高頻半導(dǎo)體集成電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種高頻半導(dǎo)體集成電路。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，第1線路的一端連接于第1端子。第1諧振電路的一端連接于第1線路的另一端。第2線路的一端連接于第1線路的另一端。第1晶體管的一端連接于第2線路的另一端，且另一端連接于第2端子，對(duì)控制端子輸入第1控制信號(hào)。第2晶體管的一端連接于第2端子，對(duì)控制端子輸入第2控制信號(hào)。第3線路的一端連接于第2晶體管的另一端。第2諧振電路的一端連接于第3線路的另一端。第4線路的一端連接于第3線路的另一端，且另一端連接于第3端子。
【專利說(shuō)明】高頻半導(dǎo)體集成電路
[0001][交叉申請(qǐng)項(xiàng)]
[0002]本申請(qǐng)案是基于且主張2015年2月26日提出申請(qǐng)的現(xiàn)有的日本專利申請(qǐng)案2015-036619號(hào)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容以引用的方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種高頻半導(dǎo)體集成電路。
【背景技術(shù)】
[0004]高頻功率放大器(high-frequency power amplifier)或高頻開關(guān)電路等高頻半導(dǎo)體集成電路是移動(dòng)通信或LAN(Local Area Network，局域網(wǎng))領(lǐng)域等的無(wú)線通信系統(tǒng)的重要構(gòu)成零件，被大量地使用于移動(dòng)電話、無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)備、衛(wèi)星通信設(shè)備、或有線TV (televis1n，電視)設(shè)備等中。
[0005]在高頻功率放大器中，如果高頻信號(hào)的二次諧波或三次諧波等的泄漏信號(hào)增大，則會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體集成電路或機(jī)器誤動(dòng)作。在高頻開關(guān)電路中，如果高頻信號(hào)的二次諧波或三次諧波等的泄漏信號(hào)增大，則有通過(guò)特性或隔離特性等變差的問(wèn)題。
[0006]因此，在高頻半導(dǎo)體集成電路中，要求大幅抑制泄漏信號(hào)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007][發(fā)明所要解決的問(wèn)題]
[0008]本發(fā)明所要解決的問(wèn)題是提供一種能夠減少泄漏信號(hào)的高頻半導(dǎo)體集成電路。
[0009][解決問(wèn)題的技術(shù)手段]
[0010]根據(jù)一實(shí)施方式，高頻半導(dǎo)體集成電路包含第I線路、第I諧振電路、第2線路、第I晶體管、第2晶體管、第3線路、第2諧振電路以及第4線路。第I線路的一端連接于第I端子，當(dāng)傳送第I高頻信號(hào)時(shí)，線路長(zhǎng)成為第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的{n+(l/12)}(其中，η為零或I以上的整數(shù))。第I諧振電路的一端連接于第I線路的另一端，且另一端連接于接地電位。第2線路的一端連接于第I線路的另一端，當(dāng)傳送第I高頻信號(hào)時(shí)，線路長(zhǎng)成為第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的{η+(1/6)}。第I晶體管的一端連接于第2線路的另一端，且另一端連接于第2端子，對(duì)控制端子輸入第I控制信號(hào)。第2晶體管的一端連接于第2端子，對(duì)控制端子輸入第2控制信號(hào)。第3線路的一端連接于第2晶體管的另一端，當(dāng)傳送第2高頻信號(hào)時(shí)，線路長(zhǎng)成為第2高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的{η+(1/6)}。第2諧振電路的一端連接于第3線路的另一端，且另一端連接于接地電位。第4線路的一端連接于第3線路的另一端，且另一端連接于第3端子，當(dāng)傳送第2高頻信號(hào)時(shí)，線路長(zhǎng)成為第2高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的{η+(1/12)}。
[0011][發(fā)明的效果]
[0012]本發(fā)明能夠減少高頻半導(dǎo)體集成電路的泄漏信號(hào)。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是表示第I實(shí)施方式的作為高頻半導(dǎo)體集成電路的高頻開關(guān)電路的電路圖。
[0014]圖2是表示第I實(shí)施方式的比較例的高頻開關(guān)電路的電路圖。
[0015]圖3是第I實(shí)施方式的經(jīng)由發(fā)送端子對(duì)天線端子輸出高頻信號(hào)時(shí)的高頻開關(guān)電路的等效電路圖。
[0016]圖4是第I實(shí)施方式的經(jīng)由發(fā)送端子對(duì)天線端子輸出高頻信號(hào)時(shí)的比較例的高頻開關(guān)電路的等效電路圖。
[0017]圖5是第I實(shí)施方式的經(jīng)由天線端子對(duì)接收端子輸出高頻信號(hào)時(shí)的高頻開關(guān)電路的等效電路圖。
[0018]圖6是第I實(shí)施方式的經(jīng)由天線端子對(duì)接收端子輸出高頻信號(hào)時(shí)的比較例的高頻開關(guān)電路的等效電路圖。
[0019]圖7是第I實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路的史密斯圖(Smith chart)。
[0020]圖8是表示第I實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路的泄漏功率的圖，圖8A是表示二次諧波的泄漏功率的圖，圖SB是表示三次諧波的泄漏功率的圖。
[0021]圖9是表不第2實(shí)施方式的尚頻開關(guān)電路的電路圖。
[0022]圖10是表示第3實(shí)施方式的高頻功率放大電路的電路圖。
[0023]圖11是第3實(shí)施方式的高頻功率放大電路的等效電路圖。
[0024]圖12是表示第3實(shí)施方式的比較例的高頻功率放大電路的電路圖。
[0025]圖13是第3實(shí)施方式的高頻功率放大電路的史密斯圖。
[0026]圖14是表示第3實(shí)施方式的高頻功率放大電路的泄漏功率的圖，圖14A是表示二次諧波的泄漏功率的圖，圖14B是表示三次諧波的泄漏功率的圖。
