開關(guān)器件和模塊的制作方法
【專利摘要】開關(guān)器件和模塊。一種開關(guān)器件包括：開關(guān)，該開關(guān)選擇輸入輸出端子中的一個(gè)并將其連接到公共端子；以及延遲線，該延遲線在所述輸入輸出端子中的兩個(gè)端子之間與所述開關(guān)并聯(lián)連接，并利用聲波使信號(hào)延遲。
【專利說明】開關(guān)器件和模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明的特定方面涉及開關(guān)器件和模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]以移動(dòng)電話為代表的無線裝置的快速普及推動(dòng)了開關(guān)器件的使用。例如，用于高頻通信的移動(dòng)終端使用高頻開關(guān)來選擇多個(gè)高頻信號(hào)。所述開關(guān)包括機(jī)械開關(guān)以及使用半導(dǎo)體晶體管的開關(guān)。
[0003]日本特開2006-109084 (專利文獻(xiàn)I)和美國(guó)專利第7848712號(hào)(專利文獻(xiàn)2)公開了在輸入輸出端子之間設(shè)置電感器以改善開關(guān)的輸入輸出端子之間的隔離特性。
[0004]專利文獻(xiàn)I和2的技術(shù)可通過電感器的電抗成分來抵消輸入輸出端子之間的寄生電容，并且改善隔離特性。然而，輸入輸出端子之間的寄生電容值較小，進(jìn)而使得電感器的電感較高。這使得小型化變得困難。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種開關(guān)器件，該開關(guān)器件包括:開關(guān)，該開關(guān)選擇輸入輸出端子中的一個(gè)并將其連接到公共端子；以及延遲線，該延遲線在所述輸入輸出端子中的兩個(gè)端子之間與所述開關(guān)并聯(lián)連接，并利用聲波來使信號(hào)延遲。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種包括上述開關(guān)器件的模塊。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007]圖1A是開關(guān)器件中使用的開關(guān)的電路圖，圖1B是說明開關(guān)的隔離的示圖；
[0008]圖2是根據(jù)第一實(shí)施方式的開關(guān)器件的框圖；
[0009]圖3A是根據(jù)第二實(shí)施方式的開關(guān)器件的平面圖，圖3B是延遲線的平面圖，圖3C是沿圖3B中的線A-A截取的截面圖；
[0010]圖4A至圖4C是分別示出開關(guān)的輸入輸出端子之間的隔離度、|Y21|和ΖΥ21的示圖；
[0011]圖5Α至圖5C是分別示出第二實(shí)施方式的延遲線和開關(guān)的隔離度、IΥ211和Z Υ21的示圖；
[0012]圖6是示出根據(jù)第二實(shí)施方式的開關(guān)器件的隔離特性的示圖；
[0013]圖7Α是根據(jù)第三實(shí)施方式的開關(guān)器件的平面圖，圖7Β是示出第三實(shí)施方式的開關(guān)器件的隔離特性的示圖；
[0014]圖8Α至圖SC是分別示出在沒有延遲線的情況下開關(guān)的輸入輸出端子之間的隔離度、|Υ21|和Z Υ21的示圖；
[0015]圖9是根據(jù)第四實(shí)施方式的開關(guān)器件的平面圖；
[0016]圖1OA至圖1OC是示出延遲線和諧振器的隔離度、|Υ21|和ΖΥ21的示圖；
[0017]圖1lA至圖1lC是分別示出延遲線與諧振器以及開關(guān)與傳輸線的隔離度、IΥ211和Z Y21的示圖；
[0018]圖12是示出根據(jù)第四實(shí)施方式的開關(guān)器件的隔離特性的示圖；
[0019]圖13A和圖13B是示出第二實(shí)施方式至第四實(shí)施方式中使用的示例性延遲線的平面圖；
[0020]圖14的上部是示出第二實(shí)施方式至第四實(shí)施方式中使用的另選的示例性延遲線的平面圖，圖14的下部是沿圖14的上部的線A-A截取的截面圖；以及
