具有mjt led的背光模塊及包括其的背光單元的制作方法
【專利摘要】本公開(kāi)的實(shí)施例提供使用MJT LED的背光模塊和包括其的背光單元。更具體地，本公開(kāi)的實(shí)施例提供如下背光模塊，所述背光模塊包括被構(gòu)造為使每個(gè)發(fā)光單元的有效發(fā)光面積增大的MJT LED和能夠使從MJT LED發(fā)射的光均勻地分散的光學(xué)構(gòu)件。此外，本公開(kāi)的實(shí)施例提供使用背光模塊的背光單元，從而在允許于低電流下操作的同時(shí)減少構(gòu)成背光單元的LED的數(shù)量。
【專利說(shuō)明】
具有MJT LED的背光模塊及包括其的背光單元
技術(shù)領(lǐng)域
[000? ]本公開(kāi)涉及一種使用多結(jié)技術(shù)(MJT)發(fā)光二極管(LED)的背光模塊和包括其的背光單元。更具體地，本公開(kāi)涉及一種采用MJT LED的背光模塊及包括其的背光單元，其中，該MJT LED被構(gòu)造為使每個(gè)發(fā)光單元的有效發(fā)光面積增大以允許在低電流下操作。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器通過(guò)控制背光光源的透光率來(lái)生成圖像。雖然在現(xiàn)有技術(shù)中冷陰極熒光燈(CCFL)已經(jīng)普遍用作背光光源，但是由于諸如低功耗、長(zhǎng)使用壽命、環(huán)保性等各種優(yōu)點(diǎn)，近來(lái)正在使用發(fā)光二極管(在下文中，LED)。
[0003]根據(jù)用于從背后照明液晶顯示器的LED的位置，背光單元可分為邊光式背光單元和直下式背光單元。在邊光式背光單元中，利用作為光源而布置在導(dǎo)光板的側(cè)表面上的LED，從光源進(jìn)入導(dǎo)光板的光用于液晶面板的背光。因此，邊光式背光單元可減少LED的數(shù)量，并且無(wú)須對(duì)LED中的質(zhì)量偏差進(jìn)行嚴(yán)格控制，從而能夠制造有利于成本的低功耗產(chǎn)品。然而，在邊光式背光單元中，難以克服液晶顯示器的角區(qū)域和中心區(qū)域之間的差別，并難以生成高質(zhì)量圖像。
[0004]可選擇地，直下式背光單元放置于液晶面板的下方并允許從面光源發(fā)射的光直接照明液晶面板的前側(cè)，其中，該面光源具有與液晶面板的面積基本相同的面積。直下式背光單元可克服液晶顯示器的角區(qū)域和中心區(qū)域之間的差別并可獲得高質(zhì)量圖像。
[0005]然而，在直下式背光單元中，如果每個(gè)用于背光的LED無(wú)法照明相對(duì)大的面積，則必須密集地布置許多LED，從而導(dǎo)致功耗的增加。此外，LED之間的質(zhì)量偏差導(dǎo)致的液晶面板的不均勻背光會(huì)難以確保均勻的屏幕照度。
[0006]尤其，隨著液晶面板的尺寸增加，直下式背光單元的尺寸也增加，從而導(dǎo)致直下式背光單元的穩(wěn)定性或可靠性的劣化。具體地，由于LED背光單元通過(guò)多個(gè)LED驅(qū)動(dòng)電路來(lái)控制供應(yīng)到多個(gè)LED組(S卩，LED陣列)的操作電流，所以隨著LED背光單元的尺寸增加，LED驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)量和相應(yīng)的LED陣列的數(shù)量顯著增加。結(jié)果，由于過(guò)電流、過(guò)電壓或過(guò)熱導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路損壞，會(huì)在彼此相鄰布置的多個(gè)LED或LED陣列之間發(fā)生開(kāi)路，從而使背光單元的穩(wěn)定性和可靠性劣化。
[0007]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中使用LED的典型背光單元的構(gòu)造框圖。參照?qǐng)D1，將更詳細(xì)地描述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題。如圖1中所示，典型的背光單元I包括背光控制模塊2和背光模塊5。
[0008]背光控制模塊2包括:操作發(fā)電機(jī)3，基于從外部電源輸入的輸入電壓Vin生成/輸出DC電力;操作控制器4，控制構(gòu)成背光模塊5的多個(gè)LED陣列6a?6n中的每個(gè)的操作。操作發(fā)電機(jī)3通常生成諸如12V、24V、48V等的DC電壓作為操作電力。
[0009]背光模塊5包括:多個(gè)LED陣列6a?6n，每個(gè)LED陣列由多個(gè)LED串聯(lián)連接形成；以及光學(xué)單元(未示出)，用于增強(qiáng)從多個(gè)LED陣列6a?6n發(fā)射的光的效能。在圖1中，背光單元5包括彼此并聯(lián)連接的η個(gè)LED陣列6a?6n，每個(gè)LED陣列包括五個(gè)彼此串聯(lián)連接的LED。在此，由于用于背光單元的每個(gè)LED通常具有在3V到6.5V范圍內(nèi)的正向電壓電平，并在連接至操作發(fā)電機(jī)3時(shí)難以單獨(dú)控制/操作，因此復(fù)數(shù)個(gè)LED彼此串聯(lián)連接以構(gòu)成LED陣列，使得能夠操作/控制每個(gè)LED陣列。在現(xiàn)有技術(shù)中的這種典型的背光單元1中，操作控制器4被構(gòu)造為: 響應(yīng)于外部調(diào)光信號(hào)(Dim)，通過(guò)針對(duì)供應(yīng)至背光模塊5的操作電力的脈沖寬度調(diào)制(PWM) 控制來(lái)控制構(gòu)成背光模塊5的全部LED陣列6a?6n的亮度。另外，在此典型的背光單元1中， 操作控制器4響應(yīng)于外部調(diào)光信號(hào)(Dim)調(diào)整流過(guò)n個(gè)LED陣列6a?6n中特定LED陣列的操作電流，以控制特定LED陣列的亮度。
[0010]在此典型背光單元1中使用的LED通常為能在低電壓和高電流下操作的單個(gè)單元 LED(single-cell LED)。例如，此單個(gè)單元LED具有3.6V的操作電壓并能在250?500mA的操作電流下工作。因此，為了控制由此單個(gè)單元LED構(gòu)成的背光模塊5的操作，現(xiàn)有技術(shù)中包括操作控制器4的外圍電路必須由能夠處理大電流的大容量電子裝置構(gòu)成，從而導(dǎo)致背光單元1的制造成本的增加。此外，由于前述的典型的單個(gè)單元LED的高電流操作特性，包括操作控制器4的外圍電路被損壞，從而導(dǎo)致背光單元1的穩(wěn)定性或可靠性的劣化。此外，單個(gè)單元 LED的高電流操作特性導(dǎo)致功耗增加和下垂現(xiàn)象。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本公開(kāi)旨在提供能夠使用包括多個(gè)發(fā)光單元的MJT LED在低電流下操作的背光模塊和包括其的背光單元。[〇〇12]此外，本公開(kāi)旨在提供能夠增加發(fā)光單元的有效發(fā)光面積的MJT LED芯片及其制造方法。[〇〇13]此外，本公開(kāi)旨在提供允許使用前述MJT LED在低電流下操作背光模塊的背光單元，從而提高用于控制背光模塊的操作的驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定性和可靠性并且能夠降低制造成本。[〇〇14]此外，本公開(kāi)旨在提供允許使用前述MJT LED在低電流下操作背光模塊的背光單元，從而在防止由于高電流操作導(dǎo)致的下垂現(xiàn)象的同時(shí)提高電源效率和發(fā)光效率。
[0015]此外，本公開(kāi)旨在提供由MJT LED構(gòu)成背光模塊的背光單元，從而在能夠單獨(dú)控制 MJT LED的同時(shí)使LED的數(shù)量最小化。
[0016]可通過(guò)本公開(kāi)的以下特點(diǎn)實(shí)現(xiàn)本公開(kāi)的上述和其他目的和有利效果。
[0017]根據(jù)本公開(kāi)的一方面，背光模塊包括:印刷電路板;多個(gè)MJT LED，設(shè)置在印刷電路板上；以及多個(gè)光學(xué)構(gòu)件，設(shè)置在MJT LED或印刷電路板上以對(duì)應(yīng)于MJT LED，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件包括光入射面和光出射面，其中，從對(duì)應(yīng)的MJT LED發(fā)射的光通過(guò)光入射面進(jìn)入光學(xué)構(gòu)件， 并且光通過(guò)光出射面以比對(duì)應(yīng)的MJT LED的光束角更寬的光束角射出光學(xué)構(gòu)件;其中，每個(gè) MJT LED包括:第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元，在生長(zhǎng)基底上彼此分開(kāi);第一透明電極層，放置在第一發(fā)光單元上并電連接到第一發(fā)光單元；電流阻擋層，放置在第一發(fā)光單元和第一透明電極層之間并且使第一透明電極層的一部分與第一發(fā)光單元分開(kāi);互連線，將第一發(fā)光單元電連接至第二發(fā)光單元；以及絕緣層，將互連線與第一發(fā)光單元的側(cè)表面分開(kāi)。在此，第二發(fā)光單元具有傾斜的側(cè)表面;互連線包括用于電連接至第一發(fā)光單元的第一連接部和用于電連接至第二發(fā)光單元的第二連接部。第一連接部在電流阻擋層的上部區(qū)域內(nèi)接觸第一透明電極層，第二連接部接觸第二發(fā)光單元的傾斜的側(cè)表面。
[0018]在一方面，每個(gè)MJT LED包括第一至第N發(fā)光單元(N為大于等于2的自然數(shù))，第N發(fā)光單元可使用與第一發(fā)光單元與第二發(fā)光單元之間的連接結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)電連接至第(N-1)發(fā)光單元。[〇〇19]在一方面，第一至第N發(fā)光單元彼此串聯(lián)連接，并且每個(gè)發(fā)光單元由2.5V到4V的操作電壓操作。在此，每個(gè)MJT LED可在至少10V或更大的操作電壓下操作。
[0020]在一方面，每個(gè)MJT LED包括均在3V至3.6V的操作電壓下操作的三個(gè)發(fā)光單元并在12V至14V的操作電壓下操作。
[0021]在一方面，光出射面包括形成在光學(xué)構(gòu)件的中心軸附近的凹部以及從凹部延伸并與光學(xué)構(gòu)件的中心軸分開(kāi)的凸部。
[0022]在一方面，光出射面包括全反射面以在光學(xué)構(gòu)件的中心軸下面形成頂點(diǎn)。
[0023]在一方面，光入射面包括形成在光學(xué)構(gòu)件的中心軸附近的開(kāi)口，開(kāi)口的高度為其寬度的1.5倍或更大。
[0024]在一方面，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件具有形成在底表面的面對(duì)印刷電路板的至少一部分上的光散射圖案。[0〇25] 在一方面，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件包括:下表面，具有凹部，從MJT LED發(fā)射的光通過(guò)下表面進(jìn)入光學(xué)構(gòu)件；以及上表面，通過(guò)凹部進(jìn)入光學(xué)構(gòu)件的光通過(guò)上表面從光學(xué)構(gòu)件出射。在此，上表面包括放置在光學(xué)構(gòu)件的中心軸處的凹面，下表面的凹部包括相對(duì)于中心軸垂直的表面和向下凸出的表面中的至少一個(gè)表面，相對(duì)于中心軸垂直的表面和向下凸出的表面中的所述至少一個(gè)表面可放置在比凹部的入口的區(qū)域更窄的區(qū)域中。
[0026]在一方面，光學(xué)構(gòu)件的上表面和凹部形成關(guān)于穿過(guò)光學(xué)構(gòu)件的中心軸的平面的鏡面對(duì)稱結(jié)構(gòu)。
[0027]在一方面，光學(xué)構(gòu)件的上表面和凹部形成關(guān)于光學(xué)構(gòu)件的中心軸的旋轉(zhuǎn)體形狀。
[0028]在一方面，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件具有光散射圖案，所述光散射圖案形成在下表面的凹部?jī)?nèi)的關(guān)于中心軸垂直的表面和向下凸出的表面中的至少一個(gè)表面上以及形成在比所述至少一個(gè)表面更靠近中心軸的表面上。
[0029]在一方面，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件具有形成在上表面的凹面上的光散射圖案。
[0030]在一方面，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件還包括具有與光學(xué)構(gòu)件的折射率不同的折射率的材料層，所述材料層位于下表面的凹部?jī)?nèi)的關(guān)于中心軸垂直的表面和向下凸出的表面中的至少一個(gè)表面上，并位于比所述至少一個(gè)表面更靠近中心軸的表面上。