[0027]圖15是表示第4實(shí)施方式的作為高頻半導(dǎo)體集成電路的高頻開關(guān)電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]以下，一邊參照附圖，一邊進(jìn)一步對(duì)多個(gè)實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。在附圖中，相同的符號(hào)表示相同或類似部分。
[0029]參照附圖對(duì)第I實(shí)施方式的作為高頻半導(dǎo)體集成電路的高頻開關(guān)電路進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表不尚頻開關(guān)電路的電路圖。圖2是表不比$父例的尚頻開關(guān)電路的電路圖。
[0030]在本實(shí)施方式中，在發(fā)送端子與第I穿透晶體管之間設(shè)置第I傳送線路及第2傳送線路，在第2穿透晶體管與接收端子之間設(shè)置第3傳送線路及第4傳送線路，在第I傳送線路與第2傳送線路之間和接地電位之間設(shè)置第I諧振電路，在第3傳送線路與第4傳送線路之間和接地電位之間設(shè)置第2諧振電路，由此大幅減少泄漏信號(hào)。
[0031]如圖1所示，作為高頻半導(dǎo)體集成電路的高頻開關(guān)電路70包含諧振電路1、諧振電路2、分流晶體管S1、分流晶體管S2、穿透晶體管Tl、穿透晶體管T2、傳送線路TL1、傳送線路TL2、傳送線路TL3、傳送線路TL4、端子Pant、端子Prxl、端子Ptxl、端子PVcl以及端子PVc2o
[0032]高頻開關(guān)電路70為SPDT (Single Pole Double Throw，單刀雙擲)開關(guān)。高頻開關(guān)電路70多用于移動(dòng)電話、無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)備、衛(wèi)星通信設(shè)備、或有線TV設(shè)備等。
[0033]控制信號(hào)Ssgl (第I控制信號(hào))經(jīng)由端子PVcl輸入，控制信號(hào)Ssg2 (第2控制信號(hào))經(jīng)由端子PVc2輸入。
[0034]傳送線路TLl (第I線路)的一端連接于端子Ptxl (第I端子)。傳送線路TLl (第I線路)以如下方式設(shè)定:在被輸入所傳送的第I高頻信號(hào)(從端子PtXl傳送至端子Pant的信號(hào))的情況下，線路長(zhǎng)成為第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)(λ)的1/12。
[0035]傳送線路TL2(第2線路)的一端連接于傳送線路TLl的另一端。傳送線路TL2 (第2線路)以如下方式設(shè)定:在被輸入所傳送的第I高頻信號(hào)的情況下，線路長(zhǎng)成為第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)(λ)的1/6。
[0036]分流晶體管SI (第3晶體管)的一端連接于端子Ptxl，且另一端連接于接地電位Vss，對(duì)閘極(控制端子)輸入控制信號(hào)Ssg2。穿透晶體管Tl (第I晶體管)的一端連接于傳送線路TL2的另一端，且另一端連接于端子Pant (第2端子)，對(duì)閘極(控制端子)輸入控制信號(hào)Ssgl (第I控制信號(hào))。
[0037]諧振電路I (第I諧振電路)的一端連接于傳送線路TLl的另一端，且另一端連接于接地電位Vss。諧振電路I具有串聯(lián)連接的電感器LI與電容器Cl。諧振電路I在第I高頻信號(hào)的二次諧波以下的頻率時(shí)特性阻抗被設(shè)定為大致無(wú)限大，且在第I高頻信號(hào)的三次諧波的頻率時(shí)特性阻抗被設(shè)定為大致零。
[0038]此處，將電感器LI設(shè)置在傳送線路TLl的另一端側(cè)，將電容器Cl設(shè)置在接地電位Vss側(cè)，但也可以將電容器Cl設(shè)置在傳送線路TLl的另一端側(cè)，且將電感器LI設(shè)置在接地電位Vss側(cè)。
[0039]穿透晶體管T2 (第2晶體管)的一端連接于端子Pant，對(duì)閘極(控制端子)輸入控制信號(hào)Ssg2(第2控制信號(hào))。
[0040]傳送線路TL3(第3線路)的一端連接于穿透晶體管T2的另一端。傳送線路TL3 (第3線路)以如下方式設(shè)定:在被輸入所傳送的第2高頻信號(hào)(從端子Pant傳送至端子Prxl的信號(hào))的情況下，線路長(zhǎng)成為第2高頻信號(hào)的波長(zhǎng)(λ)的1/6。
[0041 ] 傳送線路TL4 (第4線路)的一端連接于傳送線路TL3的另一端。傳送線路TL4 (第4線路)以如下方式設(shè)定:在被輸入所傳送的第2高頻信號(hào)的情況下，線路長(zhǎng)成為第2高頻信號(hào)的波長(zhǎng)(λ)的1/12。
[0042]分流晶體管S2 (第4晶體管)的一端連接于傳送線路TL4的另一端及端子Prxl，另一端連接于接地電位Vss，對(duì)閘極(控制端子)輸入控制信號(hào)Ssgl。
[0043]諧振電路2 (第2諧振電路)的一端連接于傳送線路TL3的另一端，且另一端連接于接地電位Vss。諧振電路2具有串聯(lián)連接的電感器L2與電容器C2。諧振電路2在第2高頻信號(hào)的二次諧波以下的頻率時(shí)特性阻抗被設(shè)定為大致無(wú)限大，且在第I高頻信號(hào)的三次諧波的頻率時(shí)特性阻抗被設(shè)定為大致零。
[0044]此處，將電感器L2設(shè)置在傳送線路TL3的另一端側(cè)，且將電容器C2設(shè)置在接地電位Vss側(cè)，但也可以將電容器C2設(shè)置在傳送線路TL3的另一端側(cè)，且將電感器L2設(shè)置在接地電位Vss側(cè)。
[0045]當(dāng)控制信號(hào)Ssgl為使能狀態(tài)(例如High (高)位準(zhǔn))且控制信號(hào)Ssg2為去能狀態(tài)(例如Low(低)位準(zhǔn))時(shí)，高頻開關(guān)電路70將第I高頻信號(hào)經(jīng)由作為發(fā)送端子的端子Ptxl輸出至作為天線端子的端子Pant。
[0046]當(dāng)控制信號(hào)Ssgl為去能狀態(tài)(例如Low位準(zhǔn))且控制信號(hào)Ssg2為使能狀態(tài)(例如High位準(zhǔn))時(shí)，高頻開關(guān)電路70將第2高頻信號(hào)經(jīng)由作為天線端子的端子Pant輸出至作為接收端子的端子Prxl。在SPDT開關(guān)中，第I高頻信號(hào)與第2高頻信號(hào)使用相同的頻率。
[0047]在高頻開關(guān)電路70的外部，在端子Ptxl與接地電位Vss之間(在端子Ptxl側(cè))設(shè)置終端阻抗Zsl，且在端子Pant與接地電位Vss之間(在端子Pant側(cè))設(shè)置終端阻抗Zs3，在端子Prxl與接地電位Vss之間(在端子Prxl側(cè))設(shè)置終端阻抗Zs2。
[0048]此處，終端阻抗是以高頻開關(guān)電路70動(dòng)作的高頻信號(hào)的頻率設(shè)定的阻抗，設(shè)定為例如50 Ω (有設(shè)定為25 Ω或75 Ω等的情況)。
