示利用分別通過對比示例1和2制造的施體薄膜在受體基板上發(fā)射層的視圖。
具體實施例方式
下面將參照附圖對本發(fā)明進行全面說明，其中顯示了本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以用不同形式來具體化，而不應(yīng)當理解為局限于在此列舉的實施例。更合理的是，提供這些實施例以使本公開透徹、完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面地傳遞本發(fā)明的范圍。附圖中，為了清晰的目的夸大了層和區(qū)域的厚度。整個說明書中相同標記表示相同元件。
圖2是平面顯示器的施體薄膜的剖視圖。參照圖2，提供了基膜50并且在基膜50上形成LTHC層55。
在此，基膜50由透明的聚合物組成。對于基膜，采用聚丙烯、聚環(huán)氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯以及諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯的聚合物。這些聚合物中，主要利用聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜作基膜50。基膜50作為支撐材料。從而，它應(yīng)當具有適宜的光學(xué)特性和足夠的機械穩(wěn)定性。優(yōu)選地，基膜50的厚度在10-500μm范圍內(nèi)。
LTHC層55吸收電磁波頻譜的紅外-可視區(qū)域內(nèi)的光線并且將部分光線轉(zhuǎn)化為熱。LTHC層55具有適當?shù)墓鈱W(xué)密度并且包括光吸收材料。LTHC層55可以包括金屬層或有機聚合物層。金屬層可包括作為光吸收材料的氧化鋁或者硫酸鋁。有機聚合物層可包括作為光吸收材料的碳黑、石墨或者紅外染料。在此，金屬層是通過真空蒸發(fā)、電子束沉積或者濺鍍形成的。在該示例性實施例中，金屬層厚度約為100-5000。同樣，有機層形成于常規(guī)層涂敷方法中的一種，例如輥涂、照相凹板式涂敷、擠壓涂敷、旋轉(zhuǎn)涂敷和刮涂方法。在該示例性實施例中，有機層厚度約為0.1-10μm。
然后，可在LTHC層55上形成中間層60。中間層60可防止在后續(xù)過程中形成的轉(zhuǎn)移層受到光吸收材料的污染，其中的光吸收材料，例如包含在LTHC層55中的碳黑。中間層60可形成為丙烯酸樹脂或者醇酸樹脂。中間層60可以通過諸如溶劑涂敷等公知的涂敷過程和諸如紫外固化過程的固化過程形成的。優(yōu)選地，在1-2μm的厚度范圍內(nèi)形成中間層60。
然后，在LTHC層55或中間層60上形成緩沖層65。也就是，施主基板70可以是包括LTHC層55和緩沖層65的部分，其中LTHC層55和緩沖層65是按其次序堆疊在基膜50上的；或者可以是包括LTHC層55、中間層60和緩沖層65的部分，其中LTHC層55、中間層60和緩沖層65是按其次序堆疊在基膜50上的。隨后，在施主基板70上，也就是緩沖層65上，形成轉(zhuǎn)移層75。這就完成的施體薄膜80。
緩沖層65改善了施主基板70和轉(zhuǎn)移層75之間的粘結(jié)力，也就是圖1的第一粘結(jié)力W12。也就是說，參照圖1，改善的粘結(jié)力防止在轉(zhuǎn)移過程中轉(zhuǎn)移層75輕易地從施主基板70上分離。這就降低了不希望向受體基板上轉(zhuǎn)移部分的圖案缺陷。從而，在本發(fā)明中，緩沖層65的導(dǎo)入改善了轉(zhuǎn)移層75的轉(zhuǎn)移特性。同樣，緩沖層65在轉(zhuǎn)移過程中對受體基板進行緩沖，從而最小化圖案缺陷。
