201可以是例如被配置成放大信號(hào)以便在通信介質(zhì)上傳輸?shù)纳漕l(RF)功率放大器(PA)，例如參照?qǐng)D1中的元件144所描述的。為了優(yōu)化效率，放大器201可以多種增益模式提供，例如，如可基于變化的信道狀況而要求的。具體而言，在第一或較高增益模式中，放大器201可以向輸入電壓IN提供高水平增益以生成0UT，而在第二或低增益模式中，放大器201可以向IN提供低水平增益。
[0030]由于高增益模式可能需要比低增益模式更多的DC功耗，因此可期望僅在需要這樣的高增益時(shí)以高增益模式操作放大器201。注意，兩種增益模式(例如，“第一”和“第二”)已經(jīng)僅僅出于解說(shuō)目的而描述，并且具有可調(diào)整增益的放大器的某些實(shí)現(xiàn)可納入任何數(shù)量的增益模式，如下文進(jìn)一步描述的。
[0031]圖2進(jìn)一步解說(shuō)了合成放大器201的實(shí)現(xiàn)201.1，其中可通過(guò)接通或關(guān)斷相應(yīng)的并聯(lián)耦合放大器210.1到210.M來(lái)選擇多種增益模式。具體而言，取決于所啟用的放大器210.1到210.M的數(shù)量，可調(diào)整合成放大器201.1的總增益。以此方式，放大器201.1的可調(diào)整增益可被理解為是使用“可調(diào)整大小”來(lái)實(shí)現(xiàn)的。具體而言，啟用或禁用并聯(lián)耦合放大器210.1到210.M可被理解為有效地調(diào)整合成放大器201.1的“大小”，由此調(diào)整合成放大器201.1的總增益。
[0032]在本說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中，術(shù)語(yǔ)“合成放大器”可表示被配置成放大輸入電壓以生成具有可調(diào)整增益的輸出電壓的實(shí)體(諸如201.1)，而術(shù)語(yǔ)“放大器”可表示也被配置成放大輸入電壓以生成輸出電壓的實(shí)體(諸如210.1到210.M中的任一個(gè))。在示例性實(shí)施例中，合成放大器可包括并聯(lián)地耦合的多個(gè)放大器。注意，201.1僅僅出于解說(shuō)目的而示出，且既不旨在將本公開(kāi)的范圍限于組成放大器210.1到210.M的任何特定實(shí)現(xiàn)，也不旨在將本公開(kāi)的范圍限于將組成放大器彼此耦合以產(chǎn)生可調(diào)整增益的任何特定方式。
[0033]圖3解說(shuō)了被組合以產(chǎn)生具有可調(diào)整增益的合成放大器201.2的多個(gè)并聯(lián)耦合放大器210.1到210.M的具體實(shí)現(xiàn)。注意，圖3僅是出于解說(shuō)目的而示出的，而不旨在將本公開(kāi)的范圍限定于任何特定類型的組成放大器(例如，雙共源共柵放大器)。
[0034]在圖3中，并聯(lián)耦合放大器210.1到210.M中的每一個(gè)都采用多共源共柵電路拓?fù)浠蚺渲?。注意，多共源共柵電路拓?fù)湓诒疚闹幸部杀环Q為“多堆疊”放大器拓?fù)洹＠?，放大?10.m(其中m是從I到M(包括I和M)的任意索引)包括耦合到可調(diào)整增益放大器201.2的輸入電壓IN的輸入晶體管NIN.m。晶體管N1.m和N2.m耦合到共源共柵配置中的晶體管NIN.m的漏極。具體而言，也被表示為“第一共源共柵晶體管”的晶體管N1.m具有耦合到輸出電壓OUT的漏極以及耦合到也被表示為“第二共源共柵晶體管”的晶體管N2.m的漏極的源極。N2.m具有耦合到NIN.m的漏極的源極。
[0035]N1.m和N2.m的柵極分別耦合到偏置電壓VBl.m和VB2.m，其中這些偏置電壓可被選擇來(lái)為多共源共柵放大器210.m提供適當(dāng)?shù)脑鲆嫣匦?。例如，在一?shí)現(xiàn)中，VBl.m可以大于VB2.mo進(jìn)一步耦合到N1.m和N2.m的柵極的分別是將共源共柵晶體管的柵極耦合到AC接地的AC耦合電容器Cl.m和C2.mo注意，多共源共柵放大器210.1到210.M中的其他多共源共柵放大器的元件未在圖3中標(biāo)記，但可執(zhí)行與參照放大器210.m描述的元件相似的功能性。
[0036]在圖3中，將認(rèn)識(shí)到為了向放大器201.2提供可調(diào)整增益，合適的多個(gè)多共源共柵放大器210.1到210.M可被接通(或“啟用”)，并且其余多共源共柵放大器可被同時(shí)關(guān)斷(或“禁用”)。以此方式，合成放大器201.2向IN提供隨著所啟用放大器數(shù)量而增大的增益。
[0037]圖4解說(shuō)了用于關(guān)斷多共源共柵放大器之一 210.m以使得合成放大器201.2可具有可調(diào)整增益的說(shuō)明性技術(shù)。具體而言，第一共源共柵晶體管Nl.m和第二共源共柵晶體管N2.m兩者的柵電壓被接地(或耦合到0V，如圖4所示)。將認(rèn)識(shí)到，這名義上截止了晶體管N1.m和N2.m，并由此關(guān)斷放大器210.m。注意，雖然放大器210.m可專門(mén)以此方式關(guān)斷，但其他放大器210.1到210.m-Ι (未在圖3中標(biāo)記)或放大器210.m+1 (未在圖3中標(biāo)記)到210.M中的任一個(gè)或全部仍然可被接通。