[0049]分流晶體管S1、分流晶體管S2、穿透晶體管Tl及穿透晶體管T2使用SOI (SiliconOn Insulator，娃絕緣體)型 Nch MOSFET(Metal Oxide semiconductor Field EffectTransistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。傳送線路TL1、傳送線路TL2、傳送線路TL3、傳送線路TL4使用微帶傳輸線路或共平面帶狀線路等。
[0050]傳送線路TLl及傳送線路TL2是以特性阻抗與終端阻抗Zsl成為相同值的方式設(shè)定。傳送線路TL3及傳送線路TL4是以特性阻抗與終端阻抗Zs2成為相同值的方式設(shè)定。
[0051]此處，特性阻抗是以高頻開關(guān)電路70動(dòng)作的高頻信號(hào)的頻率設(shè)定的傳送線路的阻抗。
[0052]如圖2所示，比較例的高頻開關(guān)電路100中設(shè)置分流晶體管S1、分流晶體管S2、穿透晶體管Tl、穿透晶體管T2、端子Pant、端子Prxl、端子Ptxl、端子PVcl以及端子PVc2。
[0053]比$父例的尚頻開關(guān)電路100是從本實(shí)施方式的尚頻開關(guān)電路70中省略傳送線路TLl至TL4、諧振電路1、諧振電路2而成。因此，省略高頻開關(guān)電路100的構(gòu)成的說(shuō)明。
[0054]接下來(lái)，參照?qǐng)D3至6對(duì)高頻開關(guān)電路的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。圖3是經(jīng)由發(fā)送端子對(duì)天線端子輸出第I高頻信號(hào)時(shí)的高頻開關(guān)電路的等效電路圖。圖4是經(jīng)由發(fā)送端子對(duì)天線端子輸出第I高頻信號(hào)時(shí)的比較例的高頻開關(guān)電路的等效電路圖。圖5是經(jīng)由天線端子對(duì)接收端子輸出第2高頻信號(hào)時(shí)的本實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路的等效電路圖。圖6是經(jīng)由天線端子對(duì)接收端子輸出第2高頻信號(hào)時(shí)的比較例的高頻開關(guān)電路的等效電路圖。
[0055]如圖3所示，在本實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路70中，控制信號(hào)Ssgl被設(shè)定為使能狀態(tài)，控制信號(hào)Ssg2被設(shè)定為去能狀態(tài)。此時(shí)，從端子Ptxl對(duì)端子Pant側(cè)傳送高頻信號(hào)Shfl (第I高頻信號(hào))，穿透晶體管Tl接通而表現(xiàn)為接通電阻Ronl，分流晶體管S2接通而表現(xiàn)為接通電阻Ron2。另一方面，穿透晶體管T2斷開而表現(xiàn)為斷開電容Coffl，分流晶體管SI斷開而表現(xiàn)為斷開電容Coff2。
[0056]此處，觀察負(fù)載側(cè)時(shí)的阻抗Z表現(xiàn)為:
[0057]Z = ZsX ({Zr+(jZsXTan(0 I))} / {Zs+(jZr X Tan ( β I))})式(I)。
[0058]此處，Zs為終端阻抗，Zr為負(fù)載阻抗，I為傳送線路長(zhǎng)(從端子Ptxl到穿透晶體管Tl的線路長(zhǎng)、或者從穿透晶體管Τ2到端子Prxl的線路長(zhǎng))。β為2 31 / λ (此處，λ為第I及第2高頻信號(hào)的波長(zhǎng))。
[0059]在本實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路70中，在從端子Ptxl到端子Pant的路徑上，傳送線路TLl及傳送線路TL2的特性阻抗與終端阻抗Zsl設(shè)定為相同值。因此，根據(jù)式(I)，阻抗Z成為負(fù)載阻抗Zr，傳送線路的特性阻抗不依存于線路長(zhǎng)度。因此，高頻信號(hào)Shfl從端子Ptxl向端子Pant側(cè)的傳遞量不會(huì)受到傳送線路TLl及傳送線路TL2的配置的影響而維持良好的值，從而不會(huì)變差。
[0060]另一方面，在從端子Pant到端子Prxl的路徑上，經(jīng)由分流晶體管S2而連接于接地電位Vss。
[0061]因此，負(fù)載阻抗Zr表現(xiàn)為大致O (零)Ω。如果將Zr = O代入式⑴，則
[0062]阻抗Z表現(xiàn)為:
[0063]Z N (jZsXTan(0 I))式(2)。
[0064]在與高頻信號(hào)Shfl (第I高頻信號(hào))相同頻率的高頻信號(hào)Shf2 (第2高頻信號(hào))，傳送線路TL3(A/6)與傳送線路TL4(A/12)串聯(lián)連接。因此，傳送線路TL3與傳送線路TL4這兩條線路表現(xiàn)為具有(λ/4)的傳送線路。
[0065]如果將I = ( λ /4)代入式⑵，則阻抗Z成為Z N Cx3 (無(wú)限大)。諧振電路2的特性阻抗也被設(shè)定為Z N OO。
[0066]因此，能夠大幅減少作為高頻信號(hào)Shfl (第I高頻信號(hào))的高頻信號(hào)(fo)從端子Pant向端子Prxl的流入。也就是說(shuō)，能夠減少高頻信號(hào)(fo)的泄漏。因此，在高頻開關(guān)電路70中，能夠大幅改善插入損耗。
[0067]在與高頻信號(hào)Shfl (第I高頻信號(hào))相同頻率的高頻信號(hào)Shf2 (第2高頻信號(hào))的二次諧波(2fo)，諧振電路2的特性阻抗設(shè)定為大致無(wú)限大。在二次諧波(2fo)表現(xiàn)為具有(λ/2)的傳送線路，因此如果將I = (λ/2)代入式(2)，則阻抗Z成為大致零。
[0068]因此，能夠大幅降低二次諧波(2fo)下的泄漏功率。
[0069]在與高頻信號(hào)Shfl (第I高頻信號(hào))相同頻率的高頻信號(hào)Shf2 (第2高頻信號(hào))的三次諧波(3fo)，諧振電路2的特性阻抗設(shè)定為大致零。在三次諧波(3fo)表現(xiàn)為具有(λ /2)的傳送線路，因此如果將I = ( λ /2)代入式⑵，則阻抗Z成為大致零。
[0070]因此，能夠大幅降低三次諧波(3fo)下的泄漏功率。
[0071]如圖4所示，在比較例的高頻開關(guān)電路100中，在控制信號(hào)Ssgl為使能狀態(tài)、且控制信號(hào)Ssg2為去能狀態(tài)下從端子Ptxl對(duì)端子Pant側(cè)傳送高頻信號(hào)Shfl (第I高頻信號(hào))時(shí)，穿透晶體管Tl、穿透晶體管T2、分流晶體管SI及分流晶體管S2表現(xiàn)為與圖3相同。
[0072]在比較例的高頻開關(guān)電路100中，未在穿透晶體管T2與端子Prxl之間設(shè)置傳送線路TL3與傳送線路TL4，未在傳送線路TL3與接地電位Vss之間設(shè)置諧振電路2，因此高頻信號(hào)Shfl (第I高頻信號(hào))的一部分經(jīng)由串聯(lián)連接的斷開電容Coffl向端子Prx側(cè)泄漏。而且，產(chǎn)生高頻信號(hào)Shfl (第I高頻信號(hào))的二次諧波、三次諧波的泄漏。