[0031]在一方面，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件還包括位于上表面的凹面上的具有與光學(xué)構(gòu)件不同的折射率的材料層。
[0032] 在一方面，關(guān)于中心軸垂直的表面和向下凸出的表面中的至少一個(gè)表面被限定在比由拐點(diǎn)曲線圍繞的區(qū)域更窄的區(qū)域中，其中，上表面的凹面和其凸面在拐點(diǎn)曲線處相交。
[0033] 在一方面，關(guān)于中心軸垂直的表面和向下凸出的表面中的至少一個(gè)表面被限定在比發(fā)光二極管的光出射面的區(qū)域更窄的區(qū)域內(nèi)。
[0034] 在一方面，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件還包括連接上表面和下表面的凸緣，凹部?jī)?nèi)的關(guān)于中心軸垂直的表面和向下凸出的表面中的至少一個(gè)表面放置在凸緣的上方。[〇〇35]在一方面，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件具有光軸L、光入射部和光出射面，并由折射率高于鄰接光入射部的材料的折射率和鄰接光出射面的材料的折射率的材料形成。[〇〇36]在一方面，光入射部形成為使得從光軸L上的點(diǎn)(p)到光入射部的頂點(diǎn)的最短距離大于在與光軸L的夾角小于等于50°內(nèi)從點(diǎn)(p)到光入射部的側(cè)表面的最短距離(a)。
[0037]在一方面，光出射面的上部中心由平坦的表面或凸出的曲面形成。
[0038]在一方面，光入射部包括與發(fā)光二極管相鄰放置并具有圓形形狀的下入口，并在保持圓形形狀的同時(shí)具有向頂點(diǎn)逐漸收斂的形狀。
[0039]在一方面，光入射部的高度是下入口的半徑的1.5倍。
[0040]在一方面，鄰接光入射部的材料為空氣。
[0041]在一方面，鄰接光出射面的材料為空氣。
[0042]在一方面，光學(xué)構(gòu)件由樹(shù)脂或玻璃形成。
[0043]根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，背光單元包括:前述的背光模塊；以及背光控制模塊，將 DC操作電壓供應(yīng)至背光模塊內(nèi)的多個(gè)MJT LED并且獨(dú)立控制多個(gè)MJT LED中的每個(gè)的操作。 [〇〇44]在一方面，背光控制模塊將DC操作電壓供應(yīng)至背光模塊內(nèi)的多個(gè)MJT LED中的每個(gè)，并響應(yīng)于調(diào)光信號(hào)針對(duì)供應(yīng)至多個(gè)MJT LED中的至少一個(gè)MJT LED的DC操作電壓執(zhí)行脈沖寬度調(diào)制控制，以執(zhí)行所述至少一個(gè)MJT LED的調(diào)光控制。[〇〇45]在一方面，背光控制模塊允許對(duì)背光模塊內(nèi)的多個(gè)MJT LED中的每個(gè)的操作電流的獨(dú)立檢測(cè)和控制，并響應(yīng)于調(diào)光信號(hào)控制多個(gè)MJT LED中的至少一個(gè)MJT LED的操作電流以執(zhí)行所述至少一個(gè)MJT LED的調(diào)光控制。
[0046]根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，使用具有低電流操作特性的MJT LED來(lái)制造背光模塊，從而能夠?qū)崿F(xiàn)背光模塊和包括其的背光單元的低電流操作。[〇〇47]此外，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，互連線的一個(gè)連接部電接觸發(fā)光單元的傾斜的側(cè)表面，從而增大MJT LED芯片中的每個(gè)發(fā)光單元的有效發(fā)光面積。
[0048]此外，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，可以在降低制造成本的同時(shí)提高用于控制背光模塊的操作的驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定性和可靠性。
[0049]此外，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，背光單元具有提高的電源效率和照明效率并能夠防止由在大電流下操作導(dǎo)致的下垂現(xiàn)象。
[0050]此外，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，可以使組成背光模塊的LED的數(shù)量最小化并允許組成背光模塊的MJT LED的單獨(dú)操作?！靖綀D說(shuō)明】
[0051]通過(guò)結(jié)合附圖對(duì)下面實(shí)施例的詳細(xì)描述，本公開(kāi)的上述和其他方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，在附圖中:
[0052]圖1是在現(xiàn)有技術(shù)中包括LED的典型背光單元的配置框圖；
[0053]圖2是根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)示例性實(shí)施例的采用MJT LED的背光單元的示意性框圖；
[0054]圖3是根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)示例性實(shí)施例的MJT LED模塊的示意性剖視圖；
[0055]圖4是根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)示例性實(shí)施例的MJT LED的示意性透視圖；
[0056]圖5是根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)示例性實(shí)施例的MJT LED芯片的示意性平面圖；[〇〇57]圖6是沿圖5的線B-B截取的MJT LED芯片的示意性剖視圖；[〇〇58]圖7至圖13是示出根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)示例性實(shí)施例的制造MJT LED芯片的方法的示意性剖視圖；[〇〇59]圖14是根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)示例性實(shí)施例的MJT LED芯片的示意性剖視圖；
[0060]圖15至圖18是示出根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)示例性實(shí)施例的制造MJT LED芯片的方法的示意性剖視圖；
[0061]圖19示出根據(jù)本公開(kāi)的光學(xué)構(gòu)件的各種修改的剖視圖；[〇〇62]圖20示出說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的MJT LED模塊的光學(xué)構(gòu)件的剖視圖；[〇〇63]圖21是示出用于模擬的MJT LED模塊的尺寸的剖視圖；[〇〇64]圖22示出描繪圖21的光學(xué)構(gòu)件的形狀的曲線圖；
[0065]圖23示出進(jìn)入圖21的光學(xué)構(gòu)件的光束的傳播方向；[〇〇66]圖24示出描繪照度分布的曲線圖，其中，(a)為描繪MJT LED的照度分布的曲線圖， (b)為示出使用光學(xué)構(gòu)件的MJT LED模塊的照度分布的曲線圖；[〇〇67]圖25示出描繪光束分布的曲線圖，其中，(a)為描繪MJT LED的光束分布的曲線圖， (b)為描繪使用光學(xué)構(gòu)件的MJT LED模塊的光束分布的曲線圖；[〇〇68]圖26是根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)示例性實(shí)施例的MJT LED模塊的剖視圖；[〇〇69]圖27(a)、(b)和(c)是沿圖26的線a-a、b_b和c-c截取的MJT LED模塊的剖視圖； [〇〇7〇]圖28是在圖26中示出的MJT LED模塊的光學(xué)構(gòu)件的詳細(xì)視圖；[〇〇71]圖29示出使用圖28的光學(xué)構(gòu)件的MJT LED模塊的光束角度分布；[〇〇72]圖30是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的光學(xué)構(gòu)件的剖視圖；[〇〇73]圖31示出使用圖30的光學(xué)構(gòu)件的MJT LED模塊的光束角度分布曲線；
[0074]圖32a和圖32b示出根據(jù)比較示例1的光學(xué)構(gòu)件及其光束角度分布曲線；以及 [〇〇75]圖33a和圖33b示出根據(jù)比較示例2的光學(xué)構(gòu)件及其光束角度分布。【具體實(shí)施方式】
[0076]在下文中將參照示出本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的附圖更全面地描述本公開(kāi)。將描述這些實(shí)施例使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠容易地理解本公開(kāi)。在此，雖然在此公開(kāi)了各種實(shí)施例，但是應(yīng)理解的是，這些實(shí)施例并不意圖是排他性的。例如，具體實(shí)施例的獨(dú)立的結(jié)構(gòu)、元件或特征不受限于所述具體實(shí)施例，并在不脫離本公開(kāi)的精神和范圍的情況下可應(yīng)用到其他實(shí)施例。此外，應(yīng)理解的是，在不脫離本公開(kāi)的精神和范圍的情況下，可改變?cè)诿總€(gè)實(shí)施例中的獨(dú)立組件的位置或布置。因此，下面的實(shí)施例不解釋為對(duì)本公開(kāi)的限制，本公開(kāi)應(yīng)僅由權(quán)利要求及其等同物限定。相同的組件將由相同的附圖標(biāo)記表示，在全部附圖中沒(méi)有按比例繪制組件的長(zhǎng)度、面積、厚度和形狀。
[0077]現(xiàn)在，將參照附圖詳細(xì)地描述本公開(kāi)的示例性實(shí)施例以使其容易地由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)。[〇〇78]【本公開(kāi)的示例性實(shí)施例】
[0079]如在此使用的，術(shù)語(yǔ)“MJT LED芯片”意味著單個(gè)LED芯片，其中，多個(gè)發(fā)光單元經(jīng)由互連線彼此連接。MJT LED芯片可包括N個(gè)發(fā)光單元(N為大于等于2的整數(shù))，其中，可根據(jù)需要以各種方式設(shè)定N。此外，每個(gè)發(fā)光單元可具有在3V到3.6V范圍內(nèi)的正向電壓，但不限于此。因此，某個(gè)MJT LED芯片(或MJT LED)的正向電壓與包括在對(duì)應(yīng)的MJT LED芯片中的發(fā)光單元的數(shù)量成正比。由于可根據(jù)需要以各種方式設(shè)定包括在MJT LED芯片中的發(fā)光單元的數(shù)量，因此，根據(jù)本公開(kāi)的MJT LED可被構(gòu)造為根據(jù)在背光單元中使用的操作發(fā)電機(jī)(例如，DC轉(zhuǎn)換器)的規(guī)格而具有6V到36V的操作電壓，但不限于此。此外，MJT LED芯片的操作電流遠(yuǎn)小于典型的單個(gè)單元LED，并可在例如從20mA到40mA的范圍，但不限于此。