優(yōu)選地，緩沖層65包括一種材料，該材料的玻璃轉(zhuǎn)換溫度(Tg)低于25℃。通常，在該玻璃轉(zhuǎn)換溫度(Tg)下，由于凍結(jié)了分子的微量布朗運動，所以聚合物材料處于玻璃狀態(tài)。但是，超過玻璃轉(zhuǎn)換溫度(Tg)，由于聚合物材料的塑性或彈性更高，其具有高的粘結(jié)強度。因此，通常在25℃以上執(zhí)行的LITI的轉(zhuǎn)移過程中，具有玻璃轉(zhuǎn)換溫度低于25℃的材料的緩沖層65可改善施主基板70和轉(zhuǎn)移層75之間的粘結(jié)力，即圖1的第一粘結(jié)力W12。
更為優(yōu)選地，利用硅聚合物形成緩沖層65。硅聚合物中具有硅氧鏈(Si-O)，高耐熱性和化學(xué)穩(wěn)定性，以及低于25℃的玻璃轉(zhuǎn)換溫度。通過在LTHC層55或者中間層60上涂敷液態(tài)硅聚合物，然后對其進行固化，來形成采用硅聚合物的緩沖層65。在此，通過紫外固化、室溫固化、低溫固化或者催化劑固化來進行固化過程。
優(yōu)選地，通過旋轉(zhuǎn)涂敷、輥涂、浸漬涂敷、照相凹板式涂敷、沉積等之一來形成緩沖層65。優(yōu)選地，緩沖層65厚度小于20μm。更為優(yōu)選地，其厚度小于5μm。優(yōu)選地，如果將要轉(zhuǎn)移的部分在受體基板上是均勻的，則緩沖層65厚度形成為小于20μm，其中從施主基板70將轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移至受體基板上。但是如果將要轉(zhuǎn)移的部分不是均勻的而是凹陷的，則即使是將要轉(zhuǎn)移的凹陷部分的邊緣也必須緊密粘結(jié)在施體薄膜上以防止圖案缺陷。因此，優(yōu)選地，緩沖層65厚度必須小于5μm。
轉(zhuǎn)移層75可以至少是發(fā)射有機層、空穴注入有機層、空穴轉(zhuǎn)移有機層、電子轉(zhuǎn)移有機層和電子注入有機層中之一。優(yōu)選地，每個有機層是包括小分子材料的有機層。小分子材料可以是單分子材料或者低聚物。優(yōu)選地，低聚物具有低于1000的分子量。通常，因為包括小分子材料的有機層顯示出差的粘結(jié)特性(圖1中W12)，緩沖層65的導(dǎo)入極大地改善了該轉(zhuǎn)移特性。同時，存在一些具有相對較低熱穩(wěn)定性的小分子材料。如果轉(zhuǎn)移層75包括具有相對較低熱穩(wěn)定性的小分子材料，在LTHC層55中產(chǎn)生的熱量將會破壞它們。但是該緩沖層65可以控制熱量，從而保護轉(zhuǎn)移層以免受熱破壞。
用于有機層的通常材料可適用于制造發(fā)射有機層、空穴注入有機層、空穴轉(zhuǎn)移有機層、電子轉(zhuǎn)移有機層和電子注入有機層。優(yōu)選地，利用以下小分子材料或者聚合物制造發(fā)射有機層，其中的小分子材料為，例如Alq3(主體)/DCJTB(熒光摻雜物)、Alq3(主體)/DCM(熒光摻雜物)和CBP(主體)/PtOEP(熒光金屬有機配合物)；聚合物為，例如作為紅光發(fā)射材料的PFO基聚合物和PPV基聚合物。也可用以下小分子材料或者聚合物制造該發(fā)射有機層，其中的小分子聚合物為，例如Alq3、Alq3(主體)/C545t(摻雜物)和CBP(主體)/IrPPy(熒光金屬有機配合物)；聚合物為，例如作為綠光發(fā)射材料的PFO基聚合物和PPV基聚合物。還可利用以下小分子材料或者聚合物制造該發(fā)射有機層，其中小分子材料為，例如DPVBi、spiro-DPVBi、spiro-6P、雙苯類(DSB)和雙芪類(DSA)；聚合物為，例如作為藍發(fā)光材料的PFO基聚合物和PPV基聚合物?？