一種通信用濾波器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種通信用濾波器，包括傳輸門S1、傳輸門S2、傳輸門S3、功率放大器A1和主濾波電路；傳輸門S1的右端分別與傳輸門S2的左端、傳輸門S3的右端相連，傳輸門S1的左端與ICP端口相連；傳輸門S2的右端同時連接功率檢測器A的一端、電容C0的一端和單位增益放大器A2的一端；所述傳輸門S3的左端與VFD端口相連；功率放大器A1的輸入端與電容C0的另一端相連，且功率放大器A1與電容C0之間的接線點還連接二極管D的正極，二極管D的負極接地；本實用新型實現(xiàn)了對線性度的調(diào)節(jié)，工作穩(wěn)定、可靠，且切斷了環(huán)路濾波器的放電路徑，以此來達到穩(wěn)定環(huán)路電壓的目的，提高了芯片的集成度，降低了成本。
【專利說明】一種通信用濾波器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及濾波器，具體是一種通信用濾波器。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著無線通信領(lǐng)域的迅猛發(fā)展，特別是手持設(shè)備的迅猛發(fā)展，射頻集成電路對低體積，高集成度，低功耗的要求越來越高。對于發(fā)射機而言，采用直接調(diào)制壓控振蕩器的結(jié)構(gòu)無疑是手持設(shè)備的首選，因為其具有功能模塊數(shù)量少，功耗低的優(yōu)勢，但是直接發(fā)射機需要在鎖相環(huán)開環(huán)的情況下來發(fā)射數(shù)據(jù)，這就要求鎖相環(huán)環(huán)路濾波器能夠在鎖相環(huán)開環(huán)的時候?qū)h(huán)路電壓維持一段時間以滿足數(shù)據(jù)發(fā)射的要求。
[0003]傳統(tǒng)的濾波器通過大電容來達到維持環(huán)路電壓的目的，在鎖相環(huán)鎖定階段開關(guān)關(guān)閉；當鎖相環(huán)鎖定到需要的頻率后，開關(guān)打開，通過開關(guān)后的大電容來達到維持發(fā)射數(shù)據(jù)所需電壓，但是電容無法在片上集成，只能使用片外電容，而這將大大降低芯片的集成度，且會增加成本。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新型的目的在于提供一種對線性度的調(diào)節(jié)，工作穩(wěn)定，穩(wěn)定環(huán)路電壓，提高了芯片的集成度的通信用濾波器，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案:
[0006]—種通信用濾波器，包括傳輸門S1、傳輸門S2、傳輸門S3、功率放大器Al和主濾波電路；其中，傳輸門S1、傳輸門S2、傳輸門S3均為CMOS傳輸門，傳輸門SI由一個NMOS晶體管M4和一個PMOS晶體管M3通過源漏互連的方式構(gòu)成，NMOS晶體管M4的襯底與地GND相連，NMOS晶體管M4的柵與SP相連，PMOS晶體管M3的襯底與電源VDD相連，PMOS晶體管M3的柵與SN相連；傳輸門S2由一個NMOS晶體管M6和一個PMOS晶體管M5通過源漏互連的方式構(gòu)成，NMOS晶體管M6的襯底與VL端口相連，，NMOS晶體管M6的柵與SP相連，PMOS晶體管M5的襯底與VH端口相連，PMOS晶體管M5的柵與SN相連；傳輸門S3由一個NMOS晶體管M8和一個PMOS晶體管M7通過源漏互連的方式構(gòu)成，NMOS晶體管M8的襯底與地GND相連，NMOS晶體管M8的柵與SP相連，PMOS晶體管M7的襯底與電源VDD相連，PMOS晶體管M7的柵與SN相連；傳輸門SI的右端分別與傳輸門S2的左端、傳輸門S3的右端相連,傳輸門SI的左端與ICP端口相連；傳輸門S2的右端同時連接功率檢測器A的一端、電容CO的一端和單位增益放大器A2的一端；所述傳輸門S3的左端與VFD端口相連；功率放大器Al的輸入端與電容CO的另一端相連，且功率放大器Al與電容CO之間的接線點還連接二極管D的正極，二極管D的負極接地；功率檢測器A的另一端依次通過開關(guān)管M9、扼流電感L連接功率放大器Al的輸入端；功率放大器Al的輸出端同時連接電阻Rl的一端、電阻R2的一端；電阻Rl的另一端連接PMOS晶體管M1，電阻R2的另一端連接PMOS晶體管M2，其中，PMOS晶體管Ml的襯底與源及電源VDD相連，PMOS晶體管Ml的柵與VBIAS相連，PMOS晶體管Ml的漏與VH端口相連，NMOS晶體管M2的襯底接地，NMOS晶體管M2的柵與VBIAS相連，NMOS晶體管M2的漏與VL端口相連；所述單位增益放大器A2的輸入端與傳輸門S2之間的接線點還同時通過電容Cl接地、電容C2接地，單位增益放大器A2輸出端連接電阻R3的一端，電阻R3的另一端同時連接VOUT端口、通過電容C3接地。