[0080]此外，術(shù)語(yǔ)“MJT LED”指其上安裝有根據(jù)本公開(kāi)的MJT LED芯片的發(fā)光裝置或LED 封裝件。[〇〇81 ] 此外，術(shù)語(yǔ)“MJT LED模塊”指如下組件，其中，單個(gè)MJT LED和與該MJT LED對(duì)應(yīng)的單個(gè)光學(xué)構(gòu)件彼此結(jié)合。對(duì)應(yīng)的光學(xué)構(gòu)件可直接放置在MJT LED上，或者可放置在其上安裝有MJT LED的印刷電路板上。與光學(xué)構(gòu)件的置換無(wú)關(guān)，單個(gè)MJT LED和與其對(duì)應(yīng)的單個(gè)光學(xué)構(gòu)件彼此結(jié)合的情況將被稱為MJT LED模塊。[〇〇82]此外，術(shù)語(yǔ)“背光模塊”意味著如下照明模塊，其中，多個(gè)MJT LED設(shè)置在印刷電路板上并且與各MJT LED對(duì)應(yīng)地設(shè)置光學(xué)構(gòu)件。因此，術(shù)語(yǔ)“背光模塊”可以意味著復(fù)數(shù)個(gè)MJT LED模塊以預(yù)定的方式安裝在印刷電路板上的照明模塊。在一方面，根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)示例性實(shí)施例的背光模塊可為直下式背光模塊。然而，應(yīng)理解的是本公開(kāi)不限于此。在其他實(shí)施例中，根據(jù)本公開(kāi)的背光模塊可用作用于面照明(surface lighting)的光源。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚的是，不管組件的名稱如何，包括根據(jù)本公開(kāi)的背光模塊的主題的任意組件落入本公開(kāi)的范圍內(nèi)。[〇〇83]使用MJT LED的背光單元的概述。[〇〇84]在給出根據(jù)本公開(kāi)的背光單元的詳細(xì)描述之前，將描述本公開(kāi)的一些技術(shù)特征。 本公開(kāi)基于MJT LED的特性以解決現(xiàn)有技術(shù)中的前述問(wèn)題。即，為了解決由現(xiàn)有技術(shù)中典型的單個(gè)單元LED的低電壓和高電流操作特性導(dǎo)致的問(wèn)題，已經(jīng)基于MJT LED的高電壓和低電流操作特性(例如，6V到36V的操作電壓和20mA到40mA的操作電流)創(chuàng)造了本公開(kāi)，并且本公開(kāi)提供使用此MJT LED的背光模塊。如上所述，不同于單個(gè)單元的LED，MJT LED可包括任意數(shù)量的發(fā)光單元并可根據(jù)包括在其中的發(fā)光單元的數(shù)量具有各種正向電壓。此外，由于MJT LED包括多個(gè)發(fā)光單元，因此其可比典型的單個(gè)單元LED照明更大的區(qū)域，由于MJT LED由單個(gè)MJT LED芯片組成，因此可容易地實(shí)現(xiàn)光學(xué)構(gòu)件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用。因此，當(dāng)使用此MJT LED 時(shí)，液晶面板中的多個(gè)劃分區(qū)域中的一個(gè)劃分區(qū)域可被一個(gè)MJT LED模塊(S卩，一個(gè)MJT LED 和一個(gè)光學(xué)構(gòu)件)覆蓋。結(jié)果，與典型的單個(gè)單元LED相比，背光模塊需要的LED的數(shù)量減少了。因此，根據(jù)本公開(kāi)，多個(gè)MJT LED模塊用于構(gòu)成背光模塊，并且背光單元被構(gòu)造為允許獨(dú)立地控制構(gòu)成背光模塊的每個(gè)MJT LED，從而實(shí)現(xiàn)本公開(kāi)的上述和其他目的。
[0085]現(xiàn)在，參照?qǐng)D2至圖4,將更詳細(xì)地描述根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)示例性實(shí)施例的背光單元 1000。
[0086]首先，圖2是根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)示例性實(shí)施例的采用MJT LED的背光單元的示意性框圖。參照?qǐng)D2,根據(jù)本實(shí)施例的背光單元1000包括背光控制模塊400和背光模塊300。[〇〇87]更具體地，根據(jù)本公開(kāi)的背光控制模塊400包括:操作發(fā)電機(jī)410,其基于從外部電源輸入的輸入電壓Vin生成/輸出DC電力；以及操作控制器420,控制構(gòu)成背光模塊300的多個(gè)MJT LED 100中的每個(gè)的操作(開(kāi)/關(guān)控制和調(diào)光控制)。操作發(fā)電機(jī)410通常生成諸如 12V、24V、48V等的穩(wěn)定的DC電壓作為操作電力并向構(gòu)成背光模塊300的多個(gè)MJT LED 100供應(yīng)DC電壓。在此，供應(yīng)至操作發(fā)電機(jī)410的輸入電壓Vin可為220V或110V的商用交流電壓。操作發(fā)電機(jī)410可具有與圖1中示出的典型的操作發(fā)電機(jī)410的構(gòu)造基本相同的構(gòu)造。[〇〇88] 根據(jù)此公開(kāi)的背光模塊300可包括多個(gè)MJT LED 100和與各個(gè)MJT LED 100對(duì)應(yīng)并以常規(guī)布置(例如，以矩陣布置)設(shè)置在印刷電路板(圖2未示出)上的光學(xué)構(gòu)件(圖2未示出)。在圖2示出的實(shí)施例中，假定M個(gè)MJT LED 100沿縱向方向設(shè)置，并且N個(gè)MJT LED 100沿橫向方向設(shè)置以在背光模塊300內(nèi)形成MXN矩陣布置。此外，放置在背光模塊的左側(cè)最上部的MJT LED將被稱為第1-1個(gè)MJT LED(100_11)，放置在背光模塊右側(cè)最下部的MJT LED將被稱為第M-N個(gè)MJT LED( 100_MN)。
[0089]在此，應(yīng)注意的是，與圖1中示出的現(xiàn)有技術(shù)不同，在根據(jù)圖2的實(shí)施例的背光模塊 300內(nèi)的MJT LED 100獨(dú)立連接到操作發(fā)電機(jī)410和操作控制器420,而不是彼此串聯(lián)、并聯(lián)或串聯(lián)/并聯(lián)連接。即，在圖2中示出的實(shí)施例中，每個(gè)MJT LED 100的陽(yáng)極端子獨(dú)立連接到操作發(fā)電機(jī)410并且每個(gè)MJT LED 100的陰極端子獨(dú)立連接到操作控制器420。
[0090]利用此構(gòu)造，根據(jù)此公開(kāi)的操作控制器420可獨(dú)立控制構(gòu)成背光模塊300的多個(gè) MJT LED 100中的每個(gè)的操作。更具體地，根據(jù)此公開(kāi)的操作控制器420可響應(yīng)于調(diào)光信號(hào) (Dim)控制多個(gè)MJT LED 100中特定MJT LED的調(diào)光電平。
[0091]在一個(gè)實(shí)施例中，根據(jù)本公開(kāi)的操作控制器420包括PWM(脈沖寬度調(diào)制)控制器 (未示出)，并且可通過(guò)針對(duì)被供應(yīng)至MJT LED 100中作為調(diào)光控制目標(biāo)的特定MJT LED的操作電力進(jìn)行脈沖寬度調(diào)制控制來(lái)執(zhí)行調(diào)光控制。具體地，不同于圖1中示出的現(xiàn)有技術(shù)中的典型背光單元，圖2中示出的根據(jù)本公開(kāi)的背光單元1000包括多個(gè)MJT LED 100,每個(gè)MJT LED 100連接至操作發(fā)電機(jī)410以獨(dú)立接收操作電力，從而能夠以這種脈沖寬度調(diào)制的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)光控制。例如，當(dāng)需要針對(duì)第1-1個(gè)MJT LED(100_11)進(jìn)行調(diào)光控制時(shí)，操作控制器 420響應(yīng)于調(diào)光信號(hào)(Dim)以預(yù)定的占空比(例如，60%)執(zhí)行所生成的操作電力的脈沖寬度調(diào)制，并將已修改的操作電力供應(yīng)至第1-1個(gè)MJT LED(100_11)以執(zhí)行第1-1個(gè)MJT LED (100_11)的調(diào)光控制。此時(shí)，未經(jīng)歷脈沖寬度調(diào)制并具有100 %的占空比的操作電力將被供應(yīng)至除了第1 -1個(gè)MJT LED(100 j 1)之外的其他MJT LED?？蛇x擇地，將經(jīng)歷常規(guī)占空比(例如，當(dāng)不提供單獨(dú)的調(diào)光控制時(shí)的80%的占空比)的脈沖寬度調(diào)制的操作電力提供至除了第1-1個(gè)MJT LED(100_11)之外的其余MJT LED。因此，根據(jù)本公開(kāi)的背光單元1000允許僅針對(duì)第1 -1個(gè)MJT LED(100_11)進(jìn)行局部調(diào)光。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚的是，可通過(guò)PWM 針對(duì)多個(gè)MJT LED以相同的調(diào)光電平和/或?qū)Ω鱾€(gè)MJT LED以不同的調(diào)光電平來(lái)執(zhí)行同步調(diào)光控制。用于操作電力的PWM控制的PWM控制器是本領(lǐng)域公知的，因此將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。[〇〇92] 在另一個(gè)實(shí)施例中，根據(jù)本公開(kāi)的操作控制器420包括:操作電流檢測(cè)器(未示出) 和操作電流控制器(未示出)，并且可以通過(guò)控制被供應(yīng)到MJT LED 100中作為調(diào)光控制目標(biāo)的那個(gè)特定MJT LED的操作電流來(lái)執(zhí)行調(diào)光控制。具體地，不同于圖1示出的典型背光單元，在圖2示出的根據(jù)本公開(kāi)的背光單元1000中，復(fù)數(shù)個(gè)MJT LED 100中的每個(gè)被獨(dú)立連接至操作控制器420,從而能夠通過(guò)控制每個(gè)MJT LED的操作電流來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)光控制。在此，操作控制器420中包括的操作電流檢測(cè)器和操作電流控制器與每個(gè)MJT LED 100—一對(duì)應(yīng)。因此，當(dāng)背光模塊300由如上所述的MXN個(gè)MJT LED100組成時(shí)，操作控制器420包括MXN個(gè)操作電流檢測(cè)器和MXN個(gè)操作電流控制器。例如，當(dāng)需要針對(duì)第M-N個(gè)MJT LED(100_MN)進(jìn)行調(diào)光控制時(shí)，操作控制器420使用操作電流檢測(cè)器來(lái)檢測(cè)流過(guò)第M-N個(gè)MJT LED(100_MN)的操作電流，并響應(yīng)于調(diào)光信號(hào)(Dim)而改變流過(guò)第M-N個(gè)MJT LED(100_MN)的操作電流(例如，改變至最大操作電流的100 % )，從而執(zhí)行針對(duì)第M-N個(gè)MJT LED(100_MN)的調(diào)光控制。在此，由于常規(guī)操作電流(預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)操作電流，例如，當(dāng)沒(méi)有單獨(dú)的調(diào)光控制時(shí)，最大操作電流的80%)流過(guò)除了第M-N個(gè)MJT LED(100_MN)之外的其他MJT LED，因此可僅針對(duì)第M-N個(gè) MJT LED(100_MN)執(zhí)行局部調(diào)光。本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚的是，可通過(guò)同步控制針對(duì)多個(gè) MJT LED的操作電流以相同的調(diào)光電平執(zhí)行多個(gè)MJT LED的調(diào)光控制，和/或?qū)τ诟鱾€(gè)MJT LED以不同的調(diào)光電平執(zhí)行多個(gè)MJT LED調(diào)光控制。與圖2中示出的實(shí)施例不同，在此實(shí)施例中，由于不需要向MJT LED 100獨(dú)立供應(yīng)操作電力，所以每個(gè)MJT LED100的陽(yáng)極端子可以并聯(lián)地連接至與操作發(fā)電機(jī)410相連接的一條操作電源線。操作電流檢測(cè)器和操作電流控制器是本領(lǐng)域公知的，因此將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0093] MJT LED和MJT LED模塊的概述。[〇〇94]圖3是根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)示例性實(shí)施例的MJT LED模塊的示意性剖視圖，圖4是根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)不例性實(shí)施例的MJT LED的不意性透視圖。現(xiàn)在，將參照?qǐng)D3和圖4描述根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的MJT LED 100和MJT LED模塊的詳細(xì)構(gòu)造。
[0095] 參照?qǐng)D3，MJT LED模塊包括MJT LED 100和光學(xué)構(gòu)件130。當(dāng)MJT LED 100安裝在印刷電路板110上時(shí)，相應(yīng)的光學(xué)構(gòu)件130安裝在印刷電路板110上與MJT LED 100對(duì)應(yīng)的位置處。如上所述，在其他實(shí)施例中，光學(xué)構(gòu)件130可直接連接到MJT LED 100。雖然在圖3中部分地示出了印刷電路板110,但是多個(gè)MJT LED 100和其對(duì)應(yīng)的光學(xué)構(gòu)件130以各種布置(諸如矩陣布置或蜂窩布置)設(shè)置在單個(gè)印刷電路板110上，以形成上述的背光模塊300。[〇〇96]印刷電路板110在其上表面上形成有導(dǎo)電焊盤(land)圖案，MJT LED100的端子接合到所述導(dǎo)電焊盤圖案。此外，印刷電路板110可以包括位于其上表面上的反射層。印刷電路板110可以是基于具有良好導(dǎo)熱性的金屬的MCPCB(金屬核PCB)。可選擇地，印刷電路板 110可由諸如FR4的絕緣基底材料形成。雖然未示出，但印刷電路板110可在其下側(cè)設(shè)置散熱器以散發(fā)來(lái)自MJT LED 100的熱量。[〇〇97]如在圖4中清晰地示出的，MJT LED 100可包括:殼體121 ;MJT LED芯片123,安裝在殼體121上；以及波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層125,覆蓋MJT LED芯片123 JJT LED 100還包括由殼體121支持的引線端子(未示出)。[〇〇98]殼體121形成封裝主體并可由塑料樹(shù)脂(諸如PA、PPA等)的注塑形成。在此情況下， 殼體121可通過(guò)注塑工藝形成為支持引線端子的狀態(tài)，并可具有用于安裝MJT LED芯片123 的腔121a。腔121a限定MJT LED 100的發(fā)光面積。