[0073]如圖5所示，在本實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路70中，控制信號(hào)Ssgl被設(shè)定為去能狀態(tài)，控制信號(hào)Ssg2被設(shè)定為使能狀態(tài)。此時(shí)，從端子Pant向端子Prxl側(cè)傳送高頻信號(hào)Shf2 (第2高頻信號(hào))，穿透晶體管T2接通而表現(xiàn)為接通電阻Ron3，分流晶體管SI接通而表現(xiàn)為接通電阻R4。
[0074]另一方面，穿透晶體管Tl斷開而表現(xiàn)為斷開電容CofT3，分流晶體管S2斷開而表現(xiàn)為斷開電容Coff4。
[0075]此處，觀察負(fù)載側(cè)時(shí)的阻抗Z以式⑴表示。在本實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路70中，在從端子Pant到端子Prxl的路徑上，傳送線路TL3及傳送線路TL4的特性阻抗與終端阻抗Zs2設(shè)定為相同值。因此，根據(jù)式(I)，阻抗Z成為負(fù)載阻抗Zr，傳送線路的特性阻抗不依存于線路長(zhǎng)度。因此，高頻信號(hào)Shf2從端子Pant向端子Prxl側(cè)的傳遞量不會(huì)受到傳送線路TL3及傳送線路TL4的配置的影響而維持良好的值，從而不會(huì)變差。
[0076]另一方面，在從端子Pant到端子Ptxl的路徑上，經(jīng)由分流晶體管SI而連接于低電位側(cè)電源(接地電位)Vss。因此，負(fù)載阻抗Zr表現(xiàn)為大致O (零)Ω。
[0077]在與高頻信號(hào)Shfl (第I高頻信號(hào))相同頻率的高頻信號(hào)Shf2 (第2高頻信號(hào))，傳送線路TLl (λ/12)與傳送線路TL2(A/6)串聯(lián)連接。因此，傳送線路TLl與傳送線路TL2這兩條線路表現(xiàn)為具有(λ/4)的傳送線路。
[0078]如果將I = ( λ /4)代入式⑵，則阻抗Z成為Z N Cx3 (無(wú)限大)。諧振電路I的特性阻抗也被設(shè)定為Z N OO。
[0079]因此，能夠大幅減少高頻信號(hào)從端子Pant向端子Ptxl側(cè)的泄漏。因此，在高頻開關(guān)電路70中，能夠大幅改善插入損耗。
[0080]在與高頻信號(hào)Shf2 (第2高頻信號(hào))相同頻率的高頻信號(hào)Shfl (第I高頻信號(hào))的二次諧波(2fo)，諧振電路I的特性阻抗設(shè)定為大致無(wú)限大。在二次諧波(2fo)表現(xiàn)為具有(λ /2)的傳送線路，因此如果將I = ( λ /2)代入式(2)，則阻抗Z成為大致零(Ζ N O)。
[0081]因此，能夠大幅降低二次諧波(2fo)下的泄漏功率。
[0082]在與高頻信號(hào)Shf2 (第2高頻信號(hào))相同頻率的高頻信號(hào)Shfl (第I高頻信號(hào))的三次諧波(3fo)，諧振電路I的特性阻抗設(shè)定為大致零。在三次諧波(3fo)表現(xiàn)為具有(λ /2)的傳送線路，因此如果將I = ( λ /2)代入式⑵，則阻抗Z成為大致零(Ζ N O)。
[0083]因此，能夠大幅降低三次諧波(3fo)下的泄漏功率。
[0084]如圖6所示，在比較例的高頻開關(guān)電路100中，未在穿透晶體管Tl與端子Ptxl之間設(shè)置傳送線路TLl及傳送線路TL2，且未在傳送線路TLl的另一端與接地電位Vss之間設(shè)置諧振電路1，因此高頻信號(hào)Shf2(第2高頻信號(hào))的一部分經(jīng)由串聯(lián)連接的斷開電容Coff3向端子Ptxl側(cè)泄漏。產(chǎn)生高頻信號(hào)Shf2 (第2高頻信號(hào))的二次諧波、三次諧波的泄漏。
[0085]此處，傳送線路TLl與傳送線路TL4在第I及第2高頻信號(hào)的頻率下將線路長(zhǎng)設(shè)定為(λ/12)，傳送線路TL2與傳送線路TL3在第I及第2高頻信號(hào)的頻率下將線路長(zhǎng)設(shè)定為(λ/6)，但也可以存在特定值的誤差。
[0086]接下來(lái)，參照?qǐng)D7及圖8對(duì)高頻開關(guān)電路的特性進(jìn)行說(shuō)明。圖7是本實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路的史密斯圖。圖8Α是表示第I及第2高頻信號(hào)的二次諧波的泄漏功率的圖，圖SB是表示第I及第2高頻信號(hào)的三次諧波的泄漏功率的圖。
[0087]此處，是將第I及第2高頻信號(hào)(fo)設(shè)為2GHz、將第I及第2高頻信號(hào)的二次諧波(2fo)設(shè)為4GHz、且將第I及第2高頻信號(hào)的三次諧波(3fo)設(shè)為6GHz時(shí)的特性圖。
[0088]如圖7所示，在本實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路70中，第I及第2高頻信號(hào)(fo)的阻抗Z成為大致無(wú)限大(Z N Cx3 )。第丨及第2高頻信號(hào)的二次諧波(2fo)與第I及第2高頻信號(hào)的三次諧波(3fo)的阻抗Z成為大致零(Z N O)。
[0089]在本實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路70中，由于能夠使二次諧波(2fo)與三次諧波(3fo)的阻抗Z為大致零(Z N O)，因此能夠使二次諧波(2fo)與三次諧波(3fo)下的泄漏功率降低到測(cè)定極限附近。
[0090]另一方面，在比較例的高頻開關(guān)電路100中，產(chǎn)生二次諧波、三次諧波的泄漏。
[0091]如圖8A所示，在本實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路70中，能夠?qū)⒍沃C波(2fo)下的泄漏功率較比較例的高頻開關(guān)電路100大幅地降低65dBm。如圖8B所示，在本實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路70中，能夠?qū)⑷沃C波(3fo)下的泄漏功率較比較例的高頻開關(guān)電路100大幅地降低60dBm。
[0092]如上所述，在本實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路中，設(shè)置諧振電路1、諧振電路2、分流晶體管S1、分流晶體管S2、穿透晶體管Tl、穿透晶體管T2、傳送線路TL1、傳送線路TL2、傳送線路TL3、傳送線路TL4、端子Pant、端子Prxl、端子Ptxl、端子PVcl以及端子PVc2。
[0093]在第I高頻信號(hào)及第2高頻信號(hào)(fo)時(shí)，傳送線路表現(xiàn)為具有(λ/4)的傳送線路。在第I高頻信號(hào)及第2高頻信號(hào)的二次諧波(2fo)時(shí)，傳送線路表現(xiàn)為具有(λ/2)的傳送線路。在第I高頻信號(hào)及第2高頻信號(hào)的三次諧波(3fo)時(shí)，傳送線路表現(xiàn)為具有(λ/2)的傳送線路。
