實施例涉及發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、顯示裝置是用于顯示圖像的裝置，并且包括液晶顯示(lcd)裝置和有機發(fā)光二極管(oled)顯示裝置等。這種顯示裝置用在諸如移動電話、導(dǎo)航裝置、數(shù)碼相機、電子書、便攜式游戲機、以及各種終端的各種電子裝置中。

2、與液晶顯示裝置不同，oled顯示裝置具有自發(fā)光特性并且不需要單獨的光源，因此可以降低厚度和重量。oled顯示裝置具有諸如低功耗、高亮度和快響應(yīng)速度的高質(zhì)量特性。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、實施例提供了發(fā)光顯示裝置，該發(fā)光顯示裝置能夠防止工藝期間的電阻的增大并且能夠降低電力消耗。

2、然而，本公開的實施例不限于本文中所闡述的那些實施例。通過參考下面所給出的對本公開的詳細描述，對于本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，以上及其它實施例將變得更加明顯。

3、在實施例中，一種發(fā)光顯示裝置可以包括：基底；第一導(dǎo)電層，所述設(shè)置在基底上；第一絕緣層，覆蓋第一導(dǎo)電層；半導(dǎo)體層，設(shè)置在第一絕緣層上；第二絕緣層，設(shè)置在半導(dǎo)體層上；第二導(dǎo)電層，設(shè)置在第二絕緣層上；以及數(shù)據(jù)焊盤電極，設(shè)置在顯示區(qū)的外側(cè)中。第一導(dǎo)電層可以形成為包括下層、中間層和上層的三層。數(shù)據(jù)焊盤電極和第一導(dǎo)電層可以形成為相同的三層結(jié)構(gòu)，三層中的下層可以包括鈦，三層中的中間層可以包括銅，并且三層中的上層可以包括鉬和鈦的合金。

4、可以通過兩個濕蝕刻工藝蝕刻數(shù)據(jù)焊盤電極和第一導(dǎo)電層。

5、可以通過濕蝕刻工藝蝕刻第二導(dǎo)電層。

6、可以在濕蝕刻工藝之后通過干蝕刻工藝蝕刻第二絕緣層和半導(dǎo)體層。

7、第一絕緣層也可以通過干蝕刻工藝蝕刻。

8、第一導(dǎo)電層可以包括下存儲電極、數(shù)據(jù)線和第一驅(qū)動電壓線，半導(dǎo)體層可以包括第一半導(dǎo)體、第二半導(dǎo)體和第三半導(dǎo)體，并且第二導(dǎo)電層可以包括第一柵極電極、第一掃描信號線、第二掃描信號線和驅(qū)動電壓線連接部分。

9、與第一半導(dǎo)體重疊的開口可以設(shè)置在第二絕緣層中，開口的第一部分在平面圖中與第二導(dǎo)電層不重疊，開口的第二部分可以在平面圖中與第二導(dǎo)電層重疊，并且在第一半導(dǎo)體中，可以通過干蝕刻工藝對由開口的第一部分暴露的開口的一部分進行蝕刻形成開口。

10、在平面圖中與開口重疊的第二導(dǎo)電層可以是驅(qū)動電壓線連接部分。

11、第二絕緣層可以在平面圖中從開口的外圍突出到驅(qū)動電壓線連接部分的外側(cè)。

12、第一半導(dǎo)體的開口的多個邊界部分當(dāng)中的朝向驅(qū)動電壓線連接部分設(shè)置的邊界部分可以在平面圖中從驅(qū)動電壓線連接部分突出。

13、第二導(dǎo)電層可以形成為包括下層和上層的雙層。

14、雙層的下層可以包括鈦，并且雙層的上層可以包括銅。

15、一種發(fā)光顯示裝置進一步包括：有機絕緣層，覆蓋第二導(dǎo)電層；陽極，設(shè)置在有機絕緣層上；以及像素限定層，包括暴露陽極的一部分的開口。

16、第二導(dǎo)電層可以進一步包括電連接到第一半導(dǎo)體、第三半導(dǎo)體和下存儲電極的連接電極，并且連接電極可以通過設(shè)置在有機絕緣層中的開口而電連接到陽極。

17、數(shù)據(jù)焊盤電極可以設(shè)置在基底上，并且有機絕緣層可以設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤電極上，并且可以包括暴露數(shù)據(jù)焊盤電極的一部分的開口。