[0099]引線端子在殼體121內(nèi)彼此分離并且延伸至殼體121的外部以接合到印刷電路板 110上的焊盤圖案。
[0100]MJT LED芯片123安裝在腔121a的底部上并電連接到引線端子。MJT LED芯片123可為發(fā)射UV光或藍(lán)光的氮化鎵基MJT LED。下面將參照?qǐng)D5至圖18詳細(xì)描述根據(jù)本公開(kāi)的MJT LED芯片123的詳細(xì)構(gòu)造及其制造方法。
[0101]波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層125覆蓋MJT LED芯片123。在一個(gè)實(shí)施例中，可在MJT LED芯片123被安裝在腔121a中之后，通過(guò)用包含磷光體的模塑樹(shù)脂填充腔121a來(lái)形成波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層125。此時(shí)，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層125可填充殼體121的腔121a并具有基本平坦或凸起的上表面。此外，可在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層125上形成具有光學(xué)構(gòu)件的形狀的模塑樹(shù)脂。
[0102]在另一個(gè)實(shí)施例中，可以在殼體121上安裝具有通過(guò)保形涂覆形成的磷光體涂層的MJT LED芯片123。具體地，可通過(guò)保形涂覆在MJT LED芯片123上形成磷光體涂層，可在殼體121上安裝具有保形涂層的MJT LED芯片123?？捎猛该鳂?shù)脂模塑具有保形涂層的MJT LED 芯片123。此外，模塑樹(shù)脂可具有光學(xué)構(gòu)件的形狀，因此可作為初級(jí)光學(xué)構(gòu)件。[〇1〇3]波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層125轉(zhuǎn)換從MJT LED芯片123發(fā)射的光的波長(zhǎng)以提供混合顏色的光，例如，白光。
[0104] MJT LED 100被設(shè)計(jì)為具有鏡面對(duì)稱結(jié)構(gòu)的光束分布，特別地，具有旋轉(zhuǎn)對(duì)稱結(jié)構(gòu)的光束分布。此時(shí)，將MJT LED的指向光束分布的中心的軸定義為光軸L。即，MJT LED 100被設(shè)計(jì)為具有關(guān)于光軸L左右對(duì)稱的光束分布。通常，殼體121的腔121a可具有鏡面對(duì)稱結(jié)構(gòu)， 光軸L可被定義為穿過(guò)腔121a的中心的直線。[〇1〇5] 光學(xué)構(gòu)件130包括光入射面和光出射面，從MJT LED 100發(fā)射的光通過(guò)光入射面進(jìn)入光學(xué)構(gòu)件，光通過(guò)光出射面以比MJT LED 100的光束分布更寬的光束分布從光學(xué)構(gòu)件出射，從而能夠?qū)崿F(xiàn)從MJT LED 100發(fā)射的光的均勻分布。下面將參照?qǐng)D19至圖33描述根據(jù)本公開(kāi)的光學(xué)構(gòu)件130。[〇1〇6] MJT LED芯片的構(gòu)造及其制造方法
[0107]接下來(lái)，將參照?qǐng)D5至圖18更詳細(xì)地描述根據(jù)本公開(kāi)的安裝在MJT LED上的MJT LED芯片123的構(gòu)造及其制造方法。[〇1〇8]圖5是根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)示例性實(shí)施例的MJT LED芯片的示意性平面圖，圖6是沿圖5的線B-B截取的MJT LED芯片的示意性剖視圖。[〇1〇9] 參照?qǐng)D5和圖6，MJT LED芯片123包括生長(zhǎng)基底51、發(fā)光單元S1和S2、透明電極層 61、電流阻擋層60a、絕緣層60b、絕緣保護(hù)層63和互連線65。此外，MJT LED芯片123可包括緩沖層53。
[0110]生長(zhǎng)基底51可為絕緣或?qū)щ娀?，并可包括，例如，藍(lán)寶石基底、氮化鎵基底、碳化硅(SiC)基底或硅基底。此外，生長(zhǎng)基底51可以像在圖案化的藍(lán)寶石基底中那樣在其上表面上具有凹凸圖案(未示出)。
[0111]第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2在單個(gè)生長(zhǎng)基底51上彼此相互分開(kāi)。第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2中的每個(gè)具有堆疊結(jié)構(gòu)56,所述堆疊結(jié)構(gòu)56包括下半導(dǎo)體層55、 放置在下半導(dǎo)體層的區(qū)域上的上半導(dǎo)體層59以及置于下半導(dǎo)體層和上半導(dǎo)體層之間的活性層57。在此，上半導(dǎo)體層和下半導(dǎo)體層可分別為n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層，或反之。 [〇112]下半導(dǎo)體層55、活性層57和上半導(dǎo)體層59中的每個(gè)可由氮化鎵基半導(dǎo)體材料，即， (Al，In，Ga)N，形成。基于光(例如，UV光或藍(lán)光)的期望的波長(zhǎng)來(lái)確定活性層57的組成元素和比率，下半導(dǎo)體層55和上半導(dǎo)體層59由帶隙比活性層57的帶隙更大的材料形成。[〇113]如在圖5中示出的，下半導(dǎo)體層55和/或上半導(dǎo)體層59可具有單層結(jié)構(gòu)。可選擇地， 這些半導(dǎo)體層可具有多層結(jié)構(gòu)。此外，活性層57可具有單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。
[0114]第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2中的每個(gè)發(fā)光單元可具有傾斜的側(cè)表面，所述傾斜的側(cè)表面相對(duì)于生長(zhǎng)基底51的上表面的傾角可在例如從15°到80°的范圍。
[0115]活性層57和上半導(dǎo)體層59放置在下半導(dǎo)體層55上。下半導(dǎo)體層55的上表面可完全被活性層57覆蓋使得僅暴露其側(cè)表面。
[0116]雖然圖6中示出了第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2的部分，但是第一發(fā)光單元 S1和第二發(fā)光單元S2可具有與如在圖5中示出的結(jié)構(gòu)相似或相同的結(jié)構(gòu)。即，第一發(fā)光單元 S1和第二發(fā)光單元S2可具有相同的氮化鎵基半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)，并可具有相同結(jié)構(gòu)的傾斜的側(cè)表面。
[0117]緩沖層53可置于發(fā)光單元S1、S2和生長(zhǎng)基底51之間。緩沖層53緩解生長(zhǎng)基底51和形成于其上的下半導(dǎo)體層55之間的晶格失配。
[0118]透明電極層61放置在發(fā)光單元S1、S2中的每個(gè)上。即，第一透明電極層61放置在第一發(fā)光單元S1上，第二透明電極層61放置在第二發(fā)光單元S2上。透明電極層61可放置在上半導(dǎo)體層59上以連接至上半導(dǎo)體層59并可具有比上半導(dǎo)體層59更窄的區(qū)域。即，透明電極層61可從上半導(dǎo)體層59的邊緣凹入。利用此結(jié)構(gòu)，可防止電流通過(guò)發(fā)光單元S1、S2的側(cè)表面擁擠在透明電極層61的邊緣處。
[0119] 在另一方面，電流阻擋層60a可放置在發(fā)光單元S1、S2中的每個(gè)發(fā)光單元上。即，電流阻擋層60a放置在透明電極層61和發(fā)光單元S1、S2中的每個(gè)之間。透明電極層61的一部分放置在電流阻擋層60a上。電流阻擋層60a可放置于靠近發(fā)光單元S1、S2中的每個(gè)的邊緣處， 但不限于此?？蛇x擇地，電流阻擋層60a可放置在發(fā)光單元S1、S2中每個(gè)的中心區(qū)域。電流阻擋層60a由絕緣材料形成，特別地，可包括具有不同折射率的層彼此交替堆疊的分布式布拉格反射器。[〇12〇]絕緣層60b覆蓋第一發(fā)光單元S1的側(cè)表面的一部分。如在圖5和圖6中所示，絕緣層 60b可延伸至第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2之間的區(qū)域，并可覆蓋第二發(fā)光單元S2的下半導(dǎo)體層55的側(cè)表面的一部分。絕緣層60b可具有與電流阻擋層60a相同的結(jié)構(gòu)和相同的材料，并可包括分布式布拉格反射器，但不限于此。絕緣層60b可通過(guò)不同的工藝由與電流阻擋層60a不同的材料形成。在此，當(dāng)絕緣層60b為由堆疊多層形成的分布式布拉格反射器時(shí)，可有效地抑制缺陷(諸如絕緣層60b中的針孔)的產(chǎn)生。絕緣層60b可連接至電流阻擋層 60a以形成連續(xù)層，但不限于此。在其他實(shí)施例中，絕緣層60b可與電流阻擋層60a分開(kāi)。
[0121] 互連線65將第一發(fā)光單元S1電連接至第二發(fā)光單元S2?；ミB線65包括第一連接部 65p和第二連接部65n。第一連接部65p電連接至第一發(fā)光單元S1上的透明電極層61，第二連接部65n電連接至第二發(fā)光單元S2的下半導(dǎo)體層55。第一連接部65p可被放置于靠近第一發(fā)光單元S1的一個(gè)邊緣處，但不限于此。在其他的實(shí)施例中，第一連接部65p可放置在第一發(fā)光單元S1的中心區(qū)域中。
[0122]第二連接部65n可接觸第二發(fā)光單元S2的傾斜的側(cè)表面，特別地，可接觸第二發(fā)光單元S2的下半導(dǎo)體層55的傾斜的側(cè)表面。另外，如在圖5中所示，第二連接部65n可在沿著第二發(fā)光單元S2的外周延伸至兩側(cè)的同時(shí)電接觸下半導(dǎo)體層55的傾斜的側(cè)表面。第一發(fā)光單元S1通過(guò)互連線65的第一連接部65p和第二連接部65n與第二發(fā)光單元S2串聯(lián)連接。
[0123]互連線65可以在與透明電極層61重疊的區(qū)域上方與透明電極層61接觸。在現(xiàn)有技術(shù)中，絕緣層的一部分被放置在透明電極層和互連線之間。相反，根據(jù)本公開(kāi)，互連線65可在沒(méi)有任何絕緣材料置于其間的情況下直接接觸透明電極層61。
[0124] 此外，電流阻擋層60a可放置在互連線65與透明電極層61之間的重疊區(qū)域上方，電流阻擋層60a和絕緣層60b可放置在互連線65與第一發(fā)光單元S1之間的重疊區(qū)域上方。此夕卜，絕緣層60b可在第二發(fā)光單元S2和互連線65之間被放置在除了互連線65與第二發(fā)光單元S2之間的連接區(qū)域之外的其他區(qū)域中。
[0125]在圖5中，互連線65的第一連接部65p和第二連接部65n通過(guò)雙通道彼此連接。然而，應(yīng)理解的是，第一連接部和第二連接部可經(jīng)由單通道彼此連接。
[0126]當(dāng)電流阻擋層60a和絕緣層60b具有類似于分布式布拉格反射器的反射特性時(shí)，電流阻擋層60a和絕緣層60b優(yōu)選放置在與互連線65的區(qū)域基本相同的區(qū)域中，位于面積小于等于互連線65的面積的兩倍的區(qū)域內(nèi)。電流阻擋層60a和絕緣層60b阻擋從活性層57發(fā)射的光使其不被吸收到互連線65中。然而，當(dāng)占用過(guò)大的面積時(shí)，電流阻擋層60a和絕緣層60b會(huì)阻擋光發(fā)射到外部。因此，需要對(duì)其面積進(jìn)行限制。
[0127]絕緣保護(hù)層63可放置在互連線65的區(qū)域的外部。絕緣保護(hù)層63在互連線65的區(qū)域的外部覆蓋第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2。絕緣保護(hù)層63可由氧化硅(Si02)或氮化硅形成。絕緣保護(hù)層63具有開(kāi)口，通過(guò)該開(kāi)口暴露第一發(fā)光單元S1上的透明電極層61和第二發(fā)光單元S2的下半導(dǎo)體層，互連線65可放置在開(kāi)口內(nèi)。
