本實(shí)用新型涉及微波通信技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種Ka波段發(fā)射組件。

背景技術(shù)：

隨著通信事業(yè)尤其是個(gè)人移動(dòng)通信的高速發(fā)展,無(wú)線電頻譜的低端頻率已趨飽和，無(wú)法滿足未來(lái)通信發(fā)展的需求,因而實(shí)現(xiàn)高速、寬帶的無(wú)線通信勢(shì)必向微波高端開發(fā)新的頻譜資源。Ka波段由于其波長(zhǎng)短、頻帶寬、干擾少、設(shè)備體積小的特點(diǎn)，可以有效地解決高速寬帶無(wú)線接入面臨的許多問(wèn)題,因而在短距離通信中有著廣泛的應(yīng)用前景。

傳統(tǒng)的Ka波段發(fā)射組件由于受工藝水平的制約，一直發(fā)射功率不大，工作有用帶寬較窄，而且接口繁多，體積龐大，未完全挖掘Ka波段通信優(yōu)點(diǎn)，傳統(tǒng)的Ka波段發(fā)射組件中的芯片散熱不均勻，也不具有充分接地的優(yōu)點(diǎn)，因此當(dāng)前急需一種超寬帶、散熱均勻和體積小的Ka波段發(fā)射組件，以適用于不同應(yīng)用場(chǎng)合。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種Ka波段發(fā)射組件，本Ka波段發(fā)射組件具有結(jié)構(gòu)緊湊，體積小，工作頻段寬，輸出功率大等優(yōu)點(diǎn)。

為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為：

一種Ka波段發(fā)射組件，包括屏蔽盒，所述屏蔽盒包括屏蔽箱體和設(shè)置在屏蔽箱體上面的屏蔽門，所述屏蔽門的一側(cè)邊與屏蔽箱體鉸接，所述屏蔽門的另一側(cè)邊與屏蔽箱體卡扣連接，所述屏蔽門的四周設(shè)置有一圈凹槽，所述凹槽內(nèi)設(shè)有一層屏蔽密封條，所述屏蔽箱體的上面設(shè)置有一圈與凹槽相配合的凸塊，所述凸塊插入凹槽內(nèi)從而實(shí)現(xiàn)所述屏蔽箱體與屏蔽門的緊密連接，所述屏蔽盒設(shè)有內(nèi)層，所述內(nèi)層為金或銀，所述屏蔽盒的內(nèi)部設(shè)有空腔，所述空腔中設(shè)置有基板，所述基板上設(shè)置有電源模塊電路和微波射頻電路，所述電源模塊電路包括穩(wěn)壓電路和負(fù)壓保護(hù)電路，所述微波射頻電路包括二倍頻電路、濾波電路和放大電路；所述屏蔽箱體的左側(cè)設(shè)置有射頻輸入端子，所述屏蔽箱體的右側(cè)設(shè)置有射頻輸出端子、接地端子和電源輸入端子，所述濾波電路采用三氧化二鋁基板和平行耦合微帶線，所述屏蔽盒為金屬材質(zhì)，所述二倍頻電路和放大電路均采用MMIC芯片,所述MMIC芯片為裸芯片，所述屏蔽箱體的內(nèi)表面通過(guò)無(wú)鉛焊料燒結(jié)有鉬銅底座且鉬銅底座位于空腔內(nèi)，所述MMIC芯片的底部焊盤采用無(wú)鉛焊料燒結(jié)到所述鉬銅底座上；

所述接地端子與屏蔽盒電連接，所述電源輸入端子與穩(wěn)壓電路電連接，所述穩(wěn)壓電路與負(fù)壓保護(hù)電路電連接，所述負(fù)壓保護(hù)電路分別與二倍頻電路和放大電路電連接，所述射頻輸入端子與二倍頻電路電連接，所述二倍頻電路與濾波電路電連接，所述濾波電路與放大電路電連接，所述放大電路與射頻輸出端子電連接。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述電源輸入端子采用M3穿心電容。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述射頻輸入端子采用SMA連接器D550S12F06，射頻輸出端子采用K連接器D360S12F06。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述電源模塊電路的基板采用FR-4環(huán)氧板，所述微波射頻電路的基板采用羅杰斯5880板。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述接地端子采用M3接地柱且表面鍍金。