[0007]進一步的，所述電容Cl、電容C2、單位增益放大器A2、電阻R3、電容C3構(gòu)成主濾波電路。
[0008]進一步的，所述電阻R3和電容C3形成低通濾波器。
[0009]進一步的，電容CO為隔直電容。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型通過引入一個負增益支路(二極管與電阻串聯(lián)支路)，消減了中高功率區(qū)域的增益膨脹，改善了功率放大器的線性度，實現(xiàn)了對低直流偏置下的功率放大器芯片電路線性度的調(diào)節(jié)，阻止射頻信號的灌入，隔直電容阻止功率檢測電壓對射頻輸入端的影響，工作穩(wěn)定、可靠，且切斷了環(huán)路濾波器的放電路徑，以此來達到穩(wěn)定環(huán)路電壓的目的，而不像傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)那樣，需要大的環(huán)路電容，因此提高了芯片的集成度，降低了成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為通信用濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0012]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0013]請參閱圖1，本實用新型實施例中，一種通信用濾波器，包括傳輸門S1、傳輸門S2、傳輸門S3、功率放大器Al和主濾波電路；其中，傳輸門S1、傳輸門S2、傳輸門S3均為CMOS傳輸門，傳輸門SI由一個NMOS晶體管M4和一個PMOS晶體管M3通過源漏互連的方式構(gòu)成，NMOS晶體管M4的襯底與地GND相連，NMOS晶體管M4的柵與SP相連，PMOS晶體管M3的襯底與電源VDD相連，PMOS晶體管M3的柵與SN相連；傳輸門S2由一個NMOS晶體管M6和一個PMOS晶體管M5通過源漏互連的方式構(gòu)成，NMOS晶體管M6的襯底與VL端口相連，，NMOS晶體管M6的柵與SP相連，PMOS晶體管M5的襯底與VH端口相連，PMOS晶體管M5的柵與SN相連；傳輸門S3由一個NMOS晶體管M8和一個PMOS晶體管M7通過源漏互連的方式構(gòu)成，NMOS晶體管M8的襯底與地GND相連，NMOS晶體管M8的柵與SP相連，PMOS晶體管M7的襯底與電源VDD相連，PMOS晶體管M7的柵與SN相連；傳輸門SI的右端分別與傳輸門S2的左端、傳輸門S3的右端相連，傳輸門SI的左端與ICP端口相連；傳輸門S2的右端同時連接功率檢測器A的一端、電容CO的一端和單位增益放大器A2的一端，電容CO為隔直電容；所述傳輸門S3的左端與VFD端口相連；功率放大器Al的輸入端與電容CO的另一端相連，且功率放大器Al與電容CO之間的接線點還連接二極管D的正極，二極管D的負極接地；功率檢測器A的另一端依次通過開關(guān)管M9、扼流電感L連接功率放大器Al的輸入端；功率放大器Al的輸出端同時連接電阻Rl的一端、電阻R2的一端；電阻Rl的另一端連接PMOS晶體管Ml，電阻R2的另一端連接PMOS晶體管M2，其中，PMOS晶體管Ml的襯底與源及電源VDD相連，PMOS晶體管Ml的柵與VBIAS相連，PMOS晶體管Ml的漏與VH端口相連，NMOS晶體管M2的襯底接地，NMOS晶體管M2的柵與VBIAS相連，NMOS晶體管M2的漏與VL端口相連；所述單位增益放大器A2的輸入端與傳輸門S2之間的接線點還同時通過電容Cl接地、電容C2接地，單位增益放大器A2輸出端連接電阻R3的一端，電阻R3的另一端同時連接VOUT端口、通過電容C3接地；其中電容Cl、電容C2、單位增益放大器A2、電阻R3、電容C3構(gòu)成主濾波電路，且電阻R3和電容C3形成低通濾波器。
[0014]工作中，對輸入信號進行功率掃描，得出該功率放大器Al的增益曲線，并找到出現(xiàn)增益膨脹的起始輸入功率點，然后將輸入信號固定為上述輸入功率，調(diào)節(jié)功率檢測器A的檢測電壓，使得電壓值略低于二極管D的開啟電壓，最后將開關(guān)設(shè)置為閉合狀態(tài)，由此，當輸入信號功率增大時，功率檢測電壓增大，隨著射頻輸入信號的增大，二極管D隨整流電流的增大其動態(tài)阻抗下降，使得流入該并聯(lián)支路的射頻信號功率增加，消減了輸入信號較大而直流偏置較低情況下出現(xiàn)的增益膨脹現(xiàn)象，改善了線性度；同時，配置SP= “1”，SN#0”，工作在正常濾波狀態(tài)，傳輸門SI，傳輸門S2導通，傳輸門S3關(guān)閉，輸出電流ICP通過傳輸門S1、傳輸門S2，到達A點，此電壓通過單位增益放大器A2后，到達電阻R3，經(jīng)過電阻R3和電容C3形成的低通濾波器濾波后，輸出，由于此路徑中的單位增益放大器A2對傳輸?shù)脑鲆鏇]有影響，通過合理的電路設(shè)計單位增益放大器A2對傳輸?shù)南辔挥绊懸部梢院雎?