本發(fā)明涉及有機發(fā)光(oled)顯示，特別涉及一種像素結構和應用該像素結構的顯示裝置。

背景技術：

1、目前，有機發(fā)光顯示(oled)的彩色化方案主要有兩種，一種是利用紅色(red)、綠色(green)、藍色(blue)子像素獨自發(fā)光，并采用像素并行排列(side-by-side)組成像素的結構；另一種是采用白光oled通過彩色濾光片(color?filter)轉化成紅色、綠色、藍色子像素的發(fā)光結構。通常小尺寸的顯示屏一般采用前者像素并行排列的結構，而大尺寸顯示屏如電視所用的顯示技術一般為第二種結構。

2、對于應用于ar/vr的硅基oled微顯示屏來講，主流的技術為采用類似于oled電視屏的woled加彩色濾光片的彩色化方案，由于彩色濾光片的使用，只有大約30％的光可以利用。這種方案對于具有高亮需求的ar/vr顯示屏來講是不利的。

3、相關技術中，實現(xiàn)高亮硅基oled顯示的方案主要有兩種，一種是使用硅晶圓上沉積氮化硅(sinx)或者氧化硅(siox)制作的超高精度掩模板(fine?mask)方案；另一種是使用的光刻工藝實現(xiàn)有機層圖案化的方案。對前者來講，超高精細掩模板的制作工藝相對復雜，且由于工藝及設備精度等的原因，其像素密度目前只能到2600左右。而采用半導體的光刻工藝雖然可以得到更高的像素密度，但由于光刻過程光刻膠及溶劑、顯影液等的使用，會使有機材料接觸到水和氧氣等對有機材料造成不可逆的破壞，從而影響oled器件的使用壽命。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的主要目的是提供一種像素結構和顯示裝置，旨在提供一種不采用彩色濾光片實現(xiàn)全彩色顯示的像素結構，使得該像素結構應用于oled顯示器件中不僅具有更高的亮度和更低的能耗。

2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種像素結構，所述像素結構包括金屬層和設于所述金屬層的像素單元，所述像素單元包括第一子像素、第二子像素及第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素沿垂直于所述金屬層的方向依次層疊設置于所述金屬層上。

3、在一實施例中，所述像素結構還包括驅動電路，所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素分別與所述驅動電路電連接。

4、在一實施例中，所述像素單元還包括第一導電件、第二導電件及第三導電件，所述第一導電件、第二導電件、第三導電件位于所述金屬層的同一側，所述驅動電路分別通過所述第一導電件、所述第二導電件、所述第三導電件與所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素電連接。

5、在一實施例中，所述像素單元設有第一通孔、第二通孔及第三通孔，所述第一通孔貫穿所述金屬層，所述第一導電件設于所述第一通孔內，以連接所述第一子像素和所述驅動電路；