[0021]圖15A和圖15B是根據(jù)第五實(shí)施方式的模塊的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]以下，將參照附圖描述實(shí)施方式。
[0023]第一實(shí)施方式
[0024]將描述半導(dǎo)體開關(guān)作為開關(guān)器件中使用的開關(guān)的示例。圖1A是開關(guān)器件中使用的開關(guān)的電路圖。如圖1A所不，開關(guān)10包括晶體管12至18。晶體管12的源極和漏極分別連接到輸入輸出端子Tl和公共端子T3。晶體管14的源極和漏極分別連接到輸入輸出端子T2和公共端子T3。晶體管16的源極和漏極分別連接到輸入輸出端子Tl和地。晶體管18的源極和漏極分別連接到輸入輸出端子T2和地。晶體管12至18的柵極連接到控制端子T4。
[0025]圖1B是說明開關(guān)的隔離的示圖。如圖1B所示，提供給控制端子T4的控制信號(hào)使晶體管12和18導(dǎo)通，使晶體管14和16截止。晶體管12和18被等效地表示為電阻器R12和R18，晶體管14和16被等效地表示為電容器C14和C16。輸入輸出端子Tl連接到公共端子T3，輸入輸出端子T2與公共端子T3斷開。如上所述，開關(guān)10選擇輸入輸出端子Tl和T2中的一個(gè)并將其連接至公共端子T3。這使得從輸入輸出端子Tl輸入的高頻信號(hào)64輸出至公共端子T3。作為高頻信號(hào)的一部分的信號(hào)60從輸入輸出端子Tl通過電容器C14和C16泄漏到輸入輸出端子T2。這使輸入輸出端子Tl和T2之間的隔離劣化。
[0026]圖2是根據(jù)第一實(shí)施方式的開關(guān)器件的框圖。開關(guān)器件100包括開關(guān)10和延遲線20。開關(guān)10是半導(dǎo)體開關(guān)或機(jī)械開關(guān)。諸如MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的FET或雙極型晶體管可用作半導(dǎo)體開關(guān)的有源元件。延遲線20在輸入輸出端子Tl和T2之間與開關(guān)10并聯(lián)連接。延遲線20連接在輸入輸出端子中的兩個(gè)端子之間就足夠了。
[0027]信號(hào)60是從輸入輸出端子Tl通過開關(guān)10泄漏到輸入輸出端子T2的信號(hào)。信號(hào)62是從輸入輸出端子Tl通過延遲線20流向輸入輸出端子T2的信號(hào)。延遲線20利用聲波來使信號(hào)62延遲。因此，延遲線20的調(diào)節(jié)能夠使信號(hào)60和62具有近似相同的振幅和相反的相位。因此，信號(hào)60和62彼此抵消，改善了從輸入輸出端子Tl至輸入輸出端子T2的隔離特性。此外，與專利文獻(xiàn)I和2中公開的技術(shù)相比，使用聲波的延遲線20的使用使得能夠減小尺寸。
[0028]第二實(shí)施方式
[0029]第二實(shí)施方式使用由壓電層上的梳狀電極激發(fā)的聲波作為延遲線的聲波。圖3A是根據(jù)第二實(shí)施方式的開關(guān)器件的平面圖，圖3B是延遲線的平面圖，圖3C是沿圖3B的線A-A截取的截面圖。如圖3A所示，開關(guān)器件102包括開關(guān)10和延遲線20。開關(guān)10具有與圖1A相同的結(jié)構(gòu)，省略其描述。延遲線20在輸入輸出端子Tl和T2之間與開關(guān)10并聯(lián)連接。
[0030]如圖3B和圖3C所示，延遲線20包括形成在壓電基板22 (壓電層)上的IDT (叉指換能器)24和26。IDT24 (第一 IDT)包括一對(duì)梳狀電極24a和24b。梳狀電極24a接地，而梳狀電極24b連接到輸入端子Tin。IDT26(第二 IDT)包括一對(duì)梳狀電極26a和26b。梳狀電極26a接地，而梳狀電極26b連接到輸出端子Tout。輸入端子Tin電連接到輸入輸出端子Tl。輸出端子Tout電連接到輸入輸出端子T2。IDT24將輸入至輸入端子Tin的電信號(hào)轉(zhuǎn)換為壓電基板22的表面聲波25。IDT26將壓電基板22的表面聲波25轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，并將其輸出給輸出端子Tout。其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式相同，省略其描述。