[0128]絕緣保護(hù)層63的側(cè)表面和互連線65的側(cè)表面可彼此面對(duì)，并且可以彼此接觸?？蛇x擇地，絕緣保護(hù)層63的側(cè)表面和互連線65的側(cè)表面可以在彼此面對(duì)的同時(shí)彼此分開(kāi)。
[0129]根據(jù)本實(shí)施例，由于互連線65的第二連接部65n電接觸第二發(fā)光單元S2的傾斜的側(cè)表面，因此無(wú)需暴露第二發(fā)光單元S2的下半導(dǎo)體層55的上表面。因此，不需要部分地去除第二半導(dǎo)體層59和活性層57,從而增大了MJT LED芯片123的有效發(fā)光面積。[〇13〇]此外，電流阻擋層60a和絕緣層60b可由相同的材料形成并可具有相同的結(jié)構(gòu)，因此可由相同的工藝同時(shí)形成。此外，由于互連線65放置在絕緣保護(hù)層63的開(kāi)口內(nèi)，因此可以使用同一個(gè)掩模圖案來(lái)形成絕緣保護(hù)層63和互連線65掩模。
[0131]雖然在此實(shí)施例中示出了包括第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2的兩個(gè)發(fā)光單元，但是應(yīng)理解的是，本公開(kāi)不限于此。即，更多數(shù)量的發(fā)光單元可經(jīng)由互連線65彼此電連接。例如，互連線65可將相鄰發(fā)光單元的下半導(dǎo)體層55和透明電極層61彼此電連接以形成發(fā)光單元的串聯(lián)陣列。可形成多個(gè)這樣的陣列并使這些陣列彼此反向并聯(lián)地連接，以使這些陣列被連接到其的AC電源所操作。此外，橋式整流器(未示出)可連接至發(fā)光單元的串聯(lián)陣列以允許由AC電源操作發(fā)光單元。可通過(guò)使用互連線65橋接具有與發(fā)光單元S1和S2的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)的發(fā)光單元來(lái)形成橋式整流器。
[0132]圖7至圖13是示出根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)示例性實(shí)施例的制造MJT LED芯片的方法的示意性剖視圖。
[0133]參照?qǐng)D7,在生長(zhǎng)基底51上形成包括下半導(dǎo)體層55、活性層57和上半導(dǎo)體層59的半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)56。此外，可在形成下半導(dǎo)體層55之前在生長(zhǎng)基底51上形成緩沖層53。
[0134]可由從藍(lán)寶石(Al2〇3)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵 (GaP)、鋰鋁(LiAl2〇3)、氮化硼(BN)、氮化鋁(A1N)和氮化鎵(GaN)中選擇的材料形成生長(zhǎng)基底51，但不限于此。即，可基于將要形成在生長(zhǎng)基底51上的半導(dǎo)體層的材料以各種方式選擇生長(zhǎng)基底51的材料。此外，生長(zhǎng)基底51可以像在圖案化的藍(lán)寶石基底中那樣在其上表面上具有凹凸圖案。
[0135]形成緩沖層53以緩解生長(zhǎng)基底51和形成于其上的半導(dǎo)體層55之間的晶格失配，并且可以由例如氮化鎵(GaN)或氮化鋁(A1N)來(lái)形成緩沖層53。當(dāng)生長(zhǎng)基底51為導(dǎo)電基底時(shí)， 優(yōu)選由絕緣層或半絕緣層來(lái)形成緩沖層53。例如，可由A1N或半絕緣GaN形成緩沖層53。
[0136]可以由氮化鎵基半導(dǎo)體材料(例如，(Al，In，Ga)N)來(lái)形成下半導(dǎo)體層55、活性層57 和上半導(dǎo)體層59中的每個(gè)層?？梢酝ㄟ^(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(M0CVD)、分子束外延、氫化物氣相外延(HVPE)等間歇地或連續(xù)地形成下半導(dǎo)體層55、上半導(dǎo)體層59和活性層57。
[0137]在此，下半導(dǎo)體層和上半導(dǎo)體層可為n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層，或反之。在氮化鎵基化合物半導(dǎo)體層中，可通過(guò)摻雜n型雜質(zhì)(例如，硅(Si))形成n型半導(dǎo)體層，并且可由摻雜P型雜質(zhì)(例如，鎂(Mg))形成p型半導(dǎo)體層。
[0138]參照?qǐng)D8，通過(guò)光刻和蝕刻工藝來(lái)形成彼此分開(kāi)的多個(gè)發(fā)光單元S1和S2。發(fā)光單元 S1、S2中的每個(gè)可被形成為具有傾斜的側(cè)表面。在制造MJT LED芯片的典型方法中，執(zhí)行額外的光刻和蝕刻工藝以部分暴露發(fā)光單元S1、S2中每個(gè)的下半導(dǎo)體層55的上表面。然而，在此實(shí)施例中，省略為了部分暴露下半導(dǎo)體層55的上表面而執(zhí)行的光刻和蝕刻工藝。
[0139]參照?qǐng)D9,形成覆蓋第一發(fā)光單元S1上的一些區(qū)域的電流阻擋層60a和部分覆蓋第一發(fā)光單元S1的側(cè)表面的絕緣層60b。絕緣層60b可在部分覆蓋第二發(fā)光單元S2的下半導(dǎo)體層55的側(cè)表面的同時(shí)延伸至覆蓋第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2之間的區(qū)域。
[0140]可通過(guò)沉積絕緣材料層隨后由光刻和蝕刻進(jìn)行圖案化來(lái)形成電流阻擋層60a和絕緣層60b?？蛇x擇地，可通過(guò)剝離技術(shù)由絕緣材料形成電流阻擋層60a和絕緣層60b。特別地， 電流阻擋層60a和絕緣層60b中的每個(gè)可以是通過(guò)交替堆疊具有不同折射率的層(例如， Si02層和Ti02層)形成的分布式布拉格反射器。當(dāng)絕緣層60b為由堆疊多層形成的分布式布拉格反射器時(shí)，可有效地抑制在絕緣層60b中產(chǎn)生諸如針孔的缺陷，從而絕緣層60b可形成為比現(xiàn)有技術(shù)更小的厚度。
[0141]如在圖9中所示，電流阻擋層60a和絕緣層60b可彼此連接。然而，應(yīng)理解的是本公開(kāi)不限于此。
[0142]然后在第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2上形成透明電極層61?？捎裳趸熷a (IT0)層、諸如氧化鋅層的導(dǎo)電氧化層、或諸如Ni/Au的金屬層形成透明電極層61。透明電極層61連接至上半導(dǎo)體層59并部分放置在電流阻擋層60a上?？捎蓜冸x工藝形成透明電極層 61，但不限于此。可選擇地，可由光刻和蝕刻工藝形成透明電極層61。
[0143]參照?qǐng)D10,形成絕緣保護(hù)層63以覆蓋第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2。絕緣保護(hù)層63覆蓋透明電極層61和絕緣層60b。此外，絕緣保護(hù)層63可覆蓋第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2的全部區(qū)域。可通過(guò)化學(xué)氣相沉積由絕緣材料層(諸如，氧化硅或氮化硅層)形成絕緣保護(hù)層63。
[0144]參照?qǐng)D11，在絕緣保護(hù)層63上形成具有開(kāi)口的掩模圖案70。掩模圖案70的開(kāi)口對(duì)應(yīng)于互連線的區(qū)域。之后，通過(guò)借助掩模圖案70的蝕刻來(lái)去除絕緣保護(hù)層63的一些區(qū)域。因此，在絕緣保護(hù)層63上形成開(kāi)口以在暴露第二發(fā)光單元S2的下半導(dǎo)體層55的傾斜的側(cè)表面的同時(shí)暴露透明電極層61和絕緣層60b的一些。
[0145]參照?qǐng)D12,利用保留在絕緣保護(hù)層63上的掩模圖案70,沉積導(dǎo)電材料以在掩模圖案70的開(kāi)口內(nèi)形成互連線65。在此，掩模圖案70上會(huì)沉積一些導(dǎo)電材料65a。可通過(guò)電鍍、電子束蒸鍍、濺射等沉積導(dǎo)電材料。
[0146]參照?qǐng)D11，從掩膜圖案70去除掩模圖案70和一些導(dǎo)電材料65a。因此，完成使第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2彼此電連接的互連線65。[〇147]在此，互連線65的第一連接部65p連接至第一發(fā)光單元S1的透明電極層61，其第二連接部65n連接至第二發(fā)光單元S2的下半導(dǎo)體層55的傾斜的側(cè)表面。互連線65的第一連接部65p可連接至電流阻擋層60a的上部區(qū)域內(nèi)的透明電極層60a?；ミB線65通過(guò)絕緣層60b與第一發(fā)光單元S1的側(cè)表面分開(kāi)。
[0148]在此實(shí)施例中，通過(guò)同一道工藝形成電流阻擋層60a和絕緣層60b。因此，可使用同一個(gè)掩模圖案70形成絕緣保護(hù)層63和互連線65,從而即使增加了電流阻擋層60a也可使用相同數(shù)量的曝光工藝制造MJT LED芯片。
[0149]圖14是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的MJT LED芯片的示意性剖視圖。[〇15〇] 參照?qǐng)D14,根據(jù)此實(shí)施例的MJT LED芯片總體上類似于參照?qǐng)D5和圖6描述的MJT LED芯片，并且還包括透明導(dǎo)電層62。
[0151] 生長(zhǎng)基底51、發(fā)光單元S1和S2、緩沖層53、透明電極層61、電流阻擋層60a、絕緣層 60b、絕緣保護(hù)層63和互連線65與參照?qǐng)D5和圖6描述的發(fā)光二極管類似，因此將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0152]透明導(dǎo)電層62放置在絕緣層60b和互連線65之間。透明導(dǎo)電層62具有比絕緣層60b 更窄的寬度，從而防止由透明導(dǎo)電層62導(dǎo)致的上半導(dǎo)體層59和下半導(dǎo)體層55的短路。
[0153]另一方面，透明導(dǎo)電層62連接至第一透明電極層61，并可將第一透明電極層61電連接至第二發(fā)光單元S2。例如，透明導(dǎo)電層62可在其一端連接至第二發(fā)光單元的下半導(dǎo)體層55。此外，當(dāng)兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光單元連接至透明導(dǎo)電層62時(shí)，第二透明導(dǎo)電層62可從第二發(fā)光單元S2上的第二透明電極層61延伸。
[0154]在此實(shí)施例中，由于透明導(dǎo)電層62被放置于互連線65和絕緣層60b之間，因此即使在互連線65斷開(kāi)的情況下電流也可流過(guò)透明導(dǎo)電層62,從而改善MJT LED芯片的電穩(wěn)定性。
[0155]圖15至圖18是示出根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的制造MJT LED芯片的方法的示意性剖視圖。
[0156]參照?qǐng)D15,首先，參照?qǐng)D7和圖8所述，在生長(zhǎng)基底51上形成半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)56,通過(guò)光刻和蝕刻工藝形成彼此分開(kāi)的多個(gè)發(fā)光單元S1和S2。之后，參照?qǐng)D9所述，形成覆蓋第一發(fā)光單元S1上的區(qū)域的電流阻擋層60a和部分覆蓋第一發(fā)光單元S1的側(cè)表面的絕緣層 60b 〇
[0157] 如參照?qǐng)D9描述的，電流阻擋層60a和絕緣層60b中的每個(gè)可以包括通過(guò)交替地堆疊具有不同折射率的層(例如，Si02層和Ti02層)形成的分布式布拉格發(fā)射器。當(dāng)絕緣層60b 包括由堆疊多層形成的分布式布拉格反射器時(shí)，可有效地抑制在絕緣層60b中形成諸如針孔的缺陷，從而絕緣層60b可形成為比現(xiàn)有技術(shù)中更薄的厚度。
[0158]然后在第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2上形成透明電極層61。如參照?qǐng)D9所述， 可由氧化銦錫(IT0)層、諸如氧化鋅層的導(dǎo)電氧化層、或諸如Ni/Au的金屬層形成透明電極層61。透明電極層61連接至上半導(dǎo)體層59并部分放置在電流阻擋層60a上。可由剝離工藝形成透明電極層61，但不限于此?？蛇x擇地，可由光刻和蝕刻工藝形成透明電極層61。