18、半導(dǎo)體層可以包括氧化物半導(dǎo)體。

19、在實施例中，一種發(fā)光顯示裝置可以包括：基底；第一導(dǎo)電層，設(shè)置在基底上；第一絕緣層，覆蓋第一導(dǎo)電層；半導(dǎo)體層，設(shè)置在第一絕緣層上；第二絕緣層，設(shè)置在半導(dǎo)體層上；第二導(dǎo)電層，設(shè)置在第二絕緣層上；以及數(shù)據(jù)焊盤電極，設(shè)置在顯示區(qū)的外側(cè)中。第二導(dǎo)電層可以形成為包括下層、中間層和上層的三層，數(shù)據(jù)焊盤電極和第二導(dǎo)電層可以形成為相同的三層。三層中的下層可以包括鈦(ti)，三層中的中間層可以包括銅(cu)，并且三層中的上層可以包括作為的氧化銦錫(ito)，氧化銦錫是透明導(dǎo)電材料，并且數(shù)據(jù)焊盤電極和第二導(dǎo)電層可以通過濕蝕刻工藝形成。

20、一種發(fā)光顯示裝置可以進一步包括覆蓋第二導(dǎo)電層的有機絕緣層，其中數(shù)據(jù)焊盤電極可以設(shè)置在基底、第一絕緣層和第二絕緣層上并且有機絕緣層可以包括設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤電極上并暴露數(shù)據(jù)焊盤電極的一部分的開口。

21、可以在濕蝕刻工藝之后通過干蝕刻工藝來蝕刻第二絕緣層和半導(dǎo)體層。

22、第一導(dǎo)電層可以形成為包括下層和上層的雙層，并且雙層中的下層可以包括鈦，并且雙層中的上層可以包括銅。

23、根據(jù)實施例，因為柵極導(dǎo)電層不通過兩步濕蝕刻工藝形成，因此電阻可以不通過使柵極導(dǎo)電層的寬度變窄而增大，并且因而可以防止電阻在工藝期間增大。因為電阻不增大，所以功耗也可以降低。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光顯示裝置，其中，所述發(fā)光顯示裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中，通過兩個濕蝕刻工藝蝕刻所述數(shù)據(jù)焊盤電極和所述第一導(dǎo)電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中，通過濕蝕刻工藝蝕刻所述第二導(dǎo)電層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示裝置，其中，在所述濕蝕刻工藝之后通過干蝕刻工藝蝕刻所述第二絕緣層和所述半導(dǎo)體層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光顯示裝置，其中，通過所述干蝕刻工藝蝕刻所述第一絕緣層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光顯示裝置，其中：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光顯示裝置，其中：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光顯示裝置，其中，在平面圖中與所述開口重疊的所述第二導(dǎo)電層是所述驅(qū)動電壓線連接部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二絕緣層在平面圖中從所述開口的外圍突出到所述驅(qū)動電壓線連接部分的外側(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一半導(dǎo)體的所述開口的多個邊界部分當(dāng)中的朝向所述驅(qū)動電壓線連接部分設(shè)置的邊界部分在平面圖中從所述驅(qū)動電壓線連接部分突出。

11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二導(dǎo)電層形成為包括下層和上層的雙層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光顯示裝置，其中：

13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述發(fā)光顯示裝置進一步包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光顯示裝置，其中：

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光顯示裝置，其中：

16.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體。

17.一種發(fā)光顯示裝置，其中，所述發(fā)光顯示裝置包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述發(fā)光顯示裝置進一步包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光顯示裝置，其中，在所述濕蝕刻工藝之后通過干蝕刻工藝蝕刻所述第二絕緣層和所述半導(dǎo)體層。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光顯示裝置，其中：

技術(shù)總結(jié)
發(fā)光顯示裝置包括：基底；第一導(dǎo)電層，設(shè)置在基底上；第一絕緣層，覆蓋第一導(dǎo)電層；半導(dǎo)體層，設(shè)置在第一絕緣層上；第二絕緣層，設(shè)置在半導(dǎo)體層上；第二導(dǎo)電層，設(shè)置在第二絕緣層上；以及數(shù)據(jù)焊盤電極，設(shè)置在顯示區(qū)的外側(cè)中。第一導(dǎo)電層形成為包括下層、中間層和上層的三層。數(shù)據(jù)焊盤電極和第一導(dǎo)電層形成為相同的三層，三層中的下層包括鈦，三層中的中間層包括銅，并且三層中的上層包括鉬和鈦的合金。

技術(shù)研發(fā)人員：李正賢,康弼圭,劉永勛,劉恩娥,李韓蔚,韓相千
受保護的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21