昭ㄗ⑷胗袡C層可利用以下小分子材料或者聚合物，其中小分子材料為，例如CuPc、TNATA、TCTA和TDAPB；聚合物為，例如PANI和PEDOT。該空穴轉(zhuǎn)移有機層可利用以下小分子材料或者聚合物，其中小分子材料為，例如胺基小分子材料、腙基小分子材料、芪基小分子材料和星爆基小分子材料，如，NPD、TPD、sTAD、MTADATA等；聚合物為，例如咔唑基聚合物、胺基聚合物、芘基聚合物和吡咯基聚合物的聚合物，如PVK等?？衫靡韵戮酆衔锖托》肿硬牧现圃祀娮愚D(zhuǎn)移有機層，其中聚合物為，例如PBD、TAZ和spiro-PBD；小分子材料為，例如Alq3、BAlq和SAlq。同樣，利用以下小分子材料或者聚合物制造電子注入有機層，其中小分子材料為，例如Alq3、Ga絡(luò)合物和PBD；聚合物為，例如二惡唑基聚合物。
利用諸如擠壓涂敷、旋轉(zhuǎn)涂敷、刮涂、真空沉積、CVD等通常涂敷過程來形成厚度在100-50000范圍內(nèi)的轉(zhuǎn)移層75。
圖3是用于解釋根據(jù)本發(fā)明利用施體薄膜制造OLED的方法的剖視圖。
參照圖3，受體基板100具有在其上形成的象素電極200。同時，通過在按次序在基膜50上沉積LTHC層55、緩沖層65和轉(zhuǎn)移層75來制造施體薄膜80。在形成緩沖層65之前，還可在LTHC層55上進一步沉積中間層60。如上所述就制成了施體薄膜80。
然后，將施體薄膜80布置為距受體基板100預(yù)定距離，以使施體薄膜80的轉(zhuǎn)移層75面向受體基板100，并且在施體薄膜80的預(yù)定區(qū)域照射激光300。然后受激光300照射的轉(zhuǎn)移層75被轉(zhuǎn)移至象素電極200上，從而在象素電極上形成有機層圖案250。
有機層圖案250可包括從一組發(fā)射有機層、空穴注入有機層、空穴轉(zhuǎn)移有機層、電子轉(zhuǎn)移有機層和電子注入有機層中選擇出來的至少一層。優(yōu)選地，每個有機層包括小分子材料。
象素電極200可以是陽極。通過LITI過程、旋轉(zhuǎn)涂敷或者真空沉積在象素電極200上形成空穴諸如有機層和/或空穴轉(zhuǎn)移有機層。然后通過利用施體薄膜80在空穴轉(zhuǎn)移有機層上形成有機層圖案250，即發(fā)射層。在形成該發(fā)射層之后，利用LITI過程、真空沉積或旋轉(zhuǎn)涂敷在該發(fā)射層上形成電子轉(zhuǎn)移有機層和/或電子注入有機層。隨后，在電子轉(zhuǎn)移層上形成作為陰極的公共電極(未顯示)，從而制成了OLED。
下面將給出優(yōu)選示例以更好地理解本發(fā)明。然而，下列示例并沒有限制本發(fā)明的范圍。
準備由聚對苯二甲酸乙二醇酯組成的厚100μm的基膜。在該基膜上形成厚4μm的包括作為光吸收材料的碳黑的LTHC層。隨后，作為中間層，在該LTHC層上形成厚1μm的丙烯酸樹脂。通過旋轉(zhuǎn)涂敷在中間層涂敷厚1μm的液態(tài)硅聚合物2577(康道寧公司，Dow Corning Corporation)。對所涂敷的2577(康道寧公司)在25℃下干燥10分鐘，在80℃下加熱處理10分鐘，并在25℃下放置6小時，從而形成緩沖層。在此，液態(tài)硅聚合物2577(康道寧公司)是通過與濕氣左右在25℃下固化的聚合物。而且，如果將其在80℃下進行熱處理，其固化時間將進一步縮短。利用真空沉積在緩沖層的整個表面沉積包括7％重量IrPPy的CBP(Sigma Aldrich公司)以形成轉(zhuǎn)移層，從而制成了施體薄膜。在此，摻雜IrPPy的CBP是作為電致發(fā)光小分子材料之一的綠色光發(fā)射材料。
