本實用新型涉及微波通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種Ka波段接收組件。

背景技術(shù)：

Ka波段頻率范圍大致為26～40GHz，也成為毫米波頻段。Ka波段接收組件作為毫米波通信系統(tǒng)必不可少的組成部分，對整個通信系統(tǒng)起著至關(guān)重要的作用。

傳統(tǒng)的Ka波段接收組件大多采用技術(shù)成熟的波導(dǎo)立體電路結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致前端子系統(tǒng)體積龐大，接口繁多，而且各分立部件必須采用波導(dǎo)連接，進(jìn)一步增加系統(tǒng)占用的空間致使設(shè)備笨重，難以滿足當(dāng)下小型化、集成化、輕量化的發(fā)展方向。因此當(dāng)前急需一種小型化、集成化Ka波段接收組件，以適用于不同應(yīng)用場合。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型所要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種Ka波段接收組件，本Ka波段接收組件具有結(jié)構(gòu)緊湊，體積小，工作頻段寬等優(yōu)點(diǎn)。

為實現(xiàn)上述技術(shù)目的，本實用新型采取的技術(shù)方案為：

一種Ka波段接收組件，包括屏蔽盒，所述屏蔽盒包括屏蔽箱體和設(shè)置在屏蔽箱體上面的屏蔽門，所述屏蔽門的一側(cè)邊與屏蔽箱體鉸接，所述屏蔽門的另一側(cè)邊與屏蔽箱體卡扣連接，所述屏蔽門的四周設(shè)置有一圈凹槽，所述凹槽內(nèi)設(shè)有一層屏蔽密封條，所述屏蔽箱體的上面設(shè)置有一圈與凹槽相配合的凸塊，所述凸塊插入凹槽內(nèi)從而實現(xiàn)所述屏蔽箱體與屏蔽門的緊密連接，所述屏蔽盒設(shè)有內(nèi)層，所述內(nèi)層為金或銀，所述屏蔽盒的內(nèi)部設(shè)有空腔，所述空腔中設(shè)有基板，所述基板上設(shè)有電源模塊電路和微波射頻電路，所述電源模塊電路包括電源穩(wěn)壓電路及負(fù)壓保護(hù)電路，所述微波射頻電路包括接收濾波電路、射頻放大電路、本振二倍頻電路、本振濾波電路、混頻電路、中頻濾波電路和中頻放大電路，所述屏蔽箱體的左側(cè)設(shè)有接收輸入端子和本振輸入端子，所述屏蔽箱體的右側(cè)設(shè)有中頻輸出端子、接地端子和電源輸入端子，所述接收濾波電路和本振濾波電路采用三氧化二鋁基板和平行耦合微帶線，所述屏蔽盒為金屬材質(zhì)；所述射頻放大電路、本振二倍頻電路和混頻電路均采用MMIC芯片，所述MMIC芯片為裸芯片；所述屏蔽箱體的內(nèi)表面通過導(dǎo)電銀漿粘接有可伐合金底座且可伐合金底座位于空腔內(nèi)，所述MMIC芯片的底部焊盤通過無鉛焊料燒結(jié)到可伐合金底座上；

所述接地端子與屏蔽盒電連接，所述電源輸入端子與電源穩(wěn)壓電路電連接，所述電源穩(wěn)壓電路分別與負(fù)壓保護(hù)電路、本振二倍頻電路和中頻放大電路電連接，所述本振輸入端子與本振二倍頻電路電連接，所述本振二倍頻電路與本振濾波電路電連接，所述本振濾波電路與混頻電路電連接，所述負(fù)壓保護(hù)電路與射頻放大電路電連接，所述接收輸入端子與接收濾波電路電連接，所述接收濾波電路與射頻放大電路電連接，所述射頻放大電路與混頻電路電連接，所述混頻電路與中頻濾波電路電連接，所述中頻濾波電路與中頻放大電路電連接，所述中頻放大電路與中頻輸出端子電連接。

作為本實用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述接地端子采用M3接地柱且表面鍍金。

作為本實用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述電源輸入端子采用M3穿心電容。

作為本實用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述接收輸入端子采用K連接器D360S12F06，所述中頻輸出端子和本振輸入端子均采用SMA連接器D550S12F06。

作為本實用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述電源模塊電路的基板采用1.0cm厚FR-4環(huán)氧板，所述微波射頻電路的基板采用羅杰斯0.381厚5880板。