[0094]因此，在高頻開關(guān)電路70中，能夠大幅改善插入損耗，在二次諧波(2fo)及三次諧波(3fo)時(shí)，能夠大幅降低泄漏功率。
[0095]另外，在本實(shí)施方式中，將傳送線路TLl的線路長(zhǎng)設(shè)為(λ/12)，將傳送線路TL2的線路長(zhǎng)設(shè)為(λ /6)，將傳送線路TL3的線路長(zhǎng)設(shè)為(λ /6)，將傳送線路TL4的線路長(zhǎng)設(shè)為(λ/12)，但未必限定于此。也可以將傳送線路TLl的線路長(zhǎng)設(shè)為{ λ (η+(1/12) }，將傳送線路TL2的線路長(zhǎng)設(shè)為{λ (η+(1/6)}，將傳送線路TL3的線路長(zhǎng)設(shè)為{λ (η+(1/6)}，將傳送線路TL4的線路長(zhǎng)設(shè)為{λ (η+(1/12)}。此處，η為零或I以上的整數(shù)。
[0096]而且，在本實(shí)施方式中，為了降低二次諧波(2fo)與三次諧波(3fo)的泄漏功率，而將傳送線路TLl至TL4的線路長(zhǎng)設(shè)定為所述值，并且設(shè)置諧振電路I及諧振電路2。在只降低二次諧波(2fo)的泄漏功率的情況下，無(wú)需諧振電路I及諧振電路2。只要將傳送線路TLl+傳送線路TL2的線路長(zhǎng)設(shè)為第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)(λ ) X (m/4)，且將傳送線路TL3+傳送線路TL4的線路長(zhǎng)設(shè)為第2高頻信號(hào)的波長(zhǎng)(λ) X (m/4)即可。此處，m為I以上的整數(shù)。
[0097]參照附圖對(duì)第2實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路進(jìn)行說(shuō)明。圖9是表示高頻開關(guān)電路的電路圖。在本實(shí)施方式中，變更晶體管。
[0098]以下，對(duì)與第I實(shí)施方式相同的構(gòu)成部分標(biāo)注相同符號(hào)并且省略該部分的說(shuō)明，只說(shuō)明不同的部分。
[0099]如圖9所示，高頻開關(guān)電路70a包含諧振電路1、諧振電路2、分流晶體管Sla、分流晶體管S2a、穿透晶體管Tla、穿透晶體管T2a、傳送線路TL1、傳送線路TL2、傳送線路TL3、傳送線路TL4、端子Pant、端子Prxl、端子Ptxl、端子PVcl以及端子PVc2。
[0100]分流晶體管Sla的一端連接于端子Ptxl，對(duì)控制端子輸入控制信號(hào)Ssg2，且另一端連接于接地電位Vss。
[0101]穿透晶體管Tla的一端連接于傳送線路TL2的另一端，對(duì)控制端子輸入控制信號(hào)Ssgl，且另一端連接于端子Pant。
[0102]穿透晶體管T2a的一端連接于端子Pant，對(duì)控制端子輸入控制信號(hào)Ssg2，且另一端連接于傳送線路TL3的一端。
[0103]分流晶體管S2a的一端連接于傳送線路TL4的另一端及端子Prxl，對(duì)控制端子輸入控制信號(hào)Ssgl，且另一端連接于接地電位Vss。
[0104]此處，分流晶體管Sla、分流晶體管S2a、穿透晶體管Tla、穿透晶體管T2a使用PHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor，假晶高電子遷移率晶體管)(R)。PHEMT是將由半導(dǎo)體異質(zhì)接面感應(yīng)的高迀移率的二維電子氣(2DEG)作為信道，將構(gòu)成信道的材料變更為進(jìn)行偽晶格匹配的其他材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。PHEMT與SOI型MOSFET或HEMT (High Electron Mobility Transistor，高電子迀移率晶體管)相比能夠?qū)崿F(xiàn)例如高頻化、低雜訊化。
[0105]如上所述，在本實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路中，設(shè)置諧振電路1、諧振電路2、分流晶體管Sla、分流晶體管S2a、穿透晶體管Tla、穿透晶體管T2a、傳送線路TL1、傳送線路TL2、傳送線路TL3、傳送線路TL4、端子Pant、端子Prxl、端子Ptxl、端子PVcl以及端子PVc2。
[0106]因此，具有與第I實(shí)施方式相同的效果。
[0107]參照附圖對(duì)第3實(shí)施方式的作為高頻半導(dǎo)體集成電路的高頻功率放大電路進(jìn)行說(shuō)明。圖10是表示作為高頻半導(dǎo)體集成電路的高頻功率放大電路的電路圖。圖11是本實(shí)施方式的高頻功率放大電路的等效電路圖。圖12是表示比較例的高頻功率放大電路的電路圖。
[0108]在本實(shí)施方式中，通過(guò)在NPN晶體管的一端與電源之間設(shè)置第I傳送線路及第2傳送線路，且在第I傳送線路與第2傳送線路之間和接地電位之間設(shè)置第I諧振電路，而大幅減少泄漏信號(hào)。
[0109]如圖10所示，作為高頻半導(dǎo)體集成電路的高頻功率放大電路80包含電源3、諧振電路11、匹配電路12、電容器C3、NPN晶體管NT1、傳送線路TL11、傳送線路TL12、輸入端子Pin以及輸出端子Pout。高頻功率放大電路80多用于移動(dòng)電話、無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)備、衛(wèi)星通信設(shè)備或有線TV設(shè)備等。高頻功率放大電路80也被稱為高頻功率放大器。
[0110]NPN晶體管NTl是經(jīng)由輸入端子Pin對(duì)基極(控制端子)輸入輸入信號(hào)Sin (第I高頻信號(hào))，從集極(一端)輸出將輸入信號(hào)Sin放大的放大信號(hào)，并且發(fā)射極(另一端)連接于接地電位 Vssc3NPN 晶體管NTl 例如使用 HBT (Hetero junct1n Bipolar transistor，異質(zhì)接面雙極性晶體管)。另外，也可以代替NPN晶體管NTl而使用功率HEMT (High ElectronMobility Transistor))等。
[0111]匹配電路12設(shè)置在NPN晶體管NTl的一端與輸出端子Pout之間，對(duì)放大信號(hào)進(jìn)行阻抗匹配，并將經(jīng)阻抗匹配的輸出信號(hào)Sout輸出到輸出端子Pout。在輸出信號(hào)Sout的頻率下阻抗匹配為例如50 Ω。
[0112]匹配電路12包含電感器L21及電容器C21。電感器L21的一端連接于NPN晶體管NTl的一端，且另一端連接于輸出端子Pout。電容器C21的一端連接于電感器L21的另一端，且另一端連接于接地電位Vss。
[0113]傳送線路TL12(第I線路)的一端連接于NPN晶體管NTl的一端。傳送線路TL12 (第I線路)以如下方式設(shè)定:在被輸入所傳送的第I高頻信號(hào)(從NPN晶體管NTl的一端輸出的放大信號(hào))的情況下，線路長(zhǎng)成為第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)(λ)的1/6。
