本發(fā)明涉及壓電元件。

背景技術(shù)：

1、作為麥克風(fēng)等而使用的壓電元件具備基板和層疊于基板的下部電極、壓電膜、上部電極。并且，通過將基板的一部分去除并形成將下部電極、壓電膜、上部電極貫通的狹縫，從而使下部電極、壓電膜、上部電極的一部分成為被基板懸臂支承的薄膜部。在這樣的壓電元件中，若由于殘留應(yīng)力而薄膜部向上方或下方翹曲，則薄膜部與被基板支承的部分之間的間隙變大，有靈敏度下降的可能。

2、例如專利文獻(xiàn)1中記載的mems轉(zhuǎn)換器(transducer)具備相同的三角形的4個薄膜部，4個薄膜部以固定端和相反側(cè)的頂端部匯集在1處的方式相鄰配置。由此，在由于殘留應(yīng)力而薄膜部變形的情況下，相鄰的薄膜部也同樣地變形，所以薄膜部彼此的間隙的擴(kuò)大被抑制，靈敏度的下降被抑制。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：日本專利第5936154號公報

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、但是，若使多個薄膜部為相同形狀，則各薄膜部的共振頻率相等，所以在多個薄膜部中共振相互加強(qiáng)，共振峰值的強(qiáng)度變大，有共振峰值成為噪聲的可能。因而，需要降低共振峰值的強(qiáng)度。

2、本發(fā)明鑒于上述情況，目的在于提供能夠降低共振峰值的強(qiáng)度的壓電元件。

3、本公開的一實(shí)施方式中，壓電元件具備基板、層疊于基板的下部電極、層疊于下部電極的壓電膜、和層疊于壓電膜的上部電極。通過基板中的與下部電極相反側(cè)的面上形成的凹部和將下部電極、壓電膜、上部電極貫通的貫通孔，形成由下部電極、壓電膜、上部電極構(gòu)成且被懸臂支承于基板的多個薄膜部，多個薄膜部中的至少2個薄膜部的共振頻率相互不同。

4、由此，至少2個薄膜部具有相互不同的共振頻率，所以共振峰值被分散，能夠降低壓電元件整體的共振峰值強(qiáng)度。

技術(shù)特征：

1.一種壓電元件，其特征在于，

2.如權(quán)利要求1記載的壓電元件，其特征在于，

3.如權(quán)利要求1記載的壓電元件，其特征在于，

4.如權(quán)利要求1記載的壓電元件，其特征在于，

5.如權(quán)利要求1～4中任一項記載的壓電元件，其特征在于，

6.如權(quán)利要求1～4中任一項記載的壓電元件，其特征在于，

7.如權(quán)利要求1～4中任一項記載的壓電元件，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
壓電元件具備基板(10)、層疊于基板的下部電極(12)、層疊于下部電極的壓電膜(13，15)、以及層疊于壓電膜的上部電極(16)。通過在基板中的與下部電極相反側(cè)的面上形成的凹部(17)、和將下部電極、壓電膜、上部電極貫通的貫通孔(19)，形成由下部電極、壓電膜、上部電極構(gòu)成且被懸臂支承于基板的多個薄膜部(181，182，183，184)，多個薄膜部中的至少2個薄膜部的共振頻率相互不同。

技術(shù)研發(fā)人員：櫻井悠也,山田英雄,桝本尚己,高橋宏,掛札尚,臼井孝英
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社電裝
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21