[0159]在透明電極層61的形成期間，形成透明導(dǎo)電層62?？墒褂孟嗤牟牧虾拖嗤墓に嚺c透明電極層61—同形成透明導(dǎo)電層62。透明導(dǎo)電層62形成在絕緣層60b上并可連接至透明電極層61。此外，透明導(dǎo)電層62可在其一端電連接至第二發(fā)光單元S2的下半導(dǎo)體層55 的傾斜的側(cè)表面。[〇16〇] 參照?qǐng)D16,形成絕緣保護(hù)層63以覆蓋第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2。絕緣保護(hù)層63覆蓋透明電極層61、透明導(dǎo)電層62、絕緣層60b。此外，絕緣保護(hù)層63可以覆蓋第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2的全部區(qū)域?？赏ㄟ^(guò)化學(xué)氣相沉積，由諸如氧化硅或氮化硅的絕緣材料層形成絕緣保護(hù)層63。
[0161]參照?qǐng)D17,如參照?qǐng)D11描述的，在絕緣保護(hù)層63上形成具有開(kāi)口的掩模圖案70。掩模圖案70的開(kāi)口對(duì)應(yīng)于互連線的區(qū)域。之后，通過(guò)借助掩模圖案70蝕刻來(lái)去除絕緣保護(hù)層 63的一部分。結(jié)果，在絕緣保護(hù)層63上形成開(kāi)口以在暴露第二發(fā)光單元S2的下半導(dǎo)體層55 的傾斜的側(cè)表面的同時(shí)暴露透明電極層61和透明導(dǎo)電層62的一些。此外，通過(guò)開(kāi)口部分地暴露絕緣層60b。
[0162]參照?qǐng)D18,如參照?qǐng)D12描述的，利用保留在絕緣保護(hù)層63上的掩模圖案70,沉積導(dǎo)電材料以在掩模圖案70的開(kāi)口內(nèi)形成互連線65。
[0163]之后，參照?qǐng)D13,從掩膜圖案70去除掩模圖案70和一些導(dǎo)電材料65a。結(jié)果，完成使第一發(fā)光單元S1和第二發(fā)光單元S2彼此電連接的互連線65。
[0164]在參照?qǐng)D7至圖13描述的實(shí)施例中，在絕緣保護(hù)層63的蝕刻期間會(huì)損壞絕緣層 60b。例如，當(dāng)絕緣保護(hù)層63經(jīng)歷使用包含例如氫氟酸的蝕刻劑蝕刻時(shí)，包含氧化層的絕緣層60b會(huì)被蝕刻劑損壞。在此情況下，絕緣層60b無(wú)法使互連線65與第一發(fā)光單元S1絕緣，從而導(dǎo)致短路。
[0165]然而，在本實(shí)施例中，由于透明導(dǎo)電層放置在絕緣層60b上，從而可保護(hù)透明導(dǎo)電層62下面的絕緣層60b避免蝕刻損壞。結(jié)果，可防止由互連線65導(dǎo)致的短路。
[0166]在此實(shí)施例中，可以通過(guò)同一道工藝形成透明電極層61和透明導(dǎo)電層62。因此，可在增加透明電極層62的同時(shí)，使用相同數(shù)量的曝光工藝制造MJT LED芯片。
[0167]根據(jù)第一實(shí)施例的光學(xué)構(gòu)件的結(jié)構(gòu)和包括其的MJT LED模塊
[0168]接下來(lái)，參照?qǐng)D3、圖4以及圖19至圖25,將描述根據(jù)第一實(shí)施例的光學(xué)構(gòu)件和包括其的MJT LED模塊的詳細(xì)結(jié)構(gòu)和功能。
[0169]再次參照?qǐng)D3,根據(jù)第一實(shí)施例的光學(xué)構(gòu)件130可包括下表面131和上表面135,并還可包括凸緣137和支柱139。下表面131包括凹部131a，上表面135包括凹面135a和凸面 135b〇
[0170]下表面131由基本為圓盤形狀的平面組成，并具有放置在其中部的凹部131a。下表面131不要求為平坦的表面并可具有各種凹凸圖案。
[0171]此外，凹部131a的內(nèi)表面具有包括側(cè)表面133a和上端表面133b的表面133。在此， 上端表面133b垂直于中心軸C，并且側(cè)表面133a從上端表面133b延伸至凹部131a的入口。在此，當(dāng)對(duì)準(zhǔn)為與MJT LED 100的光軸L一致時(shí)，中心軸C被定義為光學(xué)構(gòu)件130的中心軸，其成為從光學(xué)構(gòu)件130出射的光的光束分布(beam distribut1n)的中心。
[0172]凹部131a可具有如下形狀，S卩，該形狀的寬度從其入口到其上側(cè)逐漸減小。具體地，側(cè)表面133a從凹部131a的入口到其上端表面133b逐漸靠近中心軸C。利用此結(jié)構(gòu)，上端表面133b的區(qū)域可比凹部131a的入口形成得更窄。側(cè)表面133a可在上端表面133b附近具有相對(duì)平緩的坡度。
[0173]上端表面133b的區(qū)域被限定在比凹部131a的入口的區(qū)域更窄的區(qū)域內(nèi)。此外，上端表面133b的區(qū)域可限定在比由拐點(diǎn)曲線所圍繞的區(qū)域更窄的區(qū)域中，其中，所述拐點(diǎn)曲線是上表面135的凹面135a與上表面135的凸面135b相交處。此外，上端表面133b的區(qū)域可被放置在比MJT LED的腔121a(圖4)的區(qū)域(S卩，發(fā)光區(qū)域)更窄的區(qū)域內(nèi)。
[0174]即使在MJT LED的光軸L與光學(xué)構(gòu)件130的中心軸C之間錯(cuò)位的情況下，上端表面 133b的區(qū)域也能減小通過(guò)上表面135從光學(xué)構(gòu)件130出射的光的光束分布的變化。因此，可以考慮MJT LED 100與光學(xué)構(gòu)件130之間的錯(cuò)位而使上端表面133b的區(qū)域最小化。
[0175]此外，光學(xué)構(gòu)件130的上表面135包括凹面135a和參照中心軸C從凹面135a連續(xù)地延伸的凸面135b。凹面135a與凸面135b相交的線成為拐點(diǎn)曲線。凹面135a通過(guò)以相對(duì)大的角度折射光而使從光學(xué)構(gòu)件130的中心軸C附近出射的光分散。此外，凸面135b增大了朝向中心軸C的外部方向出射的光量。
[0176] 上表面135和凹部131a具有相對(duì)于中心軸C對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。例如，上表面135和凹部 131a相對(duì)于穿過(guò)中心軸C的平面具有鏡面對(duì)稱結(jié)構(gòu)并具有相對(duì)于中心軸C的旋轉(zhuǎn)主體形狀。 此外，凹部131a和上表面135可根據(jù)期望的光束分布具有各種形狀。
[0177]在另一方面，凸緣137將上表面135連接至下表面131并限定光學(xué)構(gòu)件的外部尺寸。 凸緣137的側(cè)表面和下表面131可形成有凹凸圖案。光學(xué)構(gòu)件130的支柱139結(jié)合至印刷電路板110以在使下表面131從印刷電路板110分開(kāi)的同時(shí)支撐下表面131。可通過(guò)使用粘著劑將每個(gè)支柱139的末端接合到印刷電路板110,或通過(guò)將每個(gè)支柱139放入形成在印刷電路板 110中的對(duì)應(yīng)的孔中來(lái)執(zhí)行支柱139與印刷電路板110的結(jié)合。
[0178] 光學(xué)構(gòu)件130與MJT LED 100分開(kāi)，由此在凹部131a中形成空隙(air gap) JJT LED 100的殼體121放置在下表面131之下，MJT LED 100的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層125與凹部131a分開(kāi)以放置在下表面131下方。利用此結(jié)構(gòu)，防止在凹部131a中傳播的光由于被殼體121或波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層125吸收所導(dǎo)致的損失。
[0179] 根據(jù)此實(shí)施例，當(dāng)在凹部131a內(nèi)形成相對(duì)中心軸C垂直的平面時(shí)，即使MJT LED 100與光學(xué)構(gòu)件130之間錯(cuò)位，也可減小從光學(xué)構(gòu)件130出射的光的光束分布的變化。此外， 由于凹部131a不具有相對(duì)尖銳的頂點(diǎn)，因此可以容易地制造光學(xué)構(gòu)件。
[0180]圖19示出光學(xué)構(gòu)件的各種修改的剖視圖。在此，將描述在圖3中示出的凹部131a的各種修改。
[0181]在圖19(a)中，圖3中描述的垂直于中心軸C的上端表面133b具有形成在該上端表面133b的靠近光軸C的部分處的向下突出的表面。利用此向下突出的表面，光學(xué)構(gòu)件能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)進(jìn)入光學(xué)構(gòu)件的靠近中心軸C的部分的光進(jìn)行初步控制。
[0182]除了圖19(b)的上端表面具有形成在該上端表面的垂直于光學(xué)構(gòu)件的中心軸C的部分處的向上突出的表面之外，圖19(b)的上端表面類似于圖19(a)的上端表面。由于上端表面結(jié)合了向上突出的表面和向下突出的表面，因此該光學(xué)構(gòu)件可以減小由MJT LED與光學(xué)構(gòu)件之間的錯(cuò)位導(dǎo)致的光束分布的變化。
[0183]圖19(c)的上端表面與圖3的上端表面的不同在于:上端表面133b在其靠近光學(xué)構(gòu)件的中心軸C的部分處形成有向上突出的表面。利用此向上突出的表面，該光學(xué)構(gòu)件可以實(shí)現(xiàn)對(duì)進(jìn)入光學(xué)構(gòu)件的靠近其中心軸C的部分處的光的進(jìn)一步分散。
[0184]除了上端表面在其垂直于光學(xué)構(gòu)件的中心軸C的部分處具有向下突出的表面之夕卜，圖19(d)的上端表面類似于圖19(c)的上端表面。由于上端表面結(jié)合了向上突出的表面和向下突出的表面，因此該光學(xué)構(gòu)件可減小由MJT LED與光學(xué)構(gòu)件之間的錯(cuò)位導(dǎo)致的光束分布的變化。
[0185]圖20示出了說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的MJT LED模塊的光學(xué)構(gòu)件的剖視圖。
[0186]參照?qǐng)D20(a)，上端表面133b可形成有光散射圖案133c。光散射圖案133c可為凹凸圖案。此外，凹面135a也可形成有光散射圖案135c。光散射圖案135c也可為凹凸圖案。
[0187]通常，在光學(xué)構(gòu)件的中心軸C附近聚集相對(duì)大的光通量。此外，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，由于上端表面133b垂直于中心軸C，因此在中心軸C的附近會(huì)聚集有更多的光通量。因此，利用具有光散射圖案133c的上端表面133b和/或具有光散射圖案135c的凹面135a的結(jié)構(gòu)，可以使光學(xué)構(gòu)件的中心軸C附近的光通量分散。
[0188]參照?qǐng)D20(b)，可在上端表面133b上放置折射率與光學(xué)構(gòu)件130的折射率不同的材料層139a。材料層139a的折射率可高于光學(xué)構(gòu)件的折射率，從而使入射在上端表面133b上的光的光路改變。
[0189]此外，還可在凹面135a上放置折射率與光學(xué)構(gòu)件130的折射率不同的材料層139b。 材料層139b的折射率可高于光學(xué)構(gòu)件的折射率，從而使從凹面135a出射的光的光路改變。
[0190]圖20(a)的光散射圖案133c、135c和圖20(b)的材料層139a、139b也可應(yīng)用到圖19 的各種光學(xué)構(gòu)件。
[0191]圖21是示出用于模擬的MJT LED模塊的尺寸的剖視圖。在此，使用與圖3和圖4的附圖標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記(對(duì)一些元件的描繪也請(qǐng)參見(jiàn)圖3和圖4)。
[0192]在MJT LED 100中，腔121a具有2.1mm的直徑和0.6mm的高度。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層125填充腔121a并具有平坦的表面。MJT LED 100和光學(xué)構(gòu)件130的下表面131之間的距離(d)為 0.18mm，MJT LED 100和光學(xué)構(gòu)件130布置為使得MJT LED 100的光軸L與光學(xué)構(gòu)件的中心軸 C對(duì)準(zhǔn)。
[0193]光學(xué)構(gòu)件130具有4.7mm的高度(H)，光學(xué)構(gòu)件的上表面具有15mm的寬度(W1)。凹面 135a具有4.3mm的寬度(W2)。此外，凹部131a的放置在下表面131上的入口具有2.3mm的寬度 (wl)，上端表面133b具有0.5mm的寬度(w2)。凹部131a具有1.8mm的高度(h)。
[0194]圖22示出了描繪圖21的光學(xué)構(gòu)件的形狀的曲線圖。在此，(a)為示出參考點(diǎn)P、距離 R、入射角91、出射角95的光學(xué)構(gòu)件的剖視圖；(b)示出距離R根據(jù)入射角01的變化；(c)示出0 5/01根據(jù)入射角01的變化。圖23示出以3°的間隔從參考點(diǎn)P進(jìn)入光學(xué)構(gòu)件130的光束的傳播方向。