[0038]將認(rèn)識(shí)到，當(dāng)210.m的第一和第二共源共柵晶體管的柵電壓以上述方式被綁定至接地時(shí)，可能引發(fā)某些問(wèn)題。例如，假設(shè)其他放大器(例如，210.1到210.m-l和/或210.m+1到210.M中的任一個(gè))仍然是活躍的，那么在Nl.m的漏極處仍然可能存在高電壓(例如，接近干線電壓VDD，VDD在圖4所示的說(shuō)明性實(shí)例中等于3.5V)。如果OUT(也耦合到Nl.m的漏極)處于高電壓，則可能存在跨Nl.m的漏極(“D”)和柵極(“G”)以及跨其漏極(“D”)和源極(“S”)的大電壓差。OUT導(dǎo)致的跨Nl.m的高壓降可能不合需要地導(dǎo)致器件的擊穿，例如在這一壓降超出所允許的最大壓降的器件規(guī)范時(shí)。例如，當(dāng)0.1Sum器件與3.5V電源聯(lián)用或者0.65um器件與1.8V電源聯(lián)用等時(shí)，可引發(fā)這些情形。
[0039]提供用于解決這些問(wèn)題(例如，以防止可調(diào)整增益放大器中的器件的擊穿)的技術(shù)將是合乎期望的。
[0040]圖5解說(shuō)了根據(jù)本公開(kāi)的配置多共源共柵放大器510.m以接通或關(guān)斷該器件的技術(shù)的示例性實(shí)施例500。注意，多共源共柵放大器510可以與采用相似技術(shù)的其他多共源共柵放大器(例如，510.1到510.m-Ι和/或510.m+1到510.M)并聯(lián)地耦合以實(shí)現(xiàn)可調(diào)整增益合成放大器。注意，圖5僅出于解說(shuō)目的來(lái)示出，而并不意圖將本公開(kāi)的范圍限定于所示出的任何特定示例性實(shí)施例。
[0041]在圖5中，提供給第一共源共柵晶體管Nl.m的柵電壓可以在兩個(gè)值之間進(jìn)行選擇，這取決于放大器510.m是被接通還是關(guān)斷。具體而言，當(dāng)510.m被接通時(shí)，則N1.m和N2.m的柵電壓分別是VBl.m和VB2.m。在一示例性實(shí)施例中，VBl.m和VB2.m對(duì)應(yīng)于足以導(dǎo)通晶體管N1.m和N2.m以便進(jìn)行多共源共柵電路操作的“導(dǎo)通”電壓，如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會(huì)理解的。
[0042]當(dāng)510.m被關(guān)斷時(shí)，則N1.m和N2.m的柵電壓分別是VBl.m*和VB2.m*V，其中VBl.m*和VB2.m*分別對(duì)應(yīng)于第一和第二共源共柵晶體管N1.m、N2.m的第一和第二截止電壓。在一示例性實(shí)施例中，選擇第一截止電壓VBl.m*來(lái)減小跨Nl.m的漏-柵(Vdg)電壓。具體而言，VBl.m*和VB2.m*可以是被專門(mén)選擇來(lái)同時(shí)使跨第一共源共柵晶體管N1.m和第二共源共柵晶體管N2.m的端子的壓降(例如，漏-柵(Vdg)和漏-源(Vds)電壓)最小化的“最優(yōu)”截止電壓。
[0043]根據(jù)本公開(kāi)的510.m中的電路系統(tǒng)的說(shuō)明性截止電壓以下參照?qǐng)D6來(lái)描述。將會(huì)認(rèn)識(shí)到，這些說(shuō)明性電壓電平僅僅作為示例來(lái)提供，并且不旨在將本公開(kāi)的范圍限于所示任何特定電壓。
[0044]在圖6中，OUT耦合到3.5V的示例性VDD0 N1.m的柵極耦合到VBl.m/VBl.m* =2.9V/2.0V，其中第一電壓2.9V是N1.m的示例性導(dǎo)通電壓，而第二電壓2.0V是示例性截止電壓。N2.m的柵極耦合到VB2.m/VB2.m*V = 1.9V/0V，其中第一電壓1.9V是N2.m的示例性導(dǎo)通電壓，而第二電壓OV是示例性截止電壓。注意，通過(guò)將VBl.m*設(shè)為2V，當(dāng)510.m被關(guān)斷時(shí)，則N1.m的漏-柵電壓(Vdg)為1.5V，這與在N1.m被接地(例如，如根據(jù)圖4所示的實(shí)現(xiàn))的情況下的3.5V形成對(duì)比。此外，Nl.m的源電壓也將為2V，因?yàn)镹l.m的柵-源電壓(Vgs)將由于沒(méi)有電流流過(guò)N2.m(因?yàn)榫w管N2.m的柵電壓被接地)而被維持在0V。由此，Nl.m的漏-源電壓(Vds)也是1.5V。鑒于這些示例性電壓設(shè)置，將會(huì)認(rèn)識(shí)到跨晶體管N1.m和N2.m的端到端壓降被限于不超過(guò)2V，這顯著地低于3.5V的VDD。
[0045]鑒于本公開(kāi)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，第一共源共柵晶體管Nl.m的截止電壓可以從最優(yōu)截止電壓范圍中預(yù)先選擇。具體而言，最優(yōu)截止范圍包括將導(dǎo)致跨任一共源共柵晶體管的所有端到端壓降都小于此類晶體管能夠支持的最大壓降，且優(yōu)選地比這一最大壓降小得多的施加給N1.m的任何電壓。
[0046]注意，在其中多共源共柵放大器510.m包括兩個(gè)共源共柵晶體管N1.m和N2.m的圖5的示例性實(shí)施例500中，第二共源共柵晶體管N2.m的截止電壓VB2.m*可被接地