6、所述第二通孔依次貫穿所述金屬層和所述第一子像素，所述第二導電件設于所述第二通孔內，以連接所述第二子像素和所述驅動電路；

7、所述第三通孔依次貫穿所述金屬層、所述第一子像素及所述第二子像素，所述第三導電件設于所述第三通孔內，以連接所述第三子像素和所述驅動電路；

8、其中，所述第一通孔、所述第二通孔及所述第三通孔在所述金屬層上呈間隔設置。

9、在一實施例中，所述第一導電件包括多個，所述第一通孔與所述第一導電件為一一對應設置；

10、且/或，所述第二導電件包括多個，所述第二通孔與所述第二導電件為一一對應設置；

11、且/或，所述第三導電件包括多個，所述第三通孔與所述第三導電件為一一對應設置；

12、且/或，所述第一導電件和所述第一通孔的孔壁之間設置有絕緣層；

13、且/或，所述第二導電件和所述第二通孔的孔壁之間設置有絕緣層；

14、且/或，所述第三導電件和所述第三通孔的孔壁之間設置有絕緣層；

15、且/或，所述第一導電件、所述第二導電件及所述第三導電件的材質為金屬導電材料。

16、在一實施例中，所述第一子像素包括依次層疊設置的第一像素陽極、第一發(fā)光件及第一像素陰極，所述第一像素陽極通過所述第一導電件與所述驅動電路連接；

17、所述第二子像素包括依次層疊設置的第二像素陽極、第二發(fā)光件及第二像素陰極，所述第二像素陽極通過所述第二導電件與所述驅動電路連接；

18、所述第三子像素包括依次層疊設置的第三像素陽極、第三發(fā)光件及第三像素陰極，所述第三像素陽極通過所述第三導電件與所述驅動電路連接。

19、在一實施例中，所述第一發(fā)光件包括依次層疊設置的第一空穴注入/傳輸層、第一發(fā)光層及第一電子傳輸/注入層，所述第一空穴注入/傳輸層位于所述第一發(fā)光層面向所述第一像素陽極的一側，所述第一電子傳輸/注入層位于所述第一發(fā)光層面向所述第一像素陰極的一側；

20、且/或，所述第二發(fā)光件包括依次層疊設置的第二空穴注入/傳輸層、第二發(fā)光層及第二電子傳輸/注入層，所述第二空穴注入/傳輸層位于所述第二發(fā)光層面向所述第二像素陽極的一側，所述第二電子傳輸/注入層位于所述第二發(fā)光層面向所述第二像素陰極的一側；

21、且/或，所述第三發(fā)光件包括依次層疊設置的第三空穴注入/傳輸層、第三發(fā)光層及第三電子傳輸/注入層，所述第三空穴注入/傳輸層位于所述第三發(fā)光層面向所述第三像素陽極的一側，所述第三電子傳輸/注入層位于所述第三發(fā)光層面向所述第三像素陰極的一側。

22、在一實施例中，所述第一發(fā)光件為紅光發(fā)光件，所述第二發(fā)光件為綠色發(fā)光件，所述第三發(fā)光件為藍色發(fā)光件。

23、在一實施例中，所述第一子像素還包括第一封裝層，所述第一封裝層設于所述第一像素陰極和所述第二像素陽極之間；

24、所述第二子像素還包括第二封裝層，所述第二封裝層設于所述第二像素陰極和所述第三像素陽極之間；

25、所述第三子像素還包括第三封裝層，所述第三封裝層設于所述第三像素陰極背向所述第三發(fā)光件的一側。

26、在一實施例中，所述像素結構還包括設于所述金屬層的共陰極結構，所述共陰極結構與所述像素單元相鄰且間隔設置，所述共陰極結構分別與所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素電連接。

27、在一實施例中，所述共陰極結構包括依次層疊設置的第一陰極、第二陰極及第三陰極，所述第一陰極與所述第一像素陰極連接，所述第二陰極與所述第二像素陰極連接，所述第三陰極與所述第三像素陰極連接。

28、在一實施例中，所述第三封裝層覆蓋于所述第三陰極背向所述第二陰極的一側；

29、且/或，所述第一封裝層、所述第二封裝層、所述第三封裝層為ai2o3、tio2、sinx、siox中的至少一種材料形成的單層或多層復合膜層；

30、且/或，所述第一像素陽極、所述第二像素陽極、所述第三像素陽極為ito或izo形成的單層或復合膜層。

31、在一實施例中，所述金屬層為ti/tin、al、mo、ag中的至少一種形成的單層或復合膜層；

32、且/或，所述像素單元包括多個，多個所述像素單元呈間隔設置。

33、本發(fā)明還提出一種顯示裝置，所述顯示裝置包括基板和上述所述的像素結構，所述像素結構設于所述基板。

34、本發(fā)明技術方案的像素結構通過在金屬層設置像素單元，并將像素單元的第一子像素、第二子像素及第三子像素沿垂直于金屬層的方向依次層疊堆積設置，也即采用垂直堆疊的像素排列方式，可在不采用彩色濾光片的情況下實現(xiàn)全彩色顯示，使得該像素結構應用于oled顯示器件中不僅比常規(guī)白光加彩色濾光片的顯示屏結構具有更高的亮度和更低的能耗。