[0031]圖4A至圖4C是分別不出開關(guān)的輸入輸出端子之間的隔尚度、IY211和Z Y21的不圖。開關(guān)10是使用CM0SFET (互補(bǔ)MOSFET)的開關(guān)。所述隔離度是輸入輸出端子Tl和T2之間的隔離度(S21)，Y21是輸入輸出端子Tl和T2之間的Y21的振幅，ZY21是輸入輸出端子Tl和T2之間的Y21的相位。所述隔離度、IY211和Z Y21是針對(duì)從1.5GHz至2.5GHz的頻率模擬的。頻帶66是改善隔離特性的頻帶，并且是(例如)使用開關(guān)器件的移動(dòng)終端的發(fā)送頻帶或接收頻帶。
[0032]如圖4A所示，頻帶66中的隔離度大約為_45dB。如圖4B所示，頻帶66中的|Y21大約為-60dB。如圖4C所示，頻帶66中的Z Y21大約為-90°。如上所述，輸入輸出端子Tl和T2之間存在容抗成分(即，寄生電容)。
[0033]圖5A至圖5C是分別示出第二實(shí)施方式的延遲線和開關(guān)的隔離度、IY211和ZY21的示圖。實(shí)線指示延遲線20，虛線指示開關(guān)10 (與圖4A至圖4C中相同)。在如下條件下模擬所述隔離度、|Y21|和ΖΥ21。
[0034]壓電基板22:44° Y切割鉭酸鋰單晶基板
[0035]IDT24:對(duì)數(shù):2.5 對(duì)，間距:1.98 μ m，孔徑長(zhǎng)度:65 λ
[0036]IDT26:對(duì)數(shù):3對(duì)，間距:2.00 μ m，孔徑長(zhǎng)度:65 λ
[0037]IDT24 和 26 之間的間隔:2.15 μ m
[0038]λ為聲波的波長(zhǎng)。
[0039]如圖5Α所示，延遲線20的隔離度大于開關(guān)10的隔離度。如圖5Β所示，頻帶66中的延遲線20的|Υ21|大約等于開關(guān)10的|Υ21|。如圖5C所示，頻帶66中的延遲線20的ΖΥ21大約為90°，并且相位與開關(guān)10的相位相反。如上所述，IDT24和26的優(yōu)化能夠使通過開關(guān)10的信號(hào)60的振幅與通過延遲線20的信號(hào)62的振幅近似相同，而相位相反。
[0040]圖6是示出第二實(shí)施方式的開關(guān)器件的隔離特性的示圖。實(shí)線指示從開關(guān)器件102的輸入輸出端子Tl至輸入輸出端子Τ2的隔離度的模擬結(jié)果。虛線指示從單獨(dú)的開關(guān)10的輸入輸出端子Tl至輸入輸出端子Τ2的模擬結(jié)果。如圖6所示，在頻帶66中，與單獨(dú)的開關(guān)10相比，開關(guān)器件102的隔離特性改善，如陰影區(qū)域所指示。
[0041]在第二實(shí)施方式中，IDT24將輸入至輸入輸出端子Tl的電信號(hào)轉(zhuǎn)換為在壓電基板22中傳播的聲波25。IDT26將在壓電基板22中傳播的聲波25轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。如上所述，延遲線20形成有由形成在壓電基板22上的梳狀電極激發(fā)的聲波。這使得能夠通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)IDT24和26來改善開關(guān)器件102的隔離特性。另外，與專利文獻(xiàn)I和2中描述的使用電感器的技術(shù)相比，第二實(shí)施方式可以使開關(guān)器件102小型化。
[0042]如上所述，IDT24和26可以形成在壓電基板上。或者，IDT24和26可以形成在基板上的壓電層上。
[0043]第三實(shí)施方式