本實用新型的有益效果為：本實用新型通過屏蔽盒和設(shè)在屏蔽盒內(nèi)部的電路實現(xiàn)了體積小，接口少的優(yōu)點(diǎn)，屏蔽門和屏蔽箱體通過凹槽和凸塊以及設(shè)置在凹槽和凸塊之間的屏蔽密封條達(dá)到了屏蔽效果好的優(yōu)點(diǎn)，為本實用新型最終輸出穩(wěn)定的功率提供了必要的條件；而且本實用新型采用設(shè)置在屏蔽盒的空腔內(nèi)的電源模塊電路和微波射頻電路，因此采用集成電路設(shè)計原理，達(dá)到減少體積和更加集成化的作用，因此體積小、接口少，重量輕；本實用新型實現(xiàn)了射頻放大電路、本振二倍頻電路和混頻電路中MMIC芯片的充分接地，又達(dá)到了良好散熱；本實用新型的接收濾波電路和本振濾波電路利用平行耦合微帶線實現(xiàn)，采用極高純度的三氧化二鋁基板，實現(xiàn)體積小、通帶寬、便于組裝的濾波電路；本振二倍頻電路提升電路頻率從而提升電路的帶寬；本實用新型將毫米波頻段射頻信號經(jīng)接受濾波電路進(jìn)行濾波、射頻放大電路進(jìn)行放大后與依次經(jīng)過本振倍頻電路和本振濾波電路的本振信號通過混頻電路進(jìn)行混頻至中頻，再經(jīng)過中頻濾波電路進(jìn)行濾波、中頻放大電路進(jìn)行放大后輸出給外部的信號處理單元，間接實現(xiàn)了外部的信號處理單元處理高頻毫米波信號的能力；接地端子采用M3接地柱且表面鍍金，防止了氧化。

附圖說明

圖1為本實用新型的電路原理示意圖。

圖2為本實用新型的微波射頻電路的電路原理示意圖。

圖3為本實用新型的屏蔽盒的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本實用新型的MMIC芯片裝配結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面根據(jù)圖1至圖4對本實用新型的具體實施方式作出進(jìn)一步說明：

參見圖1、圖2和圖3，一種Ka波段接收組件，包括屏蔽盒1，所述屏蔽盒1包括屏蔽箱體和設(shè)置在屏蔽箱體上面的屏蔽門，所述屏蔽門的一側(cè)邊與屏蔽箱體鉸接，所述屏蔽門的另一側(cè)邊與屏蔽箱體卡扣連接，所述屏蔽門的四周設(shè)置有一圈凹槽，所述凹槽內(nèi)設(shè)有一層屏蔽密封條，所述屏蔽箱體的上面設(shè)置有一圈與凹槽相配合的凸塊，所述凸塊插入凹槽內(nèi)從而實現(xiàn)所述屏蔽箱體與屏蔽門的緊密連接，所述屏蔽盒設(shè)有內(nèi)層，所述內(nèi)層為金或銀，所述屏蔽盒1的內(nèi)部設(shè)有空腔2，所述空腔2中設(shè)有基板，所述基板上設(shè)有電源模塊電路和微波射頻電路，所述電源模塊電路包括電源穩(wěn)壓電路及負(fù)壓保護(hù)電路，所述微波射頻電路包括接收濾波電路9、射頻放大電路10、本振二倍頻電路16、本振濾波電路15、混頻電路11、中頻濾波電路12和中頻放大電路13，所述屏蔽箱體的左側(cè)設(shè)有接收輸入端子4和本振輸入端子5，所述屏蔽箱體的右側(cè)設(shè)有中頻輸出端子6、接地端子7和電源輸入端子3，所述接收濾波電路9和本振濾波電路15采用的基板為三氧化二鋁基板，所述接收濾波電路9和本振濾波電路15采用平行耦合微帶線，所述屏蔽盒1為金屬材質(zhì)，所述接地端子7與屏蔽盒1電連接實現(xiàn)了屏蔽盒1的接地；所述電源輸入端子3與電源穩(wěn)壓電路電連接，所述電源穩(wěn)壓電路分別與負(fù)壓保護(hù)電路、本振二倍頻電路16和中頻放大電路13電連接，所述本振輸入端子5與本振二倍頻電路16電連接，所述本振二倍頻電路16與本振濾波電路15電連接，所述本振濾波電路15與混頻電路11電連接，所述負(fù)壓保護(hù)電路與射頻放大電路10電連接，所述接收輸入端子4與接收濾波電路9電連接，所述接收濾波電路9與射頻放大電路10電連接，所述射頻放大電路10與混頻電路11電連接，所述混頻電路11與中頻濾波電路12電連接，所述中頻濾波電路12與中頻放大電路13電連接，所述中頻放大電路13與中頻輸出端子6電連接。集成電路的設(shè)計克服了傳統(tǒng)的Ka波段接收組件前端子系統(tǒng)體積龐大、接口繁多等缺點(diǎn)。其中接收濾波電路9和本振濾波電路15利用平行耦合微帶線實現(xiàn)，采用極高純度的三氧化二鋁基板，實現(xiàn)體積小、通帶寬、便于組裝的濾波電路。其中所述射頻放大電路10、本振二倍頻電路16和混頻電路11均采用50歐姆匹配的MMIC芯片18，所述MMIC芯片18為裸芯片，參見圖4，所述屏蔽箱體的內(nèi)表面采用導(dǎo)電銀漿21粘接有可伐合金底座20且可伐合金底座20位于空腔2內(nèi)，所述MMIC芯片18的底部焊盤采用無鉛焊料19并通過無縫燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)到可伐合金底座20上。節(jié)省了傳統(tǒng)采用螺釘固定的空間尺寸，同時也實現(xiàn)了MMIC芯片18的充分接地，又達(dá)到了良好散熱。