[0114]傳送線路TLll (第2線路)的一端連接于傳送線路TL12的另一端，且另一端連接于電源3的高電位側(cè)。傳送線路TLll (第2線路)以如下方式設(shè)定:在被輸入所傳送的第I高頻信號(hào)(從NPN晶體管NTl的一端輸出的放大信號(hào))的情況下，線路長(zhǎng)成為第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)(λ)的1/12。
[0115]諧振電路11(第I諧振電路)的一端連接于傳送線路TL12的另一端，且另一端連接于接地電位Vss。諧振電路11具有串聯(lián)連接的電感器Lll及電容器CU。諧振電路I在第I高頻信號(hào)的二次諧波以下的頻率時(shí)特性阻抗被設(shè)定為大致無(wú)限大，且在第I高頻信號(hào)的三次諧波的頻率時(shí)特性阻抗被設(shè)定為大致零。
[0116]此處，將電感器Lll設(shè)置在傳送線路TL12的另一端側(cè)，且將電容器Cll設(shè)置在接地電位Nss側(cè)，但也可以將電容器Cll設(shè)置在傳送線路TL12的另一端側(cè)，且將電感器Lll設(shè)置在接地電位Vss側(cè)。
[0117]電容器C3的一端連接于傳送線路TLll的另一端及電源3的高電位側(cè)，且另一端連接于接地電位Vss。電容器C3具有相對(duì)較大的電容以于第I高頻信號(hào)(fo)以上時(shí)成為短路。例如，在第I高頻信號(hào)(fo)為2Hz的情況下，電容器C3設(shè)定為10pF以上。
[0118]電源3的高電位側(cè)連接于傳送線路TLll的另一端，且低電位側(cè)連接于接地電位Vss。電源3經(jīng)由傳送線路TL12及傳送線路TLll而將電源電壓Vcc供給至NPN晶體管NTl的一端。
[0119]如圖11所示，高頻功率放大電路80的NPN晶體管NTl可表現(xiàn)為如果對(duì)一端施加電源電壓Vcc、且對(duì)基極輸入輸入信號(hào)Sin (第I高頻信號(hào))則動(dòng)作的電流源。
[0120]如圖12所示，比較例的高頻功率放大電路81包含電源3、匹配電路12、電容器C3、NPN晶體管NT1、輸入端子Pin、輸出端子Pout。比較例的高頻功率放大電路81是從本實(shí)施方式的高頻功率放大電路80中省略傳送線路TL11、傳送線路TL12、諧振電路11而成。因此，省略高頻功率放大電路81的構(gòu)成的說(shuō)明。
[0121]接下來(lái)，對(duì)本實(shí)施方式的高頻功率放大電路80及比較例的高頻功率放大電路81的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。
[0122]在本實(shí)施方式的高頻功率放大電路80中，如果從NPN晶體管NTl的一端將第I高頻信號(hào)(fo)傳送至傳送線路TL12及傳送線路TL11，則傳送線路TL12的線路長(zhǎng)成為第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的1/6，傳送線路TLll的線路長(zhǎng)成為第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的1/12。由于傳送線路TL12與傳送線路TLll串聯(lián)連接，因此傳送線路TL12與傳送線路TLll這兩條線路表現(xiàn)為具有(λ/4)的傳送線路。
[0123]與第I實(shí)施方式同樣地，如果將I = ( λ /4)代入式⑵，則阻抗Z成為Z N c?(無(wú)限大)。諧振電路11的特性阻抗也被設(shè)定為Z Ncx3。
[0124]因此，能夠大幅降低傳送線路TL12與傳送線路TL11、及諧振電路11中的第I高頻信號(hào)(從NPN晶體管NTl的一端輸出的放大信號(hào))的泄漏。
[0125]在第I高頻信號(hào)(fo)的二次諧波(2fo)，諧振電路11的特性阻抗被設(shè)定為大致無(wú)限大。由于在二次諧波(2fo)表現(xiàn)為具有(λ/2)的傳送線路，因此與第I實(shí)施方式同樣地，如果將I = ( λ /2)代入式(2)，則阻抗Z成為大致零。
[0126]因此，能夠大幅降低二次諧波(2fo)下的泄漏功率。
[0127]在第I高頻信號(hào)(fo)的三次諧波(3fo)，諧振電路11的特性阻抗設(shè)定為大致零。由于在三次諧波(3fo)下表現(xiàn)為具有(λ/2)的傳送線路，因此與第I實(shí)施方式同樣地，如果將I = ( λ /2)代入式(2)，則阻抗Z成為大致零。
[0128]因此，能夠大幅降低三次諧波(3fo)下的泄漏功率。
[0129]接下來(lái)，參照?qǐng)D13及圖14對(duì)本實(shí)施方式的高頻功率放大電路80及比較例的高頻功率放大電路81的特性進(jìn)行說(shuō)明。圖13是本實(shí)施方式的高頻功率放大電路的史密斯圖。圖14(a)是表示高頻信號(hào)的二次諧波的泄漏功率的圖。圖14(b)是表示高頻信號(hào)的三次諧波的泄漏功率的圖。
[0130]此處，是將第I高頻信號(hào)(fo)設(shè)為2GHz、且將第I高頻信號(hào)的二次諧波(2fo)設(shè)為4GHz、將第I高頻信號(hào)的三次諧波(3fo)設(shè)為6GHz時(shí)的特性圖。
[0131]如圖13所示，在本實(shí)施方式的高頻功率放大電路80中，第I高頻信號(hào)(fo)的阻抗Z成為大致無(wú)限大(Z N Cx3 )。第！高頻信號(hào)的二次諧波(2fo)與第I高頻信號(hào)的三次諧波(3fo)的阻抗Z成為大致零(Z N O)。
[0132]在本實(shí)施方式的高頻功率放大電路80中，由于能夠使二次諧波(2fo)與三次諧波(3fo)的阻抗Z為大致零(Z N O)，因此能夠使二次諧波(2fo)與三次諧波(3fo)下的泄漏功率降低至測(cè)定極限附近。
[0133]另一方面，在比較例的高頻功率放大電路81中，產(chǎn)生二次諧波、三次諧波的泄漏。
[0134]如圖14 (a)所示，在本實(shí)施方式的高頻功率放大電路80中，能夠?qū)⒍沃C波(2fo)下的泄漏功率較比較例的高頻功率放大電路81大幅降低60dBm。如圖14(b)所示，在本實(shí)施方式的高頻功率放大電路80中，能夠?qū)⑷沃C波(3fo)下的泄漏功率較比較例的高頻功率放大電路81大幅降低55dBm。
[0135]如上所述，在本實(shí)施方式的高頻功率放大電路80中，設(shè)置電源3、諧振電路11、匹配電路12、電容器C3、NPN晶體管NT1、傳送線路TL11、傳送線路TL12、輸入端子Pin以及輸出端子Pout。第I高頻信號(hào)(fo)時(shí)，傳送線路表現(xiàn)為具有(λ/4)的傳送線路。第I高頻信號(hào)的二次諧波(2fo)時(shí)，傳送線路表現(xiàn)為具有(λ/2)的傳送線路。第I高頻信號(hào)的三次諧波(3fo)時(shí)，傳送線路表現(xiàn)為具有(λ/2)的傳送線路。
[0136]因此，二次諧波(2fo)與三次諧波(3fo)時(shí)，能夠大幅地降低高頻功率放大電路80的泄漏功率。