本實(shí)用新型的有益效果為：本實(shí)用新型通過(guò)屏蔽盒和設(shè)在屏蔽盒內(nèi)部的電源模塊電路和微波射頻電路實(shí)現(xiàn)了體積小，接口少的優(yōu)點(diǎn)，屏蔽門和屏蔽箱體通過(guò)凹槽和凸塊以及設(shè)置在凹槽和凸塊之間的屏蔽密封條達(dá)到了屏蔽效果好的優(yōu)點(diǎn)，為本實(shí)用新型最終輸出穩(wěn)定的功率提供了必要的條件；射頻輸入端子的射頻輸入信號(hào)經(jīng)二倍頻電路提升頻率后，有效拓展了射頻信道帶寬，可以由4.5GHz帶寬拓展至9GHz帶寬，克服了現(xiàn)有技術(shù)工作有用帶寬較窄的缺點(diǎn)，通過(guò)濾波電路濾除基波及諧雜波后，提升頻譜純度，再通過(guò)放大電路放大輸出，補(bǔ)償倍頻及濾波電路的增益損失，增益大且輸出功率大，從而形成一種工作穩(wěn)定可靠的Ka波段發(fā)射組件；濾波電路利用平行耦合微帶線實(shí)現(xiàn)，采用極高純度的三氧化二鋁基板，實(shí)現(xiàn)通帶寬，體積小，便于組裝的濾波電路；二倍頻電路和放大電路所用MMIC芯片采用無(wú)鉛焊料并通過(guò)無(wú)縫燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)到鉬銅底座，進(jìn)而燒結(jié)到屏蔽盒，即實(shí)現(xiàn)了MMIC芯片的充分接地，又達(dá)到了良好散熱；接地端子采用M3接地柱，并鍍金處理，以防氧化；綜上所述，本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)緊湊，體積小，工作頻段寬，輸出功率大，工作穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1所示為本實(shí)用新型的電路原理結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2所示為本實(shí)用新型的屏蔽盒的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3所示為本實(shí)用新型的MMIC芯片裝配示意圖。

具體實(shí)施方式

下面根據(jù)圖1至圖3對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作出進(jìn)一步說(shuō)明：

參見圖1和圖2，一種Ka波段發(fā)射組件，包括屏蔽盒1，所述屏蔽盒1包括屏蔽箱體和設(shè)置在屏蔽箱體上面的屏蔽門，所述屏蔽門的一側(cè)邊與屏蔽箱體鉸接，所述屏蔽門的另一側(cè)邊與屏蔽箱體卡扣連接，所述屏蔽門的四周設(shè)置有一圈凹槽，所述凹槽內(nèi)設(shè)有一層屏蔽密封條，所述屏蔽箱體的上面設(shè)置有一圈與凹槽相配合的凸塊，所述凸塊插入凹槽內(nèi)從而實(shí)現(xiàn)所述屏蔽箱體與屏蔽門的緊密連接，所述屏蔽盒1設(shè)有內(nèi)層，所述內(nèi)層為金或銀，所述屏蔽盒1的內(nèi)部設(shè)有空腔2，所述空腔2中設(shè)置有基板，所述基板上設(shè)置有電源模塊電路和微波射頻電路，所述電源模塊電路包括穩(wěn)壓電路和負(fù)壓保護(hù)電路，所述微波射頻電路包括二倍頻電路、濾波電路和放大電路；所述屏蔽箱體的左側(cè)設(shè)置有射頻輸入端子3，所述屏蔽箱體的右側(cè)設(shè)置有射頻輸出端子4、接地端子6和電源輸入端子5，所述濾波電路采用三氧化二鋁基板和平行耦合微帶線，所述屏蔽盒1為金屬材質(zhì)，所述接地端子6與屏蔽盒1電連接從而實(shí)現(xiàn)了屏蔽盒1的接地，所述電源輸入端子5與穩(wěn)壓電路電連接，所述穩(wěn)壓電路與負(fù)壓保護(hù)電路電連接，所述負(fù)壓保護(hù)電路分別與二倍頻電路和放大電路電連接，所述射頻輸入端子3與二倍頻電路電連接，所述二倍頻電路與濾波電路電連接，所述濾波電路與放大電路電連接，所述放大電路與射頻輸出端子4電連接；所述二倍頻電路和放大電路均采用50歐姆匹配的MMIC芯片7,所述MMIC芯片7為裸芯片；參見圖3，所述屏蔽箱體的內(nèi)表面采用無(wú)鉛焊料8并通過(guò)無(wú)縫燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)有鉬銅底座9且鉬銅底座9位于空腔2內(nèi)，所述MMIC芯片7的底部焊盤采用無(wú)鉛焊料8并通過(guò)無(wú)縫燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)到所述鉬銅底座9上。鉬銅底座9與屏蔽盒1的連接即實(shí)現(xiàn)了MMIC芯片7的充分接地，又達(dá)到了良好散熱，所述鉬銅底座9的厚度為0.8cm 。