；當發(fā)射數(shù)據(jù)時，配置SP= “0”，SN= “1”，使工作在電壓維持狀態(tài)，此時，傳輸門S1、傳輸門S2關(guān)閉，傳輸門S3導通，此時VOUT端口、VFD端口的電壓相等。本實用新型由于單位增益放大器Al和單位增益放大器A2的輸入為CMOS晶體管的柵極，因此其沒有有效的放電路徑，電容C2上也沒有有效的放電路徑，同時電阻Rl下面連接的是電容Cl，因此電阻Rl也不能形成有效的放電路徑，所以，電壓的放電通路只有傳輸門S2的右端，而傳輸門S2右端的放電是通過其寄生二極管的放電電流來完成的，包括橫向的源漏之間的寄生二極管，縱向的源漏和襯底之間的二極管；本實用新型通過傳輸門S2的源漏以及襯底的電壓相等來達到切斷放電電流的目的，而VH端口和VL端口的電壓又與VFD端口的電壓近似相等，放電路徑都被切斷，傳輸門S2右端的電壓將被有效的維持，且輸出VOUT點的電壓也即被有效維持。
[0015]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本實用新型。因此，無論從哪一點來看，均應(yīng)將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實用新型內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0016]此外，應(yīng)當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實施方式。
【權(quán)利要求】
1.一種通信用濾波器，包括傳輸門S1、傳輸門S2、傳輸門S3、功率放大器Al和主濾波電路；其特征在于，傳輸門S1、傳輸門S2、傳輸門S3均為CMOS傳輸門，傳輸門SI由一個NMOS晶體管M4和一個PMOS晶體管M3通過源漏互連的方式構(gòu)成，NMOS晶體管M4的襯底與地GND相連，NMOS晶體管M4的柵與SP相連，PMOS晶體管M3的襯底與電源VDD相連，PMOS晶體管M3的柵與SN相連；傳輸門S2由一個NMOS晶體管M6和一個PMOS晶體管M5通過源漏互連的方式構(gòu)成，NMOS晶體管M6的襯底與VL端口相連，NMOS晶體管M6的柵與SP相連，PMOS晶體管M5的襯底與VH端口相連，PMOS晶體管M5的柵與SN相連；傳輸門S3由一個NMOS晶體管M8和一個PMOS晶體管M7通過源漏互連的方式構(gòu)成，NMOS晶體管M8的襯底與地GND相連，NMOS晶體管M8的柵與SP相連，PMOS晶體管M7的襯底與電源VDD相連，PMOS晶體管M7的柵與SN相連；傳輸門SI的右端分別與傳輸門S2的左端、傳輸門S3的右端相連，傳輸門SI的左端與ICP端口相連；傳輸門S2的右端同時連接功率檢測器A的一端、電容CO的一端和單位增益放大器A2的一端；所述傳輸門S3的左端與VFD端口相連；功率放大器Al的輸入端與電容CO的另一端相連，且功率放大器Al與電容CO之間的接線點還連接二極管D的正極，二極管D的負極接地；功率檢測器A的另一端依次通過開關(guān)管M9、扼流電感L連接功率放大器Al的輸入端；功率放大器Al的輸出端同時連接電阻Rl的一端、電阻R2的一端；電阻Rl的另一端連接PMOS晶體管Ml，電阻R2的另一端連接PMOS晶體管M2，其中，PMOS晶體管Ml的襯底與源及電源VDD相連，PMOS晶體管Ml的柵與VBIAS相連，PMOS晶體管Ml的漏與VH端口相連，NMOS晶體管M2的襯底接地，NMOS晶體管M2的柵與VBIAS相連，NMOS晶體管M2的漏與VL端口相連；所述單位增益放大器A2的輸入端與傳輸門S2之間的接線點還同時通過電容Cl接地、電容C2接地，單位增益放大器A2輸出端連接電阻R3的一端，電阻R3的另一端同時連接VOUT端口、通過電容C3接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通信用濾波器，其特征在于，所述電容Cl、電容C2、單位增益放大器A2、電阻R3、電容C3構(gòu)成主濾波電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通信用濾波器，其特征在于，所述電阻R3和電容C3形成低通濾波器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通信用濾波器，其特征在于，電容CO為隔直電容。
【文檔編號】H04B1/04GK204156847SQ201420512689
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年9月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月9日
【發(fā)明者】孟剛 申請人:撫州市雙菱磁性材料有限公司