通過旋轉(zhuǎn)涂敷在中間層上涂敷厚1μm的液態(tài)硅聚合物UVHC3000(通用電氣公司，General Electric Corporation)。對所涂敷的UVHC3000(通用電氣公司)在25℃下干燥10分鐘，在80℃下加熱處理10分鐘，并利用紫外燈(最長波長為254nm)固化15分鐘，從而形成緩沖層。除了形成緩沖層的步驟外，用于制造施體薄膜的其他過程與實驗性示例1相同。
在中間層涂敷厚5μm的具有高于25℃(約為100℃)的玻璃轉(zhuǎn)換溫度的紫外固化密封膠68(Norland公司)。對該紫外固化68在80℃下加熱處理10分鐘，并利用紫外燈(最長波長為254nm)固化15分鐘，從而形成緩沖層。除了形成緩沖層的步驟外，用于制造施體薄膜的其他過程與實驗性示例1相同。
準備由聚對苯二甲酸乙二醇酯組成的厚100μm的基膜。在該基膜上形成厚4μm的包括作為光吸收材料的碳黑的LTHC層。隨后，作為中間層，在該LTHC層上形成厚1μm的丙烯酸樹脂。利用真空沉積在緩沖層的整個表面沉積包括7％重量IrPPy的CBP(Sigma Aldrich公司)以形成轉(zhuǎn)移層，從而制成了施體薄膜。
同時，分別準備在其上形成象素電極的受體基板。隨后，將通過實驗性示例1和2以及對比示例1和2制造的每個施體薄膜置于每個受體基板上。然后通過LITI步驟將轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移到該受體基板上，從而在每個受體基板上形成發(fā)射層圖案。
圖4A和4B是顯示利用分別通過實驗性示例1和2制造的施體薄膜在受體基板上形成的發(fā)射層圖案的視圖。圖5A和5B是顯示利用分別通過對比示例1和2制造的施體薄膜在受體基板上形成的發(fā)射層圖案的視圖。
參照圖5A和5B，存在一發(fā)射層圖案P和缺陷圖案Q，其中缺陷圖案Q具有將不會從轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移到基板的一個部分。然而，圖4A和4B顯示一發(fā)射層圖案P，但是沒有缺陷圖案，這是由在施體薄膜內(nèi)采用緩沖層以改進了轉(zhuǎn)移層和施體薄膜之間粘結(jié)力而產(chǎn)生的。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明平面顯示器的施體薄膜在施主基板的LTHC層和轉(zhuǎn)移層之間插入緩沖層，從而改進了轉(zhuǎn)移層和施主基板之間的粘結(jié)力。因此，通過利用根據(jù)本發(fā)明的施體薄膜對轉(zhuǎn)移層進行轉(zhuǎn)移而在基板上形成的有機層圖案不包含任何缺陷。
本發(fā)明可以用不同形式來具體化，而不應(yīng)當理解為局限于在此列舉的實施例。更合理的是，提供這些實施例以使本公開透徹、完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面地傳遞本發(fā)明的范圍。附圖中，為了清晰的目的夸大了層和區(qū)域的厚度。整個說明書中相同標記表示相同元件。
權(quán)利要求
1.一種平面顯示器的施體薄膜，包括一基膜；一置于該基膜上的光-熱轉(zhuǎn)化層；一置于該光-熱轉(zhuǎn)化層上的轉(zhuǎn)移層；以及一置于該光-熱轉(zhuǎn)化層和該轉(zhuǎn)移層之間的緩沖層，其中該緩沖層包括其玻璃轉(zhuǎn)換溫度Tg低于25℃的材料。
2.如權(quán)利要求1所述施體薄膜，其中具有低于25℃的玻璃轉(zhuǎn)換溫度的該材料為硅聚合物。
3.如權(quán)利要求2所述施體薄膜，其中該緩沖層這樣形成在該光-熱轉(zhuǎn)化層上形成液態(tài)硅聚合物，然后通過一組UV固化、室溫固化、低溫固化和催化劑固化中選擇的一個過程來固化所形成的該液態(tài)硅聚合物。