本實(shí)施例中，所述電源輸入端子5采用M3穿心電容。

本實(shí)施例中，所述射頻輸入端子3采用SMA連接器D550S12F06，射頻輸出端子4采用K連接器D360S12F06。

本實(shí)施例中，所述電源模塊電路的基板采用FR-4環(huán)氧板，所述微波射頻電路的基板采用羅杰斯5880板。

本實(shí)施例中，所述接地端子6采用M3接地柱，并鍍金處理，以防氧化。

本實(shí)用新型在工作時(shí)，直流輸入電壓信號(hào)（DC IN）通過(guò)電源輸入端子5接入電源模塊電路，經(jīng)電源模塊電路的穩(wěn)壓電路的穩(wěn)壓和負(fù)壓保護(hù)電路的負(fù)壓保護(hù)后，給二倍頻電路和放大電路提供電能，射頻輸入信號(hào)(RF IN)通過(guò)射頻輸入端子3接入微波射頻電路的二倍頻電路中，二倍頻電路提升頻率后，經(jīng)濾波電路濾除基波及其他諧雜波，最后經(jīng)放大電路放大后通過(guò)射頻輸出端子4輸出有用信號(hào)(RF OUT)。

本實(shí)用新型通過(guò)屏蔽盒和設(shè)在屏蔽盒內(nèi)部的電源模塊電路和微波射頻電路實(shí)現(xiàn)了體積小，接口少的優(yōu)點(diǎn)，屏蔽門和屏蔽箱體通過(guò)凹槽和凸塊以及設(shè)置在凹槽和凸塊之間的屏蔽密封條達(dá)到了屏蔽效果好的優(yōu)點(diǎn)，為本實(shí)用新型最終輸出穩(wěn)定的功率提供了必要的條件；本實(shí)用新型的射頻輸入端子3的射頻輸入信號(hào)經(jīng)二倍頻電路提升頻率后，有效拓展了射頻信道帶寬，可以由4.5GHz帶寬拓展至9GHz帶寬，克服了現(xiàn)有技術(shù)工作有用帶寬較窄的缺點(diǎn)，通過(guò)濾波電路濾除基波及諧雜波后，提升頻譜純度，再通過(guò)放大電路放大輸出，補(bǔ)償倍頻及濾波電路的增益損失，增益大，從而形成一種工作穩(wěn)定可靠的Ka波段發(fā)射組件；濾波電路利用平行耦合微帶線實(shí)現(xiàn)，采用極高純度的三氧化二鋁基板，最終實(shí)現(xiàn)通帶寬，體積小，便于組裝的濾波電路；二倍頻電路和放大電路所用MMIC芯片7采用無(wú)鉛焊料8并通過(guò)無(wú)縫燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)到鉬銅底座9，進(jìn)而燒結(jié)到屏蔽盒1，即實(shí)現(xiàn)了MMIC芯片7的充分接地，又達(dá)到了良好散熱；綜上所述，本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)緊湊，體積小，工作頻段寬，工作穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn)。

經(jīng)實(shí)踐證明，利用本實(shí)施例的Ka波段發(fā)射組件可實(shí)現(xiàn)以下技術(shù)指標(biāo)：

(1)、工作溫度：-40℃～+55℃；

(2)、存儲(chǔ)溫度：-55℃～+70℃；

(3)、輸入信號(hào)頻率： 14 ～18.5GHz；

(4)、輸出信號(hào)頻率： 28 ～37GHz；

(5)、輸入功率：0±1.5dBm；

(6)、輸出功率：≥20dBm＆（28～37GHz）；

(7)、雜散抑制：≤-60dBc。

本實(shí)用新型的保護(hù)范圍包括但不限于以上實(shí)施方式，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)，任何對(duì)本技術(shù)做出的本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易想到的替換、變形、改進(jìn)均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。