[0137]參照附圖對(duì)第4實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路進(jìn)行說(shuō)明。圖15是表示高頻開關(guān)電路的電路圖。在本實(shí)施方式中，設(shè)置著開路殘段。使用開路殘段，大幅減少第I及2高頻信號(hào)的三次諧波(3fo)下的泄漏信號(hào)。
[0138]以下，對(duì)與第I實(shí)施方式相同的構(gòu)成部分標(biāo)注相同符號(hào)并且省略該部分的說(shuō)明，只說(shuō)明不同的部分。
[0139]如圖15所示，作為高頻半導(dǎo)體集成電路的高頻開關(guān)電路71包含開路殘段31、開路殘段32、分流晶體管S1、分流晶體管S2、穿透晶體管Tl、穿透晶體管T2、傳送線路TL31、傳送線路TL41、端子Pant、端子Prxl、端子Ptxl、端子PVcl以及端子PVc2。
[0140]開路殘段31 (第I開路殘段)的一端連接于節(jié)點(diǎn)NI (端子Ptxl與傳送線路TL31之間)，且另一端成為開路狀態(tài)。開路殘段31對(duì)應(yīng)于第I高頻信號(hào)的三次諧波(3fo)而設(shè)置。
[0141]具體來(lái)說(shuō)，開路殘段31的長(zhǎng)度設(shè)定為第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的{n+(l/12)}，相對(duì)于第I高頻信號(hào)的三次諧波(3fo)而使節(jié)點(diǎn)NI為短路狀態(tài)。其中，η為I以上的整數(shù)。開路殘段31相對(duì)于第I高頻信號(hào)將節(jié)點(diǎn)NI設(shè)為開路狀態(tài)而使第I高頻信號(hào)通過(guò)。結(jié)果能夠減少第I高頻信號(hào)的三次諧波(3fo)的泄漏信號(hào)。
[0142]開路殘段32 (第2開路殘段)的一端連接于節(jié)點(diǎn)N2 (端子Prxl與傳送線路TL41之間)，且另一端成為開路狀態(tài)。開路殘段32對(duì)應(yīng)于第2高頻信號(hào)的三次諧波(3fo)而設(shè)置。
[0143]具體來(lái)說(shuō)，開路殘段32的長(zhǎng)度設(shè)定為第2高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的{n+(l/12)}，相對(duì)于第2高頻信號(hào)的三次諧波(3fo)而使節(jié)點(diǎn)N2為短路狀態(tài)。其中，η為I以上的整數(shù)。開路殘段32相對(duì)于第2高頻信號(hào)將節(jié)點(diǎn)Ν2設(shè)為開路狀態(tài)而使第2高頻信號(hào)通過(guò)。結(jié)果能夠減少第2高頻信號(hào)的三次諧波(3fo)的泄漏信號(hào)。
[0144]開路殘段31與開路殘段32使用例如共平面帶狀線路或微帶傳輸線路等。
[0145]傳送線路TL31 (第I線路)的一端連接于節(jié)點(diǎn)NI (開路殘段31的一端)，且另一端連接于穿透晶體管Tl的一端。傳送線路TL31設(shè)定為與特性阻抗Zsl相同的值。傳送線路TL31以如下方式設(shè)定:在被輸入所傳送的第I高頻信號(hào)的情況下，線路長(zhǎng)成為第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)(λ)的(m/4)。其中，m為I以上的整數(shù)。
[0146]傳送線路TL41 (第2線路)的一端連接于節(jié)點(diǎn)N2 (開路殘段32的一端)，且另一端連接于端子Prxl。傳送線路TL41設(shè)定為與特性阻抗Zs2相同的值。傳送線路TL41以如下方式設(shè)定:在被輸入所傳送的第2高頻信號(hào)的情況下，線路長(zhǎng)成為第2高頻信號(hào)的波長(zhǎng)(入)的(m/4)。其中，m為I以上的整數(shù)。
[0147]如上所述，在本實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路71中，設(shè)置長(zhǎng)度被設(shè)定為第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的{n+(l/12)}的開路殘段31以及長(zhǎng)度被設(shè)定為第2高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的{η+(1/12)}的開路殘段32。并且設(shè)置以線路長(zhǎng)成為第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)(λ)的(m/4)的方式設(shè)定的傳送線路TL31，以及以線路長(zhǎng)成為第2高頻信號(hào)的波長(zhǎng)(λ)的(m/4)的方式設(shè)定的傳送線路 TL41。
[0148]因此，在高頻開關(guān)電路71中，能夠大幅改善插入損耗，二次諧波(2fo)與三次諧波(3fo)時(shí)，能夠大幅降低泄漏功率。
[0149]在實(shí)施方式中，將高頻信號(hào)(fo)設(shè)定為2GHz，但未必限定于此。也可以將高頻信號(hào)(fo)應(yīng)用于例如2.5GHz、5GHz、5.7GHz等各種高頻信號(hào)。在此情況下，必須根據(jù)高頻信號(hào)的波長(zhǎng)而選擇傳送線路或開路殘段的線路長(zhǎng)。
[0150]已對(duì)本發(fā)明的若干實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但這些實(shí)施方式是作為示例而提出的，并非意欲限定發(fā)明的范圍。這些新穎的實(shí)施方式也能夠以其他各種方式加以實(shí)施，可在不脫離發(fā)明主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式及其變化包含在發(fā)明的范圍或主旨內(nèi)，并且包含在權(quán)利要求所記載的發(fā)明及其均等的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于包括: 第I線路，一端連接于第I端子，當(dāng)傳送第I高頻信號(hào)時(shí)，線路長(zhǎng)成為所述第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的{n+(l/12)}，其中，η為零或I以上的整數(shù)； 第I諧振電路，一端連接于所述第I線路的另一端，且另一端連接于接地電位； 第2線路，一端連接于所述第I線路的另一端，當(dāng)傳送所述第I高頻信號(hào)時(shí)，線路長(zhǎng)成為所述第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的Ιη+α/6)}; 第I晶體管，一端連接于所述第2線路的另一端，且另一端連接于第2端子，對(duì)控制端子輸入第I控制信號(hào)； 第2晶體管，一端連接于所述第2端子，對(duì)控制端子輸入第2控制信號(hào)； 第3線路，一端連接于所述第2晶體管的另一端，當(dāng)傳送第2高頻信號(hào)時(shí)，線路長(zhǎng)成為所述第2高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的{η+(1/6)}; 第2諧振電路，一端連接于所述第3線路的另一端，且另一端連接于所述接地電位；以及 第4線路，一端連接于所述第3線路的另一端，且另一端連接于第3端子，當(dāng)傳送所述第2高頻信號(hào)時(shí)，線路長(zhǎng)成為所述第2高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的{η+(1/12)}。