4.如權(quán)利要求1所述施體薄膜，其中該緩沖層厚度小于20μm。
5.如權(quán)利要求4所述施體薄膜，其中該緩沖層厚度小于5μm。
6.如權(quán)利要求1所述施體薄膜，該緩沖層包括從一組發(fā)射有機層、空穴注入有機層、空穴轉(zhuǎn)移有機層、電子轉(zhuǎn)移有機層和電子注入有機層中選擇的至少一層。
7.如權(quán)利要求6所述施體薄膜，其中該轉(zhuǎn)移層為一發(fā)射有機層。
8.如權(quán)利要求6所述施體薄膜，其中每個發(fā)射有機層包括小分子材料。
9.如權(quán)利要求1所述施體薄膜，還包括一插入該光-熱轉(zhuǎn)化層和該緩沖層之間的中間層。
10.一種用于制造有機發(fā)光器件的方法，包括形成一具有象素電極的受體基板；在受體基板上布置施體薄膜，其中該施體薄膜包括位于基膜上的光-熱轉(zhuǎn)化層、緩沖層和轉(zhuǎn)移層；以及利用激光束照射該基膜上的預(yù)定區(qū)域以進行轉(zhuǎn)移。
11.如權(quán)利要求10所述方法，其中該緩沖層包括其玻璃轉(zhuǎn)換溫度Tg低于25℃的材料。
12.如權(quán)利要求11所述方法，其中該緩沖層包括硅聚合物。
13.如權(quán)利要求10所述方法，其中該轉(zhuǎn)移層包括從一組發(fā)射有機層、空穴注入有機層、空穴轉(zhuǎn)移有機層、電子轉(zhuǎn)移有機層和電子注入有機層中選擇的至少一層。
14.一種制造施體薄膜的方法，包括在基膜上形成光-熱轉(zhuǎn)化(LTHC)層；在LTHC層上形成緩沖層；以及在LTHC層上形成轉(zhuǎn)移層。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該LTHC層包括金屬層或有機聚合物層，以及其中通過真空蒸發(fā)、電子束沉積或者濺鍍來形成該金屬層，通過輥涂方法、照相凹板式涂敷方法、擠壓涂敷方法、旋轉(zhuǎn)涂敷方法和刮涂方法來形成該有機層。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該緩沖層包括其玻璃轉(zhuǎn)換溫度Tg低于25℃的材料。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括在該LTHC層和該緩沖層之間形成中間層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種平面顯示器的施體薄膜及利用其制造有機發(fā)光器件的方法。為平面顯示器提供的該施體薄膜具有基膜、置于基膜上的光－熱轉(zhuǎn)化層、置于光－熱轉(zhuǎn)化層上的緩沖層以及置于該光－熱轉(zhuǎn)化層和轉(zhuǎn)移層之間的緩沖層，其中緩沖層包括其玻璃轉(zhuǎn)換溫度(Tg)低于25℃的材料。為平面顯示器提供的該施體薄膜在施主基板的光－熱轉(zhuǎn)化層和轉(zhuǎn)移層之間插入該緩沖層，從而改善該轉(zhuǎn)移層和施主基板之間的粘結(jié)力。因此，通過利用施體薄膜對轉(zhuǎn)移層進行轉(zhuǎn)移而在受體基板上形成的有機層圖案不包含任何缺陷。
文檔編號H05B33/12GK1592524SQ20041005874
公開日2005年3月9日 申請日期2004年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月28日
發(fā)明者金茂顯, 陳炳斗, 徐旼撤, 楊南喆, 李城宅 申請人:三星Sdi株式會社