本實施例中，所述接地端子7采用M3接地柱，并鍍金處理，以防氧化，

本實施例中，所述電源輸入端子3采用M3穿心電容。

本實施例中，所述接收輸入端子4采用K連接器D360S12F06，所述中頻輸出端子6和本振輸入端子5均采用SMA連接器D550S12F06。

本實施例中，所述電源模塊電路的基板采用1.0cm厚FR-4環(huán)氧板，所述微波射頻電路的基板采用羅杰斯0.381厚5880板。本實施例中的MMIC芯片的引腳通過金絲與羅杰斯0.381厚5880板上的線路連接。

本實用新型在工作時，直流輸入電壓信號8（DC IN）通過電源輸入端子3接入電源模塊電路，經(jīng)電源模塊電路的電源穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓后，電源穩(wěn)壓電路輸出三路信號，一路信號經(jīng)負(fù)壓保護(hù)電路進(jìn)行負(fù)壓保護(hù)，然后負(fù)壓保護(hù)電路給射頻放大電路10供電，另外兩路信號分別給本振二倍頻電路16和中頻放大電路13供電，本振二倍頻電路16接受來自本振輸入端子5的本振輸入信號17并對本振輸入信號17進(jìn)行二倍頻提升電路頻率從而提升電路的帶寬，再經(jīng)本振濾波電路15進(jìn)行濾波，本振濾波電路15發(fā)送濾波后的本振輸入信號17（LO IN）到混頻電路11，接收輸入信號通過接收輸入端子4接入接收濾波電路9，接收濾波電路9濾波后，接收濾波電路9發(fā)送接收輸入信號給射頻放大電路10，射頻放大電路10進(jìn)行放大接收輸入信號，射頻放大電路10將放大后的接收輸入信號發(fā)送到混頻電路11，混頻電路11將濾波后的本振輸入信號17與放大后的接收輸入信號進(jìn)行混頻，混頻電路11輸出中頻信號，中頻信號依次經(jīng)中頻濾波電路12濾波、中頻放大電路13放大后最終通過中頻輸出端子6輸出中頻有用信號14(IF OUT)。

本實用新型通過屏蔽盒1和設(shè)在屏蔽盒1內(nèi)部的集成電路實現(xiàn)了體積小，接口少的優(yōu)點(diǎn)，屏蔽門和屏蔽箱體通過凹槽和凸塊以及設(shè)置在凹槽和凸塊之間的屏蔽密封條達(dá)到了屏蔽效果好的優(yōu)點(diǎn)，為本實用新型最終輸出穩(wěn)定的功率提供了必要的條件；本實用新型采用設(shè)置在屏蔽盒1的空腔2內(nèi)的電源模塊電路和微波射頻電路，因此采用集成電路設(shè)計原理，達(dá)到減少體積和更加集成化的作用，且體積小、接口少；本實用新型實現(xiàn)了射頻放大電路10、本振二倍頻電路16和混頻電路11中MMIC芯片18的充分接地，又達(dá)到了良好散熱；本實用新型的接收濾波電路9和本振濾波電路15利用平行耦合微帶線實現(xiàn)，采用極高純度的三氧化二鋁基板，實現(xiàn)體積小、通帶寬、便于組裝的濾波電路；本實用新型將毫米波頻段射頻信號經(jīng)接受濾波電路進(jìn)行濾波、射頻放大電路10進(jìn)行放大后與依次經(jīng)過本振倍頻電路和本振濾波電路15的本振信號通過混頻電路11進(jìn)行混頻至中頻，再經(jīng)過中頻濾波電路12進(jìn)行濾波、中頻放大電路13進(jìn)行放大后輸出給外部的信號處理單元，間接實現(xiàn)了外部的信號處理單元處理高頻毫米波信號的能力。

本實用新型的保護(hù)范圍包括但不限于以上實施方式，本實用新型的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)，任何對本技術(shù)做出的本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易想到的替換、變形、改進(jìn)均落入本實用新型的保護(hù)范圍。