[0195]參照?qǐng)D22(a)，參考點(diǎn)P指示了MJT LED 100的放置于光軸L上的光出射點(diǎn)。適當(dāng)?shù)兀?將參考點(diǎn)P設(shè)定為被放置在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層125的外表面上以排除外部因素，諸如被MJT LED 100中的磷光體散射的光等。
[0196]01指示從參考點(diǎn)P進(jìn)入光學(xué)構(gòu)件130的光的入射角，05指示通過(guò)光學(xué)構(gòu)件130的上表面135從光學(xué)構(gòu)件130出射的光的出射角。R指示從參考點(diǎn)P到凹部131a的內(nèi)表面的距離。
[0197]參照?qǐng)D22(b)，由于凹部131a的上端表面133b垂直于中心軸C，R隨著01的增大而略微增大。圖22(b)中的放大曲線圖示出R的增長(zhǎng)曲線。在凹部131a的側(cè)表面133a上，R隨著01 的增大而減小，并在凹部131a的入口附近略微增大。
[0198]參照?qǐng)D22(c)，隨著01增大，05/01在凹面135a附近迅速增大，并在凸面135b附近相對(duì)緩慢地減小。在此實(shí)施例中，如圖23中所示，通過(guò)光學(xué)構(gòu)件的凹面135a從光學(xué)構(gòu)件出射的光通量可以與通過(guò)光學(xué)構(gòu)件的凸面135b從光學(xué)構(gòu)件出射的光通量重疊。即，在從參考點(diǎn)P進(jìn)入光學(xué)構(gòu)件的光束中，在拐點(diǎn)曲線附近通過(guò)凹面135a射出光學(xué)構(gòu)件的光可以比通過(guò)凸面 135b射出光學(xué)構(gòu)件的光具有更大的折射角。因此，可通過(guò)將凹部131a的上端表面133b形成為具有平面形狀并調(diào)節(jié)凹面135a和凸面135b的形狀來(lái)減小光通量在中心軸C附近的集中。
[0199]圖24示出了描繪照度分布的曲線圖，其中，(a)為描繪MJT LED的照度分布的曲線圖，(b)為示出使用光學(xué)構(gòu)件的MJT LED模塊的照度分布的曲線圖。照度分布被表示為進(jìn)入與參考點(diǎn)分開(kāi)25mm距離的屏幕的光的光通量密度的大小。
[0200]如圖24(a)中所示，MJT LED 100提供相對(duì)于光軸(C)的左右對(duì)稱光照分布，并具有在其中心非常高并朝向其外圍迅速降低的光通量密度。當(dāng)光學(xué)構(gòu)件130被應(yīng)用到MJT LED 100時(shí)，如圖24(b)所示，MJT LED 100在40mm的半徑內(nèi)可提供基本均勻的光通量密度。[〇2〇1]圖25示出了描繪光束分布的曲線圖，其中，(a)描繪了MJT LED的光束分布的曲線圖；(b)是描繪使用光學(xué)構(gòu)件的MJT LED模塊的光束分布的曲線圖。光束分布示出在與參考點(diǎn)P分開(kāi)5m的距離處根據(jù)光束角(beam angle)的光強(qiáng)，并且在一個(gè)曲線圖中彼此重疊地示出了在正交方向上的光束分布。[〇2〇2]如圖25(a)所示，從MJT LED 100發(fā)射的光強(qiáng)在光束角為0°(S卩，在MJT LED100的中心)處很高，并隨著光束角的增大逐漸減小。當(dāng)光學(xué)構(gòu)件應(yīng)用到MJT LED 100時(shí)，如圖25(b) 所示，從MJT LED 100發(fā)射的光的強(qiáng)度在0°的光束角處相對(duì)低，在70°的光束角附近相對(duì)高。 [〇2〇3]因此，當(dāng)光學(xué)構(gòu)件130應(yīng)用到MJT LED 100時(shí)，通過(guò)改變?cè)谄渲行奶幘哂懈吖鈴?qiáng)的 MJT LED的光束分布，可實(shí)現(xiàn)相對(duì)大區(qū)域的均勻背光。
[0204]根據(jù)第二實(shí)施例的光學(xué)構(gòu)件的結(jié)構(gòu)和包括其的MJT LED模塊[〇2〇5]接下來(lái)，參照?qǐng)D26至圖33,將描述根據(jù)第二實(shí)施例的光學(xué)構(gòu)件和包括其的MJT LED模塊的詳細(xì)結(jié)構(gòu)和功能。[〇2〇6]圖26是根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)示例性實(shí)施例的MJT LED模塊的剖視圖而圖27(a)、(b) 和(c)是沿圖26的線a-a、b_b和c-c截取的MJT LED模塊的剖視圖。在此，線a-a對(duì)應(yīng)于光學(xué)構(gòu)件的下表面上的線，線c-c對(duì)應(yīng)于光學(xué)構(gòu)件的上表面上的線，線b-b對(duì)應(yīng)于在線a-a和線c-c 之間的分散透鏡的高度的中間處的切割線。此外，圖28是在圖26中示出的MJT LED模塊的光學(xué)構(gòu)件的詳細(xì)視圖，圖29示出了使用圖28的光學(xué)構(gòu)件的MJT LED模塊的光束角度分布 (light beam angle distribut1n)。[〇2〇7] 參照?qǐng)D26，MJT LED模塊包括MJT LED 100和設(shè)置于MJT LED 100上并由樹(shù)脂或玻璃材料形成的光學(xué)構(gòu)件230。雖然在此實(shí)施例中部分地示出印刷電路板110以示出單個(gè)MJT LED模塊，但是多個(gè)MJT LED模塊規(guī)則地布置在單個(gè)印刷電路板110上以形成如上所述的背光模塊300。[〇2〇8] 首先，MJT LED 100和印刷電路板110與以上參照?qǐng)D3和圖4描述的第一實(shí)施例相同，將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。因此，在下文中將主要描述根據(jù)第二實(shí)施例的光學(xué)構(gòu)件230。 [〇2〇9]參照?qǐng)D26,光學(xué)構(gòu)件230包括下表面231和在下表面231的相反側(cè)的光出射面235，并且還可以包括支柱239。下表面231包括凹入的光入射部231a。光出射面235通常由向上突出的圓形面組成，并包括形成在其上部中心處的平坦表面235a。平坦表面235a對(duì)應(yīng)于光學(xué)構(gòu)件的凹部(諸如在第一實(shí)施例中示出的光學(xué)構(gòu)件的面貌)放置，并且即使在光出射面的上部中心處沒(méi)有凹部的情況下，根據(jù)本實(shí)施例的光學(xué)構(gòu)件230也能夠通過(guò)在下文中詳細(xì)描述的光入射部231a的結(jié)構(gòu)使光軸附近的光分散。光入射部231a具有基本鐘形的橫截面。即，光入射部231a具有從其鄰近于MJT LED 100的下入口向其頂部(upper apex)逐漸收斂的形狀。[〇21〇]參照?qǐng)D27(a)，光學(xué)構(gòu)件230的下表面231具有圓形形狀。此外，光入射部231a具有放置在下表面231的中心處的下部，光入射部231a的下部具有圓形形狀。光入射部231a從下入口到緊鄰其頂部之前保持圓形形狀，并具有沿向上的方向逐漸減小的直徑。參照?qǐng)D27 (c)，光學(xué)構(gòu)件230的上平坦表面235a也具有圓形形狀。[〇211]順序參照?qǐng)D27(a)、(b)和(c)，光學(xué)構(gòu)件230包括具有圓形形狀的下表面231，并具有沿向上方向逐漸減小的直徑。光學(xué)構(gòu)件230在其側(cè)表面的上部處的圓形外周的直徑的變化可以比在其側(cè)表面的下部處的圓形外周的直徑的變化更大。光入射部231a的圓形形狀具有逐漸減小的直徑。[〇212]參照?qǐng)D28,示出了與光學(xué)構(gòu)件230的中心軸對(duì)應(yīng)的光軸L。為了使用光學(xué)構(gòu)件230獲得均勻的光分布，必須在與光軸L的夾角大于等于60°處具有光強(qiáng)峰值。為了獲得這樣的光學(xué)特性，在與光軸L夾角小于等于50°處獲得光的有效分散是重要的。圖28示出了在相對(duì)于光軸L成50°或更小的角度處的參考線(r)。
[0213]為了在與光軸L夾角小于等于50°處獲得光的有效分散，在光軸L和參考線(r)之間的范圍內(nèi)，即，在與光軸L的夾角小于等于50°處，從光軸L上的特定點(diǎn)(p)到光入射部231a的頂點(diǎn)的最短距離’b’大于從點(diǎn)(p)到光入射部231a的側(cè)表面的最短距離’a’。如上所述，當(dāng)b> a時(shí)，光入射部231a能夠促使在與光軸L夾角小于等于50°內(nèi)傳播的光分散得寬至與光軸L夾角大于等于60°。相反，當(dāng)b〈a時(shí)，光入射部231a無(wú)法促使在與光軸L夾角小于等于50°內(nèi)傳播的光分散得寬。如此，需要在現(xiàn)有技術(shù)的光出射面的上部中心處形成用于使光分散得寬的單獨(dú)的凹部。換言之，根據(jù)本公開(kāi)的光學(xué)構(gòu)件230采用在與光軸L夾角小于等于50°內(nèi)滿足b> a條件的曲線結(jié)構(gòu)的光入射部231a，因此能夠省略在光出射面的上部中心處的凹部。
[0214]在此，光入射部231a優(yōu)選地具有比光入射部231a的下入口的半徑R更大的高度。更具體地，光入射部23la的高度H是其半徑R的1.5倍或者更大。此外，光入射部231a的下部與折射率低于樹(shù)脂或玻璃材料的空氣相鄰接，光出射面的上部也與折射率低于樹(shù)脂或玻璃材料的空氣相鄰接。[〇215]圖29示出使用圖28的光學(xué)構(gòu)件的MJT LED模塊的光束角分布。參照?qǐng)D29,可以看出光強(qiáng)峰值形成在與光軸L的夾角為大約72°處，并且光寬廣地分布。從圖29的結(jié)果，可以看出:即使在光出射面的上部中心處沒(méi)有凹部的情況下，根據(jù)本公開(kāi)的光學(xué)構(gòu)件230通過(guò)在與光軸L的夾角小于等于50°處滿足b>a條件的曲線結(jié)構(gòu)的光入射部231a，也能夠?qū)⒐饩鶆虻胤稚⒃谂c光軸L的夾角小于等于60°處，從而獲得光的均勾分布。[〇216]圖30是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的光學(xué)構(gòu)件的剖視圖。如在圖30中清晰地示出的，根據(jù)此實(shí)施例的光學(xué)構(gòu)件230與圖28中示出的光學(xué)構(gòu)件具有相同的曲線結(jié)構(gòu)的光入射部231a。因此，根據(jù)此實(shí)施例的光學(xué)構(gòu)件的光入射部231a在與光軸L夾角小于等于50° 處滿足b>a的條件。在此，不同于根據(jù)上面的實(shí)施例的具有形成在光出射面的上部中心處的平坦表面的光學(xué)構(gòu)件，根據(jù)此實(shí)施例的光學(xué)構(gòu)件230在光出射面的上部中心處具有凸出的圓形表面235b。[〇217]圖31清晰地示出使用圖30的光學(xué)構(gòu)件的MJT LED模塊的光束角度分布曲線。參照?qǐng)D31，可以看出光強(qiáng)峰值形成在與光軸L的夾角為大約72°處并且光寬廣地分布。此外，圖31 的光束角度分布與圖29的光束角度分布沒(méi)有明顯的不同。因此，可以看出，當(dāng)光入射部231a 在與光軸L的夾角小于等于50°處滿足b>a的條件時(shí)，無(wú)論光出射面在其上部中心處具有平坦的表面還是凸出的表面，光束角度分布均沒(méi)有明顯的不同。
[0218]圖32a和圖32b示出根據(jù)比較示例1的光學(xué)構(gòu)件及其光束角度分布曲線。
[0219]在圖32a的光學(xué)構(gòu)件中，在與光軸L的夾角小于等于50°處，光軸上的特定點(diǎn)到光入射部的頂點(diǎn)的最短距離’b’大于從同一點(diǎn)到光入射部的側(cè)表面的最短距離’a’，光出射面具有形成在其上部中心處的凹部。在示出在這些條件下的光束角度分布曲線的圖32b中，可以看出上述實(shí)施例和此比較示例之間在光束角度分布上沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別。此結(jié)果意味著，在b %的條件下，形成在光出射面的上部中心處的凹部在改變光束角度分布方面基本沒(méi)有提供作用。[〇22〇]圖33a和圖33b示出根據(jù)比較示例2的光學(xué)構(gòu)件及其光束角度分布。