[0044]圖7A是根據(jù)第三實(shí)施方式的開關(guān)器件的平面圖，圖7B是示出第三實(shí)施方式的開關(guān)器件的隔離特性的示圖。如圖7A所示，開關(guān)器件103包括開關(guān)10、延遲線20和傳輸線30。兩條傳輸線30連接在輸入輸出端子Tl與開關(guān)10之間以及輸入輸出端子T2與開關(guān)10之間。例如，傳輸線30是形成在介電質(zhì)基板32中的帶狀線(stripline)。其它結(jié)構(gòu)與圖3A所不的第二實(shí)施方式相同，省略其描述。
[0045]基于這樣的假設(shè)模擬隔離特性:傳輸線30的特性阻抗為50 Ω，長(zhǎng)度為1mm。在圖7B中，實(shí)線指示從圖7A中的開關(guān)器件103的輸入輸出端子Tl至輸入輸出端子T2的隔離度的模擬結(jié)果。虛線指示從單獨(dú)的開關(guān)10的輸入輸出端子Tl至輸入輸出端子T2的隔離度的模擬結(jié)果。如第三實(shí)施方式所述，即使傳輸線30連接在開關(guān)10與延遲線20之間，延遲線20也可改善隔離特性。然而，與圖6所示的第二實(shí)施方式相比，頻帶66中的開關(guān)器件103的隔離劣化。
[0046]實(shí)際的開關(guān)器件具有傳輸線以將開關(guān)10電連接到延遲線20。如圖7B所示，當(dāng)傳輸線較長(zhǎng)時(shí)，隔離特性的改善效果較小。為了調(diào)查原因，模擬從輸入輸出端子Tl通過開關(guān)10和傳輸線30 (而沒有圖7A中的延遲線20)到輸入輸出端子T2的信號(hào)的隔離度、|Y21和 Z Υ21。
[0047]圖8Α至圖SC是分別示出在沒有延遲線的情況下開關(guān)的輸入輸出端子之間的隔離度、|Υ21和Z Υ21的示圖。如圖8Α和圖8Β所示，隔離度和Υ21近似與圖4Α和圖4Β相同。如圖8C所示，ΖΥ21在超過-90°的負(fù)側(cè)。如圖所示，傳輸線30使相位從-90°進(jìn)一步旋轉(zhuǎn)。因此，認(rèn)為即使使用IDT24和26，也無法像第二實(shí)施方式那樣多地改善隔離特性，如圖7Β所示。
[0048]第四實(shí)施方式
[0049]圖9是根據(jù)第四實(shí)施方式的開關(guān)器件的平面圖。如圖9所示，單端對(duì)諧振器28連接在輸入輸出端子Tl與延遲線20的IDT24之間。
[0050]圖1OA至圖1OC是分別示出第四實(shí)施方式的延遲線和諧振器的隔離度、IΥ211和ΖΥ21的示圖。實(shí)線指示諧振器28，虛線指示延遲線20。在如下條件下模擬所述隔離度、
Υ211 和 Z Υ21。
[0051]壓電基板22:44° Y切割鉭酸鋰單晶基板
[0052]IDT24:對(duì)數(shù):8.5 對(duì)，間距:1.97 μ m，孔徑長(zhǎng)度-J2 λ
[0053]IDT26:對(duì)數(shù):18.0對(duì)，間距:1.97 μ m，孔徑長(zhǎng)度:72入
[0054]IDT24 和 26 之間的間隔:0.46 μ m
[0055]諧振器28:對(duì)數(shù):14對(duì)，間距:2.0 μ m，孔徑長(zhǎng)度:17 λ
[0056]λ為聲波的波長(zhǎng)。
[0057]頻帶66中的延遲線20的|Υ211近似等于開關(guān)10的|Υ211。頻帶66中的延遲線20的Z Υ21大約為90°。如上所述，難以僅使用延遲線20來使Z Υ21從90°偏移。諧振器28的諧振點(diǎn)和反諧振點(diǎn)位于頻帶66中。
[0058]圖1lA至圖1lC是分別示出第四實(shí)施方式的延遲線與諧振器以及開關(guān)與傳輸線的隔離度、|Υ21|和ΖΥ21的示圖。實(shí)線指示延遲線20和諧振器28，虛線指示開關(guān)10和傳輸線30。如圖1lB所示，通過延遲線20和諧振器28傳輸?shù)男盘?hào)的|Y2l|近似等于通過開關(guān)10和傳輸線30傳輸?shù)男盘?hào)的IΥ211。如圖1lC所示，通過延遲線20和諧振器28傳輸?shù)男盘?hào)的Z Υ21略小于90°。這使得通過延遲線20和諧振器28傳輸?shù)男盘?hào)的相位與通過開關(guān)10和傳輸線30傳輸?shù)男盘?hào)的相位相反。