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于: 所述第I諧振電路在所述第I高頻信號(hào)的二次諧波以下的頻率時(shí)特性阻抗被設(shè)定為大致無(wú)限大，且在所述第I高頻信號(hào)的三次諧波的頻率時(shí)特性阻抗被設(shè)定為大致零，并且所述第2諧振電路在所述第2高頻信號(hào)的二次諧波以下的頻率時(shí)特性阻抗被設(shè)定為大致無(wú)限大，且在所述第2高頻信號(hào)的三次諧波的頻率時(shí)特性阻抗被設(shè)定為大致零。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于: 所述第I及第2諧振電路分別包含串聯(lián)連接的電感器與電容器。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于包括: 第3晶體管，一端連接于所述第I端子，且另一端設(shè)定為所述接地電位，對(duì)控制端子輸入所述第2控制信號(hào)；以及 第4晶體管，一端連接于所述第4線路的另一端，且另一端設(shè)定為所述接地電位，對(duì)控制端子輸入所述第I控制信號(hào)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于: 所述第I至4晶體管為SOI型Nch MOSFET及PHEMT中的任一種。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于: 所述尚頻半導(dǎo)體集成電路為SPDT開關(guān)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于: 所述第I至4線路為微帶傳輸線路及共平面帶狀線路中的任一種。8.一種高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于包括: 第I開路殘段，一端連接于第I端子，且另一端為開路狀態(tài)，線路長(zhǎng)成為所述第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的{η+(1/12)}，其中，η為零或I以上的整數(shù)； 第I線路，一端連接于所述第I開路殘段的一端，當(dāng)傳送所述第I高頻信號(hào)時(shí)，線路長(zhǎng)成為所述第I高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的Km/4)}，其中，m為I以上的整數(shù)； 第I晶體管，一端連接于所述第I線路的另一端，且另一端連接于第2端子，對(duì)控制端子輸入第I控制信號(hào)； 第2晶體管，一端連接于所述第2端子，對(duì)控制端子輸入第2控制信號(hào)； 第2開路殘段，一端連接于所述第2晶體管的另一端，且另一端為開路狀態(tài)，線路長(zhǎng)成為第2高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的{n+(l/12)};以及 第2線路，一端連接于所述第2開路殘段的一端，且另一端連接于第3端子，當(dāng)傳送所述第2高頻信號(hào)時(shí)，線路長(zhǎng)成為所述第2高頻信號(hào)的波長(zhǎng)的{(m/4)}。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于: 所述第I開路殘段在所述第I高頻信號(hào)的三次諧波的頻率時(shí)使所述第I線路的一端為短路狀態(tài)， 所述第2開路殘段在所述第2高頻信號(hào)的三次諧波的頻率時(shí)使所述第2線路的一端為短路狀態(tài)。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于: 所述第I及第2開路殘段為微帶傳輸線路及共平面帶狀線路中的任一種。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于包括: 第3晶體管，一端連接于所述第I端子，且另一端設(shè)定為接地電位，對(duì)控制端子輸入所述第2控制信號(hào)；以及 第4晶體管，一端連接于所述第2線路的另一端，且另一端設(shè)定為所述接地電位，對(duì)控制端子輸入所述第I控制信號(hào)。12.—種高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于包括: 第I晶體管，對(duì)控制端子輸入第I高頻信號(hào)，從一端輸出將所述第I高頻信號(hào)放大的放大信號(hào)，另一端連接于接地電位； 第I線路，一端連接于所述第I晶體管的一端，當(dāng)傳送所述放大信號(hào)時(shí)，線路長(zhǎng)成為所述放大信號(hào)的波長(zhǎng)的{n+(l/6)}，其中，η為零或I以上的整數(shù)； 第I諧振電路，一端連接于所述第I線路的另一端，且另一端連接于所述接地電位；以及 第2線路，一端連接于所述第I線路的另一端，且另一端連接于電源，當(dāng)傳送所述放大信號(hào)時(shí)，線路長(zhǎng)成為所述放大信號(hào)的波長(zhǎng)的{η+(1/12)}。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于: 所述第I諧振電路在所述放大信號(hào)的二次諧波以下的頻率時(shí)特性阻抗被設(shè)定為大致無(wú)限大，且在所述放大信號(hào)的三次諧波的頻率時(shí)特性阻抗被設(shè)定為大致零。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于: 所述第I諧振電路具有串聯(lián)連接的電感器與電容器。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于: 包括設(shè)置在所述第I晶體管的一端與輸出端子之間的匹配電路。16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的高頻半導(dǎo)體集成電路，其特征在于: 所述高頻半導(dǎo)體集成電路為高頻功率放大電路。
【文檔編號(hào)】H03F3/20GK105932991SQ201510556146
【公開日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2015年9月2日
【發(fā)明人】上嶋浩二
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社東芝