[0221]在圖33a的光學(xué)構(gòu)件中，在與光軸夾角小于等于50°處，從光軸上的特定點(diǎn)到光入射部的頂點(diǎn)的最短距離’b’小于從同一點(diǎn)到光入射部的側(cè)表面的最短距離’a’，光出射面具有形成在其上部中心處的凹部。在示出在這些條件下的光束角度分布曲線的圖33b中，可以看出比較示例1的光束角度分布和上述實(shí)施例的光束角度分布之間沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別。此結(jié)果意味著，在b〈a的條件下，形成在光出射面的上部中心處的凹部促使了在與光軸L的夾角小于等于50°處的光分散得寬。[〇222] 雖然已經(jīng)結(jié)合附圖參照一些實(shí)施例示出了本公開(kāi)，但是應(yīng)理解的是在不脫離本公開(kāi)的精神和范圍的情況下，某個(gè)實(shí)施例的一些特征也可應(yīng)用到其他實(shí)施例。此外，應(yīng)理解的是僅以說(shuō)明的方式提供這些實(shí)施例，并且在不脫離本公開(kāi)的精神和范圍的情況下可做出各種修改和改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種背光模塊，所述背光模塊包括: 印刷電路板； 多個(gè)多結(jié)技術(shù)(MJT)發(fā)光二極管(LED)，設(shè)置在印刷電路板上； 多個(gè)光學(xué)構(gòu)件，設(shè)置在MJT LED上或印刷電路板上以對(duì)應(yīng)于MJT LED并且每個(gè)光學(xué)構(gòu)件包括光入射面和光出射面，其中，從對(duì)應(yīng)的MJT LED發(fā)射的光通過(guò)光入射面進(jìn)入光學(xué)構(gòu)件，并且光通過(guò)光出射面以比對(duì)應(yīng)的MJT LED的光束角更寬的光束角從光學(xué)構(gòu)件出射， 其中，每個(gè)MJT LED包括: 第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元，在生長(zhǎng)基底上彼此分開(kāi)，第二發(fā)光單元具有傾斜的側(cè)表面； 第一透明電極層，放置在第一發(fā)光單元上并電連接到第一發(fā)光單元； 電流阻擋層，放置在第一發(fā)光單元和第一透明電極層之間并且使第一透明電極層的一部分與第一發(fā)光單兀分開(kāi)； 互連線，將第一發(fā)光單元電連接至第二發(fā)光單元，互連線包括用于電連接至第一發(fā)光單元的第一連接部和用于電連接至第二發(fā)光單元的第二連接部； 絕緣層，使互連線與第一發(fā)光單元的側(cè)表面分開(kāi)； 第一連接部，在電流阻擋層的上部區(qū)域內(nèi)接觸第一透明電極層； 第二連接部，接觸第二發(fā)光單元的傾斜的側(cè)表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背光模塊，其中，每個(gè)MJTLED包括第一至第N發(fā)光單元，其中，N為大于等于2的自然數(shù)，第N發(fā)光單元使用與第一發(fā)光單元與第二發(fā)光單元之間的連接結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)電連接至第(N-1)發(fā)光單元。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背光模塊，其中，第一至第N發(fā)光單元彼此串聯(lián)連接并且被構(gòu)造為在2.5V到4V的操作電壓下操作，每個(gè)MJT LED被構(gòu)造為在至少1V或更大的操作電壓下操作。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背光模塊，其中，每個(gè)MJTLED包括均被構(gòu)造為在3V至3.6V的操作電壓下操作的三個(gè)發(fā)光單元，并且在12V至14V的操作電壓下操作。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的背光模塊，其中，光出射面包括形成在光學(xué)構(gòu)件的中心軸附近的凹部以及從凹部延伸并與光學(xué)構(gòu)件的中心軸分開(kāi)的凸部。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的背光模塊，其中，光出射面包括全反射面以在光學(xué)構(gòu)件的中心軸下面形成頂點(diǎn)。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的背光模塊，其中，光入射面包括形成在光學(xué)構(gòu)件的中心軸附近的開(kāi)口，開(kāi)口的高度為其寬度的1.5倍或更大。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的背光模塊，其中，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件具有形成在底表面的面對(duì)印刷電路板的至少一部分上的光散射圖案。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背光模塊，其中，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件包括: 下表面，具有凹部并被構(gòu)造為使從MJT LED發(fā)射的光進(jìn)入光學(xué)構(gòu)件； 上表面，被構(gòu)造為使通過(guò)凹部進(jìn)入光學(xué)構(gòu)件的光從光學(xué)構(gòu)件出射； 上表面包括放置在光學(xué)構(gòu)件的中心軸處的凹面； 下表面的凹部包括相對(duì)于中心軸垂直的表面和向下凸出的表面中的至少一個(gè)表面，相對(duì)于中心軸垂直的表面和向下凸出的表面中的所述至少一個(gè)表面放置在比凹部的入口的區(qū)域更窄的區(qū)域中。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的背光模塊，其中，光學(xué)構(gòu)件的上表面和凹部形成關(guān)于穿過(guò)光學(xué)構(gòu)件的中心軸的平面的鏡面對(duì)稱結(jié)構(gòu)。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的背光模塊，其中，光學(xué)構(gòu)件的上表面和凹部形成關(guān)于光學(xué)構(gòu)件的中心軸的旋轉(zhuǎn)體形狀。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的背光模塊，其中，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件具有光散射圖案，所述光散射圖案位于形成在下表面的凹部?jī)?nèi)的關(guān)于中心軸垂直的表面和向下凸出的表面中的所述至少一個(gè)表面上，并位于比所述至少一個(gè)表面更靠近中心軸的表面上。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的背光模塊，其中，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件具有位于上表面的凹面上的光散射圖案。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的背光模塊，其中，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件還包括具有與光學(xué)構(gòu)件不同的折射率的材料層，所述材料層位于下表面的凹部?jī)?nèi)的關(guān)于中心軸垂直的表面和向下凸出的表面中的所述至少一個(gè)表面上，并位于比所述至少一個(gè)表面更靠近中心軸的表面上。15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的背光模塊，其中，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件還包括位于上表面的凹面上的具有與光學(xué)構(gòu)件不同的折射率的材料層。16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的背光模塊，其中，關(guān)于中心軸垂直的表面和向下凸出的表面中的所述至少一個(gè)表面被限定在比由拐點(diǎn)曲線圍繞的區(qū)域更窄的區(qū)域內(nèi)，其中，上表面的凹面和上表面的凸面在拐點(diǎn)曲線處相交。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的背光模塊，其中，關(guān)于中心軸垂直的表面和向下凸出的表面中的所述至少一個(gè)表面被限定在比發(fā)光二極管的光出射面的區(qū)域更窄的區(qū)域內(nèi)。18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的背光模塊，其中，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件還包括連接上表面和下表面的凸緣，凹部?jī)?nèi)的關(guān)于中心軸垂直的表面和向下凸出的表面中的所述至少一個(gè)表面放置在凸緣上方。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背光模塊，其中，每個(gè)光學(xué)構(gòu)件具有光軸L、光入射部和光出射面，并由折射率高于鄰接光入射部的材料的折射率和鄰接光出射面的材料的折射率的材料形成。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的背光模塊，其中，光入射部被形成為使得在與光軸L的夾角小于等于50°內(nèi)，從光軸L上的點(diǎn)P到光入射部的頂點(diǎn)的最短距離大于從所述點(diǎn)P到光入射部的側(cè)表面的最短距離。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的背光模塊，其中，光出射面的上部中心由平坦的表面或凸出的曲面形成。22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的背光模塊，其中，光入射部包括與發(fā)光二極管相鄰并具有圓形形狀的下入口，光入射部在保持圓形形狀的同時(shí)具有向頂點(diǎn)逐漸收斂的形狀。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的背光模塊，其中，光入射部的高度是下入口的半徑的1.5倍大。24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的背光模塊，其中，鄰接光入射部的材料為空氣。25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的背光模塊，其中，鄰接光出射面的材料為空氣。26.根據(jù)權(quán)利要求19所述的背光模塊，其中，光學(xué)構(gòu)件由樹(shù)脂或玻璃材料形成。27.一種背光單元，所述背光單元包括: 根據(jù)權(quán)利要求1所述的背光模塊，以及 背光控制模塊，被構(gòu)造為將DC操作電壓供應(yīng)至背光模塊內(nèi)的多個(gè)MJTLED并且被構(gòu)造為獨(dú)立控制所述多個(gè)MJT LED中的每個(gè)的操作。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的背光單元，其中，背光控制模塊被構(gòu)造為將DC操作電壓供應(yīng)至背光模塊內(nèi)的所述多個(gè)MJT LED中的每個(gè)，并被構(gòu)造為響應(yīng)于調(diào)光信號(hào)，針對(duì)供應(yīng)至所述多個(gè)MJT LED當(dāng)中的至少一個(gè)MJT LED的操作電壓執(zhí)行脈沖寬度調(diào)制控制，以執(zhí)行所述至少一個(gè)MJT LED的調(diào)光控制。29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的背光單元，其中，背光控制模塊被構(gòu)造為獨(dú)立檢測(cè)和控制背光模塊內(nèi)的所述多個(gè)MJT LED中每個(gè)的操作電流，并被構(gòu)造為響應(yīng)于調(diào)光信號(hào)控制所述多個(gè)MJT LED當(dāng)中的至少一個(gè)MJT LED的操作電流，以執(zhí)行所述至少一個(gè)MJT LED的調(diào)光控制。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK106068677SQ201480076872
【公開(kāi)日】2016年11月2日
【申請(qǐng)日】2014年7月24日 公開(kāi)號(hào)201480076872.4, CN 106068677 A, CN 106068677A, CN 201480076872, CN-A-106068677, CN106068677 A, CN106068677A, CN201480076872, CN201480076872.4, PCT/2014/6745, PCT/KR/14/006745, PCT/KR/14/06745, PCT/KR/2014/006745, PCT/KR/2014/06745, PCT/KR14/006745, PCT/KR14/06745, PCT/KR14006745, PCT/KR1406745, PCT/KR2014/006745, PCT/KR2014/06745, PCT/KR2014006745, PCT/KR201406745
【發(fā)明人】宋榮俊, 崔爀仲, 蘇日景
【申請(qǐng)人】首爾半導(dǎo)體（株）