[0059]圖12是示出第四實(shí)施方式的開關(guān)器件的隔離特性的示圖。實(shí)線指示從開關(guān)器件104的輸入輸出端子Tl至輸入輸出端子Τ2的隔離度的模擬結(jié)果。虛線指示從單獨(dú)的開關(guān)10的輸入輸出端子Tl至輸入輸出端子Τ2的隔離度的模擬結(jié)果。如圖12所示，在頻帶66中，與單獨(dú)的開關(guān)10相比，開關(guān)器件104的隔尚特性改善。另外，與第三實(shí)施方式相比，隔離特性改善。
[0060]在第四實(shí)施方式中，諧振器28在輸入輸出端子Tl和Τ2之間與延遲線20串聯(lián)連接。除了延遲線20以外，諧振器28的設(shè)計(jì)常數(shù)可優(yōu)化，因此即使存在傳輸線30，隔離特性也可優(yōu)化。第四實(shí)施方式描述了諧振器28連接在IDT24與輸入輸出端子Tl之間的情況，但是諧振器可連接在IDT26與輸入輸出端子Τ2之間。另外，諧振器可連接在IDT24與輸入輸出端子Tl之間以及IDT26與輸入輸出端子Τ2之間。諧振器可以是單端對(duì)諧振器以外的諧振器。
[0061]圖13Α和圖13Β是示出第二實(shí)施方式至第四實(shí)施方式中使用的示例性延遲線的平面圖。如圖13Α所示，可在聲波的傳播方向上在IDT24和26的兩側(cè)或單側(cè)設(shè)置反射器27。如圖13Β所示，IDT24c和24d可連接至輸入端子Tin。另外，兩個(gè)或更多個(gè)IDT可連接至輸出端子Tout，兩個(gè)或更多個(gè)IDT可連接至輸入端子Tin和輸出端子Tout 二者。描述表面聲波作為由梳狀電極激發(fā)的聲波的示例，但是邊界聲波或樂甫波也可用作所述聲波。
[0062]圖14的上部是示出第二實(shí)施方式至第四實(shí)施方式中使用的另選的示例性延遲線的平面圖，圖14的下部是沿圖14的上部中的線A-A截取的截面圖。如圖14的上部和圖14的下部所示，壓電薄膜諧振器42通過空隙48設(shè)置在基板40上，壓電薄膜諧振器46通過壓電層44層疊在壓電薄膜諧振器42上。壓電薄膜諧振器42 (第二壓電薄膜諧振器)通過將下電極41、壓電層44和上電極43層疊而形成。壓電薄膜諧振器46(第一壓電薄膜諧振器)通過將下電極45、壓電層44和上電極47層疊而形成。諧振區(qū)域49是下電極41或45橫跨壓電層44與上電極43或47重疊的區(qū)域。
[0063]壓電薄膜諧振器46的上電極47連接至輸入端子Tin，下電極45接地。壓電薄膜諧振器42的下電極41連接至輸出端子Tout，上電極43接地。輸入端子Tin連接至輸入輸出端子Tl，輸出端子Tout連接至輸入輸出端子T2。壓電薄膜諧振器46的厚度振子39在壓電層44中激發(fā)聲波25。如上所述，壓電薄膜諧振器46將輸入至輸入端子Tin的電信號(hào)轉(zhuǎn)換為在壓電層44中傳播的聲波25。聲波25從壓電薄膜諧振器46傳播到壓電薄膜諧振器42。壓電薄膜諧振器42將聲波25轉(zhuǎn)換為電信號(hào)并將其輸出給輸出端子Tout。
[0064]如上所述，由厚度振子利用壓電層44激發(fā)的聲波可用于延遲線20和/或諧振器28。壓電薄膜諧振器42、46可通過反射聲波的聲多層膜設(shè)置在基板40上。
[0065]第五實(shí)施方式
[0066]第五實(shí)施方式是包括第一實(shí)施方式至第四實(shí)施方式中的任一個(gè)開關(guān)器件的示例性模塊。圖15A和圖15B是根據(jù)第五實(shí)施方式的模塊的框圖。如圖15A所示，模塊106包括開關(guān)器件100以及濾波器52和54。濾波器52連接在輸入輸出端子Tl與端子T5之間。濾波器54連接在輸入輸出端子T2與端子T6之間。公共端子Τ3連接至天線50。端子Τ5和Τ6均為發(fā)送端子或接收端子，或者端子Τ5和Τ6中的一個(gè)為發(fā)送端子，另一個(gè)為接收端子。
[0067]如圖15Β所示，模塊108包括開關(guān)器件100以及雙工器70和74。雙工器70包括發(fā)送濾波器71和接收濾波器72。發(fā)送濾波器71連接在輸入輸出端子Tl與端子Τ7之間。接收濾波器72連接在輸入輸出端子Tl與端子Τ8之間。雙工器74包括發(fā)送濾波器75和接收濾波器76。發(fā)送濾波器75連接在輸入輸出端子Τ2與端子T9之間。接收濾波器76連接在輸入輸出端子Τ2與端子TlO之間。公共端子Τ3連接至天線50。
[0068]如第五實(shí)施方式所述，輸入輸出端子Tl和Τ2可連接至濾波器或雙工器。聲波濾波器可用于濾波器或雙工器。
[0069]盡管已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對(duì)其進(jìn)行各種改變、置換和更改。
【權(quán)利要求】
1.一種開關(guān)器件，該開關(guān)器件包括: 開關(guān)，該開關(guān)選擇輸入輸出端子中的一個(gè)并將其連接到公共端子；以及 延遲線，該延遲線在所述輸入輸出端子中的兩個(gè)端子之間與所述開關(guān)并聯(lián)連接，并利用聲波來使信號(hào)延遲。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)器件，其中， 所述延遲線將輸入至所述兩個(gè)端子中的第一端子的第一電信號(hào)轉(zhuǎn)換為在壓電層中傳播的聲波，并將在所述壓電層中傳播的所述聲波轉(zhuǎn)換為第二電信號(hào)，并將該第二電信號(hào)輸出給所述兩個(gè)端子中的第二端子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)器件，其中， 所述聲波是由形成在壓電層上的梳狀電極激發(fā)的聲波。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)器件，其中，所述延遲線包括: 第一 IDT，其將輸入至所述兩個(gè)端子中的第一端子的第一電信號(hào)轉(zhuǎn)換為在壓電層中傳播的聲波；以及 第二 IDT，其將在所述壓電層中傳播的所述聲波轉(zhuǎn)換為第二電信號(hào)，并將該第二電信號(hào)輸出給所述兩個(gè)端子中的第二端子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)器件，其中， 所述聲波是由使用了壓電層的厚度振子激發(fā)的聲波。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)器件，其中，所述延遲線包括: 第一壓電薄膜諧振器，其將輸入至所述兩個(gè)端子中的第一端子的第一電信號(hào)轉(zhuǎn)換為在壓電層中傳播的聲波；以及 第二壓電薄膜諧振器，其將在所述壓電層中傳播的所述聲波轉(zhuǎn)換為第二電信號(hào)，并將該第二電信號(hào)輸出給所述兩個(gè)端子中的第二端子。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的開關(guān)器件，該開關(guān)器件還包括: 諧振器，其在所述兩個(gè)端子之間與所述延遲線串聯(lián)連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的開關(guān)器件，其中，所述開關(guān)是半導(dǎo)體開關(guān)。
9.一種模塊,該模塊包含根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的開關(guān)器件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的模塊，該模塊還包含與所述兩個(gè)端子連接的濾波器。
【文檔編號(hào)】H03K17/94GK103812486SQ201310504023
【公開日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2013年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月8日
【發(fā)明者】巖城匡郁 申請(qǐng)人:太陽誘電株式會(huì)社